本發(fā)明涉及器件的制造方法及有機EL器件，尤其涉及制造過程的曝光時的光掩模的配置方式。

背景技術：
作為器件的有機EL器件例如經(jīng)過如下工序形成：（a）在基板上形成TFT層；（b）在TFT層上層疊層間絕緣膜；（c）在層間絕緣膜上層疊平坦化膜；（d）在平坦化膜上形成陽極；（e）形成劃分相鄰發(fā)光部之間的堤；（f）在通過形成堤而構成的凹部內形成包括有機發(fā)光層的功能層；（g）在多個功能層上相連地形成陰極；（h）形成覆蓋陰極的封止膜。在此，在以有機EL器件為代表的器件的制造中，包括很多對感光性膜進行曝光、顯影的工序。例如，在上述（a）的TFT層的形成中，也在形成柵電極、形成半導體層、形成源電極/漏電極之際執(zhí)行曝光/顯影的工序。用于曝光的光掩模的尺寸由生產線中的階段（Generation）規(guī)定。例如，若為G（Generation）6，則被規(guī)定為800mm×920mm（32英寸）。因此，需要根據(jù)作為曝光對象的器件的尺寸而分成多次進行曝光（分割曝光）。用圖32對分割曝光進行說明。如圖32（a）所示，在基板900上依次使金屬膜9010a和正型的抗蝕劑膜930堆積后，配置光掩模590以覆蓋抗蝕劑膜930的一部分。光掩模590通過在透光基板590a的Z軸方向下側主面形成遮光區(qū)域590b被形成圖案。在配置了光掩模590的狀態(tài)下，將光照射到配置了該光掩模590的部分，進行第一次曝光。接著，如圖32（b）所示，在進行了第一次曝光的抗蝕劑膜930的上方配置光掩模591，在該狀態(tài)下對配置了光掩模591的部分照射光來進行第二次曝光。光掩模591也與光掩模590同樣地，通過在透光基板591a的Z軸方向下側主面形成遮光區(qū)域591b被形成圖案。在此，第二次曝光時配置的光掩模591，相對于第一次曝光時配置的光掩模590，配置（接縫區(qū)域OR900）以相互的端部彼此重疊。專利文獻1：日本專利第4604752號公報專利文獻2：日本特開2006-40589號公報專利文獻3：日本特開2005-203345號公報

技術實現(xiàn)要素：
但是，在圖32（a）、（b）所示的接縫區(qū)域OR900中，由于進行了兩次曝光，所以顯影后會有與其他區(qū)域不同的形狀/性質。例如，在進行了顯影/蝕刻等后的狀態(tài)下，會在接縫區(qū)域OR900上產生微小的臺階差等。如上所述，在接縫區(qū)域OR900被分配給對該器件本來的特性有大影響的部分的情況下，會擔心器件品質（質量）的降低。本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的，其目的在于提供即使在制造過程中采用分割曝光時也能抑制器件特性降低的器件的制造方法及有機EL器件。本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法具有：（a）基板準備工序，準備基板；（b）像素電極形成工序，在基板上以彼此隔開間隔的狀態(tài)形成多個像素電極，并且，在至少一部分的相鄰像素電極之間形成電布線；（c）感光性膜形成工序，在基板上涂敷感光性材料來形成感光性膜；（d）第一部分曝光工序，在感光性膜形成工序的執(zhí)行后，使第一光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第一光掩模對感光性膜的第一部分進行曝光；（e）第二部分曝光工序，在第一部分曝光工序的執(zhí)行后或者在第一部分曝光工序的執(zhí)行同時，使第二光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第二光掩模對感光性膜的第二部分進行曝光，第二部分的至少一部分不同于第一部分；和（f）顯影工序，對通過執(zhí)行第一部分曝光工序和第二部分曝光工序而曝光了第一部分和第二部分的感光性膜進行顯影。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，其特征在于，在（e）第二部分曝光工序中，將第二光掩模配置成其端部與（d）第一部分曝光工序中的所述第一光掩模的端部重疊；在（b）像素電極形成工序、（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，使第一光掩模和第二光掩模的所述重疊的部分處于與（b）像素電極形成工序中的電布線對應的位置。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，由于在（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中使第一光掩模和第二光掩模的所述重疊的部分處于與電布線對應的位置，所以能抑制器件特性的降低。即，這是因為：在器件中，即使在與電布線對應的位置規(guī)定第一光掩模和第二光掩模的所述重疊的位置，在該部分受到由曝光中的接縫所引起的影響表現(xiàn)出來，也能夠避免作為器件的特性的大幅度地降低。因此，在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，即使在制造過程中采用了分割曝光的情況下，也能夠抑制器件特性的降低。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的實施方式的有機EL裝置1的制造工序中、有機EL面板10的制造工序的工序圖。圖2（a）~（c）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖3（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖4（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖5（a）~（c）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖6（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖7（a）~（c）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖8（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖9（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖10（a）~（c）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖11（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖12（a）~（c）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖13（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖14（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖15（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖16（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖17（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖18（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖19（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖20（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖21（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖22（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖23（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖24（a）、（b）是表示有機EL裝置1的制造工序的一部分的示意剖面圖。圖25是表示有機EL裝置1中的有機EL面板10的結構的示意剖面圖。圖26是表示有機EL裝置1的結構的示意框圖。圖27（a）是表示有機EL面板10的結構的示意圖，（b）是表示形成柵電極的第一次曝光工序的示意剖面圖，（c）是表示形成柵電極的第二次曝光工序的示意剖面圖。圖28（a）是表示第一次曝光工序中的第一掩模的配置方式的示意俯視圖，（b）是表示第二次曝光工序中的第二掩模的配置方式的示意俯視圖。圖29（a）是表示比較例的第一次曝光工序中的第一掩模的配置方式的示意俯視圖，（b）是表示比較例的第二次曝光工序中的第二掩模的配置方式的示意俯視圖。圖30（a）是表示曝光工序采用的掩模的結構的示意俯視圖，（b）是表示第一掩模和第二掩模的接縫的示意剖面圖。圖31（a）是表示執(zhí)行了第一次曝光工序后的抗蝕劑圖案的示意俯視圖，（b）是表示進行了第一次曝光和顯影后的抗蝕劑圖案的示意俯視圖。圖32（a）是表示現(xiàn)有技術的第一次曝光工序的示意剖面圖，（b）是表示現(xiàn)有技術的第二次曝光工序的示意剖面圖。具體實施方式[本發(fā)明的技術方案的概要]本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法，具有：（a）基板準備工序，準備基板；（b）像素電極形成工序，在基板上以彼此隔開間隔的狀態(tài)形成多個像素電極，并且，在至少一部分的相鄰像素電極之間形成電布線；（c）感光性膜形成工序，在基板上涂敷感光性材料來形成感光性膜；（d）第一部分曝光工序，在感光性膜形成工序的執(zhí)行后，使第一光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第一光掩模對感光性膜的第一部分進行曝光；（e）第二部分曝光工序，在第一部分曝光工序的執(zhí)行后或者在第一部分曝光工序的執(zhí)行同時，使第二光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第二光掩模對感光性膜的第二部分進行曝光，第二部分的至少一部分不同于第一部分；和（f）顯影工序，對通過執(zhí)行第一部分曝光工序和第二部分曝光工序而曝光了第一部分和第二部分的感光性膜進行顯影。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，其特征在于，在（e）第二部分曝光工序中，將第二光掩模配置成其端部與（d）第一部分曝光工序中的所述第一光掩模的端部重疊；在（b）像素電極形成工序、（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，使第一光掩模和第二光掩模的所述重疊的部分處于與（b）像素電極形成工序中的電布線對應的位置。在采用了上述構成的本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，由于在（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中設為使第一光掩模和第二光掩模的所述重疊的部分處于與電布線對應的位置，所以能抑制器件特性的降低。即，這是因為：在器件中，即使在與電布線對應的位置規(guī)定第一光掩模和第二光掩模的所述重疊的位置，在該部分受到由曝光中的接縫所引起的影響表現(xiàn)出來，也能夠避免作為器件的特性的大幅度地降低。因此，在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，即使在制造過程中采用了分割曝光的情況下，也能夠抑制器件特性的降低。在上述本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中也能夠采用如下構成，在像素電極形成工序中，電布線形成為相對于基板主面呈線狀且寬度大于重疊的部分的寬度。由于采用這樣的構成，能夠將曝光中的接縫區(qū)域切實地收于電布線的形成區(qū)域內，能夠抑制器件特性的降低。在上述本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中也可以采用如下構成，在進行了像素電極形成工序之后進行感光性膜形成工序。在采用這樣的構成的情況下，在較之形成有電布線的層級處于上層的部位形成中，能夠使曝光的接縫區(qū)域收于電布線的形成區(qū)域內。因此，能夠抑制器件特性的降低。在上述本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中也可以采用如下構成，執(zhí)行了從感光性膜形成工序到顯影工序之后，執(zhí)行像素電極形成工序。在采用這樣的構成的情況下，在較之形成電布線的預定層級處于下層的部位形成中，能夠使曝光的接縫區(qū)域收于電布線的形成區(qū)域內。因此，能夠抑制器件特性的降低。在上述本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中也可以采用如下構成，在第一光掩模和第二光掩模中，分別在至少一部分區(qū)域形成掩模圖案；在第一光掩模和第二光掩模的所述重疊的部分，第一光掩模的掩模圖案與第二光掩模的掩模圖案重疊。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，具有：（a）基板準備工序，準備基板；（b）像素電極形成工序，在基板上以彼此隔開間隔的狀態(tài)形成多個像素電極；（c）感光性膜形成工序，在基板上涂敷感光性材料來形成感光性膜；（d）第一部分曝光工序，在感光性膜形成工序的執(zhí)行后，使第一光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第一光掩模對感光性膜的第一部分進行曝光；（e）第二部分曝光工序，在第一部分曝光工序的執(zhí)行后或者在第一部分曝光工序的執(zhí)行同時，使第二光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第二光掩模對感光性膜的第二部分進行曝光，該第二部分的至少一部分不同于第一部分；和（f）顯影工序，對通過執(zhí)行第一部分曝光工序和第二部分曝光工序而曝光了的感光性膜進行顯影。