關(guān)聯(lián)申請本申請要求2014年11月7日提出的日本特愿2014-227321的優(yōu)先權(quán)，將其整體通過參考作為本申請的一部分進(jìn)行引用。本發(fā)明涉及層間膠粘性和釬焊耐熱性優(yōu)良的層疊電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：信息處理設(shè)備、通信設(shè)備等電子設(shè)備一般內(nèi)置有電路基板。電路基板通常具有由絕緣性的材料形成的基板和形成在基板上的由導(dǎo)電材料構(gòu)成的層(以下記載為導(dǎo)體層)，利用該導(dǎo)體層形成有電路。各種電子部件通過釬焊等處理而設(shè)置在電路基板上。對于便攜電話等小型電子設(shè)備中使用的電路基板而言，基于小型化、薄型化的要求，正在進(jìn)行以柔性樹脂材料作為絕緣性基板的電路基板的開發(fā)，近年來，也廣泛使用具有多個導(dǎo)體層的多層電路基板。作為柔性絕緣材料，近年來，熱塑性液晶聚合物薄膜受到關(guān)注。層疊基板中，熱塑性液晶聚合物薄膜用于導(dǎo)體電路基板的絕緣基材、將在基材表面上形成有導(dǎo)體電路的基板(以下，稱為單元電路基板)彼此接合的粘結(jié)片、形成在電路層的表面的覆蓋薄膜等。這些熱塑性液晶聚合物薄膜通過在加壓下進(jìn)行加熱的熱壓接而互相接合，因此，能夠在不使用膠粘劑的情況下構(gòu)成層疊基板。對以熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣基材的層疊電路基板進(jìn)行了各種改良。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載了一種電路基板用包覆有金屬的層疊板的制造方法，其具備：使具有規(guī)定的分子取向度的熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬片在使熱塑性液晶聚合物薄膜張緊的狀態(tài)下在加熱輥間進(jìn)行壓接的第一工序和將第一工序中得到的層疊板在熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點以上進(jìn)行加熱處理的第二工序。在專利文獻(xiàn)2中記載了一種多層電路基板的制造方法，其中，對熱塑性液晶聚合物薄膜的至少一個表面實施物理研磨或利用紫外線照射的軟化處理而形成膠粘面，使該膠粘面與形成有導(dǎo)體電路的基板的電路形成面相對，進(jìn)行熱壓接?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-343610號公報專利文獻(xiàn)2：日本特開2010-103269號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題專利文獻(xiàn)1中，在使具有規(guī)定的分子取向度的熱塑性液晶聚合物薄膜張緊的狀態(tài)下將金屬片壓接后，在薄膜的熔點以上的溫度下進(jìn)行加熱，由此得到各向同性和尺寸穩(wěn)定性優(yōu)良的包覆有金屬的層疊板，但關(guān)于將兩張以上的熱塑性液晶聚合物薄膜層疊并進(jìn)行熱壓接時的釬焊耐熱性和尺寸穩(wěn)定性，沒有任何記載。專利文獻(xiàn)2中，通過對熱塑性液晶聚合物薄膜的表面實施軟化處理，能夠在不實施使用化學(xué)品或等離子體的表面粗化處理的情況下提高膠粘性，也可以得到耐釬焊性和尺寸穩(wěn)定性，但需要研磨、利用紫外線照射的膠粘面的形成，因此不是適合于層疊電路基板的大量生產(chǎn)的方法，并且層疊結(jié)構(gòu)的設(shè)計上的制約也增加。本發(fā)明的目的在于提供通過利用熱處理的簡便方法而使層間膠粘性和釬焊耐熱性優(yōu)良的電路基板及其制造方法。此外，本發(fā)明的目的在于提供層間膠粘性和釬焊耐熱性優(yōu)良并且制造工序中的尺寸變化小的電路基板及其制造方法。用于解決問題的方法本發(fā)明的第一構(gòu)成為一種電路基板的制造方法，其包括：準(zhǔn)備多張至少一種熱塑性液晶聚合物薄膜的工序；在所述多張薄膜中的至少一張中在薄膜的單面或兩面上形成導(dǎo)體層而制成單元電路基板的工序；將包含所述單元電路基板的所述多張薄膜層疊而形成層疊體的工序；將所述層疊體在加壓下加熱至產(chǎn)生層間膠粘的第一溫度而進(jìn)行一體化的熱壓接工序；和在所述第一溫度下的加熱后，將所述層疊體在比所述第一溫度低、且比構(gòu)成所述多張薄膜的主體的熱塑性液晶聚合物薄膜中熔點最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低的第二溫度下進(jìn)行加熱而進(jìn)行規(guī)定時間的結(jié)構(gòu)控制熱處理的工序。在此，結(jié)構(gòu)控制熱處理是為了控制薄膜中的熱塑性液晶聚合物的分子結(jié)構(gòu)而進(jìn)行的熱處理。此外，第二溫度是能夠通過熱處理對薄膜中的熱塑性液晶聚合物的分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行控制的溫度。在上述方法中，多張薄膜可以由熔點相同、優(yōu)選相同種類的熱塑性液晶聚合物薄膜構(gòu)成，也可以由熔點不同的多種熱塑性液晶聚合物薄膜構(gòu)成。導(dǎo)體層(導(dǎo)電體層)可以由金屬箔構(gòu)成，例如可以由銅箔構(gòu)成。導(dǎo)體層的形成例如可以通過將金屬箔(例如，銅箔)熱壓接到熱塑性液晶聚合物薄膜上來進(jìn)行。在上述方法中，結(jié)構(gòu)控制熱處理可以在熱壓接工序中作為利用第一溫度的層間膠粘的后熱工序來進(jìn)行。即，進(jìn)行上述結(jié)構(gòu)控制熱處理的工序包含在上述熱壓接工序中，可以是在對層疊體進(jìn)行加壓的同時進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理的工序。