本公開(kāi)涉及具有可見(jiàn)度降低的導(dǎo)電圖案的制品和形成這些制品的方法。

背景技術(shù)：

本領(lǐng)域中已知，在需要透光率以及電導(dǎo)率的應(yīng)用中使用基于金屬的導(dǎo)體網(wǎng)格。此類(lèi)應(yīng)用的示例包括屏蔽顯示器的電磁干擾。在工業(yè)中，網(wǎng)格通常理解為表示具有連接跡線的圖案幾何形狀，這些連接跡線由開(kāi)放區(qū)域隔開(kāi)以形成多個(gè)單元。

已經(jīng)觀察到，在當(dāng)前工作中，當(dāng)一體化到顯示器中并在反射的準(zhǔn)直光束下(諸如在日光直射下)觀看時(shí)，一些網(wǎng)格設(shè)計(jì)可產(chǎn)生不期望的視覺(jué)效果。例如，示例性不期望的視覺(jué)效果包括，針對(duì)反射光的星芒圖案和通過(guò)光干涉導(dǎo)致的彩色的反射光帶(類(lèi)似于彩虹)，當(dāng)包含線性跡線和重復(fù)的單元幾何形狀的網(wǎng)格設(shè)置在諸如塑料薄膜或玻璃的未改性基底上時(shí)，可觀察到以上每種視覺(jué)效果。具有線性跡線的網(wǎng)格的示例性示例包括具有六邊形以及正方形單元的網(wǎng)格。針對(duì)基于線性跡線的導(dǎo)體網(wǎng)格還可顯現(xiàn)爍光，即反射光點(diǎn)的不期望的視覺(jué)跡象。

本領(lǐng)域中一些技術(shù)人員人已試圖使用環(huán)境光減少構(gòu)件，諸如，光學(xué)干涉構(gòu)件。參見(jiàn)PCT國(guó)際公布WO 2003/105248，其公開(kāi)了一種光學(xué)干涉構(gòu)件，該構(gòu)件包括：半吸收構(gòu)件層，用于反射一部分入射環(huán)境光；基本透明層，用于相移另一部分環(huán)境光；以及反射層，用于反射相移后的環(huán)境光，使得光的兩個(gè)反射部分異相并且從而進(jìn)行相消干涉。

其他技術(shù)人員已試圖使用具有用于設(shè)置導(dǎo)體微圖案的納米微結(jié)構(gòu)化表面的基底。參見(jiàn)美國(guó)專(zhuān)利公布2013/0299214，其公開(kāi)了一種制品，該制品具有(a)基底，該基底具有在暴露于空氣時(shí)抗反射的第一納米結(jié)構(gòu)化表面和相對(duì)的第二表面；和(b)設(shè)置在基底的第一表面上的導(dǎo)體微圖案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

當(dāng)基于金屬的導(dǎo)體網(wǎng)格一體化到例如顯示器中并在反射的準(zhǔn)直光束下(諸如在日光直射下)觀看時(shí)，希望從降低這些網(wǎng)格的可見(jiàn)度方面改善它們的視覺(jué)跡象。

簡(jiǎn)而言之，在一個(gè)方面，本公開(kāi)描述了一種在基底上形成導(dǎo)電圖案的方法。基底的主表面的區(qū)域可選擇性地粗糙化以在基底的主表面上形成至少一個(gè)粗糙化圖案。一條或多條導(dǎo)電跡線可直接形成在基底的主表面的粗糙化區(qū)域上。導(dǎo)電跡線具有一個(gè)或多個(gè)與基底的主表面上的粗糙化圖案共形的表面。

在另一個(gè)方面，提供了一種在基底上形成具有降低的可見(jiàn)度的導(dǎo)電圖案的方法。在基底的主表面上提供抗蝕劑層。抗蝕劑層包括抗蝕劑圖案，該抗蝕劑圖案包括具有減小的厚度的下陷區(qū)域。蝕刻抗蝕劑層以移除下陷區(qū)域，從而形成剝離掩模(lift-off mask)并且選擇性地暴露基底的主表面的位于下陷區(qū)域下面的區(qū)域。繼續(xù)該蝕刻以粗糙化基底的主表面的暴露區(qū)域，從而在基底的主表面上形成至少一個(gè)粗糙化圖案。金屬層設(shè)置在抗蝕劑層上以直接在基底的主表面的粗糙化區(qū)域上形成多條導(dǎo)電跡線。多條導(dǎo)電跡線被定位成形成對(duì)應(yīng)于基底的主表面上的粗糙化圖案的導(dǎo)電圖案。將剝離掩模以及金屬層的位于剝離掩模上的部分從基底移除，以在基底上顯露導(dǎo)電圖案。

在另一個(gè)方面，提供了一種在基底上形成圖案的方法。在基底的主表面上提供抗蝕劑層。抗蝕劑層包括抗蝕劑圖案，該抗蝕劑圖案包括具有減小的厚度的下陷區(qū)域。蝕刻抗蝕劑層以移除下陷區(qū)域，從而形成剝離掩模并且選擇性地暴露基底的主表面的位于下陷區(qū)域下面的區(qū)域。繼續(xù)該蝕刻以粗糙化基底的主表面的暴露區(qū)域，從而在基底的主表面上形成至少一個(gè)粗糙化圖案。將剝離掩模從基底移除以顯露至少一個(gè)粗糙化圖案。

在另一個(gè)方面，制品包括具有能夠通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻而粗糙化的主表面的柔性基底。主表面包括選擇性粗糙化區(qū)域和非粗糙化區(qū)域以形成至少一個(gè)粗糙化圖案。一條或多條導(dǎo)電跡線設(shè)置在柔性基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域上。導(dǎo)電跡線與柔性基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域直接接觸并且共形。

在另一個(gè)方面，制品包括具有能夠通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻而粗糙化的主表面的柔性聚合物基底。主表面包括選擇性粗糙化區(qū)域和非粗糙化區(qū)域。選擇性粗糙化區(qū)域形成包括一條或多條粗糙化跡線的至少一個(gè)粗糙化圖案。粗糙化跡線具有0.2微米至5微米的特征寬度和0.1微米至1微米的表面粗糙度。

在另一個(gè)方面，觸摸屏傳感器包括第一基底和第二基底，該第一基底和該第二基底通過(guò)設(shè)置在兩者間的光學(xué)透明粘合劑連接。第一基底和第二基底中的至少一者包括下述制品：該制品為具有能夠通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻而粗糙化的主表面的柔性基底。主表面包括選擇性粗糙化區(qū)域和非粗糙化區(qū)域以形成至少一個(gè)粗糙化圖案。一條或多條導(dǎo)電跡線設(shè)置在柔性基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域上。導(dǎo)電跡線與柔性基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域直接接觸并且共形。

