本發(fā)明涉及電平移位器、反相器電路以及移位寄存器，特別涉及不需要專用電源的電平移位器。

背景技術(shù)：
在有源矩陣型的液晶顯示器和/或有機EL顯示器的像素電路中，使用以非晶硅為材料的像素選擇用的薄膜晶體管（ThinFilmTransistor：TFT）。為了驅(qū)動該選擇用TFT，在上述顯示器的周邊區(qū)域配置有驅(qū)動電路。該驅(qū)動電路包括用于輸出使選擇用TFT導通截止的驅(qū)動脈沖的邏輯裝置。一般，組裝于硅系電路的上述邏輯裝置的輸出電壓大多比上述TFT的驅(qū)動電壓小。在該情況下，在驅(qū)動電路內(nèi)配置對邏輯裝置的輸出電壓進行升壓而使其與TFT的驅(qū)動電壓匹配的電平移位器。圖8是非專利文獻1所記載的以往的電平移位器的電路結(jié)構(gòu)圖。該圖所記載的電平移位器500包括作為n型TFT的晶體管T1～T6和電容器C1以及C2。電平移位器500，將以固定電壓VDD1與固定電壓VSS1之間的電壓振幅工作的輸入信號電壓Vin向以固定電壓VDD2與固定電壓VSS2之間的電壓振幅工作的輸出信號電壓Vout轉(zhuǎn)換。通過圖8所記載的電路結(jié)構(gòu)，電平移位器500能夠降低輸出阻抗，另外可以執(zhí)行2倍以上的升壓工作。另外，在專利文獻1中，公開了下述電平移位器：包括單一導電型的TFT，使用輸入的反相信號，保持內(nèi)部波形和/或輸出波形的振幅，或者輸出比輸入信號的振幅大的振幅（進行電平移位工作）。由此，可以實現(xiàn)低功耗，并且實現(xiàn)整齊的內(nèi)部波形和/或輸出波形。另外，在專利文獻2中，公開了下述電平移位器：包括單一導電型的TFT，使用輸入的反相信號以及TFT的二極管連接，避免輸出波形的振幅回落，或者進行電平移位工作。由此，可以以低功耗形成驅(qū)動能力較大的輸出信號。專利文獻1：特開2011-139309號公報專利文獻2：特開2008-205767號公報非專利文獻1：ByungSeongBae，et.al.，IEEETran.ElectronDevice，vol.53，No.3，2006年

技術(shù)實現(xiàn)要素：
但是，在上述的非專利文獻1、專利文獻1以及專利文獻2所公開的電平移位器中，都需要用于提供電平移位后的電壓的專用電源，所以增加用于配置固定電源線等的布局空間。另外，成為需要從外部電路供給電壓的負擔的結(jié)構(gòu)。另外，在非專利文獻1以及專利文獻2中，使用晶體管的二極管連接，但在該晶體管為減壓（depression）特性的情況下，會產(chǎn)生泄漏電流，得不到所希望的二極管特性。結(jié)果，具有使升壓特性變差的課題。本發(fā)明是鑒于上述的課題而實現(xiàn)的，其目的在于提供不需要專用電源并且即使晶體管為減壓特性也可以抑制升壓特性的劣化的電平移位器、反相器電路以及移位寄存器。為了解決上述的課題，本發(fā)明的電平移位器具備：輸入端子，其被施加輸入電壓；第1電容元件；第1晶體管，其源電極以及漏電極配置于所述輸入端子與所述第1電容元件的一個電極之間，柵電極連接于所述第1電容元件的另一個電極；第2晶體管，其源電極以及漏電極配置于所述輸入端子與所述第1電容元件的另一個電極之間；信號生成單元，其生成對所述第2晶體管的導通以及非導通進行切換的信號并將該信號供給所述第2晶體管的柵電極；以及輸出端子，其在對所述輸入端子輸入所述輸入電壓期間，輸出電平移位后的所述第1電容元件的另一個電極的電壓作為輸出電壓。根據(jù)本發(fā)明，由于不需要專用電源線，所以可以削減布線空間，減輕對外部電路的負擔。另外，由于不使用連接為二極管的晶體管，所以即使構(gòu)成電路的晶體管為減壓特性，也可以抑制升壓特性的劣化。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的一例的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的驅(qū)動時間圖。圖3A是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間1中的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。圖3B是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間2開始時的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。