在這種情況下，在熱壓接工序中，可以在對層疊體進(jìn)行加壓的同時加熱至第一溫度，在該溫度下保持規(guī)定時間后，冷卻至第二溫度，進(jìn)行規(guī)定時間的結(jié)構(gòu)控制熱處理。上述熱壓接時的第一溫度在將層疊體中熔點最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點設(shè)為tml時可以為例如(tml-35)～(tml+20)℃，和/或結(jié)構(gòu)控制熱處理時的第二溫度可以為(第一溫度-10)℃以下。此外，從第一溫度至第二溫度，可以以1～8℃/分鐘的冷卻速度進(jìn)行冷卻，優(yōu)選可以以2～8℃/分鐘的冷卻速度進(jìn)行冷卻。例如，第二溫度下的結(jié)構(gòu)控制熱處理時間可以為15分鐘～90分鐘。此外，第一溫度下的熱壓接處理時間可以為15分鐘～60分鐘。在上述方法中，熱壓接時的膠粘溫度(第一溫度)可以為270～320℃，和/或結(jié)構(gòu)控制熱處理時的溫度(第二溫度)可以為260～290℃。熱壓接時的加壓壓力可以為5mpa以下。在上述方法中，上述層疊體可以是將具有熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其至少一面上的導(dǎo)體層的單元電路基板多張層疊而得到的材料?；蛘?，可以是包含一張或多張單元電路基板、和一張或多張熱塑性液晶聚合物薄膜單體(表面上未形成導(dǎo)體層的熱塑性液晶聚合物薄膜)的材料。例如，在利用上述方法形成的上述層疊體的一部分，可以在包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面或兩面上的導(dǎo)體層的單元電路基板(第一單元電路基板)上直接層疊有包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面上的導(dǎo)體層的單元電路基板(第二單元電路基板)。在利用上述方法形成的上述層疊體的一部分，可以將分別包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面或兩面上的導(dǎo)體層的兩張單元電路基板隔著包含熱塑性液晶聚合物薄膜的粘結(jié)片進(jìn)行層疊。在上述方法中，可以在準(zhǔn)備熱塑性液晶聚合物薄膜后，在選自形成導(dǎo)體層之前的階段、在形成熱塑性液晶聚合物薄膜并在其單面或兩面上形成導(dǎo)體層后且層疊體形成前的階段、和上述層疊體形成后加壓前的階段中的至少一階段中，通過在大氣中或惰性氣氛中在100～200℃的溫度下保持規(guī)定時間、和/或在氣壓1500pa以下的真空度下保持規(guī)定時間來進(jìn)行脫氣處理。本發(fā)明的第二構(gòu)成為一種電路基板，其為通過上述本發(fā)明的方法制造的電路基板，其中，具備具有多張熱塑性液晶聚合物薄膜和至少一層導(dǎo)體層的層疊結(jié)構(gòu)，在上述層疊結(jié)構(gòu)的至少一部分包含電路經(jīng)加工的導(dǎo)體層被夾在兩張熱塑性液晶聚合物薄膜的層間的結(jié)構(gòu)。該電路基板可以是包含2層以上的導(dǎo)體層的多層電路基板。需要說明的是，權(quán)利要求書和/或說明書和/或附圖中公開的至少兩個構(gòu)成要素的任意組合也包含在本發(fā)明中。特別是，權(quán)利要求書所記載的兩個以上權(quán)利要求的任意組合也包含在本發(fā)明中。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的電路基板的制造方法，能夠提供釬焊耐熱性和耐剝離性均優(yōu)良的電路基板，進(jìn)而能夠提供熱處理時的尺寸穩(wěn)定性也優(yōu)良的電路基板。附圖說明本發(fā)明根據(jù)參考附圖進(jìn)行的以下的優(yōu)選實施方式的說明更清楚地進(jìn)行理解。但是，實施方式和附圖僅僅用于圖示及說明，不應(yīng)當(dāng)用于規(guī)定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的范圍根據(jù)所附的權(quán)利要求書來確定。在附圖中，多個圖中的相同的參考編號表示相同部分。圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)中的熱壓接工序的熱歷程的概念圖。圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的伴隨著結(jié)構(gòu)控制熱處理的熱壓接工序的熱歷程的概念圖。圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式的多層電路基板的示意截面圖。圖4是表示本發(fā)明的其他實施方式的多層電路基板的示意截面圖。具體實施方式本發(fā)明的電路基板的制造方法為一種電路基板的制造方法，其包括：準(zhǔn)備多張至少一種熱塑性液晶聚合物薄膜的工序；在上述多張薄膜的至少一張中在薄膜的單面或兩面上形成導(dǎo)體層而制成單元電路基板的工序；將包含上述單元電路基板的上述多張薄膜層疊而形成層疊體的工序；將上述層疊體在加壓下加熱至產(chǎn)生層間膠粘的第一溫度而進(jìn)行一體化的熱壓接工序；和在上述第一溫度下的加熱后，將上述層疊體在比上述第一溫度低、且比構(gòu)成上述多張薄膜的主體的熱塑性液晶聚合物薄膜中熔點最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低的第二溫度下進(jìn)行規(guī)定時間的結(jié)構(gòu)控制熱處理的工序。本發(fā)明的電路基板是通過上述的本發(fā)明的方法制造的電路基板。