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，其特征在于，在（b）像素電極形成工序中，在將多個像素電極的形成區(qū)域分為第一像素電極形成區(qū)域和第二像素電極形成區(qū)域來考慮時，以使第二像素電極形成區(qū)域中的相鄰像素電極之間的間隔比第一像素電極形成區(qū)域中的相鄰像素電極之間的間隔大的方式，形成多個像素電極；在（e）第二部分曝光工序中，將第二光掩模配置成其端部與（d）第一部分曝光工序中的第一光掩模的端部重疊；在（b）像素電極形成工序、（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，設為：使得第一光掩模和第二光掩模重疊的部分處于與（b）像素電極形成工序中的第二像素電極形成區(qū)域對應的位置。在采用上述構成的本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中同樣地，由于在（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，使第一光掩模和第二光掩模的上述重疊的部分處于與相鄰像素電極之間的間隔相對大的第二像素電極形成區(qū)域對應的位置（相鄰像素電極之間的間隔區(qū)域），所以，可以抑制器件特性的降低。即，這是因為，在器件中，將曝光的接縫區(qū)域配置在相鄰像素電極之間的間隔相對大的第二像素電極形成區(qū)域，從而即使規(guī)定第一光掩模和第二光掩模的上述重疊的部分，在該部分受到由曝光中的接縫所引起的影響，也不會對像素電極及其上下層產生影響，能夠避免作為器件的特性的大幅度地降低。因此，在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，即使在制造過程中采用了分開曝光的情況下，也能夠抑制器件特性的降低。在上述本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中也可以采用如下構成，在（b）像素電極形成工序中，在第二像素電極形成區(qū)域，將金屬膜相對于基板主面形成為線狀；在（b）像素電極形成工序、（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，使第一光掩模和第二光掩模重疊的部分處于與（b）像素電極形成工序中的金屬膜對應的位置。另外，在上述本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中也可以采用在執(zhí)行了（b）像素電極形成工序之后執(zhí)行（c）感光性膜形成工序的構成。通過采用該構成，在對形成有像素電極的層級的上層側執(zhí)行曝光處理時，通過如上述那樣配置第一光掩模和第二光掩模重疊的部分，能夠進行高品質的器件的制造。另外，在上述本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中也可以采用如下構成，在執(zhí)行了從（c）感光性膜形成工序到（f）顯影工序之后，執(zhí)行（b）像素電極形成工序。在采用這樣的構成的情況下，在對形成有像素電極的層級的下層側進行曝光處理時，通過如上述那樣配置第一光掩模和第二光掩模重疊的部分，能夠進行高品質的器件的制造。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法，具有：（a）基板準備工序，準備基板；（b）電極材料膜形成工序，在基板上形成包括電極材料的電極材料膜；（c）感光性膜形成工序，在電極材料膜上涂敷感光性材料來形成感光性膜；（d）第一部分曝光工序，在感光性膜形成工序的執(zhí)行后，使第一光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第一光掩模對感光性膜的第一部分進行曝光；（e）第二部分曝光工序，在第一部分曝光工序的執(zhí)行后或者在第一部分曝光工序的執(zhí)行同時，使第二光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第二光掩模對感光性膜的第二部分進行曝光，第二部分的至少一部分不同于第一部分；（f）顯影工序，對通過執(zhí)行第一部分曝光工序和第二部分曝光工序而曝光了第一部分和第二部分的感光性膜進行顯影；和（g）像素電極形成工序，在顯影工序的執(zhí)行后，經(jīng)由顯影了的感光性膜對電極材料膜進行蝕刻，由此形成彼此隔開間隔的狀態(tài)的多個像素電極和配置在一部分的相鄰像素電極之間的電布線。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，其特征在于，在（e）第二部分曝光工序中，將第二光掩模配置成其端部與（d）第一部分曝光工序中的第一光掩模的端部重疊，并且，將第一光掩模和所述第二光掩模的所述重疊的部分配置在電布線的預定形成區(qū)域的上方。在采用上述構成的本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中同樣地，由于在（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，使第一光掩模和第二光掩模的上述重疊的部分處于電布線的預定形成區(qū)域的上方，所以，能夠抑制器件特性的降低。即，這是因為，在器件中，將曝光的接縫區(qū)域配置在大多不會對器件特性產生大影響的電布線的預定形成區(qū)域，從而即使規(guī)定第一光掩模和第二光掩模的上述重疊的部分，在該部分受到由曝光中的接縫所引起的影響，也不會對像素電極及其上下層產生影響，能夠避免作為器件的特性的大幅度地降低。因此，在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，即使在制造過程中采用了分割曝光的情況下，也能夠抑制器件特性的降低。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，具有：（a）基板準備工序，準備基板；（b）電極材料膜形成工序，在基板上形成包括電極材料的電極材料膜；（c）感光性膜形成工序，在電極材料膜上涂敷感光性材料來形成感光性膜；（d）第一部分曝光工序，在感光性膜形成工序的執(zhí)行后，使第一光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第一光掩模對感光性膜的第一部分進行曝光；（e）第二部分曝光工序，在第一部分曝光工序的執(zhí)行后或者在第一部分曝光工序的執(zhí)行同時，使第二光掩模與基板相對配置，經(jīng)由第二光掩模對感光性膜的第二部分進行曝光，第二部分的至少一部分不同于第一部分；（f）顯影工序，對通過執(zhí)行第一部分曝光工序和第二部分曝光工序而曝光了第一部分和第二部分的感光性膜進行顯影；和（g）像素電極形成工序，在顯影工序的執(zhí)行后，經(jīng)由顯影了的感光性膜對電極材料膜進行蝕刻，由此形成彼此隔開間隔的狀態(tài)的多個像素電極。