圖3C是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間2中的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。圖3D是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間3中的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。圖4A是本發(fā)明的實施方式2所涉及的反相器電路的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4B是表示第1比較例的以往的反相器電路的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4C是表示第2比較例的以往的反相器電路的電路結(jié)構(gòu)圖。圖5是對本發(fā)明以及以往的反相器電路中的晶體管的閾值電壓與輸出電壓的關系進行比較的曲線圖。圖6是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的變形例的電路結(jié)構(gòu)圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的變形例的驅(qū)動時間圖。圖8是表示非專利文獻1所記載的以往的電平移位器的電路結(jié)構(gòu)圖。符號說明1、40、500：電平移位器，2、42：輸入線，3、43：復位信號線，4、44：使能信號線，5、45：輸出線，11、61：第1晶體管，12、62：第2晶體管，13、24、54、63：電容器，20、50：信號生成單元，21、22、23、31、32、33、34、51、52、53：晶體管，30、600、700：反相器電路。具體實施方式本發(fā)明的一方式所涉及的電平移位器具備：輸入端子，其被施加輸入電壓；第1電容元件；第1晶體管，其源電極以及漏電極配置于所述輸入端子與所述第1電容元件的一個電極之間，柵電極連接于所述第1電容元件的另一個電極；第2晶體管，其源電極以及漏電極配置于所述輸入端子與所述第1電容元件的另一個電極之間；信號生成單元，其生成對所述第2晶體管的導通以及非導通進行切換的信號并將該信號供給所述第2晶體管的柵電極；以及輸出端子，其在所述輸入端子輸入所述輸入電壓期間，輸出電平移位后的所述第1電容元件的另一個電極的電壓作為輸出電壓。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過具備第1電容元件、決定第1電容元件的兩電極的電位的第1晶體管以及第2晶體管和控制第2晶體管的導通狀態(tài)的信號生成單元，能夠?qū)斎腚妷哼M行電平移位。此時，由于不需要用于電平移位工作的專用電源線，所以可以削減布線空間，減輕對外部電路的負擔。另外，本發(fā)明的一方式所涉及的電平移位器，也可以：在所述信號生成單元使所述第2晶體管為導通狀態(tài)的狀態(tài)下所述輸入電壓輸入于所述輸入端子的期間，在所述第1電容元件進行與所述輸入電壓對應的電壓的充電，且經(jīng)由該輸入電壓施加于柵電極由此成為了導通狀態(tài)的所述第1晶體管向所述第1電容元件的一個電極施加所述輸入電壓；與向所述第1電容元件的一個電極施加了所述輸入電壓對應地，所述信號生成單元使所述第2晶體管為非導通，由此在所述第1電容元件的另一個電極產(chǎn)生電壓振幅比所述輸入電壓大的所述輸出電壓，并使該輸出電壓通過所述輸出端子輸出。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的電平移位器中，也可以：所述信號生成單元具備：控制端子，其被施加用于使所述輸出電壓產(chǎn)生的控制信號；初始化端子，其被施加用于對電路狀態(tài)進行初始化的初始化信號；第2電容元件，其連接于所述第2晶體管的柵電極與所述第1電容元件的一個電極之間；第3晶體管，其柵電極連接于所述初始化端子，源電極以及漏電極的一方連接于所述控制端子，源電極以及漏電極的另一方連接于所述第2晶體管的柵電極；第4晶體管，其柵電極連接于所述第1電容元件的一個電極，源電極以及漏電極的一方連接于所述第2晶體管的柵電極，源電極以及漏電極的另一方連接于基準端子；以及第5晶體管，其柵電極連接于所述初始化端子，源電極以及漏電極的一方連接于所述第1電容元件的一個電極，源電極以及漏電極的另一方連接于所述基準端子。