本發(fā)明人為了開發(fā)具有高層間膠粘性和釬焊耐熱性的層疊電路基板而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在制作層疊電路基板時的熱壓接工序中，使用高處理溫度時，可以得到較高的層間膠粘性、即較高的層間剝離強(qiáng)度，但已知，如果提高熱壓接時的最高到達(dá)溫度，則尺寸穩(wěn)定性和釬焊耐熱性降低。發(fā)明人為了解決該問題而進(jìn)一步進(jìn)行研究后發(fā)現(xiàn)，與在現(xiàn)有的熱壓接工序中將所層疊的材料從最高到達(dá)溫度起單調(diào)地進(jìn)行冷卻的方法不同，在用于進(jìn)行層間膠粘的第一溫度下保持規(guī)定時間后進(jìn)一步在規(guī)定溫度下進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理時，可以得到在保持高釬焊耐熱性的狀態(tài)下層間剝離強(qiáng)度也優(yōu)良的層疊電路基板，進(jìn)而，電路基板的尺寸穩(wěn)定性也得到改善，從而完成了本發(fā)明。以下，對于上述本發(fā)明的方法，更具體地進(jìn)行說明。(熱塑性液晶聚合物薄膜)構(gòu)成薄膜主體的熱塑性液晶聚合物薄膜由能夠熔融成形的液晶性聚合物形成。該熱塑性液晶聚合物是可形成光學(xué)各向異性的熔融相的聚合物，只要是能夠熔融成形的液晶性聚合物，則特別是其化學(xué)構(gòu)成沒有特別限定，可以列舉例如熱塑性液晶聚酯或在其中導(dǎo)入有酰胺鍵的熱塑性液晶聚酯酰胺等。此外，熱塑性液晶聚合物可以是在芳香族聚酯或芳香族聚酯酰胺中進(jìn)一步導(dǎo)入有酰亞胺鍵、碳酸酯鍵、碳二亞胺鍵或異氰脲酸酯鍵等來自異氰酸酯的鍵等的聚合物。作為本發(fā)明中使用的熱塑性液晶聚合物的具體例，可以列舉由分類成以下例示的(1)至(4)的化合物及其衍生物衍生的公知的熱塑性液晶聚酯和熱塑性液晶聚酯酰胺。但是，為了形成可形成光學(xué)各向異性的熔融相的聚合物，各種原料化合物的組合存在適當(dāng)?shù)姆秶@是不言而喻的。(1)芳香族或脂肪族二羥基化合物(代表例參考表1)[表1](2)芳香族或脂肪族二羧酸(代表例參考表2)[表2](3)芳香族羥基羧酸(代表例參考表3)[表3](4)芳香族二胺、芳香族羥基胺或芳香族氨基羧酸(代表例參考表4)[表4]作為由這些原料化合物得到的液晶聚合物的代表例，可以列舉具有表5和6所示的結(jié)構(gòu)單元的共聚物。[表5][表6]在這些共聚物中，優(yōu)選至少含有對羥基苯甲酸和/或6-羥基-2-萘甲酸作為重復(fù)單元的聚合物，特別優(yōu)選(i)含有對羥基苯甲酸和6-羥基-2-萘甲酸的重復(fù)單元的聚合物、(ii)含有選自由對羥基苯甲酸和6-羥基-2-萘甲酸組成的組中的至少一種芳香族羥基羧酸、選自由4,4’-二羥基聯(lián)苯和氫醌組成的組中的至少一種芳香族二醇、以及選自由對苯二甲酸、間苯二甲酸和2,6-萘二甲酸組成的組中的至少一種芳香族二羧酸的重復(fù)單元的聚合物。例如，(i)的聚合物中，在熱塑性液晶聚合物至少含有對羥基苯甲酸和6-羥基-2-萘甲酸的重復(fù)單元的情況下，重復(fù)單元(a)的對羥基苯甲酸與重復(fù)單元(b)的6-羥基-2-萘甲酸的摩爾比(a)/(b)在液晶聚合物中優(yōu)選為(a)/(b)＝10/90～90/10左右，可以更優(yōu)選為(a)/(b)＝50/50～85/15左右，可以進(jìn)一步優(yōu)選為(a)/(b)＝60/40～80/20左右。此外，在(ii)的聚合物的情況下，選自由對羥基苯甲酸和6-羥基-2-萘甲酸組成的組中的至少一種芳香族羥基羧酸(c)、選自由4,4’-二羥基聯(lián)苯和氫醌組成的組中的至少一種芳香族二醇(d)、以及選自由對苯二甲酸、間苯二甲酸和2,6-萘二甲酸組成的組中的至少一種芳香族二羧酸(e)的、在液晶聚合物中的各重復(fù)單元的摩爾比可以為芳香族羥基羧酸(c)：上述芳香族二醇(d):上述芳香族二羧酸(e)＝30～80:35～10:35～10左右，可以更優(yōu)選為(c):(d):(e)＝35～75:32.5～12.5:32.5～12.5左右，可以進(jìn)一步優(yōu)選為(c):(d):(e)＝40～70:30～15:30～15左右。此外，來自芳香族二醇的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元與來自芳香族二羧酸的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的摩爾比優(yōu)選為(d)/(e)＝95/100～100/95。偏離該范圍時，存在聚合度不會提高、機(jī)械強(qiáng)度降低的傾向。需要說明的是，本發(fā)明中所述的熔融時的光學(xué)各向異性可以如下確認(rèn)：例如將試樣載于熱臺上，在氮氣氣氛下升溫加熱，觀察試樣的透射光。作為熱塑性液晶聚合物，優(yōu)選的是熔點(以下稱為tmo)在260～360℃的范圍內(nèi)的熱塑性液晶聚合物，更優(yōu)選tmo為270～350℃。上述熱塑性液晶聚合物中，可以在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)添加聚對苯二甲酸乙二醇酯、改性聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚醚醚酮、氟樹脂等熱塑性聚合物、各種添加劑。此外，可以根據(jù)需要添加填充劑。本發(fā)明中使用的熱塑性液晶聚合物薄膜可以通過將熱塑性液晶聚合物進(jìn)行擠出成形而得到。只要能夠控制熱塑性液晶聚合物的剛性棒狀分子的方向，則可以應(yīng)用任意的擠出成形法，公知的t型模頭法、層壓體拉伸法、吹脹法等在工業(yè)上是有利的。特別是在吹脹法、層壓體拉伸法中，不僅對薄膜的機(jī)械軸方向(或機(jī)械加工方向：以下簡稱為md方向)施加應(yīng)力，而且對與其正交的方向(以下簡稱為td方向)也施加應(yīng)力，可以得到控制了md方向和td方向上的分子取向性、介電特性的薄膜。