在另一個(gè)方面，觸摸屏傳感器包括第一基底和第二基底，該第一基底和該第二基底通過(guò)設(shè)置在兩者間的光學(xué)透明粘合劑連接。第一基底和第二基底中的至少一者包括下述制品：該制品包括具有能夠通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻而粗糙化的主表面的柔性聚合物基底。主表面包括選擇性粗糙化區(qū)域和非粗糙化區(qū)域。選擇性粗糙化區(qū)域形成包括一條或多條粗糙化跡線的至少一個(gè)粗糙化圖案。粗糙化跡線具有0.2微米至5微米的特征寬度和0.1微米至1微米的表面粗糙度。

在本公開(kāi)的示例性實(shí)施方案中獲得各種意外的結(jié)果和優(yōu)點(diǎn)。本公開(kāi)的示例性實(shí)施方案的一個(gè)此優(yōu)點(diǎn)在于基底的主表面是選擇性粗糙化的以用于金屬化。即，僅僅主表面的位于導(dǎo)電圖案下面的區(qū)域是粗糙化的。這使得基底表面的其它區(qū)域在形成導(dǎo)電圖案過(guò)程中免受蝕刻或污染。

示例性實(shí)施方案列表

示例性實(shí)施方案列于以下。應(yīng)當(dāng)理解實(shí)施方案1-15、16-19、20-22、23-35和36中的任一個(gè)可以組合。

實(shí)施方案1：一種在基底上形成導(dǎo)電圖案的方法，該方法包括：

選擇性地粗糙化基底的主表面的區(qū)域以在基底的主表面上形成至少一個(gè)粗糙化圖案；以及

直接在基底的主表面的粗糙化區(qū)域上形成一條或多條導(dǎo)電跡線，

其中導(dǎo)電跡線具有一個(gè)或多個(gè)與基底的主表面上的粗糙化圖案共形的表面。

實(shí)施方案2：根據(jù)實(shí)施方案1所述的方法，其中導(dǎo)電跡線僅接觸粗糙化區(qū)域上的基底，并且導(dǎo)電跡線形成與基底的主表面上的粗糙化圖案對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案。

實(shí)施方案3：根據(jù)實(shí)施方案1或2所述的方法，還包括在基底的主表面上的抗蝕劑層上形成抗蝕劑圖案，任選地其中形成抗蝕劑圖案是使用微復(fù)制工藝實(shí)現(xiàn)的，該微復(fù)制工藝包括在抗蝕劑層上形成具有減小的厚度的下陷區(qū)域，該抗蝕劑層通過(guò)輻射固化。

實(shí)施方案4：根據(jù)實(shí)施方案1或2所述的方法，該方法還包括在基底的主表面上的抗蝕劑層上形成抗蝕劑圖案，任選地其中形成抗蝕劑圖案是使用壓印工藝實(shí)現(xiàn)的，該壓印工藝包括在基底的主表面上涂覆抗蝕劑層，以及將具有凸起特征的壓印工具推壓到抗蝕劑層中以形成下陷區(qū)域，該下陷區(qū)域具有減小的厚度并且對(duì)應(yīng)于壓印工具的凸起特征。

實(shí)施方案5：根據(jù)實(shí)施方案3或4所述的方法，該方法還包括反應(yīng)離子蝕刻抗蝕劑層以移除下陷區(qū)域、形成剝離掩模，并且選擇性地暴露基底的主表面的位于下陷區(qū)域下面的區(qū)域。

實(shí)施方案6：根據(jù)實(shí)施方案5所述的方法，其中選擇性地粗糙化基底的主表面的區(qū)域包括繼續(xù)該蝕刻以粗糙化基底的主表面的暴露區(qū)域。

實(shí)施方案7：根據(jù)實(shí)施方案6所述的方法，其中形成導(dǎo)電跡線包括在抗蝕劑層和粗糙化區(qū)域上沉積至少一個(gè)金屬層，以及將剝離掩模和金屬層的位于剝離掩模上的部分從基底移除，以在基底上顯露導(dǎo)電圖案。

實(shí)施方案8：根據(jù)實(shí)施方案4-7中任一項(xiàng)所述的方法，該方法還包括在將壓印工具推壓到抗蝕劑層中時(shí)加熱抗蝕劑層。

實(shí)施方案9：根據(jù)實(shí)施方案4-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中抗蝕劑層包括可熱壓印的聚合物層。

實(shí)施方案10：根據(jù)實(shí)施方案3-9中任一項(xiàng)所述的方法，其中移除抗蝕劑層包括壓力沖洗抗蝕劑層。

實(shí)施方案11：根據(jù)實(shí)施方案3-10中任一項(xiàng)所述的方法，其中抗蝕劑層包括水溶性聚合物層。

實(shí)施方案12：根據(jù)前述任一項(xiàng)實(shí)施方案所述的方法，其中基底是包括聚合物材料的柔性、基于膜的基底。

實(shí)施方案13：根據(jù)實(shí)施方案12所述的方法，其中基底包括聚(對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)(PBT)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)或它們的組合。

實(shí)施方案14：根據(jù)前述任一項(xiàng)實(shí)施方案所述的方法，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線包括金屬層和黑化層，并且黑化層設(shè)置在基底的主表面的粗糙化區(qū)域和金屬層之間。

實(shí)施方案15：根據(jù)前述任一項(xiàng)實(shí)施方案所述的方法，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線包括金屬層和黑化層，該金屬層設(shè)置在基底的主表面的粗糙化區(qū)域和黑化層之間。

實(shí)施方案16：一種在基底上形成具有降低的可見(jiàn)度的導(dǎo)電圖案的方法，該方法包括：

在基底的主表面上提供抗蝕劑層，該抗蝕劑層包括具有下陷區(qū)域的抗蝕劑圖案，該下陷區(qū)域具有減小的厚度；

蝕刻抗蝕劑層以移除下陷區(qū)域，從而形成剝離掩模并且選擇性地暴露基底的主表面的位于下陷區(qū)域下面的區(qū)域；

繼續(xù)該蝕刻以粗糙化基底的主表面的暴露區(qū)域，從而在基底的主表面上形成至少一個(gè)粗糙化圖案；

在抗蝕劑層上沉積金屬層以直接在基底的主表面的粗糙化區(qū)域上形成多條導(dǎo)電跡線，該多條導(dǎo)電跡線被定位成形成對(duì)應(yīng)于基底的主表面上的粗糙化圖案的導(dǎo)電圖案；以及