由此，由于是不使用二極管連接的TFT便可以將第2晶體管設為充分的反偏壓狀態(tài)的電路結(jié)構(gòu)，所以即使第2晶體管為減壓特性，在升壓過程中也可以切實地將第2晶體管設為非導通，所以可以抑制升壓特性的劣化。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的電平移位器中，優(yōu)選：所述第1～第5晶體管為n型的薄膜晶體管。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的電平移位器中，也可以：所述第1～第5晶體管為p型的薄膜晶體管。由此，電平移位器的制造工序簡略化，另外制造成品率提高。另外，本發(fā)明不僅可以作為具備這樣的特征性單元的電平移位器而實現(xiàn)，也可以作為具備該電平移位器的反相器電路而實現(xiàn)。另外，本發(fā)明的一方式所涉及的反相器電路，也可以具備：上述的電平移位器；反相器輸入端子，其被輸入表示邏輯狀態(tài)的2種輸入電壓；反相器輸出端子，其輸出表示所述2種輸入電壓所表示的邏輯狀態(tài)反相后的邏輯狀態(tài)的輸出電壓；第1基準線，其被供給表示一種邏輯狀態(tài)的第1基準電壓；第2基準線，其被供給表示另一種邏輯狀態(tài)的第2基準電壓；第1輸入晶體管，其柵電極和源電極以及漏電極的一方連接于所述第1基準線，源電極以及漏電極的另一方連接于所述電平移位器的所述輸入端子；第2輸入晶體管，其柵電極連接于所述反相器輸入端子，源電極以及漏電極的一方連接于所述輸入端子，源電極以及漏電極的另一方連接于所述第2基準線；第1輸出晶體管，其柵電極連接于所述電平移位器的所述輸出端子，源電極以及漏電極的一方連接于所述第1基準線，源電極以及漏電極的另一方連接于所述反相器輸出端子；以及第2輸出晶體管，其柵電極連接于所述反相器輸入端子，源電極以及漏電極的一方連接于所述反相器輸出端子，源電極以及漏電極的另一方連接于所述第2基準線；所述反相器輸入端子還連接于所述電平移位器的所述初始化端子；所述第1基準線還連接于所述電平移位器的所述控制端子。由此，通過配置于包括第1輸入晶體管以及第2輸入晶體管的輸入單元與包括第1輸出晶體管以及第2輸出晶體管的輸出單元之間的電平移位器，可以抑制輸出振幅的衰減，可以改善耐減壓性。另外，本發(fā)明不僅可以作為具備這樣的特征性單元的電平移位器而實現(xiàn)，也可以作為具備該電平移位器的移位寄存器而實現(xiàn)。移位寄存器，通過具備對時鐘信號進行電平移位并將該電平移位后的時鐘信號供給移位寄存器的本發(fā)明的一方式所涉及的電平移位器，可以將在構(gòu)成移位寄存器的單位電路之間傳送的輸入信號以及輸出信號的信號電壓電平不衰減地維持為較高的電平。由此，可以使構(gòu)成移位寄存器的TFT的接通電阻下降。由此可以改善輸出信號的過渡特性，信號的傳送效率提高。以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。（實施方式1）圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的一例的電路結(jié)構(gòu)圖。該圖中的電平移位器1具備第1晶體管11、第2晶體管12、電容器13和信號生成單元20。電平移位器1，在預定的定時從復位信號線3輸入作為外部控制信號的初始化信號RESET并從使能信號線4輸入作為外部控制信號的使能信號ENB，由此對輸入信號IN進行電平移位而輸出輸出信號OUT。電容器13是一電極連接于第1晶體管11的源極端子、另一電極連接于第2晶體管12的源極端子、第1晶體管11的柵極端子并且經(jīng)由輸出線5連接于輸出端子的第1電容元件。由此，電平移位器1的輸出電平由電容器13的另一電極的電位決定。第1晶體管11是柵極端子連接于電容器13的另一個電極、漏極端子經(jīng)由輸入線2連接于輸入端子、源極端子連接于電容器13的一個電極以及信號生成單元20的第1晶體管。第2晶體管12是柵極端子連接于信號生成單元20、漏極端子經(jīng)由輸入線2連接于輸入端子、源極端子連接于電容器13的另一個電極以及經(jīng)由輸出線5連接于輸出端子的第2晶體管。