1.一種層疊體，其中，其是通過至少具有如下工序的制造方法制造出的，即：
準(zhǔn)備第一中間層疊體的工序，該第一中間層疊體具有載體基板和金屬層，該載體基板在內(nèi)部含有支承體，該金屬層形成在該載體基板的至少一個面且能夠剝離；
通過在所述第一中間層疊體的不成為產(chǎn)品的部分形成從所述第一中間層疊體的表面至少到達(dá)所述載體基板中的所述支承體的第一孔，制作帶有所述第一孔的第二中間層疊體的工序；
在所述第二中間層疊體的形成有所述第一孔的所述表面上，自所述表面?zhèn)劝凑战^緣材料和金屬箔的順序?qū)盈B配置絕緣材料以及金屬箔，一邊對所述第二中間層疊體、所述絕緣材料以及所述金屬箔進(jìn)行加熱一邊沿著它們的層疊方向進(jìn)行加壓，從而制作在所述第一孔中填充有所述絕緣材料的第三中間層疊體的工序；以及
使用藥液對所述第三中間層疊體進(jìn)行處理的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體，其中，
所述第一孔的端部與所述層疊體的端部之間的距離在50mm以內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中，
所述制造方法在制作所述第三中間層疊體的工序和使用所述藥液進(jìn)行處理的工序之間具有設(shè)置對位用的第二孔的工序，且在制作所述第二中間層疊體的工序中，至少在距所述第二孔的端部的距離大于距所述層疊體的端部的距離的位置，以及距所述第二孔的端部的距離和距所述層疊體的端部的距離相等的位置和/或距所述層疊體的端部的距離大于距所述第二孔的端部的距離的位置設(shè)置所述第一孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊體，其中，
在距所述第二孔的端部的距離和距所述層疊體的端部的距離相等的位置和/或距所述層疊體的端部的距離大于距所述第二孔的端部的距離的位置設(shè)置的所述第一孔的端部與所述第二孔的所述端部之間的距離在50mm以內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述制造方法還具有在使用所述藥液進(jìn)行處理的工序之后從所述第三中間層疊體除去所述載體基板的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述第一孔的截面面積為0.002mm2以上8mm2以下，且所述第一孔的數(shù)量為在100mm見方的區(qū)域內(nèi)存在三個以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述載體基板的厚度為30μm～250μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述金屬層的厚度為20μm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述載體基板和所述金屬層之間的界面的剝離強(qiáng)度為1N/m～50N/m。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
使用所述藥液進(jìn)行處理的工序是將在利用激光加工形成了非通孔時產(chǎn)生的膠渣除去的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
使用所述藥液進(jìn)行處理的工序是對所述金屬箔的表面實(shí)施鍍敷的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
使用所述藥液進(jìn)行處理的工序是利用減成法用所述金屬箔形成電路圖案的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述第一中間層疊體是通過在所述支承體的一個面或者兩個面層疊具有載體金屬箔和比所述載體金屬箔薄的金屬箔的帶載體金屬箔的金屬箔而制作成的層疊體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的層疊體，其中，
所述帶載體金屬箔的金屬箔中的金屬箔的厚度為5μm以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的層疊體，其中，
所述帶載體金屬箔的金屬箔是具有載體銅箔和比所述載體銅箔薄的銅箔的帶載體銅箔的銅箔。
16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述支承體的厚度為5μm～200μm。
17.根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述支承體為絕緣材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求1～17中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述絕緣材料為預(yù)浸料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1～18中任一項(xiàng)所述的層疊體，其中，
所述金屬箔是銅箔。
20.一種具有積層結(jié)構(gòu)的層疊體，其中，
該層疊體是通過具有一個或者兩個以上如下工序的制造方法制造出的，即，在權(quán)利要求1～19中任一項(xiàng)所述的層疊體的一個面或者兩個面層疊配置金屬箔以及絕緣材料，一邊對所述層疊體、所述金屬箔以及所述絕緣材料進(jìn)行加熱一邊沿著它們的層疊方向進(jìn)行加壓的工序。
21.一種半導(dǎo)體元件搭載用基板，其中，
該半導(dǎo)體元件搭載用基板是通過具有如下工序的制造方法制造出的，即，利用減成法在權(quán)利要求1～20中任一項(xiàng)所述的層疊體的外層形成電路圖案的工序。
22.一種層疊體的制造方法，其中，該制造方法至少具有如下工序：
準(zhǔn)備第一中間層疊體的工序，該第一中間層疊體具有載體基板和金屬層，該載體基板在內(nèi)部含有支承體，該金屬層形成在該載體基板的至少一個面且能夠剝離；
通過在所述第一中間層疊體的不成為產(chǎn)品的部分形成從所述第一中間層疊體的表面至少到達(dá)所述載體基板中的所述支承體的第一孔，制作帶有所述第一孔的第二中間層疊體的工序；
在所述第二中間層疊體的形成有所述第一孔的所述表面上，自所述表面?zhèn)劝凑战^緣材料和金屬箔的順序?qū)盈B配置絕緣材料以及金屬箔，一邊對所述第二中間層疊體、所述絕緣材料以及所述金屬箔進(jìn)行加熱一邊沿著它們的層疊方向進(jìn)行加壓，從而制作在所述第一孔中填充有所述絕緣材料的第三中間層疊體的工序；以及
使用藥液對所述第三中間層疊體進(jìn)行處理的工序。
23.一種半導(dǎo)體元件搭載用基板的制造方法，其中，該制造方法具有如下工序：
利用減成法，在通過權(quán)利要求22所述的層疊體的制造方法得到的層疊體的外層形成電路圖案的工序。