將剝離掩模以及金屬層的位于剝離掩模上的部分從基底移除，以在基底上顯露導(dǎo)電圖案。

實(shí)施方案17：根據(jù)實(shí)施方案16所述的方法，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線具有與基底的主表面的粗糙化區(qū)域直接接觸的底表面，并且底表面的表面形態(tài)與粗糙化區(qū)域共形，使得導(dǎo)電跡線的底表面能夠散射入射的可見(jiàn)光以降低導(dǎo)電圖案的可見(jiàn)度。

實(shí)施方案18：根據(jù)實(shí)施方案16所述的方法，其中提供抗蝕劑層包括在基底的主表面上涂覆抗蝕劑層，以及通過(guò)具有凸起特征的壓印工具熱壓印到抗蝕劑層中以產(chǎn)生抗蝕劑圖案，下陷區(qū)域?qū)?yīng)于壓印工具的凸起特征。

實(shí)施方案19：根據(jù)實(shí)施方案16所述的方法，其中提供抗蝕劑層包括通過(guò)微復(fù)制工藝在抗蝕劑層上產(chǎn)生抗蝕劑圖案，其中抗蝕劑層通過(guò)輻射固化。

實(shí)施方案20：一種在基底上形成圖案的方法，該方法包括：

在基底的主表面上提供抗蝕劑層，該抗蝕劑層包括具有下陷區(qū)域的抗蝕劑圖案，該下陷區(qū)域具有減小的厚度；

蝕刻抗蝕劑層以移除下陷區(qū)域，從而形成剝離掩模并且選擇性地暴露基底的主表面的位于下陷區(qū)域下面的區(qū)域；

繼續(xù)該蝕刻以粗糙化基底的主表面的暴露區(qū)域，從而在基底的主表面上形成至少一個(gè)粗糙化圖案；以及

將剝離掩模從基底移除以顯露至少一個(gè)粗糙化圖案。

實(shí)施方案21：根據(jù)實(shí)施方案20所述的方法，其中提供抗蝕劑層包括在基底的主表面上涂覆抗蝕劑層，以及通過(guò)具有凸起特征的壓印工具熱壓印到抗蝕劑層中以產(chǎn)生抗蝕劑圖案，下陷區(qū)域?qū)?yīng)于壓印工具的凸起特征。

實(shí)施方案22：根據(jù)實(shí)施方案20所述的方法，其中提供抗蝕劑層包括任選地通過(guò)微復(fù)制工藝在抗蝕劑層上產(chǎn)生抗蝕劑圖案，其中抗蝕劑層通過(guò)輻射固化。

實(shí)施方案23：一種制品，該制品包括：

柔性基底，該柔性基底具有能夠通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻而粗糙化的主表面，該主表面包括選擇性粗糙化區(qū)域和非粗糙化區(qū)域以形成至少一個(gè)粗糙化圖案；以及

一條或多條導(dǎo)電跡線，該一條或多條導(dǎo)電跡線設(shè)置在柔性基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域上，這些導(dǎo)電跡線與柔性基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域直接接觸并且共形。

實(shí)施方案24：根據(jù)實(shí)施方案23所述的制品，其中導(dǎo)電跡線僅接觸基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域上的基底，并且導(dǎo)電跡線被定位成形成與基底的主表面上的粗糙化圖案對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案。

實(shí)施方案25：根據(jù)實(shí)施方案23或24所述的制品，其中柔性基底包括透明聚合物膜。

實(shí)施方案26：根據(jù)實(shí)施方案25所述的制品，其中聚合物膜包括聚(對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)(PBT)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)或它們的組合。

實(shí)施方案27：根據(jù)實(shí)施方案23-26中任一項(xiàng)所述的制品，其中導(dǎo)電跡線具有0.2微米至5微米的特征寬度，并且任選地具有25nm至500nm的特征厚度。

實(shí)施方案28：根據(jù)實(shí)施方案23-27中任一項(xiàng)所述的制品，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線具有與基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域直接接觸的底表面以及與底表面相對(duì)的上表面，并且底表面具有與基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域共形的表面形態(tài)，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線僅接觸選擇性粗糙化區(qū)域上的基底，并且另外，其中導(dǎo)電跡線形成與基底的主表面的選擇性粗糙化區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電圖案。

實(shí)施方案29：根據(jù)實(shí)施方案28所述的制品，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線的底表面具有0.1微米至1微米的表面粗糙度。

實(shí)施方案30：根據(jù)實(shí)施方案28或29所述的制品，其中上表面的表面形態(tài)遵循相應(yīng)底表面的表面形態(tài)。

實(shí)施方案31：根據(jù)實(shí)施方案28-30中任一項(xiàng)所述的制品，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線的上表面具有0.1微米至1微米的表面粗糙度。

實(shí)施方案32：根據(jù)實(shí)施方案23-31中任一項(xiàng)所述的制品，其中導(dǎo)電跡線中的至少一條導(dǎo)電跡線包括金屬層和黑化層。

實(shí)施方案33：根據(jù)實(shí)施方案23-32中任一項(xiàng)所述的制品，其中黑化層設(shè)置在主表面的粗糙化區(qū)域和金屬層之間。

實(shí)施方案34：根據(jù)實(shí)施方案23-32中任一項(xiàng)所述的制品，其中金屬層設(shè)置在主表面的粗糙化區(qū)域和黑化層之間。

實(shí)施方案35：根據(jù)實(shí)施方案23-34中任一項(xiàng)所述的制品，其中金屬層包括以下中的至少一種：銅、銀、鋁、金以及它們的組合。

實(shí)施方案36：一種制品，該制品包括：

柔性聚合物基底，該柔性聚合物基底具有能夠通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻而粗糙化的主表面，

該主表面包括選擇性粗糙化區(qū)域和非粗糙化區(qū)域，該選擇性粗糙化區(qū)域形成包括一條或多條粗糙化跡線的至少一個(gè)粗糙化圖案，并且

粗糙化跡線具有0.2微米至5微米的特征寬度和0.1微米至1微米的表面粗糙度。

實(shí)施方案37：一種觸摸屏傳感器，該觸摸屏傳感器包括：

各自包括實(shí)施方案23-36中任一項(xiàng)所述的制品的第一基底和第二基底，其中第一基底和第二基底通過(guò)設(shè)置在兩者間的光學(xué)透明粘合劑連接。

對(duì)本公開(kāi)的示例性實(shí)施方案的各個(gè)方面和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了匯總。上文的發(fā)明內(nèi)容并非旨在描述本公開(kāi)的當(dāng)前某些示例性實(shí)施方案的每個(gè)例示的實(shí)施方案或每種實(shí)施方式。下面的附圖和具體實(shí)施方式更具體地舉例說(shuō)明使用本文所公開(kāi)的原理的某些優(yōu)選實(shí)施方案。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖來(lái)考慮本公開(kāi)的各種實(shí)施方案的以下詳細(xì)描述可更完全地理解本公開(kāi)，其中：

圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的基底上的導(dǎo)電圖案的示意性俯視平面圖。

圖2A是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的具有承載于其上的抗蝕劑層的基底的剖視圖。

圖2B是壓印工具和圖2A的基底的剖視圖。

圖2C是圖2B的壓印工具和基底的剖視圖，示出了被按壓到基底上的抗蝕劑層中的壓印工具。

圖2D是圖2C中的在壓印工具壓縮到抗蝕劑層中之后的基底的剖視圖。

圖2E是圖2D的基底的剖視圖，示出了基底上的選擇性粗糙化圖案。

圖2F是圖2E的局部放大視圖。

圖2G是示出了基底上的選擇性粗糙化圖案的圖2E中的基底的一部分的透視圖掃描電鏡(SEM)圖像。

圖2H是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖2E的基底的剖視圖，示出了剝離掩模上的金屬沉積。

圖2I是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案的圖2E的基底的剖視圖，示出了剝離掩模上的黑化層和金屬層。

圖2J是圖2H的基底的剖視圖，示出了剝離掩模的移除。

圖2K是圖2J的局部放大視圖。

圖2L是圖2I的基底的剖視圖，示出了黑化層和金屬層的金屬疊層。

圖2M是圖2L的局部放大視圖。

圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的示出在基底上形成導(dǎo)電圖案的方法的流程圖。

圖4A是實(shí)施例1的平面圖的顯微鏡圖像(25x放大倍率)。

圖4B是圖4A的局部放大視圖(100x放大倍率)。

圖4C是圖4A的局部放大視圖(500x放大倍率)，示出了導(dǎo)電跡線。

圖5是實(shí)施例1的平面圖的掃描電鏡(SEM)圖像。

在這些附圖中，類(lèi)似的附圖標(biāo)號(hào)表示類(lèi)似的元件。雖然可不按比例繪制的以上附圖闡述了本公開(kāi)的各種實(shí)施方案，但還可想到其它實(shí)施方案，如在具體實(shí)施方式中所指出的。在所有情況下，本公開(kāi)都通過(guò)示例性實(shí)施方案的表示而非通過(guò)表述限制來(lái)描述當(dāng)前公開(kāi)的發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可設(shè)計(jì)出許多其它修改形式和實(shí)施方案，這些修改形式和實(shí)施方案在本公開(kāi)的范圍和實(shí)質(zhì)內(nèi)。

具體實(shí)施方式

本公開(kāi)提供了一種在基底上形成具有降低的可見(jiàn)度的導(dǎo)電圖案的方法?；椎闹鞅砻娴膮^(qū)域可選擇性地粗糙化以在基底的主表面上形成至少一個(gè)粗糙化圖案。一條或多條導(dǎo)電跡線可直接形成在基底的主表面的粗糙化區(qū)域上。導(dǎo)電跡線可具有一個(gè)或多個(gè)與基底的主表面上的粗糙化圖案共形的表面。這使得導(dǎo)電跡線漫反射入射光，從而降低基底上的導(dǎo)電圖案的可見(jiàn)度。

圖1示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的設(shè)置在基底6的主表面8上的導(dǎo)電圖案10的例示性幾何形狀的俯視平面圖。導(dǎo)電圖案10包括限定多個(gè)開(kāi)放區(qū)單元14的多條導(dǎo)電跡線12。導(dǎo)電跡線12直接形成在基底6的主表面8的選擇性粗糙化區(qū)域上。在圖1的實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線12僅接觸選擇性粗糙化區(qū)域(在圖1中不可見(jiàn)，因?yàn)槠浔粚?dǎo)電跡線12完全覆蓋)上的基底6。即，通過(guò)導(dǎo)電跡線12形成的導(dǎo)電圖案10對(duì)應(yīng)于通過(guò)基底6的主表面8上的選擇性粗糙化區(qū)域形成的粗糙化圖案。應(yīng)當(dāng)理解，在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線12可部分地覆蓋基底6的主表面8處的選擇性粗糙化區(qū)域。還應(yīng)理解，在其它實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線12可接觸主表面8的非粗糙化區(qū)域處的基底6。

圖1的幾何形狀包括由彎曲的導(dǎo)電跡線12限定的單元14。還應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)電圖案10可具有任何合適的幾何形狀。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電圖案10可包括例如點(diǎn)、跡線、填充的形狀或它們的組合。導(dǎo)電跡線12可以是線性的或非線性的。

導(dǎo)電跡線12可與基底6的主表面8上的粗糙化圖案共形并且提供粗糙化表面以漫反射入射光。與平坦反射基底表面(例如，典型的聚(對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或PET膜的表面)上同樣制造的圖案的反射率相比，導(dǎo)電圖案10的反射率可通過(guò)基底6的主表面8處的選擇性粗糙化區(qū)域上的沉積而減小。本公開(kāi)中描述的實(shí)施方案可降低導(dǎo)電圖案10的可見(jiàn)度。在一些實(shí)施方案中，來(lái)自導(dǎo)電圖案10的某些潛在不期望的視覺(jué)特征的入射率可顯著減小。對(duì)于自面向基底6的主表面8的方向觀看、成像或測(cè)量導(dǎo)電圖案10，該減小可能尤其明顯。

在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線12的反射率小于90％、小于50％、小于20％、小于10％、小于5％或小于1％，在垂直入射角度下并且在朝基底6的其上設(shè)置有導(dǎo)電跡線12的主表面8取向的方向上測(cè)量的。作為對(duì)照，諸如銀或鋁的平滑薄膜金屬在可見(jiàn)光譜中的鏡面反射率可超過(guò)90％。用于降低導(dǎo)電圖案的反射率的具體措施是本公開(kāi)的主題。該措施解決當(dāng)金屬沉積物具有較高光學(xué)密度(即，不透明的金屬沉積物，例如透射小于5％可見(jiàn)光或甚至小于1％可見(jiàn)光)時(shí)基底上的金屬沉積物的高反射率問(wèn)題，并因此使原本不透明反射金屬涂層、沉積物或微圖案具有降低的可見(jiàn)度。

導(dǎo)電跡線12可具有例如25nm至500nm的厚度和例如0.5微米至10微米的寬度。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線12可具有100nm至1微米的厚度和1微米至10微米的寬度。導(dǎo)電跡線12可包括一種或多種金屬，例如以下中的至少一種：金、銀、鈀、鉑、鋁、銅、鉬、鎳、錫、鎢、合金以及它們的組合。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線12可包括銅、銀和鋁中的至少一種。應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)電跡線12可包括任何合適的導(dǎo)電材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線12可包括復(fù)合材料，例如金屬填充的聚合物。