信號生成單元20具備例如晶體管21、22以及23和電容器24，根據(jù)使能信號ENB、復位信號RESET以及輸入信號IN，向第2晶體管12的柵極端子輸出預定的電壓。由此，決定電平移位器1的輸出電平的電容器13的另一個電極的電位根據(jù)來自信號生成單元20的輸出、輸入信號IN以及第1晶體管11以及第2晶體管12的導通狀態(tài)而變化。以下，對信號生成單元20的構(gòu)成要素的連接關系的一例進行說明。晶體管21是柵極端子經(jīng)由復位信號線3連接于初始化端子、漏極端子經(jīng)由使能信號線4連接于使能端子、源極端子連接于第2晶體管12的柵極端子的第3晶體管。晶體管22是柵極端子連接于第1晶體管11的源極端子以及電容器13的一個電極、漏極端子連接于晶體管21的源極端子、源極端子連接于接地端子的第4晶體管。晶體管23是柵極端子經(jīng)由復位信號線3連接于初始化端子、漏極端子連接于晶體管22的柵極端子、源極端子連接于作為基準端子的接地端子的第5晶體管。電容器24是一個電極連接于第2晶體管12的柵極端子、晶體管21的源極端子以及晶體管22的漏極端子且另一個電極連接于第1晶體管11的源極端子、電容器13的一個電極、晶體管22的柵極端子以及晶體管23的漏極端子的第2電容元件。在上述電路結(jié)構(gòu)中，第1晶體管11、第2晶體管12、晶體管21、晶體管22以及晶體管23優(yōu)選包括n型TFT。由此，電平移位器的制造工序簡略化，另外制造成品率提高。通過信號生成單元20的上述電路結(jié)構(gòu)，信號生成單元20，在向輸入端子輸入輸入電壓之前的期間即期間1，生成將第2晶體管12設為導通狀態(tài)的信號并將該信號向第2晶體管12的柵極供給，此后，在向輸入端子輸入輸入電壓的期間2，生成將第2晶體管12從導通狀態(tài)向非導通狀態(tài)切換的信號并將該信號向第2晶體管12的柵極供給。由此，在輸出端子，在上述期間2，在第2晶體管12成為非導通狀態(tài)之后，輸出將進行了電平移位的電容器13的另一個電極的電壓作為輸出電壓。下面，使用圖2以及圖3A～圖3D對各期間的具體的工作進行說明。圖2是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器1的驅(qū)動時間圖。在該圖中，表示用于驅(qū)動電平移位器1的控制信號即使能信號ENB以及復位信號RESET、輸入信號IN以及輸出信號OUT的各電壓電平。表示在時刻t01~時刻t10（上部時間圖）執(zhí)行升壓工作、在時刻t11~時刻t20（下部時間圖）不執(zhí)行電壓維持工作以及升壓工作的情況。具體地，如時刻t01~時刻t10所示，在使能信號ENB為HIGH電平的條件下執(zhí)行升壓工作，如時刻t11~時刻t20所示，在使能信號ENB為LOW電平的條件下不執(zhí)行電壓維持工作以及升壓工作。下面，特別以期間1～期間4為中心說明電路工作。首先，作為期間1～期間4的前提條件，使能信號ENB成為HIGH電平。接下來，在期間1，將復位信號RESET的電壓設定為HIGH。圖3A是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間1中的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。在期間1，復位信號RESET成為HIGH，由此晶體管21成為導通狀態(tài)。由于該導通狀態(tài)和在期間1以前使能信號ENB成為HIGH，電容器24的一個電極成為HIGH。另外，由于復位信號RESET成為HIGH，晶體管23成為導通狀態(tài)。由于該導通狀態(tài)和晶體管23的源極端子接地，電容器24的另一個電極成為LOW電平。由此，在電容器24中進行與電源電壓（HIGH電平與LOW電平的電位差）相當?shù)碾妷旱某潆?。于是，向?晶體管12的柵極端子施加HIGH電壓，所以第2晶體管12成為導通狀態(tài)。即，在期間1，通過使電容器24進行與電源電壓相當?shù)碾妷旱某潆?，使?晶體管12維持為導通狀態(tài)直到升壓工作的開始時。此時，向輸出端子，經(jīng)由第2晶體管12，施加輸入信號IN的LOW電壓，所以輸出信號OUT成為LOW電平。另外，在期間1的最后，復位信號RESET成為LOW電平，但通過由電容器24進行的電壓保持工作，第2晶體管12的導通狀態(tài)得以維持。