在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，其特征在于，在從（b）電極材料膜形成工序到（g）像素電極形成工序中，在將多個像素電極的形成區(qū)域分為第一像素電極形成區(qū)域和第二像素電極形成區(qū)域來考慮時，以使第二像素電極形成區(qū)域中的相鄰像素電極之間的間隔比第一像素電極形成區(qū)域中的相鄰像素電極之間的間隔大的方式，形成多個像素電極；在（e）第二部分曝光工序中，將第二光掩模配置成其端部與第一部分曝光工序中的第一光掩模的端部重疊，并且，將第一光掩模和第二光掩模重疊的部分配置在第二像素電極形成區(qū)域的上方。在采用上述構成的本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中同樣地，由于在（d）第一部分曝光工序和（e）第二部分曝光工序中，使第一光掩模和第二光掩模的上述重疊的部分處于與相鄰像素電極之間的間隔相對大的第二像素電極形成區(qū)域對應的位置（相鄰像素電極之間的間隔區(qū)域），所以，能夠抑制器件特性的降低。即，這是因為，在器件中，將曝光的接縫區(qū)域配置在相鄰像素電極之間的間隔相對大的第二像素電極形成區(qū)域，從而即使規(guī)定第一光掩模和第二光掩模的上述重疊的部分，在該部分受到由曝光中的接縫所引起的影響，也不會對像素電極及其上下層產生影響，能夠避免作為器件的特性的大幅度地降低。因此，在本發(fā)明的一個技術方案的器件的制造方法中，即使在制造過程中采用了分割曝光的情況下，也能夠抑制器件特性的降低。在本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件中，具有：基板、多個像素電極、電布線、隔壁、多個有機層和共用電極。多個像素電極設置于基板上，包括電極材料，以彼此隔開間隔的狀態(tài)形成。電布線設置在基板上的一部分的相鄰像素電極之間。隔壁包括感光性材料，通過使多個光掩模局部重疊地將感光性材料膜曝光而設置，配置在相鄰像素電極之間和像素電極與電布線之間，規(guī)定子像素區(qū)域和電布線區(qū)域。多個有機層包括發(fā)光性有機材料地構成，在子像素區(qū)域中，與多個像素電極分別對應地設置。共用電極夾著有機層與多個像素電極分別相對，并且，與電布線相對。在本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件中，其特征在于，在電布線區(qū)域，電布線的共用電極側的表面的寬度大于多個光掩模的重疊部分的寬度。如上所述，通過采用電布線的共用電極側的表面的寬度大于多個光掩模的重疊部分的寬度的構成，在該有機EL器件的制造中，能夠將多個光掩模配置成其端部彼此的重疊部分與電布線區(qū)域對應。由此，即使在上述重疊部分進行了兩次或其以上的曝光的情況下，也不會對直接影響顯示品質的像素部產生影響，所以能夠抑制作為器件的特性降低。因此，在本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件中，具有高顯示品質。在本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件中，具有：基板、多個像素電極、電布線、隔壁、多個有機層和共用電極。多個像素電極設置于基板上，以彼此隔開間隔的狀態(tài)形成。電布線設置在基板上的一部分的像素電極之間。隔壁包括感光性材料，通過使多個光掩模局部重疊將感光性材料膜曝光而設置，配置在相鄰像素電極之間和像素電極與電布線之間，規(guī)定子像素區(qū)域和電布線區(qū)域。多個有機層包括發(fā)光性有機材料地構成，在子像素區(qū)域中，與多個像素電極分別對應地設置。共用電極夾著有機層與多個像素電極分別相對，并且，與電布線相對。本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件的特征在于，電布線的表面部作為用于重疊多個光掩模的重疊部而起作用。如上所述，通過采用電布線的表面部作為用于重疊多個光掩模的重疊部而起作用的構成，即使對曝光中的多個光掩模的重疊部分進行了兩次或其以上的曝光，也能夠抑制顯示品質的降低。即，有機EL器件中的電布線，其反射率一定，所以即使在多個光掩模的重疊部進行了兩次或其以上的曝光的情況下，形狀也穩(wěn)定。因此，通過使電布線的表面部作為多個光掩模的重疊部起作用，能夠得到高顯示品質。因此，在本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件中，具有高顯示品質。在本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件中，具有：基板、多個像素電極、電布線、隔壁、多個有機層和共用電極。多個像素電極設置于基板上，以彼此隔開間隔的狀態(tài)形成。電布線設置在基板上的一部分的像素電極之間。隔壁包括感光性材料，通過使多個光掩模局部重疊地將感光性材料膜曝光而設置，配置在相鄰像素電極之間和像素電極與電布線之間，規(guī)定子像素區(qū)域和電布線區(qū)域。多個有機層包括發(fā)光性有機材料地構成，在子像素區(qū)域中，與多個像素電極分別對應地設置。共用電極夾著有機層與多個像素電極分別相對，并且，與電布線相對。在本發(fā)明的一個技術方案的有機EL器件中，其特征在于，在電布線區(qū)域的結構的一部分，殘留有由于局部重疊多個光掩模地曝光所產生的痕跡。如上所述，在電布線區(qū)域殘留有由于局部重疊多個光掩模地曝光所產生的痕跡的結構，換言之是在電布線區(qū)域使多個光掩模重疊地執(zhí)行曝光。在此情況下，如上所述，不會對顯示品質產生大影響，另外，即使在由于反射率一定所以在重疊部的形狀難以不穩(wěn)定的電布線區(qū)域，進行了兩次或其以上的曝光，也能夠避免兩次曝光對會給顯示品質帶來大影響的像素區(qū)域的影響。因此，在本發(fā)明的一個方式的有機EL器件中，具有高顯示品質。[實施方式]下面使用具體例對本發(fā)明的技術方案的特征和作用/效果進行說明。本發(fā)明除了其本質的特征結構要素以外，不受以下的實施方式的任何限定。1．有機EL面板10的制造方法首先，使用圖1~圖25對本實施方式的有機EL面板10的制造方法進行說明。本實施方式的有機EL面板10是器件的一個例子。（1）TFT層101的形成如圖2（a）所示，準備基板100（圖1的步驟S1）。作為基板100，例如可以采用玻璃基板、石英基板、硅基板、硫化鉬、銅、鋅、鋁、不銹鋼、鎂、鐵、鎳、金、銀等的金屬基板、砷化鎵基等的半導體基板、樹脂基板等。