基底6可包括聚合物材料。在一些實(shí)施方案中，基底6可以是呈平片形式并且柔韌性和強(qiáng)度足以以卷對(duì)卷方式進(jìn)行處理的聚合物膜。用作本文所述制品中的基底的聚合物膜有時(shí)被稱(chēng)為基底膜。所謂卷對(duì)卷，是指將材料卷繞到支撐件上或從支撐件上退繞下，以及以某些方式進(jìn)一步加工的過(guò)程。進(jìn)一步加工的示例包括涂覆、裁切(slitting)、沖切(blanking)以及暴露于輻射等。可將聚合物膜制成多種厚度，通常為例如在5微米至1000微米的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施方案中，聚合物膜厚度在25微米至500微米、或50微米至250微米或75微米至200微米的范圍內(nèi)。卷對(duì)卷聚合物膜可以具有至少12英寸、24英寸、36英寸或48英寸的寬度。聚合物膜可包括例如聚(對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)(PET)、聚(對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)(PBT)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)、聚碳酸酯、三乙酸纖維素等。在一些實(shí)施方案中，基底6可包括PET、PBT、PEN或它們的組合。

在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電圖案10可通過(guò)以下方式形成：選擇性地粗糙化基底6的主表面8的區(qū)域以在主表面8上形成至少一個(gè)粗糙化圖案，并且直接在基底6的主表面8的粗糙化區(qū)域上形成導(dǎo)電跡線12。選擇性地粗糙化主表面8可通過(guò)任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)(包括例如蝕刻)來(lái)進(jìn)行。導(dǎo)電跡線12可通過(guò)任何適當(dāng)?shù)某练e或涂覆技術(shù)而沉積在基底6的選擇性粗糙化區(qū)域上，只要沉積的跡線具有一個(gè)或多個(gè)能夠漫反射入射光的粗糙化表面。

圖2A-2M示出了用于在基底上形成導(dǎo)電圖案，諸如例如用于在如圖1中所示的基底6上形成導(dǎo)電圖案10的過(guò)程。圖2A示出了具有抗蝕劑層30的基底20，該抗蝕劑層設(shè)置在基底20的主表面22上?；?0可以是例如圖1中所示的基底6。在一些實(shí)施方案中，抗蝕劑層30可以是可壓印聚合物層，該可壓印聚合物層可涂覆在基底20上，并且然后進(jìn)行干燥?？刮g劑層30可包括例如聚乙烯醇(PVA)。在一些實(shí)施方案中，抗蝕劑層30可包括通過(guò)輻射(例如，紫外線)可固化的樹(shù)脂組合物。

在一些實(shí)施方案中，抗蝕劑層30是水溶性聚合物，該水溶性聚合物可通過(guò)壓力沖洗而從基底20移除。應(yīng)當(dāng)理解，抗蝕劑層30可以是可在選擇性地粗糙化基底20的工藝過(guò)程中充當(dāng)剝離掩模的任何適當(dāng)?shù)目刮g劑層。在一些實(shí)施方案中，抗蝕劑層30能夠通過(guò)施加除水之外的溶劑而從基底剝離。例如，抗蝕劑層30可包括可通過(guò)有機(jī)溶劑從基底20移除的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)。應(yīng)當(dāng)理解，抗蝕劑層30可以是可通過(guò)施加例如溶劑而從基底20移除的任何適當(dāng)?shù)目刮g劑層?？刮g劑層30具有例如0.25微米至10微米或0.5微米至5微米的厚度?？刮g劑層30可以通過(guò)任何適當(dāng)工藝形成，諸如例如輥涂、浸涂、噴涂、旋涂、槽式模頭涂覆、坡流涂覆、簾式涂覆、溶劑涂覆等。

圖2B示出了具有主體42和多個(gè)凸起特征44的壓印工具40。在一些實(shí)施方案中，凸起特征44具有例如1微米至10微米或2微米至5微米的深度和例如0.1微米至10微米或0.2微米至5微米的側(cè)向?qū)挾取Ｔ谝恍?shí)施方案中，凸起特征44具有例如2微米至5微米的深度和例如0.2微米至5微米的側(cè)向?qū)挾取河」ぞ?0可以由金屬、電介質(zhì)、聚合物、半導(dǎo)體、陶瓷或它們的組合制成。在一個(gè)實(shí)施方案中，壓印工具40由鎳制成。

圖2C示出了壓印步驟，其中壓印工具40沿由箭頭41所示的方向被按壓到或推壓到抗蝕劑層30中，從而在抗蝕劑層30處形成凹進(jìn)區(qū)域或下陷區(qū)域32。在一些實(shí)施方案中，壓印工藝可以是熱壓印工藝，其中可在使得抗蝕劑層30的材料相對(duì)于壓印工具40足夠軟化的溫度下加熱抗蝕劑層30。例如，可將抗蝕劑層30加熱到在該抗蝕劑層30的聚合物材料(例如PVA)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度之上。

在圖2C中所示的實(shí)施方案中，凸起特征44被部分地按壓到抗蝕劑層30中。在其它實(shí)施方案中，凸起特征44可被完全按壓到抗蝕劑層30中。在一些實(shí)施方案中，釋放層可粘結(jié)到凸起特征44的表面。釋放層可包括納米級(jí)或微米級(jí)釋放特征以促進(jìn)抗蝕劑層30從壓印工具40的凸起特征44的釋放。

圖2D是示出了在移除壓印工具40之后的由基底20承載的抗蝕劑層30的剖視圖?？刮g劑層30包括在下陷區(qū)域32處形成的多個(gè)凹陷部，這些凹陷部大致與壓印工具42的凸起特征44的形狀共形。與抗蝕劑層30的未凹進(jìn)區(qū)域34相比，下陷區(qū)域32具有減小的厚度。在一些實(shí)施方案中，下陷區(qū)域32具有例如150nm至1微米的厚度。未凹進(jìn)區(qū)域34和下陷區(qū)域32的厚度之間的比率可以是例如2:1至12:1。

