抗衰減電容器薄膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及金屬化電容器用薄膜的鍍層結(jié)構(gòu)，特別涉及抗衰減電容器薄膜。
【背景技術(shù)】
[0002]任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)間都構(gòu)成一個(gè)電容器。薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。
[0003]薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性，因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要等性如下:無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小?；谝陨系膬?yōu)點(diǎn)，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號(hào)交連的部份，必須使用頻率特性良好，介質(zhì)損失極低的電容器，方能確保信號(hào)在傳送時(shí)，不致有太大的失真情形發(fā)生。
[0004]現(xiàn)代開關(guān)電源，以及變頻電源的大量運(yùn)用，但其功率因素也僅僅只能達(dá)到0.80左右，其主要原因是由于大容量電容平滑電路使用的關(guān)系，電源設(shè)備，照明設(shè)備等PFC(PowerFactor Correct1n功率因數(shù)校正)回路使用的薄膜電容器，針對(duì)保證安全，薄膜高方阻等技術(shù)的發(fā)展，以及每年都向小型化發(fā)展的趨勢。目前使用的傳統(tǒng)金屬化薄膜電容器使用的薄膜T型隔離帶，當(dāng)使用此類薄膜的金屬化薄膜電容器的時(shí)候被異常電壓應(yīng)加以后，薄膜本身有缺陷或材料本身阻抗不良的情況下，缺陷點(diǎn)上的材料由于溫度的驟升引起隔離帶之間的安全鈕(或簡稱保險(xiǎn)絲)會(huì)斷裂以及燒損等現(xiàn)象的發(fā)生，當(dāng)有絕緣阻抗不良的情況下，由于高溫引起安全鈕連接處薄膜處蒸渡的金屬層蒸發(fā)，引起的容量減少的情況，當(dāng)薄膜厚度對(duì)應(yīng)耐電壓相對(duì)應(yīng)80ν/ μ m以上特別明顯。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:抗衰減電容器薄膜，包括基膜、金屬層和硅油保護(hù)層，所述金屬層設(shè)置在所述基膜上，所述硅油保護(hù)層覆蓋于所述金屬層上，所述基膜上設(shè)有多個(gè)“干”形隔離帶，所述基膜的一側(cè)的邊緣設(shè)有條形隔離帶，每個(gè)所述“干”形隔離帶包括一條縱向隔離帶和兩條相互平行的橫向隔離帶，所述縱向隔離帶的一端貫穿其中一條橫向隔離帶后與另一條橫向隔離帶連通，所述縱向隔離帶的另一端與所述條形隔離帶相連通，所述金屬層包括第一鋁鍍層和鋅鍍層。
[0006]進(jìn)一步地，所述金屬層還包括第二鋁鍍層，所述的第一鋁鍍層和第二鋁鍍層均為采用磁控濺射技術(shù)濺射而成的鍍膜層。
[0007]進(jìn)一步地，所述的鋅鍍層具有下凸形加厚區(qū)，所述基膜的寬度為9mm-620mm，所述的鋅鍍層凸形加厚區(qū)為10-20mm。
[0008]進(jìn)一步地，所述的基膜的厚度為3-15 μ m。
[0009]可替換地，所述多個(gè)“干”形隔離帶對(duì)稱設(shè)置在所述基膜的中線兩側(cè)。
[0010]進(jìn)一步地，所述的基膜為1-60個(gè)，所述的第二鋁鍍層具有上凸形加厚區(qū)。
[0011 ] 所述下凸形加厚區(qū)位于所述鋅鍍層的中心。
[0012]所述上凸形加厚區(qū)位于所述第二鋁鍍層的中心。
[0013]進(jìn)一步地，所述的第二鋁鍍層的方阻為6?12Q/sq。
[0014]進(jìn)一步地，所述的第一鋁鍍層的方阻為6?12Q/sq。
[0015]可替換地的，所述基膜的相對(duì)的兩側(cè)的邊緣均設(shè)有條形隔離帶，所述設(shè)置在基膜中線兩側(cè)的“干”形隔離帶的尾部分別與位置相對(duì)應(yīng)的條形隔離帶相連通。