作為樹脂基板可以采用通過層疊下述物質的一種或兩種以上而成的層疊體：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯（EVA）等的聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺（PI）、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚4-甲基-1-戊烯、離聚物、丙烯酸系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物（AS樹脂）、丁二烯-苯乙烯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物（EVOH）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚對苯二甲酸環(huán)己二醇酯（PCT）等的聚酯、聚醚、聚醚酮、聚醚砜（PES）、聚醚酰亞胺、聚縮醛、聚苯醚、改性聚苯醚、聚芳酯化合物、芳香族聚酯（液晶聚合物）、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟系樹脂、苯乙烯系、聚烯烴系、聚氯乙烯系、聚氨酯系、氟橡膠類、氯化聚乙烯系等各種熱塑性彈性體、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、不飽和聚酯、硅酮樹脂、聚氨酯等、或以它們?yōu)橹鞯墓簿畚?、混合體、聚合物合金等。接著，如圖2（b）所示，在基板100的一方的主面（Z軸方向上側主面）上形成金屬膜1010a。在金屬膜1010a的成膜時，可以采用例如濺射法、真空蒸鍍法等。另外，作為金屬膜1010a，例如可舉出鉻、鋁、鉭、鉬、鈮、銅、銀、金、白金、鉑、鈀、銦、鎳、釹等金屬或者它們的合金、或者氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鎵等導電性金屬氧化物或銦錫復合氧化物（以下簡稱“ITO”）、銦鋅復合氧化物（以下簡稱“IZO”）、鋁鋅復合氧化物（AZO）、鎵鋅復合氧化物（GZO）等導電性金屬復合氧化物、或者聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等導電性高分子或者在其中添加了鹽酸、硫酸、磺酸等酸、六氟化磷、五氟化砷、氯化鐵等的路易斯酸、碘等鹵素原子、鈉、鉀等金屬原子等摻雜劑而成的物質、或者分散了碳黑、金屬粒子的導電性復合材料等。另外，也可以采用包括了金屬微粒和石墨那樣的導電性粒子等的聚合物合金。也可以采用上述的一種或組合兩種以上而使用。接著，如圖2（c）所示，使正型的抗蝕劑膜300堆積以覆蓋金屬膜1010a。接著，如圖3（a）所示，配置光掩模500以覆蓋堆積在金屬膜1010a上的抗蝕劑膜300的上方的一部分。光掩模500通過在透光基板500a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域500b被圖案化。在該狀態(tài)下，光經(jīng)由光掩模500而照射，由此抗蝕劑膜300的一部分300a被曝光。然后，如圖3（b）所示，配置光掩模501以覆蓋抗蝕劑膜300的上方的一部分。光掩模501同樣通過在透光基板501a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域501b被圖案化，與在之前的曝光中使用的光掩模500配置（重疊部OR1）以端部的一部分彼此重疊。以后對該位置關系進行說明。在圖3（b）的狀態(tài)下經(jīng)由光掩模501照射光，由此使抗蝕劑膜300的一部分300b被曝光。接著，如圖4（a）所示，通過對進行了兩次曝光后的抗蝕劑膜300顯影來除去所曝光的部分300a、300b，開設開口301a，得到圖案形成的抗蝕劑膜301。接著，如圖4（b）所示，經(jīng)由抗蝕劑膜301的開口301a對金屬膜1010a進行蝕刻，得到TFT層101的柵電極101a（圖1的步驟S2）。對于形成柵電極101a的蝕刻，可以采用干式蝕刻或濕式蝕刻。接著，如圖5（a）所示，在除去抗蝕劑膜301后，如圖5（b）所示，形成絕緣膜1010b以覆蓋包括柵電極101a的表面在內的基板100的表面。絕緣膜1010b的成膜，可以采用例如CVD（ChemicalVaporDeposition，化學汽相沉積）法，作為形成材料，可以采用例如氮化硅（SiNx）、氧化硅（SiOx）等。接著，如圖5（c）所示，使正型的抗蝕劑膜302堆積以覆蓋絕緣膜1010b。接著，如圖6（a）所示，配置光掩模502以覆蓋堆積在絕緣膜1010b上的抗蝕劑膜302的上方的一部分。光掩模502同樣通過在透光基板502a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域502b來被圖案化，但在圖5（a）圖示的范圍內沒有光透射部，而是在圖示的范圍外設定光的透射部。在該狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模502而照射光，由此抗蝕劑膜302的一部分302a被曝光（省略圖示）。然后，如圖6（b）所示，配置光掩模503以覆蓋抗蝕劑膜302的上方的一部分。光掩模503同樣通過在透光基板503a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域503b被圖案化，但與上述同樣地，在圖5（a）圖示的范圍內沒有光透射部，而是在圖示的范圍外設定光的透射部。并且，在本工序中也同樣，配置（重疊部OR2）使其與在之前的曝光中使用的光掩模502的端部的一部分彼此重疊。在圖6（b）的狀態(tài)下經(jīng)由光掩模503照射光，由此抗蝕劑膜302的一部分被曝光（省略圖示）。如圖7（a）所示，通過對抗蝕劑膜302進行顯影，殘留下由于被光掩模502、503的各遮光區(qū)域502b、503b遮光而未被曝光的部分，除去圖示的范圍外的已曝光的部分。如圖7（b）所示，通過干式蝕刻絕緣膜1010b，得到TFT層101中的柵極絕緣膜101b（圖1的步驟S3）。并且，之后除去抗蝕劑膜302。接著，如圖7（c）所示，形成半導體膜1010c以覆蓋柵極絕緣膜101b。半導體膜1010c的形成，可以采用例如CVD法，作為形成材料，可以采用例如硅（Si）。接著，如圖7（d）所示，使正型的抗蝕劑膜303堆積以覆蓋半導體膜1010c。接著，如圖8（a）所示，配置光掩模504以覆蓋堆積在半導體膜1010c上的抗蝕劑膜303的上方的一部分。光掩模504同樣通過在透光基板504a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域504b被圖案化。在該狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模504而照射光，由此抗蝕劑膜303的一部分303a被曝光。然后，如圖8（b）所示，配置光掩模505以覆蓋抗蝕劑膜303的上方的一部分。光掩模505同樣通過在透光基板505a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域505b被圖案化，配置（重疊部OR3）使其與在之前的曝光中使用的光掩模504的端部的一部分彼此重疊。在圖8（b）的狀態(tài)下經(jīng)由光掩模505照射光，由此抗蝕劑膜303的一部分303b被曝光。接著，如圖9（a）所示，通過對曝光后的抗蝕劑膜303進行顯影，得到曝光部分成為開口304a的抗蝕劑膜304。