擠出成形中，為了控制取向，優(yōu)選伴隨有拉伸處理，例如，在利用t型模頭法的擠出成形中，可以將從t型模頭擠出的熔融體片不僅相對于薄膜的md方向進(jìn)行拉伸，而且相對于md方向和td方向這兩個方向同時進(jìn)行拉伸，或者可以將從t型模頭擠出的熔融體片暫時在md方向上進(jìn)行拉伸，接著在td方向上進(jìn)行拉伸。此外，在利用吹脹法的擠出成形中，對于從環(huán)形?？谥腥廴跀D出的圓筒狀片，可以以規(guī)定的拉伸比(相當(dāng)于md方向的拉伸倍率；也稱為預(yù)拉伸比)和吹脹比(相當(dāng)于td方向的拉伸倍率；也稱為吹脹率)進(jìn)行拉伸。關(guān)于這種擠出成形的拉伸倍率，作為md方向的拉伸倍率(或拉伸比)，例如可以為1.0～10左右，優(yōu)選為1.2～7左右，更優(yōu)選為1.3～7左右。此外，作為td方向的拉伸倍率(或吹脹比)，例如可以為1.5～20左右，優(yōu)選為2～15左右，更優(yōu)選為2.5～14左右。md方向與td方向各自的拉伸倍率的比(td方向/md方向)例如可以為2.6以下，優(yōu)選為0.4～2.5左右。另外，對熱塑性液晶聚合物薄膜進(jìn)行擠出成形后，可以根據(jù)需要進(jìn)行拉伸。拉伸方法本身是公知的，可以采用雙軸拉伸、單軸拉伸中的任一種，從更容易控制分子取向度的觀點出發(fā)，優(yōu)選雙軸拉伸。另外，拉伸可以使用公知的單軸拉伸機(jī)、同時雙軸拉伸機(jī)、逐次雙軸拉伸機(jī)等。此外，可以根據(jù)需要進(jìn)行公知或慣用的熱處理，對熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點和/或熱膨脹系數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。熱處理條件可以根據(jù)目的而適當(dāng)設(shè)定，例如，可以通過在液晶聚合物的熔點(tmo)-10℃以上(例如，tmo-10～tmo+30℃左右，優(yōu)選為tmo～tmo+20℃左右)加熱數(shù)小時，由此使熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(tm)升高。如此得到的本發(fā)明的熱塑性液晶聚合物薄膜具有優(yōu)良的介電特性、阻氣性、低吸濕性等，因此能夠適合作為電路基板材料使用。出于得到薄膜的期望的耐熱性和加工性的目的，熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(tm)可以在200～400℃左右的范圍內(nèi)選擇，優(yōu)選為250～360℃左右，更優(yōu)選為260～350℃(例如260～340℃)左右。本發(fā)明中使用的熱塑性液晶聚合物薄膜可以為任意的膜厚。但是，在用于高頻傳輸線路的情況下，薄膜的厚度越厚則傳輸損失越小，因此，優(yōu)選盡可能地使厚度加厚。在使用熱塑性液晶聚合物薄膜作為電絕緣層的情況下，其薄膜的膜厚優(yōu)選在10～500μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在10～300μm的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在10～200μm(例如，15～200μm)的范圍內(nèi)。在薄膜的厚度過薄的情況下，薄膜的剛性、強(qiáng)度減小，因此，可以使用將薄膜膜厚為10～200μm的范圍的薄膜層疊而得到任意的厚度的方法。(導(dǎo)體層的形成)導(dǎo)體層可以形成于熱塑性液晶聚合物薄膜的單面或兩面上。導(dǎo)體層至少由具有導(dǎo)電性的金屬形成，使用公知的電路加工方法在該導(dǎo)體層上形成電路。作為在由熱塑性液晶聚合物薄膜構(gòu)成的絕緣性基板上形成導(dǎo)體層的方法，可以使用公知的方法，例如，可以蒸鍍出金屬層，也可以通過化學(xué)鍍、電鍍形成金屬層。另外，可以通過熱壓接將金屬箔(例如銅箔)壓接到熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上。構(gòu)成金屬層的金屬優(yōu)選為在電連接中使用的金屬，可以列舉銅、金、銀、鎳、鋁等各種金屬，優(yōu)選為銅，此外，也可以包含實質(zhì)上(例如，98質(zhì)量％以上)由這些金屬構(gòu)成的合金。在這些金屬中，優(yōu)選使用金屬箔，更優(yōu)選使用銅箔。銅箔只要是可以在電路基板中使用的銅箔則沒有特別限定，可以為壓延銅箔、電解銅箔中的任一種。金屬箔的熱壓接例如可以通過在270～320℃左右的溫度下施加3～5mpa左右的壓力來進(jìn)行。此時，氣氛優(yōu)選設(shè)定為惰性氣體氣氛或氣壓1500pa以下的真空條件。熱壓接例如可以使用真空熱壓機(jī)裝置、加熱輥設(shè)備等。導(dǎo)體層的厚度例如優(yōu)選在1～50μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在10～35μm的范圍內(nèi)。對于至少一層的導(dǎo)體層，進(jìn)行電路加工。作為使用導(dǎo)體層(金屬層)形成電路的方法，可以采用公知的方法(例如，利用光加工法的蝕刻法)。例如，可以通過減成法對熱塑性液晶聚合物薄膜上的金屬層(金屬箔)進(jìn)行蝕刻加工而形成電路?；蛘?，可以通過利用半加成法的鍍覆加工在形成于熱塑性液晶聚合物薄膜上的籽晶層上形成電路(在該情況下，籽晶層的厚度可以小于1μm)。導(dǎo)體電路可以僅形成于熱塑性液晶聚合物薄膜的單面上，也可以形成于兩面上。可以在導(dǎo)體層的表面上形成耐氧化性的覆膜。此外，為了提高導(dǎo)體層與熱塑性液晶聚合物薄膜的膠粘性，可以在導(dǎo)體層或?qū)w層上的耐氧化性覆膜的表面附著硅烷偶聯(lián)劑。(脫氣處理)根據(jù)需要，可以對構(gòu)成層疊體的熱塑性液晶聚合物薄膜進(jìn)行脫氣處理。