另選地，在一些實(shí)施方案中，包括具有減小的厚度的下陷區(qū)域32的抗蝕劑層30可通過(guò)微復(fù)制工藝制備。在一個(gè)示例性微復(fù)制工藝中，可在基底20的主表面22上施加合適的樹(shù)脂組合物。具有凸起特征的工具，諸如例如具有凸起特征44的壓印工具40可用于按壓到樹(shù)脂組合物中，該樹(shù)脂組合物可通過(guò)輻射源固化以形成具有下陷區(qū)域32的抗蝕劑圖案。未凹進(jìn)區(qū)域34和下陷區(qū)域32之間的厚度比可以是例如5:1至20:1。在一些實(shí)施方案中，與以上所述的壓印工藝相比，可通過(guò)微復(fù)制工藝獲得的未凹進(jìn)區(qū)域34和下陷區(qū)域32之間的厚度比較高。

輻射源可包括例如紫外(UV)光、可見(jiàn)光等。在一些實(shí)施方案中，基底20可對(duì)UV光基本上是透明的，并且UV光可照射樹(shù)脂組合物而穿過(guò)基底20來(lái)固化樹(shù)脂組合物。示例性微復(fù)制工藝在美國(guó)專(zhuān)利5,691,846(Benson,Jr.等人)的圖4中示出。

圖2E示出了圖2D的基底20的剖視圖，該基底被處理以將選擇性粗糙化圖案形成到基底20的主表面22中。下陷區(qū)域32從基底20移除，從而暴露基底20的主表面22處的位于下陷區(qū)域32下面的區(qū)域24。在移除下陷區(qū)域32之后，抗蝕劑層30形成具有掩蔽圖案的剝離掩模30’，該剝離掩模選擇性地暴露基底20的區(qū)域24并且覆蓋/保護(hù)基底20的其它區(qū)域。下陷區(qū)域32可通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻(RIE)(包括例如氧等離子體蝕刻)而移除。應(yīng)當(dāng)理解，下陷區(qū)域32的移除可通過(guò)任何適當(dāng)工藝實(shí)現(xiàn)，包括例如干蝕刻或濕的化學(xué)蝕刻。

例如，RIE工藝包括通過(guò)電磁場(chǎng)在真空下生成等離子體。來(lái)自等離子體的高能離子可侵蝕或蝕刻掉抗蝕劑層30的下陷區(qū)域32。可使用典型的RIE系統(tǒng)。RIE工藝的RF功率的功率密度可以在約0.1瓦特/平方厘米至約1.0瓦特/平方厘米(優(yōu)選約0.2瓦特/平方厘米至約0.3瓦特/平方厘米)的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施方案中，可使用連續(xù)卷對(duì)卷法來(lái)執(zhí)行RIE工藝。例如，可以使用利用旋轉(zhuǎn)圓柱形電極的“圓柱形”RIE來(lái)執(zhí)行本公開(kāi)的方法。

在移除下陷區(qū)域32之后，繼續(xù)進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻(RIE)以蝕刻到主表面22的暴露區(qū)域24中，并且從而粗糙化暴露區(qū)域24以在基底20的主表面22上形成粗糙化圖案25。主表面22的在暴露區(qū)域24之外的區(qū)域由抗蝕劑層30的未移除部分34覆蓋和保護(hù)。粗糙化區(qū)域24可具有對(duì)應(yīng)于壓印工具40的凸起特征44的側(cè)向?qū)挾鹊膫?cè)向?qū)挾?，例?.1微米至10微米或0.2微米至5微米。在一些實(shí)施方案中，RIE可蝕刻到基底20中以形成各種圖案(例如溝槽)，其中溝槽的底表面和側(cè)壁可通過(guò)RIE粗糙化。在一些實(shí)施方案中，RIE可選擇性地粗糙化基底的表面，而不蝕刻到基底20的主體區(qū)域中。

圖2F示出了圖2E的放大部分。圖2G是圖2E的一部分的透視圖掃描電鏡(SEM)圖像。暴露區(qū)域24通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻(RIE)進(jìn)行粗糙化以形成多個(gè)微米級(jí)或納米級(jí)特征26。粗糙化區(qū)域24可包括特征26，特征26具有10nm至2微米的高度、15nm至200nm的寬度和10nm至2微米或100nm至1mm的側(cè)向間距。粗糙化區(qū)域24可具有例如0.05至2微米、0.1微米至1微米或0.2微米至1微米的平均表面粗糙度。

主表面22處的RIE處理的區(qū)域24可以是微米或納米結(jié)構(gòu)化表面，其中特征26可突出到基底20的主表面22外。粗糙化區(qū)域24可以是各向異性的(凸起特征的高度大于凸起特征的側(cè)向尺寸)并且是隨機(jī)的(凸起特征的位置不是限定的，例如周期性的)。在圖2D-E中所示的實(shí)施方案中，應(yīng)用了氧等離子體蝕刻以移除下陷區(qū)域32并且粗糙化基底20的主表面22處的暴露區(qū)域24。應(yīng)當(dāng)理解，在一些實(shí)施方案中，可以應(yīng)用使用等離子體氣體(包括例如Ar、H₂、N₂或NH₃)的等離子體蝕刻。任選地，基底可通過(guò)不連續(xù)的掩模的沉積，或通過(guò)附加在主表面上沉積前體以及蝕刻氣體混合物來(lái)進(jìn)行粗糙化，如US 8,634,146(David等人)中所述的。

在粗糙化暴露區(qū)域24之后，導(dǎo)電材料可設(shè)置在基底20的主表面22處的剝離掩模30’上。在如圖2H中所示的實(shí)施方案中，金屬層50沉積在基底20上。金屬層50沉積到抗蝕劑層30的未移除部分34上并且沉積到基底20的選擇性粗糙化區(qū)域24上。金屬層50可通過(guò)任何期望的工藝形成，包括例如蒸發(fā)、濺射、電子束沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等。在一些實(shí)施方案中，金屬層50可通過(guò)溶液法，例如通過(guò)涂覆金屬納米顆粒墨形成。在一些實(shí)施方案中，金屬層50可具有例如0.01微米至2微米、0.02微米至1微米或0.025微米至0.5微米的平均厚度。在一些實(shí)施方案中，金屬層50可以是連續(xù)的、具有一個(gè)或多個(gè)與粗糙化區(qū)域24的表面形態(tài)共形的表面，并且具有大致均一的厚度。在一些實(shí)施方案中，金屬層50可具有不均一的厚度。

任選地，在如圖2I中所示的另一實(shí)施方案中，黑化層52沉積在金屬層50上以形成兩層金屬疊層。黑化層52可包括例如鈦、鉻或或它們的組合。黑化層52可呈現(xiàn)黑色或失去光澤以降低金屬疊層的可見(jiàn)度。另選地，在一些實(shí)施方案中，黑化層52可設(shè)置在基底20的金屬層50和粗糙化區(qū)域24之間。在金屬層50下面的黑化層52還可充當(dāng)接合層以促進(jìn)金屬層50和基底20之間的粘附。應(yīng)當(dāng)理解，多于一個(gè)的黑化層可隨金屬層50一起提供。例如，在一些實(shí)施方案中，金屬層50可由兩個(gè)黑化層夾在中間。