接著，如圖9（b）所示，通過對半導體膜1010c進行干式蝕刻，得到TFT層101中的半導體層101c（圖1的步驟S4）。接著，如圖10（a）所示，除去抗蝕劑膜304，之后，如圖10（b）所示，形成金屬膜1010de以覆蓋半導體層101c和柵極絕緣膜101b。金屬膜1010de的成膜，可以采用例如濺射法，作為形成材料，與柵電極101a同樣，例如可舉出鉻、鋁、鉭、鉬、鈮、銅、銀、金、白金、鉑、鈀、銦、鎳、釹等金屬或者它們的合金、或者氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鎵等導電性金屬氧化物或銦錫復合氧化物（以下簡稱“ITO”）、銦鋅復合氧化物（以下簡稱“IZO”）、鋁鋅復合氧化物（AZO）、鎵鋅復合氧化物（GZO）等導電性金屬復合氧化物、或者聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等導電性高分子或者在其中添加了鹽酸、硫酸、磺酸等酸、六氟化磷、五氟化砷、氯化鐵等的路易斯酸、碘等鹵素原子、鈉、鉀等金屬原子等摻雜劑而成的物質、或者分散了碳黑、金屬粒子的導電性復合材料等。另外，也可以采用包括了金屬微粒和石墨那樣的導電性粒子等的聚合物合金。也可以采用上述的一種或組合兩種以上而使用。接著，如圖10（c）所示，使正型的抗蝕劑膜305堆積以覆蓋金屬膜1010de。接著，如圖11（a）所示，配置光掩模506以覆蓋堆積在金屬膜1010de上的抗蝕劑膜305的上方的一部分。光掩模506同樣通過在透光基板506a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域506b被圖案化。在該狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模506而照射光，由此抗蝕劑膜305的一部分305a被曝光。然后，如圖11（b）所示，配置光掩模507以覆蓋抗蝕劑膜305的上方的一部分。光掩模507同樣通過在透光基板507a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域507b被圖案化，配置（重疊部OR4）使與在之前的曝光中使用的光掩模506的端部的一部分彼此重疊。在圖11（b）的狀態(tài)下經(jīng)由光掩模507照射光，由此抗蝕劑膜305的一部分305b被曝光。接著，如圖12（a）所示，通過對曝光后的抗蝕劑膜305進行顯影，得到曝光部分成為開口306a的抗蝕劑膜306。接著，如圖12（b）所示，通過對金屬膜1010de進行蝕刻，得到TFT層101中的源電極101d和漏電極101e（圖1的步驟S5）。在本工序的實施中，可以采用干式蝕刻，也可以采用濕式蝕刻。（2）層間絕緣膜102和平坦化膜103的形成接著，如圖12（c）所示，除去抗蝕劑膜306，之后，如圖13（a）所示，在覆蓋TFT層101的狀態(tài)下層疊層間絕緣膜1020（圖1的步驟S6）。層間絕緣膜1020的形成，可以采用例如CVD法，作為形成材料，可以采用例如氮化硅（SiNx）、氧化硅（SiOx）。接著，如圖13（b）所示，使正型的抗蝕劑膜307堆積以覆蓋層間絕緣膜1020。接著，如圖14（a）所示，配置光掩模508以覆蓋堆積在層間絕緣膜1020上的抗蝕劑膜307的上方的一部分。光掩模508同樣通過在透光基板508a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域508b被圖案化。在該狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模508而照射光，由此抗蝕劑膜307的一部分307a被曝光。然后，如圖14（b）所示，配置光掩模509以覆蓋抗蝕劑膜307的上方的一部分。對于光掩模509同樣通過在透光基板509a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域509b被圖案化，配置（重疊部OR5）使其與在之前的曝光中使用的光掩模508的端部的一部分彼此重疊。在圖14（b）的狀態(tài)下經(jīng)由光掩模509照射光，由此抗蝕劑膜307的一部分307b被曝光。接著，如圖15（a）所示，通過對抗蝕劑膜307進行顯影，被曝光的部分307a、307b開口，得到開設了開口308a的抗蝕劑膜308。接著，如圖15（b）所示，通過經(jīng)由抗蝕劑膜308的開口308a進行干式蝕刻，得到開設了開口（接觸孔）1021a的層間絕緣膜1021（圖1的步驟S7）。接著，如圖16（a）所示，除去抗蝕劑膜308，之后，如圖16（b）所示，使平坦化膜1030堆積（圖1的步驟S8）以覆蓋層間絕緣膜1021。平坦化膜1030可以采用例如聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸系樹脂材料等有機化合物來形成。接著，如圖17（a）所示，配置光掩模510以覆蓋平坦化膜1030的上方的一部分。光掩模510同樣通過在透光基板510a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域510b被圖案化。在該狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模510而照射光，由此平坦化膜1030的一部分1030a被曝光。然后，如圖17（b）所示，配置光掩模511以覆蓋平坦化膜1030的上方的一部分。光掩模511同樣通過在透光基板511a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域511b被圖案化，配置（重疊部OR6）使其與在之前的曝光中使用的光掩模510的端部的一部分彼此重疊。在圖17（b）的狀態(tài)下經(jīng)由光掩模511照射光，由此平坦化膜1030的一部分1030b被曝光。接著，如圖18（a）所示，通過對曝光后的平坦化膜1030進行顯影，得到開設了開口（接觸孔）1031a的平坦化膜1031（圖1的步驟S9），該開口1031a與層間絕緣膜1021的開口（接觸孔）1021a（參照圖16（a））相連通。接著，如圖18（b）所示，通過烘焙平坦化膜1031，得到開設了開口103a的平坦化膜103，該開口103a的剖面尺寸隨著從Z軸方向的下方朝上方逐漸增大。（3）陽極104和匯流條（母線）109的形成接著，對于包含面向開口103a的周面在內的平坦化膜103的表面，形成金屬膜1040。金屬膜1040的成膜，可以采用例如濺射法，作為形成材料，可以采用包含銀（Ag）、鋁（Al）的材料。接著，使正型的抗蝕劑膜309堆積以覆蓋金屬膜1040。接著，如圖20（a）所示，配置光掩模512以覆蓋抗蝕劑膜309的上方的一部分。光掩模512同樣通過在透光基板512a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域512b被圖案化。在該狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模512而照射堆積，由此抗蝕劑膜309的一部分309a被曝光。然后，如圖20（b）所示，配置光掩模513以覆蓋抗蝕劑膜309的上方的一部分。