脫氣處理可以通過(i)溫度100～200℃下的加熱、和/或(ii)1500pa以下的真空條件下的保持來進(jìn)行。例如，可以在通過100～200℃下的加熱進(jìn)行脫氣處理后，在1500pa以下的真空度下保持于常溫～200℃左右的溫度來進(jìn)行脫氣。脫氣處理可以在熱塑性液晶聚合物薄膜表面上形成導(dǎo)體層之前、形成導(dǎo)體層之后、薄膜層疊后的熱壓接前的各階段中的至少一個階段或所有階段中進(jìn)行。熱塑性液晶聚合物薄膜的基于加熱的脫氣可以在常壓下進(jìn)行。在100℃以上且200℃以下的范圍內(nèi)的溫度下的保持時間例如可以為30分鐘～4小時，優(yōu)選為1小時～3小時左右。在進(jìn)行形成有導(dǎo)體層的熱塑性液晶聚合物薄膜的脫氣的情況下，優(yōu)選使用惰性氣體氣氛。真空條件下的脫氣中，使用氣壓為1500pa以下的真空度即可，優(yōu)選為1300pa以下，更優(yōu)選為1100pa以下。在真空條件下進(jìn)行脫氣的情況下，可以在常溫(20℃前后，例如10～30℃)下進(jìn)行脫氣，但也可以在加熱至200℃左右的同時進(jìn)行。例如，可以加熱至100～200℃左右。真空條件下的脫氣進(jìn)行30分鐘～3小時左右即可。需要說明的是，真空條件下的脫氣可以在形成層疊體后、加壓前進(jìn)行。(層疊工序)在層疊工序中，將包含至少一張在其至少一個面上形成有導(dǎo)體電路的熱塑性液晶聚合物薄膜的、多張熱塑性液晶聚合物薄膜根據(jù)所期望的多層電路基板的設(shè)計進(jìn)行層疊而制成層疊體。層疊可以在熱壓接裝置的裝置(例如，真空熱壓機(jī)裝置)外進(jìn)行，也可以在上述裝置內(nèi)進(jìn)行。層疊中，可以層疊兩張以上具有導(dǎo)體層的單元電路基板。此外，可以在兩張單元電路基板之間配置作為粘結(jié)片的熱塑性液晶聚合物薄膜來進(jìn)行層疊。此外，在層疊體的最上層和/或最下層，可以配置作為覆蓋層的熱塑性液晶聚合物薄膜。所層疊的熱塑性液晶聚合物薄膜可以使用熔點相同的材料，也可以使用熔點不同的材料。例如，可以將在高熔點的熱塑性液晶聚合物薄膜的單面或兩面上形成有導(dǎo)體層的單元電路基板與作為粘結(jié)片或覆蓋層使用的低熔點熱塑性液晶聚合物薄膜層疊。在層疊體中，熔點最高的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(tmh)與熔點最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點(tml)的差優(yōu)選為70℃以下(0～70℃)。在tmh≠tml的情況下，例如可以使用熔點的差(tmh-tml)為20～60℃左右的兩種熱塑性液晶聚合物薄膜。(熱壓接工序)接著，進(jìn)行在對層疊體進(jìn)行加壓的同時進(jìn)行加熱而一體化的熱壓接工序。熱壓接例如可以使用真空熱壓機(jī)裝置、加熱輥層疊、雙帶壓機(jī)等設(shè)備等來進(jìn)行。熱壓接中，將層疊體在加壓下加熱至產(chǎn)生層間膠粘的第一溫度而使其一體化。優(yōu)選地，熱壓接可以在規(guī)定溫度下進(jìn)行預(yù)熱后，進(jìn)一步加熱至產(chǎn)生層間接合的第一溫度，保持規(guī)定時間而使層疊體一體化。在熱壓接工序中，對層疊體施加的壓力可以為5mpa以下、例如0.5～2.5mpa、優(yōu)選0.7～2mpa的壓力。第一溫度可以根據(jù)薄膜的熔點而適當(dāng)設(shè)定。加熱時的第一溫度(膠粘溫度)可以為(tml-35)～(tml+20)℃，優(yōu)選可以為(tml-20)～(tml+20)℃，更優(yōu)選可以為(tml-10)～(tml+20)℃，進(jìn)一步優(yōu)選可以為(tml-5)～(tml+20)℃，進(jìn)一步優(yōu)選可以為tml～(tml+15)℃。例如，熱壓接時的第一溫度(膠粘溫度)可以使用270～320℃的溫度。優(yōu)選可以為280～310℃的溫度，更優(yōu)選可以為290～300℃的溫度。此外，只要產(chǎn)生層間膠粘，第一溫度可以在上述溫度范圍內(nèi)適當(dāng)選擇，但優(yōu)選為在熱壓接工序的熱歷程中的最高溫度。膠粘溫度下的保持時間可以為15分鐘～60分鐘左右，優(yōu)選為20～50分鐘左右，更優(yōu)選為20～40分鐘左右。在熱壓接工序中，在對層疊體進(jìn)行加壓的同時進(jìn)行加熱時，在到達(dá)產(chǎn)生層間膠粘的第一溫度之前，例如，可以在100～180℃左右的溫度下預(yù)熱規(guī)定時間、例如5～30分鐘左右、優(yōu)選10～20分鐘左右。通過進(jìn)行預(yù)熱，可以提高電路的填充性。上述熱壓接優(yōu)選在真空條件下(例如，氣壓1500pa以下)進(jìn)行。需要說明的是，在對層疊體進(jìn)行加壓之前，如在脫氣工序中所記載的那樣，可以進(jìn)行真空條件下的脫氣。例如，真空條件下的脫氣中，可以在常溫～200℃左右的范圍內(nèi)的溫度下保持規(guī)定時間。(結(jié)構(gòu)控制熱處理)接著，在比第一溫度低、且比熔點最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低的第二溫度(結(jié)構(gòu)控制熱處理溫度)下進(jìn)行加熱而進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理。結(jié)構(gòu)控制熱處理可以在熱壓接工序之后，作為與熱壓接工序不同的工序來進(jìn)行?；蛘撸栽跓釅航庸ば虻臒釟v程中在第一溫度下保持規(guī)定時間后，接著在第二溫度下保持規(guī)定時間的方式來進(jìn)行調(diào)節(jié)。這種情況下，在結(jié)構(gòu)控制熱處理中，對層疊體施加的壓力可以為5mpa以下、例如0.5～2.5mpa的壓力。