在金屬層30形成在基底20的主表面22處的剝離掩模30’上之后，可進(jìn)行剝離工藝以移除抗蝕劑層30的剩余部分34。在圖2A-2M中所示的實(shí)施方案中，抗蝕劑層30是水溶性聚合物層，該水溶性聚合物層可通過(guò)例如壓力沖洗而從基底20移除。在一些實(shí)施方案中，抗蝕劑層30能夠通過(guò)施加除水之外的溶劑而從基底剝離。例如，抗蝕劑層30可包括可使用合適的有機(jī)溶劑從基底20沖洗掉的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)。應(yīng)當(dāng)理解，抗蝕劑層30可以是可通過(guò)施加例如溶劑而從基底20移除的任何適當(dāng)?shù)目刮g劑層。剝離工藝可以是可應(yīng)用來(lái)將抗蝕劑層30從基底20移除的任何選擇性化學(xué)蝕刻工藝。

圖2J和2L分別示出了在將抗蝕劑層30以及金屬的設(shè)置在抗蝕劑層30上的部分從基底20移除之后的圖2H和2I的結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電圖案61或61’形成在粗糙化區(qū)域24上并且保留在基底20的主表面22處。導(dǎo)電圖案61或61’包括多條導(dǎo)電跡線60或60’。導(dǎo)電跡線可包括例如圖1的導(dǎo)電跡線12。圖2K和2M分別示出了圖2J和2L的放大部分。

導(dǎo)電跡線60具有底表面62和與底表面62相對(duì)的上表面64。底表面62與基底20的主表面22處的粗糙化區(qū)域24直接接觸。底表面62具有與主表面22處的粗糙化區(qū)域24的表面形態(tài)共形的表面形態(tài)。底面表面62可散射入射的可見(jiàn)光以降低導(dǎo)電跡線60的可見(jiàn)度。在一些實(shí)施方案中，底表面62可包括為粗糙化區(qū)域24的微米級(jí)或納米級(jí)特征26的陰模復(fù)制品的微米級(jí)或納米級(jí)特征66。上表面64的表面形態(tài)遵循底表面62的表面形態(tài)。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線60的底表面62具有例如0.1至1微米的平均表面粗糙度。在一些實(shí)施方案中，上表面64具有例如0.1微米至1微米的平均表面粗糙度。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線60可具有側(cè)表面，這些側(cè)表面具有例如0.05微米至0.5微米的平均表面粗糙度。

在圖2K中所示的實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線60僅接觸選擇性粗糙化區(qū)域24上的基底20。應(yīng)當(dāng)理解，在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線60可覆蓋基底22的主表面22處的選擇性粗糙化區(qū)域24和非粗糙化區(qū)域27之間的邊緣。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線60可不覆蓋基底22的主表面22處的選擇性粗糙化區(qū)域24和非粗糙化區(qū)域27之間的邊緣。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線60可僅覆蓋選擇性粗糙化區(qū)域24的一部分。

如圖2M中所示，導(dǎo)電跡線60’包括沉積在金屬層上的黑化層的兩層金屬疊層。類(lèi)似于導(dǎo)電跡線60，導(dǎo)電跡線60’具有底表面62’和與底表面62’相對(duì)的上表面64’。底表面62’與基底20的主表面22處的粗糙化區(qū)域24直接接觸。底表面62’具有與粗糙化區(qū)域24的表面形態(tài)共形的表面形態(tài)。底面表面62’可散射入射的可見(jiàn)光以降低導(dǎo)電跡線60的可見(jiàn)度。在一些實(shí)施方案中，底表面62’可包括為粗糙化區(qū)域24的微米級(jí)或納米級(jí)特征26的陰模復(fù)制品的微米級(jí)或納米級(jí)特征66’。在一些實(shí)施方案中，底表面62’具有0.1微米至1微米的平均表面粗糙度。上表面64’是黑化層的表面。在一些實(shí)施方案中，上表面64’的表面形態(tài)可遵循底表面62’的表面形態(tài)。在其它實(shí)施方案中，上表面64’可以是平坦的，具有小于0.1微米的平均表面粗糙度。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電跡線60’可具有側(cè)表面，這些側(cè)表面具有0.05微米至0.5微米的平均表面粗糙度。

圖3是示出了在圖2A-2M的基底20上形成例如導(dǎo)電圖案的方法300的流程圖。在310處，將抗蝕劑層30涂覆在基底20的主表面22上。然后，方法300進(jìn)行到320。

在320處，在抗蝕劑層30上產(chǎn)生抗蝕劑圖案?？刮g劑圖案包括具有減小的厚度的下陷區(qū)域。在一些實(shí)施方案中，抗蝕劑圖案可以通過(guò)壓印工藝產(chǎn)生。具有凸起特征44的壓印工具40可按壓到抗蝕劑層30中以在抗蝕劑層30上產(chǎn)生壓印圖案或抗蝕劑圖案。在一些實(shí)施方案中，壓印工藝可以是熱壓印工藝，其中可在使得抗蝕劑層30的材料相對(duì)于壓印工具40足夠軟化的溫度下加熱抗蝕劑層30。壓印圖案包括具有減小的厚度的下陷區(qū)域32。壓印圖案對(duì)應(yīng)于壓印工具40的凸起特征44。另選地，在其它實(shí)施方案中，抗蝕劑圖案可以通過(guò)微復(fù)制工藝產(chǎn)生，其中抗蝕劑層30可包括樹(shù)脂組合物，該樹(shù)脂組合物可通過(guò)輻射例如UV光固化以形成抗蝕劑圖案。然后，方法300進(jìn)行到330。

在330處，蝕刻抗蝕劑層30以移除下陷區(qū)域32，從而形成剝離掩模30’并且選擇性地暴露基底20的主表面22的位于下陷區(qū)域32下面的區(qū)域24。然后，方法300進(jìn)行到340。

在340處，繼續(xù)該蝕刻以粗糙化基底的主表面的暴露區(qū)域24，從而在基底20的主表面22上形成至少一個(gè)粗糙化圖案25。然后，方法300進(jìn)行到350。

在350處，在抗蝕劑層30上沉積金屬層50以直接在基底20的主表面22的粗糙化區(qū)域24上形成多條導(dǎo)電跡線60或60’。多條導(dǎo)電跡線60或60’被定位成形成對(duì)應(yīng)于基底20的主表面22上的粗糙化圖案25的導(dǎo)電圖案61或61’。然后，方法300進(jìn)行到360。