接下來，在期間2，從輸入信號IN施加作為輸入電壓的HIGH電壓。圖3B是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間2開始時的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。由于從期間1以來維持第2晶體管12的導通狀態(tài)，所以通過輸入信號IN成為HIGH電壓，輸出信號OUT逐漸從LOW電平向HIGH電平變化。與此相對應，第1晶體管11的柵極電壓也逐漸上升，所以第1晶體管11的漏極-源極之間的電導系數(shù)也逐漸上升。由此，電流開始逐漸經(jīng)由第1晶體管11從輸入端子側(cè)向電容器13的一個電極側(cè)流動。圖3C是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間2中的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。通過在期間2開始時經(jīng)由第1晶體管11開始流動的、從輸入端子側(cè)向電容器13的一個電極側(cè)的電流，在期間2的穩(wěn)定時，輸入信號IN的HIGH電壓向電容器13的一個電極傳遞，該電極的電位成為HIGH電平。于是，向連接于電容器13的一個電極的晶體管22的柵極端子也施加HIGH電壓，由此晶體管22成為導通狀態(tài)。此時，放電電流從電容器24的一個電極經(jīng)由晶體管22向接地端子流動，電容器24的一個電極以及第2晶體管12的柵極端子的電位從HIGH電平向LOW電平下降。由此，第2晶體管12成為非導通狀態(tài)。在這里，由于第2晶體管12為導通狀態(tài)且在期間2開始時輸入信號IN成為HIGH，所以在直到第2晶體管12成為非導通狀態(tài)為止的期間內(nèi)，電容器13依賴于輸入信號IN的HIGH電壓而被充電。在這里，若將上述期間中的電容器13的充電電壓設為ΔV，則在第2晶體管12成為非導通狀態(tài)的時刻，電容器13的一個電極上升為HIGH電平（設為電壓H），所以電容器13的另一個電極以及輸出端子的電壓成為（H+ΔV）。即，在期間2，通過第1晶體管11成為導通狀態(tài)，執(zhí)行由電容器13進行的升壓工作。另外同時，晶體管22成為導通狀態(tài)，在上述升壓工作的過程中，第2晶體管12成為非導通狀態(tài)。在該階段，升壓工作完成。通過上述充電工作以及升壓工作，輸入信號IN的電壓H向輸出信號OUT的電壓（H+ΔV）升壓。即，在信號生成單元20將第2晶體管12設為導通狀態(tài)的狀態(tài)下向輸入端子輸入作為輸入信號IN的輸入電壓的HIGH電壓的期間2中，在電容器13進行與該HIGH電壓對應的電壓的充電，且經(jīng)由該HIGH電壓施加于柵電極由此成為了導通狀態(tài)的第1晶體管11向電容器13的一個電極施加上述HIGH電壓。另一方面，信號生成單元20與向電容器13的一個電極施加上述HIGH電壓的情況對應地將第2晶體管12設為非導通，由此在電容器13的另一個電極產(chǎn)生電壓振幅比上述HIGH電壓大的輸出電壓，并使該輸出電壓通過輸出端子輸出。接下來，在期間3，輸入信號IN已經(jīng)向LOW電壓變化。圖3D是本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的期間3中的電路狀態(tài)轉(zhuǎn)變圖。通過輸入信號IN的電位變化，從期間2的結(jié)束時開始，第1晶體管11的源極端子以及漏極端子的電位反轉(zhuǎn)，在期間3，電流經(jīng)由第1晶體管11從電容器13的一個電極側(cè)向輸入端子側(cè)流動。由于該電流流動的狀態(tài)以及第1晶體管11的柵極端子處于通過第2晶體管12的非導通狀態(tài)以及電容器13而電切斷的狀態(tài)，所以第1晶體管11的柵極電壓向輸入端子側(cè)放電，結(jié)果輸出信號OUT的電壓成為LOW電平。如上所述，本實施方式所涉及的電平移位器1，具備具有充電功能的電容器13、決定電容器13的兩電極的電位的第1晶體管11以及第2晶體管12和控制第2晶體管12的導通狀態(tài)的信號生成單元20，在預定的定時被供給使能信號ENB以及復位信號RESET，由此可以對輸入信號IN進行升壓。通過電平移位器1采用上述結(jié)構(gòu)，不需要用于電平移位工作的專用電源線，可以削減布線空間，減輕對外部電路的負擔。