光掩模513同樣通過在透光基板513a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域513b被圖案化，配置（重疊部OR7）使其與在之前的曝光中使用的光掩模512的端部的一部分彼此重疊。在圖20（b）的狀態(tài)下經(jīng)由光掩模513照射光，由此抗蝕劑膜309的一部分309b被曝光。接著，如圖21（a）所示，通過對抗蝕劑膜309進行顯影，得到在被曝光的部分309a、309b開設了開口310a的抗蝕劑膜310。然后，如圖21（b）所示，通過對在開口310a的底部露出的金屬膜1040進行蝕刻，能夠形成彼此隔開間隔配置的像素電極（陽極）104和電布線（匯流條）109（圖1的步驟S10）。形成陽極104和匯流條109所使用的蝕刻，可以采用干式蝕刻，也可以采用濕式蝕刻。（4）堤105的形成接著，如圖22（a）所示，除去抗蝕劑膜310，之后，如圖22（b）所示，使堤材料膜1050堆積。堤材料膜1050采用樹脂等有機材料形成，具有絕緣性，可以采用例如丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆型苯酚樹脂等來形成。另外，作為用于堤材料膜1050的有機材料，優(yōu)選具有有機溶劑耐性。而且，堤材料膜1050在堤形成工序中會被實施蝕刻處理、烘焙處理等，因此，優(yōu)選由對這些處理不會產生過度變形、變質等的高耐性的材料來形成。堤材料膜1050的結構，不僅可以采用如圖22（b）所示那樣的一層結構，也可以采用兩層以上的多層結構。此時，可以在每層組合上述材料，也可以在每層采用無機材料和有機材料。在此，如圖22（a）所示，形成了匯流條109a的區(qū)域（匯流條形成區(qū)域）10a，在其Z軸方向下方不形成TFT層101中的電極101a、101d、101e等。接著，如圖23（a）所示，配置光掩模514以覆蓋堤材料膜1050的上方的一部分。光掩模514同樣通過在透光基板514a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域514b被圖案化。如圖23（a）所示，光掩模514中的遮光區(qū)域514b成為與各陽極104對應的部位和與匯流條109對應的部位。在圖23（a）的狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模514而照射光，由此堤材料膜1050的一部分1050a被曝光。然后，如圖23（b）所示，配置光掩模515以覆蓋堤材料膜1050的上方的一部分。光掩模515同樣通過在透光基板515a的Z軸方向下側的主面形成遮光區(qū)域515b被圖案化，配置（重疊部OR8）使其與在之前的曝光中使用的光掩模514的端部的一部分彼此重疊。另外，光掩模515中的遮光區(qū)域515b也成為與陽極104對應的部位和與匯流條109對應的部位。在圖23（b）的狀態(tài)下，經(jīng)由光掩模515而照射光，由此堤材料膜1050的一部分1050b被曝光。接著，如圖24（a）所示，通過對被曝光的堤材料膜1050進行顯影，得到在被曝光的部分1050a、1050b開設了開口1051a、1051b的堤材料膜1051。在開設于堤材料膜1051的開口1051a的底部，陽極104和匯流條109露出。接著，如圖24（b）所示，通過烘焙堤材料膜1051，可以形成堤105（圖1的步驟S11）。此后，還可以使堤105的表面、更具體地說是堤105中的面向開口的內側面具有撥液性。例如，還可以對表面進行氟化處理。（5）功能層106的形成接著，在堤105所規(guī)定的開口中的在底部鋪設有陽極104的部分形成功能層106（圖1的步驟S12）。功能層106具有至少包含有機發(fā)光層的層疊結構，除了有機發(fā)光層之外還具有如下結構：在陽極104和有機發(fā)光層之間例如介有空穴注入層、空穴輸送層，在有機發(fā)光層的Z軸方向上側形成有電子輸送層等。作為空穴注入層的形成材料可以采用例如PEDOT（聚噻吩和聚苯乙烯磺酸的混合物）等的導電性聚合物材料、或者鉬（Mo）氧化物、鎢（W）氧化物這樣的過渡金屬氧化物等。另外，作為空穴輸送層的形成材料，可以采用不具有親水基的高分子化合物。例如，采用是聚芴、其衍生物、或者聚芳胺、其衍生物等高分子化合物且不具有親水基的材料等。另外，有機發(fā)光層例如是采用濕式工藝而形成的，作為形成材料，需要采用能夠用濕式工藝制膜的發(fā)光性有機材料。具體而言，優(yōu)選例如由日本特許公報（日本特開平5-163488號公報）中所記載的類喔星（oxinoid）化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫環(huán)酮（perinone）化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物（アントラセン化合物）、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、（chrysene）化合物、菲化合物、環(huán)戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒吡喃鎓化合物、碲吡喃鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、蒽化合物（アンスラセン化合物）、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2,2’-聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉（喔星）金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質形成。另外，作為電子輸送層的形成材料，可以采用例如噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者8-羥基喹啉化合物或其衍生物地金屬配合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。接著，如圖25所示，形成共用電極（陰極）107（圖1的步驟S13）以覆蓋功能層106和堤105的露出面。陰極107通過例如ITO、IZO（氧化銦鋅）等形成。在作為一例采用上發(fā)射（topemission）型的面板的本實施方式中，關于陰極107的光透射性，優(yōu)選透射率為80%以上。陰極107，在匯流條形成區(qū)域10a中，與匯流條109電連接。接著，形成封止層108（圖1的步驟S14）以覆蓋陰極107。封止層108具有抑制功能層106中的尤其是有機發(fā)光層暴露于水分或暴露于空氣的功能，作為形成材料，可以采用例如氮化硅（SiN）、氮氧化硅（SiON）等材料。在作為一例采用上發(fā)射型的本實施方式中，優(yōu)選由光透射性的材料來形成。之后，相對配置形成了濾色層的濾色（CF）基板，將彼此接合（圖示省略），由此制成有機EL面板10。2．有機EL裝置1的制造方法如圖26所示，本實施方式的有機EL裝置1是通過對于上述制造成的有機EL面板10連接由驅動電路21~24和控制電路25等構成的驅動控制部20而制造的。