第二溫度只要是比第一溫度低的溫度并且是比熔點最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低的溫度，則沒有特別限定，例如可以為(第一溫度-10)℃以下，優(yōu)選為(第一溫度-20)℃以下。此外，第二溫度在與薄膜的熔點(tml)的關(guān)系中可以為(tml-30)～(tml-10)℃，優(yōu)選可以為(tml-30)～(tml-15)℃。例如，第二溫度可以為250～300℃，優(yōu)選可以為260～290℃。結(jié)構(gòu)控制熱處理時間可以為15分鐘～90分鐘左右，優(yōu)選為30～60分鐘左右。處理時間過短時，無法得到結(jié)構(gòu)控制熱處理的效果，處理時間過長時，電路基板的生產(chǎn)效率降低。從容易控制分子結(jié)構(gòu)的觀點考慮，在結(jié)構(gòu)控制熱處理中，例如優(yōu)選將溫度范圍保持在8℃以內(nèi)、優(yōu)選5℃以內(nèi)、特別優(yōu)選3℃以內(nèi)。圖1是表示現(xiàn)有的熱壓接工序中的熱歷程的概念圖。現(xiàn)有方法中，在對層疊體施加規(guī)定壓力的同時進(jìn)行加熱，在到達(dá)預(yù)熱溫度后的階段中，在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)保持一定時間。接著，加熱至產(chǎn)生層間接合的第一溫度(膠粘溫度)，在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)保持規(guī)定時間而進(jìn)行膠粘處理后，冷卻，釋放壓力，得到層疊電路基板。相對于此，圖2是表示作為本發(fā)明的一個實施方式在熱壓接工序中進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理時的熱歷程的概念圖。這種情況下，在對層疊體施加規(guī)定壓力的同時進(jìn)行加熱，在到達(dá)預(yù)熱溫度后的階段中，在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)保持一定時間。接著，在施加規(guī)定壓力的同時，加熱至產(chǎn)生層間接合的第一溫度，在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)保持規(guī)定時間后，冷卻至第二溫度，在該溫度下保持規(guī)定時間而進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理后，冷卻，釋放壓力，得到層疊電路基板。需要說明的是，從預(yù)熱溫度至第一溫度的加熱、和/或從第一溫度至第二溫度的冷卻可以在例如1～8℃/分鐘、優(yōu)選2～8℃/分鐘左右的速度條件下進(jìn)行。通過進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理，界面的應(yīng)變得到緩和，結(jié)果，即使是以往難以提高層間膠粘性的液晶聚合物薄膜彼此也能夠改善層間膠粘強(qiáng)度。此外，在熱壓接工序中，第一溫度為比熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點高的溫度時，對于具有比上述第一溫度低的熔點的薄膜而言，其結(jié)晶性降低。但是，通過在規(guī)定溫度下進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理，或許是因為在膠粘溫度下無定形化的部分再次進(jìn)行結(jié)晶化，因此能夠提高耐熱性。根據(jù)上述所說明的方法，能夠制造釬焊耐熱性和層間膠粘性優(yōu)良的電路基板。此外，通過上述本發(fā)明的方法得到的電路基板能夠減小相對于原料薄膜的尺寸變化率。這樣形成的電路基板通過一般方法形成導(dǎo)通路徑后，安裝電子部件來使用。(電路基板)本發(fā)明的電路基板通過上述說明的方法來形成。圖3是表示本發(fā)明的電路基板的一個實施方式的基本結(jié)構(gòu)的示意截面圖。多層電路基板10具有不含粘結(jié)片的無粘結(jié)結(jié)構(gòu)，包含第一熱塑性液晶聚合物薄膜1、第二熱塑性液晶聚合物薄膜2和導(dǎo)體層(例如，銅箔)4，在第一熱塑性液晶聚合物薄膜1的上表面的導(dǎo)體層形成有電路圖案。根據(jù)需要，在第一熱塑性液晶聚合物薄膜1的下表面、第二熱塑性液晶聚合物薄膜2的上表面的導(dǎo)體層4也可以形成有電路。第一熱塑性液晶聚合物薄膜1和第二熱塑性液晶聚合物薄膜2可以由具有相同熔點的同一熱塑性液晶聚合物薄膜構(gòu)成，但也可以由熔點不同的熱塑性液晶聚合物薄膜構(gòu)成。在圖中，示出了具有兩張熱塑性液晶聚合物薄膜的構(gòu)成，但也可以進(jìn)一步層疊有一張以上的包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面上的導(dǎo)體層的單元電路基板，也可以進(jìn)一步層疊有覆蓋層(未圖示)。圖4是表示本發(fā)明的電路基板的其他實施方式的基本結(jié)構(gòu)的示意截面圖。多層電路基板20具有含有粘結(jié)片的粘結(jié)結(jié)構(gòu)，包含第一熱塑性液晶聚合物薄膜1、第二熱塑性液晶聚合物薄膜2、第三熱塑性液晶聚合物薄膜3和導(dǎo)體層(例如，銅箔)4，在至少第一熱塑性液晶聚合物薄膜1的上表面的導(dǎo)體層形成有電路圖案。根據(jù)需要，在第一熱塑性液晶聚合物薄膜1的下表面、第三熱塑性液晶聚合物薄膜3的上表面的導(dǎo)體層4也可以形成有電路。第二熱塑性液晶聚合物薄膜2具有與第一熱塑性液晶聚合物薄膜1、第三熱塑性液晶聚合物薄膜3不同的熔點，作為粘結(jié)片使用。第一熱塑性液晶聚合物薄膜和第三熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點可以相同也可以不同。