另外，由于是不使用二極管連接的TFT便可以將第2晶體管12設為充分的反偏壓狀態(tài)的電路結(jié)構(gòu)，所以即使第2晶體管12為減壓特性，在升壓過程中也可以切實地將第2晶體管12設為非導通，所以可以抑制升壓特性的劣化。（實施方式2）在本實施方式中，對具備將輸入信號邏輯反相的邏輯反相單元和實施方式1所記載的電平移位器1的反相器電路進行說明。圖4A是本發(fā)明的實施方式2所涉及的反相器電路的電路結(jié)構(gòu)圖。該圖所記載的反相器電路30具備：構(gòu)成輸入單元的晶體管31以及32、構(gòu)成輸出單元的晶體管33以及34和配置于輸入單元與輸出單元之間的電平移位器1。晶體管31是柵電極和漏電極連接于供給表示一種邏輯狀態(tài)的第1基準電壓（VDD）的第1基準線、源電極連接于電平移位器1的輸入端子的第1輸入晶體管。晶體管32是柵電極連接于輸入表示邏輯狀態(tài)的2種輸入電壓的反相器輸入端子、漏電極連接于輸入端子、源電極連接于供給表示另一種邏輯狀態(tài)的第2基準電壓（VSS）的第2基準線的第2輸入晶體管。晶體管33是柵電極連接于電平移位器1的輸出端子、漏電極的一方連接于第1基準線、源電極連接于輸出表示將2種輸入電壓所表示的邏輯狀態(tài)反相后的邏輯狀態(tài)的輸出電壓的反相器輸出端子的第1輸出晶體管。晶體管34是柵電極連接于反相器輸入端子、漏電極連接于反相器輸出端子、源電極連接于第2基準線的第2輸出晶體管。另外，反相器輸入端子連接于電平移位器1的復位信號線3，第1基準線連接于電平移位器1的使能信號線4。圖4B是表示第1比較例的以往的反相器電路的電路結(jié)構(gòu)圖，圖4C是表示第2比較例的以往的反相器電路的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4B所記載的以往的反相器電路600，將連接為二極管的n型晶體管31與在柵極端子被施加輸入信號in的n型晶體管32串聯(lián)連接，從晶體管31以及32的連接點輸出輸出信號out。通過上述結(jié)構(gòu)，在輸入信號in為HIGH電壓（VDD）的情況下，晶體管32成為導通狀態(tài)，輸出信號out通過晶體管32成為LOW電壓（VSS）。相反，在輸入信號in為LOW電壓（VSS）的情況下，晶體管32成為非導通狀態(tài)，輸出信號out通過晶體管31成為HIGH電壓（VDD）。圖4C所記載的以往的反相器電路700，與反相器電路600相比較，包括輸入單元和輸出單元這一點不同。該結(jié)構(gòu)中的輸入輸出關系與反相器電路600中的輸入輸出關系相同。即，在輸入信號in為HIGH電壓（VDD）的情況下，晶體管32成為導通狀態(tài)，通過晶體管32向晶體管33的柵極施加LOW電壓從而晶體管33成為非導通狀態(tài)。另一方面，晶體管34成為導通狀態(tài)，輸出信號out成為LOW電壓（VSS）。相反，在輸入信號in為LOW電壓（VSS）的情況下，晶體管32成為非導通狀態(tài)，通過晶體管31向晶體管33的柵極施加HIGH電壓從而晶體管33成為導通狀態(tài)。另一方面，晶體管34成為非導通狀態(tài)，輸出信號out成為HIGH電壓（VDD）。圖5是對本發(fā)明以及以往的反相器電路中的晶體管的閾值電壓與輸出電壓的關系進行比較的曲線圖。圖5中的橫軸表示構(gòu)成反相器電路的晶體管的閾值電壓。即，表示：閾值電壓越小，晶體管的減壓性越強，閾值電壓越大，晶體管的增強性越強。另外，圖5中的縱軸表示作為輸入信號in將HIGH電壓設為25V且將LOW電壓設為-3V的情況下的各反相器電路的輸出信號out的HIGH電壓（VoutH）以及LOW電壓（VoutL）。即，圖5的曲線圖表示將輸入振幅設為28V的情況下的輸出振幅的閾值電壓依賴性。在上述的以往的反相器電路600以及700中，晶體管的減壓性越強，輸出信號out的HIGH電壓越下降，LOW電壓越上升。這是因為，晶體管的減壓性越強，通過從反相器電路的電源側(cè)向接地側(cè)流動泄漏電流，輸出信號out的電壓振幅越劣化。在圖5的曲線圖中，本發(fā)明的反相器電路30與以往的反相器電路600以及700相比較，在減壓區(qū)域抑制了輸出振幅的劣化。這是因為，通過配置于輸入單元與輸出單元之間的電平移位器1，從輸入單元輸出的信號成為電平移位器1的輸入信號IN，通過電平移位器1升壓后的輸出信號OUT向輸出單元輸入。