在對于有機EL面板10連接驅動控制部20后，有時也適當進行時效（aging）處理。3．效果用圖27~圖29來說明本實施方式的有機EL面板10的制造方法所得到的效果。圖27（a）示出了完成到形成封止層108為止的面板的概略結構圖，（b）和（c）示出了與形成TFT層101有關的抗蝕劑膜300的曝光工序的示意剖面圖。如圖27（b）、（c）所示，配置（重疊部OR1）使光掩模500和光掩模501的端部彼此重疊。與圖27（a）對比時，該重疊部OR1收于形成有匯流條109的匯流條形成區(qū)域10a。換言之，在本實施方式的制造方法中，配置光掩模500和光掩模501，使得重疊部OR1避開各子像素中的形成陽極104的區(qū)域，而有選擇地處于作為非發(fā)光部的匯流條形成區(qū)域10a。在其他的曝光工序中同樣，光掩模502~515也配置成各重疊部OR2~OR8收于匯流條形成區(qū)域10a。在本實施方式的有機EL面板10的制造方法中，通過采用上述那樣的光掩模500～515的配置方式，能夠得到高顯示品質。即，這是因為：在有機EL面板10中，在形成作為電布線的匯流條109的匯流條形成區(qū)域10a配置例如光掩模500~515的各重疊部OR2~OR8，即使在該部分出現(xiàn)曝光中的接縫所產生的影響，也能夠得到高顯示品質。因此，在本實施方式的有機EL面板10的制造方法中，在制造過程中采用了分割曝光的情況下，也能夠得到高顯示品質。在俯視的情況下，如圖28（a）、（b）所示，通過沿著呈線狀延伸的匯流條來規(guī)定第一（光）掩模和第二（光）掩模的重疊部，能夠使曝光中的接縫與匯流條形成區(qū)域一致。由此，反射率一定的匯流條即使進行了兩次曝光，由于被分配了曝光的接縫所導致的形狀不均也小。由此，能夠得到有機EL面板10的高顯示品質。另一方面，如圖29（a）、（b）所示，在像比較例的制造方法那樣、在像素形成區(qū)域規(guī)定了第一（光）掩模和第二（光）掩模的重疊部的情況下，在曝光的接縫（進行了兩次曝光的部分）處，在直接受發(fā)光影響的子像素的構成部位會產生形狀、膜質等不穩(wěn)定的部分。因此，在圖29（a）、（b）所示的比較例的制造方法中，會產生顯示品質的降低。如上所述，在本實施方式的有機EL面板10的制造方法中，通過使光掩模500~515的各重疊部OR2~OR8收于匯流條形成區(qū)域10a，即使在為了高效地制造而采用分割曝光的情況下，也能夠制造具有高顯示品質的有機EL面板10。4．光掩模的方式用圖30來補充說明光掩模的方案。如圖30（a）所示，光掩模在除了成為基底的透光基板（基底基板）的外緣的中途區(qū)域，形成有圖案區(qū)域。上述光掩模500~515的遮光區(qū)域500b~515b構成該圖案區(qū)域，不形成在圖案區(qū)域的外側。因此，如圖30（b）所示，在本說明書中，第一（光）掩模和第二（光）掩模的端部彼此的重疊部OR2~OR8不表示基底基板的端部彼此的重疊部，嚴格地來說是表示圖案區(qū)域的端部彼此的重疊部。5．分割曝光中的曝光接縫的痕跡用圖31來說明分割曝光中的曝光接縫的痕跡。如圖31（a）所示，若經(jīng)由光掩模進行第一次曝光，則形成抗蝕劑圖案（A）。然后，配置光掩模以使端部與之前的光掩模的端部彼此重疊，進行第二次曝光，則如圖31（b）所示，形成相對于抗蝕劑圖案（A）具有作為曝光接縫的重疊部分和校準余裕量的偏差的抗蝕劑圖案（B）。在經(jīng)過這樣的曝光而形成了器件的構成部位的情況下，會在與曝光接縫對應的部分、在部位的形狀或膜厚等方面產生臺階差、變形。因此，在采用本實施方式的制造方法制造的有機EL面板10中，會在鋪設了匯流條109的匯流條形成區(qū)域10a，作為痕跡而殘留這樣的圖案偏差、膜厚變動部分。在假定曝光裝置中的校準精度的3σ的值為±1.5μm的情況下，光掩模彼此的重疊部的重疊量可以為例如3.0μm。[其他事項]在上述實施方式的有機EL面板10的制造方法中，對于所有的曝光工序，將光掩模500~515的端部彼此的各重疊部OR2~OR8收于匯流條形成區(qū)域10a，但在要形成的部位根據(jù)經(jīng)驗已知是不對作為器件的特性、即顯示品質產生大影響的部位的形成工序中，不一定需要將重疊部收于匯流條形成區(qū)域10a。另外，在上述實施方式的有機EL面板10的制造方法中，對于所有的曝光工序，將光掩模500~515的端部彼此的各重疊部OR2~OR8收于匯流條形成區(qū)域10a，但對于配置各重疊部OR2~OR8的區(qū)域，不一定需要設為匯流條形成區(qū)域10a。例如，在存在相鄰的子像素彼此之間的間隔比其他區(qū)域的間隔大的區(qū)域的情況下，可以將光掩模彼此的重疊部收于該間隔大的部位。由此，兩次曝光產生的影響也不會給顯示品質帶來大影響。另外，在上述實施方式中實施的是在進行了第一次曝光之后進行第二次曝光的工序，但也可以實施使在第一次曝光和第二次曝光中的一部分是重復的工序。另外，在上述實施方式中，將各曝光分成兩次來進行，但對于曝光的分割次數(shù)來說，不一定非兩次不可，也可以是三次以上。此時同樣地，通過將曝光的接縫收于匯流條形成區(qū)域10a、相鄰子像素間的間隔比其它大的區(qū)域，能夠得到上述同樣的效果。另外，在上述實施方式中，以一個例子說明了有機EL裝置1的有機EL面板10的制造，不過只需將本發(fā)明應用于其它器件的制造，則也能夠得到上述同樣的效果。作為有機EL面板以外的器件，優(yōu)選例如是液晶顯示面板、等離子顯示面板等顯示面板、其它的面狀器件。而且，也可以適用于顯示面板以外的器件，例如具有光電變換膜的攝像裝置、采用了有機半導體的太陽能電池裝置等。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明在實現(xiàn)通過采用分割曝光而能夠進行高效率的制造、并且抑制了原本特性的降低的高品質的器件的方面是有用的。附圖標記說明1．有機EL裝置10．有機EL面板10a．匯流條區(qū)域20．驅動控制部21~24．驅動電路25．控制電路100．基板101．TFT層101a．柵電極101b．柵極絕緣膜101c．半導體層101d．源電極101e．漏電極102．層間絕緣膜103．平坦化膜104．陽極105．堤106．功能層107．陰極108．封止層109．匯流條300、301、302、303、304、305、306、307、308、309、310．抗蝕劑膜500、501、502、503、504、505、506、507、508、509、510、511、512、513、514、515．光掩模500a、501a、502a、503a、504a、505a、506a、507a、508a、509a、510a、511a、512a、513a、514a、515a．透光基板500b、501b、502b、503b、504b、505b、506b、507b、508b、509b、510b、511b、512b、513b、514b、515b．遮光區(qū)域1010a、1010de、1040．金屬膜1010b．絕緣膜1010c．半導體膜1020、1021．層間絕緣膜1030、1031．平坦化膜1050、1051．堤材料膜