在圖中，示出了具有三張熱塑性液晶聚合物薄膜的構(gòu)成，但也可以隔著或不隔著由熱塑性液晶聚合物薄膜構(gòu)成的粘結(jié)片而進(jìn)一步層疊有一張以上的包含熱塑性液晶聚合物薄膜和形成在其單面上的導(dǎo)體層的單元電路基板，也可以進(jìn)一步層疊有覆蓋層(未圖示)。雖然沒有圖示，但作為另一實施方式，可以將圖3所示的無粘結(jié)結(jié)構(gòu)與圖4所示的粘結(jié)結(jié)構(gòu)組合而形成多層電路基板。本發(fā)明的電路基板通過包含上述結(jié)構(gòu)控制熱處理工序的本發(fā)明的方法來制造，因此，釬焊耐熱性和層間膠粘性優(yōu)良，并且尺寸穩(wěn)定性也優(yōu)良。[實施例]以下，通過實施例對本發(fā)明更詳細(xì)地進(jìn)行說明，但本發(fā)明不受本實施例的任何限定。需要說明的是，在以下的實施例和比較例中，通過下述方法測定各種物性。[耐熱性試驗(釬焊耐熱性)]根據(jù)ipc-tm-6502.4.13的浮焊試驗，使用288℃的釬焊浴。從實施例中制作的電路基板上采取3cm×3cm的樣品，置于釬焊浴中60秒鐘后取出，將第二單元電路基板的薄膜面與層疊在第一單元電路基板上的電路面之間剝離，通過目視對層間的銅箔上的凹凸的有無進(jìn)行確認(rèn)。在通過目視清楚地觀察到凹凸的情況下設(shè)定為不合格，在目視范圍內(nèi)未觀察到凹凸的情況下，進(jìn)一步將已膠粘的薄膜層間(即，第一單元電路基板與第二單元電路基板的熱塑性液晶聚合物薄膜直接接觸的部位)剝離，將剝離后的薄膜表面沒有鼓起、凹陷等外觀異常的情況設(shè)定為合格。[鄰接的電路基板材料間的膠粘強(qiáng)度的測定方法]根據(jù)jisc5016-1994，以每分鐘50mm的速度在鄰接的電路基板材料間，在將一個材料朝向相對于另一個材料為90°的方向剝落的同時，利用拉伸試驗機(jī)[日本電產(chǎn)新寶株式會社制造，數(shù)字測力計fgp-2]測定剝落強(qiáng)度，將所得到的值作為膠粘強(qiáng)度(剝離強(qiáng)度)。[實施例1]對于熔點為335℃的熱塑性液晶聚合物薄膜(株式會社可樂麗制，ct-z，厚度50μm)的兩面，重疊壓延銅箔(jx日礦日石金屬株式會社制，bhyx-t-12，厚度12μm)，使用真空熱壓機(jī)裝置，將加熱盤設(shè)定為300℃，在4mpa的壓力下壓接10分鐘，制作銅箔/熱塑性液晶聚合物薄膜/銅箔的構(gòu)成的第一單元電路基板。另外，對于熔點為285℃的熱塑性液晶聚合物薄膜(株式會社可樂麗制，ct-f，厚度50μm)的單面，重疊壓延銅箔(jx日礦日石金屬株式會社制，bhyx-t-12，厚度12μm)，使用真空熱壓機(jī)裝置，將加熱盤設(shè)定為275℃，在4mpa的壓力下壓接10分鐘，制作銅箔/熱塑性液晶聚合物薄膜的構(gòu)成的第二單元電路基板。接著，通過化學(xué)蝕刻法，對第一單元電路基板的單面的銅箔進(jìn)行電路加工。接著，在第一單元電路基板的電路加工面上層疊第二單元電路基板的薄膜面，制成層疊體。需要說明的是，在層疊體的上述制造工序中作為材料的熱塑性液晶聚合物薄膜(ct-z、ct-f)使用具有與薄膜制作時的md方向和td方向平行的邊的、一邊為30cm的正方形薄膜。另外，md方向(machinedirection，縱向)為薄膜加工時的薄膜的走行方向(卷繞方向)，td方向(transversedirection，橫向)為與md方向垂直的方向(薄膜的寬度方向)。第一單元電路基板與第二單元電路基板的層疊以使上下的熱塑性液晶聚合物薄膜的md方向、td方向分別一致的方式來進(jìn)行。使用真空熱壓機(jī)裝置，進(jìn)行熱壓接和結(jié)構(gòu)控制熱處理。此時，在真空度1300pa、1.5mpa的壓力下，在150℃下進(jìn)行10分鐘的預(yù)熱處理后，以5℃/分鐘的加熱速度將溫度升溫至290℃(第一溫度)，在該膠粘溫度下保持30分鐘，然后，以5℃/分鐘的冷卻速度將溫度下降至265℃(第二溫度)，進(jìn)行60分鐘的結(jié)構(gòu)控制熱處理。結(jié)構(gòu)控制熱處理后，冷卻至常溫后，釋放壓力，將真空開放，得到實施例1的電路基板。[實施例2]除了將對層疊體進(jìn)行熱壓接時的膠粘溫度設(shè)定為295℃以外，使用與實施例1相同的材料、制造條件，得到實施例2的電路基板。需要說明的是，為了用于尺寸變化率的確認(rèn)，在第二單元電路基板中，在層疊前選擇25cm×25cm的區(qū)域，進(jìn)行在md方向上5列、在td方向上5列共計25個標(biāo)記。相對的列的間隔設(shè)定為5cm，使各列的沖孔與md方向、td方向相對。[實施例3]除了將對層疊體進(jìn)行熱壓接時的膠粘溫度設(shè)定為300℃以外，使用與實施例1相同的材料、制造條件，得到實施例3的電路基板。[實施例4]在對層疊體進(jìn)行熱壓接之前，在大氣壓下、0mpa的加壓壓力、100℃、1小時的條件下進(jìn)行加熱處理(第一脫氣工序：加熱下的脫氣工序)，接著，進(jìn)行將真空度設(shè)定為1000pa、在0mpa的壓力下在100℃下加熱1小時(第二脫氣工序：真空下的脫氣工序)的脫氣處理，除此以外，使用與實施例1相同的材料、制造條件，得到實施例4的電路基板，該情況下，推測通過脫氣工序使層間膠粘性提高，并且通過結(jié)構(gòu)控制熱處理使釬焊耐熱性提高。[比較例1]在膠粘溫度290℃下保持30分鐘后，不進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理而冷卻至常溫，除此以外，使用與實施例1相同的材料、制造條件，得到比較例1的電路基板。[比較例2]在膠粘溫度295℃下保持30分鐘后，不進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理而冷卻至常溫，除此以外，使用與實施例2相同的材料、制造條件，得到比較例2的電路基板。