如上所述，根據(jù)本實施方式所涉及的反相器電路30，通過配置于輸入單元與輸出單元之間的電平移位器1，可以抑制輸出振幅的衰減，可以改善耐減壓性。以上，基于實施方式對本發(fā)明的電平移位器以及反相器電路進行了說明，但本發(fā)明所涉及的電平移位器以及反相器電路并不限定于上述實施方式。使實施方式1以及2中的任意的構(gòu)成要素組合而實現(xiàn)的其他的實施方式和/或?qū)嵤┓绞?以及2在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)實施本領域技術(shù)人員想出的各種變形而得到的變形例和/或內(nèi)置有本發(fā)明所涉及的電平移位器或者反相器電路的各種設備也包含于本發(fā)明。另外，在實施方式1以及2中，構(gòu)成電平移位器1的晶體管全部假設為n型TFT，但構(gòu)成本發(fā)明的電平移位器的晶體管全為p型TFT也可以起到同樣的效果。以下，對該情況下的電路結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動定時進行說明。圖6是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的變形例的電路結(jié)構(gòu)圖。該圖中的電平移位器40具備第1晶體管61、第2晶體管62、電容器63和信號生成單元50。電平移位器40，在預定的定時從復位信號線43輸入復位信號RESET并從使能信號線44輸入使能信號ENB，由此對經(jīng)由輸入線42輸入的輸入信號IN進行電平移位而從輸出線45輸出輸出信號OUT。信號生成單元50，具備例如晶體管51、52以及53和電容器54，根據(jù)使能信號ENB、復位信號RESET以及輸入信號IN，向第2晶體管62的柵極端子輸出預定的電壓。由此，決定電平移位器40的輸出電平的電容器63的另一個電極的電位根據(jù)來自信號生成單元50的輸出、輸入信號IN以及第1晶體管61以及第2晶體管62的導通狀態(tài)而變化。圖6中的電平移位器40的電路結(jié)構(gòu)與圖1中的電平移位器1的電路結(jié)構(gòu)相比較，全部的晶體管的導電型變?yōu)閜型，且電源電壓VDD與作為基準電壓的接地電壓VSS的連接關系變?yōu)橄喾础D7是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的變形例的驅(qū)動時間圖。圖7中的驅(qū)動時間與圖2中的驅(qū)動時間相比較，僅各信號的電壓電平反相，由該各信號進行的電路工作與實施方式1所涉及的電平移位器1的電路工作相同。另外，具備本發(fā)明的實施方式1所涉及的電平移位器的移位寄存器，也是本發(fā)明的范圍。具備本發(fā)明的電平移位器的移位寄存器具備與配置于顯示面板的m個像素行的每行的m條掃描線對應的、進行級聯(lián)的m個單元電路，且通常組裝于柵驅(qū)動電路。柵驅(qū)動電路配置于例如作為顯示面板的周邊部的邊框區(qū)域。第1行的單位電路，通過以預定的定時輸入從時鐘信號發(fā)生器輸出的時鐘信號CLK和輸入信號IN1，輸出相對于輸入信號IN1延遲半個時鐘周期、具有與輸入信號IN1的接通電壓輸出期間（以后，記為輸出期間）相同輸出期間的輸出信號OUT1。另外，第2行的單位電路，通過以預定的定時輸入時鐘信號CLK和與輸出信號OUT1相同的信號即輸入信號IN2，輸出相對于輸出信號OUT1延遲半個時鐘周期、具有與輸入信號IN1的輸出期間相同輸出期間的輸出信號OUT2。即，第k行的單位電路，通過以預定的定時輸入時鐘信號CLK和與輸出信號OUT（k-1）相同的信號即輸入信號INk，輸出相對于輸出信號OUT（k-1）延遲半個時鐘周期、具有與輸入信號IN1的輸出期間相同輸出期間的輸出信號OUTk。具有上述結(jié)構(gòu)的移位寄存器，通過具備對時鐘信號CLK進行電平移位并將該電平移位后的時鐘信號CLK供給移位寄存器的本發(fā)明的電平移位器，能夠以更高電壓驅(qū)動構(gòu)成移位寄存器的晶體管，使接通電阻下降，所以能夠改善輸出信號OUT的過渡特性，和/或通過單位電路內(nèi)的輸入信號IN以及輸出信號OUT的信號電壓的衰減抑制而提高信號傳送效率。本發(fā)明的電平移位器在要求大畫面以及高分辨率的薄型電視機、個人計算機的顯示器等技術(shù)領域有用。