在360處，從基底20移除剝離掩模30’以及金屬層50的位于剝離掩模30’上的部分，以在基底上顯露導(dǎo)電圖案61或61’。導(dǎo)電跡線60或60’中的至少一條具有與基底20的主表面22處的粗糙化區(qū)域24直接接觸的底表面62或62’，并且底表面62或62’的表面形態(tài)與粗糙化區(qū)域24共形，使得導(dǎo)電跡線60或60’的底表面62或62’能夠散射入射的可見(jiàn)光以降低導(dǎo)電圖案61或61’的可見(jiàn)度。

整個(gè)本說(shuō)明書(shū)中提及的“一個(gè)實(shí)施方案”、“某些實(shí)施方案”、“一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案”或“實(shí)施方案”，無(wú)論在術(shù)語(yǔ)“實(shí)施方案”前是否包括術(shù)語(yǔ)“示例性的”都意指結(jié)合該實(shí)施方案描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性包括在本公開(kāi)的某些示例性實(shí)施方案中的至少一個(gè)實(shí)施方案中。因此，在整個(gè)本說(shuō)明書(shū)的各處出現(xiàn)的表述如“在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中”、“在某些實(shí)施方案中”、“在一個(gè)實(shí)施方案中”或“在實(shí)施方案中”不一定是指本公開(kāi)的某些示例性實(shí)施方案中的同一實(shí)施方案。此外，特定特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性可在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案中以任何合適的方式組合。

實(shí)施例1-1.5-3.0微米級(jí)鋁網(wǎng)格圖案化到5密耳PET上

通過(guò)以下工序制備具有圖案化到PET基底(約5密耳厚)的表面上的鋁金屬微網(wǎng)格的示例性膜(如圖4A-C和5中所示)：

(1)涂覆：

通過(guò)加熱攪拌將5重量％聚(乙烯醇)(PVA，平均分子量＝9000-10000，80％水解的，可購(gòu)自密蘇里州圣路易斯的西格瑪奧德里奇公司(Sigma-Aldrich(St.Louis,MO)))于95％去離子(DI)水中的混合物混合在一加侖透明瓶中以產(chǎn)生水溶性聚合物涂料制劑。使用槽式涂覆模頭在20英尺/分鐘的速度和35g/分鐘的流體遞送速率下將PVA于DI水中的涂料制劑在5密耳聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)(杜邦(Dupont)Melinex ST-504)基底上涂覆11英寸寬，從而產(chǎn)生15和25微米之間的濕膜厚度。然后使涂層經(jīng)過(guò)空氣干燥器以干燥涂層，從而去除水，使得膜摸起來(lái)是干燥的。干燥的膜具有大約在0.75和1.25微米之間的厚度。

(2)熱壓印：

使用圖案化的鎳工具以約5英尺/分鐘對(duì)干燥的膜進(jìn)行卷對(duì)卷式熱壓印。鎳工具由預(yù)定圖案化的隨機(jī)化網(wǎng)格結(jié)構(gòu)組成，其中網(wǎng)格的特征具有2微米至3微米的特征寬度和2微米至5微米的深度。在工具輥溫度為195℉、壓料輥在100℉下的條件下發(fā)生壓印。輥隙壓力設(shè)定為4000lb。頂部輥是硬度為68、可變形的橡膠輥。

(3)卷對(duì)卷式反應(yīng)離子蝕刻(R2R-RIE)：

然后在等離子體腔室中以卷對(duì)卷方式對(duì)壓印膜進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。一般的RIE工藝在美國(guó)8,634,146(David等人)中有所描述。在包括60英寸幅材路徑的20英寸直徑的筒電極上、在6000W RF功率下以4英尺/分鐘經(jīng)過(guò)RIE區(qū)發(fā)生蝕刻，從而產(chǎn)生75秒的駐留暴露時(shí)間。等離子體腔室中的氣體組合物由O₂組成，具有1000標(biāo)準(zhǔn)cm³/分鐘的流速和8毫托的壓力。反應(yīng)離子蝕刻移除了壓印區(qū)域或下陷，從而能夠觸及下面的PET基底。在蝕刻工藝中，在現(xiàn)暴露的區(qū)域中對(duì)PET膜進(jìn)行選擇性粗糙化?，F(xiàn)圖案化的PVA層在PET基底上形成水溶性剝離掩模。

(4)金屬沉積：

在步驟(3)的反應(yīng)離子蝕刻之后，將在25和150nm之間的鋁金屬層真空涂覆到步驟(3)中產(chǎn)生的剝離掩模上。

(5)剝離：

通過(guò)使用壓力沖洗系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)水溶性PVA層的移除。使用500psig水洗源，底切剩余的PVA，從而剝離PVA和附接至其的金屬。剝離步驟將PET上的期望的選擇性粗糙化的金屬圖案留下。

圖4A-C和5示出了實(shí)施例1的顯微鏡圖像。實(shí)施例1具有通過(guò)基底上的限定多個(gè)開(kāi)放區(qū)單元的多條導(dǎo)電跡線形成的導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電跡線直接形成在基底的選擇性粗糙化區(qū)域上。通過(guò)導(dǎo)電跡線形成的導(dǎo)電圖案對(duì)應(yīng)于通過(guò)基底的主表面處的選擇性粗糙化區(qū)域形成的粗糙化圖案。導(dǎo)電跡線具有2微米至3微米的寬度。如圖5中所示，有彈性的導(dǎo)電跡線的上表面包括亞微米特征(諸如圖2K的特征26)，這些亞微米特征可漫反射入射光并且降低基底上的導(dǎo)電圖案的可見(jiàn)度。

雖然以某些示例性實(shí)施方案詳細(xì)描述了說(shuō)明書(shū)，但應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在理解上述內(nèi)容后，可容易地想到這些實(shí)施方案的改變、變型和等同物。因此，應(yīng)當(dāng)理解，本公開(kāi)不應(yīng)不當(dāng)?shù)厥芟抻谝陨辖o出的示例性實(shí)施方案。特別是，如本文所用，用端值表示的數(shù)值范圍旨在包括該范圍內(nèi)所包含的所有數(shù)值(如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)。此外，本文所用的所有數(shù)字都被認(rèn)為是被術(shù)語(yǔ)“約”修飾。

此外，本文引用的所有出版物和專(zhuān)利均以引用的方式全文并入本文中，如同被特別地和單獨(dú)地指出的各個(gè)單獨(dú)的出版物或?qū)＠家砸梅绞讲⑷胍话?。已?duì)各個(gè)示例性實(shí)施方案進(jìn)行描述。這些實(shí)施方案以及其它實(shí)施方案在以下權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。