對于第二單元電路基板，在層疊前，與實施例2同樣地進(jìn)行標(biāo)記。[比較例3]在膠粘溫度300℃下保持30分鐘后，不進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理而冷卻至常溫，除此以外，使用與實施例3相同的材料、制造條件，得到比較例3的電路基板。[比較例4]在膠粘溫度290℃下保持30分鐘后，在310℃下進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理，除此以外，使用與實施例1相同的材料、制造條件，得到比較例4的電路基板。將熱壓機(jī)裝置中的實施例1～3、比較例1～4的熱處理條件匯總示于表7中。表7預(yù)熱處理接合處理結(jié)構(gòu)控制熱處理實施例1150℃10分鐘290℃30分鐘265℃60分鐘實施例2150℃10分鐘295℃30分鐘265℃60分鐘實施例3150℃10分鐘300℃30分鐘265℃60分鐘比較例1150℃10分鐘290℃30分鐘無比較例2150℃10分鐘295℃30分鐘無比較例3150℃10分鐘300℃30分鐘無比較例4150℃10分鐘290℃30分鐘310℃60分鐘從實施例1～3、比較例1～4的電路基板上采取0.5cm×10cm的樣品，在上述條件下進(jìn)行第一單元電路基板和第二單元電路基板的層間的剝離強(qiáng)度的測定。此外，另外采取3cm×3cm的樣品，通過上述方法進(jìn)行釬焊耐熱性試驗。將它們的結(jié)果示于表8中。另外，針對實施例2、比較例2的電路基板，測定相對于加壓前的層疊體狀態(tài)的壓接后(在實施例2中為結(jié)構(gòu)控制熱處理后)的電路基板的尺寸變化率。測定使用三維測定器，在md方向、td方向上分別對25處標(biāo)記的間隔測定長度，計算尺寸變化率，求出各方向上的平均值。接著，通過使用(氯化鐵溶液)的化學(xué)蝕刻，將各試樣的外層(電路基板的最上層和最下層)的銅箔除去，水洗、干燥后，對md方向、td方向上的孔間隔測定長度，測定相對于加壓前的層疊體的尺寸變化率，求出各方向上的平均值。接著，根據(jù)ipc-tm-650標(biāo)準(zhǔn)2.24方法a，將各電路基板樣品利用烘箱(advantec公司制造的fj-630)在150℃下加熱30分鐘，加熱后，對md方向、td方向上的孔間隔測定長度，測定加熱前后的尺寸變化率。將上述結(jié)果示于表9中。表8層間剝離強(qiáng)度kn/m釬焊耐熱試驗實施例10.82合格實施例20.98合格實施例31.39合格比較例10.67合格比較例20.93合格比較例31.14不合格比較例4—不合格表9在壓接工序中的接合處理的溫度為290℃的比較例1中，剝離強(qiáng)度顯示出0.67kn/m這樣的較低的數(shù)值，相對于此，在290℃下進(jìn)行接合處理后進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理的實施例1中，得到了超過0.8kn/m的高剝離強(qiáng)度，確認(rèn)了：通過結(jié)構(gòu)控制熱處理，層間膠粘性提高。在實施例2與比較例2、實施例3與比較例3的對比中，也能夠確認(rèn)到結(jié)構(gòu)控制熱處理所帶來的膠粘強(qiáng)度的改善。在壓接工序中的接合處理的溫度為300℃的比較例3中，雖然剝離強(qiáng)度顯示出較高的值，但釬焊耐熱性試驗的結(jié)果為不合格。相對于此，在300℃下進(jìn)行接合處理后進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理的實施例3中，除了顯示出高剝離強(qiáng)度之外，釬焊耐熱性也令人滿意。在295℃下進(jìn)行接合處理后進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理的實施例2顯示出優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性。即使在除去表層的銅箔后在為了確認(rèn)熱收縮所引起的尺寸變化率而進(jìn)行的烘烤處理(150℃下30分鐘的熱處理)的前后，md方向、td方向上的尺寸變化率也都小。相對于此，在用于對比而調(diào)查尺寸變化率的比較例2中，在除去表層銅箔的前后、和烘烤處理的前后，在td方向、md方向上都確認(rèn)到較大的尺寸變化。實施例中的尺寸穩(wěn)定性的提高可以解釋為結(jié)構(gòu)控制熱處理所帶來的接合界面處的應(yīng)變的緩和作出了貢獻(xiàn)。在比所使用的熱塑性液晶聚合物薄膜中熔點最低的熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點285℃高的溫度310℃下進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制熱處理的比較例4中，產(chǎn)生了樹脂流，進(jìn)而在浮焊試驗中產(chǎn)生了膨脹，釬焊耐熱性不充分。通過與實施例1的比較，可以解釋為：對于釬焊耐熱性，認(rèn)為結(jié)構(gòu)控制熱處理工序中的溫度作出了貢獻(xiàn)，由于是比熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點高的溫度，其結(jié)晶性降低，因此釬焊耐熱性較差。如上所述，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進(jìn)行了說明，但在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種追加、變更或刪除，這樣的方式也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。符號說明10、20…多層電路基板1、2、3…熱塑性液晶聚合物薄膜4…導(dǎo)體層當(dāng)前第1頁12