[0016]進(jìn)一步的，所述基膜采用聚酯薄膜或聚丙烯薄膜制成。
[0017]為提高等離子體密度和濺射鍍膜速率，磁控濺射技術(shù)濺射鍍膜為采用氣體放電產(chǎn)生等離子體，經(jīng)電場加速的等離子體中的離子轟擊基膜單元，在基膜層上順序沉積而成；磁控濺射是在基膜單元面加上跑道磁場以控制電子的運(yùn)動(dòng)，延長其在基膜單元面的行程，加快濺射鍍膜的沉積。
[0018]濺射鍍膜具體為陽極上放置工件，與直流電源的正極連接。通常是將鍍膜室接地，并與陽極連結(jié)，陰極上裝置靶材，與直流電源的負(fù)極連接。等離子體中的離子被陰極暗區(qū)的電場加速后，飛向陰極轟擊靶材。離子轟擊靶材時(shí)，發(fā)生兩種與濺射鍍膜有關(guān)的物理現(xiàn)象。首先是離子將原子擊出靶面，產(chǎn)生濺射原子。濺射鍍膜就是由這些濺射原子在基膜上沉積實(shí)現(xiàn)的。其次是，離子將原子擊出靶面，產(chǎn)生二次電子。二次電子被陰極暗區(qū)的電場加速，成為載能的快電子，快電子與氬氣碰撞產(chǎn)生電離，并漸漸損失能量變成熱電子。濺射鍍膜所依賴的等離子體，就是由快電子，尤其是熱電子與氬氣的碰撞電離來維持的。
[0019]第二鋁鍍層放在大氣中和氧接觸，產(chǎn)生一層致密的氧化層，隔絕里邊的鋅鋁鍍層與大氣接觸，提高金屬化膜的抗氧化性能。保證了電容器用金屬化薄膜的高品質(zhì)，降低金屬化薄膜由于耐壓不足和表面氧化從而造成電容器廢品的問題。
[0020]本實(shí)用新型的有益效果是:采用了新型隔離帶以后，當(dāng)遇到電源異常時(shí)，容量的損失將會(huì)是原來的1/2-1/4，這樣電容器在保證品質(zhì)的前提條件下，壽命將大大延長，用此類薄膜生產(chǎn)電容器將廣泛應(yīng)用到生活的各個(gè)場所特別是安全防護(hù)等，提高功率因數(shù)節(jié)能減排。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型采用的基膜不需要進(jìn)行表面電暈處理，在基膜上同時(shí)鍍上三層金屬，最外面的金屬層為氧化層，對(duì)鍍好的薄膜沒有嚴(yán)格的溫度，濕度要求，所放置的地方只要凈化即可。表面未經(jīng)電暈處理的基膜，其耐高壓性能和清潔度大幅提高，同時(shí)在蒸鍍過程中，采用磁控濺射技術(shù)替代了原來的電阻加熱蒸發(fā)技術(shù)，在鍍膜過程中大幅度降低對(duì)基膜的熱輻射，從而使鍍好的薄膜耐壓大大提高，同時(shí)，將原有的鋅鋁復(fù)合化薄膜進(jìn)行重大創(chuàng)新，即在原有基礎(chǔ)上同時(shí)再鍍上一層金屬，此金屬層在接觸大氣后生成一層致密的氧化層，從而將里邊的兩層金屬層與大氣隔絕，從而保證了電容器用金屬化薄膜的高品質(zhì)，徹底改變了原來的金屬化薄膜由于耐壓不足和表面氧化從而造成電容器廢品的問題。
[0022]本實(shí)用新型在整個(gè)金屬層上設(shè)置一層硅油保護(hù)層，形同與空氣隔絕，避免鋁和鋅被空氣氧化，從而提高金屬化薄膜的抗氧化能力，避免在制作電容器的過程出現(xiàn)薄膜被氧化被擊穿，大大提高了該金屬化膜制作的電容器的品質(zhì)，同時(shí)也解決了大容量電容器容量過大，熱量難散發(fā)導(dǎo)致?lián)舸┑膯栴}，硅油保護(hù)層起到了緊密結(jié)合和散熱功能，增加各鍍層之間的牢固性，有效防止金屬層脫落。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它附圖。
[0024]圖1是本實(shí)用新型提供的抗衰減電容器薄膜的基膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是本實(shí)用新型提供的抗衰減電容器薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖中:1-基膜，2-第一鋁鍍層，3-鋅鍍層，4-第二鋁鍍層，5-硅油保護(hù)層，11_“干”形隔離帶，12-條形隔離帶。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0028]實(shí)施例:<