分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)工藝方法的流程圖。
[0023]其中:
引線框11 第一芯片12 第二芯片13 第一金屬夾板14 第二金屬夾板15 第一金屬焊線16 第二金屬焊線17 第一引線框21 第二引線框22 第一上水平段221 第一中間連接段222 第一下水平段223 第二上水平段224 第二中間連接段225 第二下水平段226 第一芯片23
錫膏24 塑封料25 第二芯片26。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0025]如圖6(a)?圖6(h)所不，本實(shí)施例中的一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其具體工藝步驟如下:
步驟一、參見圖6(a)，提供第一引線框，第一引線框的材質(zhì)為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8* 10~-6/°C ~25* 10~-6/°C的導(dǎo)電材質(zhì)；
步驟二、參見圖6(b)，在第一引線框基島區(qū)域通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏，目的是為實(shí)現(xiàn)后續(xù)第一芯片植入后與基島接合，通過調(diào)整網(wǎng)板的厚度和開口的面積可以精確的控制錫膏的厚度、面積以及位置；
步驟三，參見圖6(c)，在步驟二中第一引線框基島區(qū)域涂覆的錫膏上植入第一芯片和第二芯片；
步驟四，參見圖6(d)，提供第二引線框，所述第二引線框包括第一上水平段、第一中間連接段、第一下水平段、第二上水平段、第二中間連接段和第二下水平段，第二引線框的材質(zhì)為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/0C?25*10~-6/°C的導(dǎo)電材質(zhì)。在第二引線框的第一上水平段下表面、第一下水平段下表面、第二上水平段下表面和第二下水平段下表面通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏，通過調(diào)整網(wǎng)板的厚度和開口的面積可以精確的控制錫膏的厚度、面積以及位置；
步驟五，參見圖6(e)，將第二引線框的第一上水平段和第二上水平段分別壓合在第一引線框上表面的第一芯片和第二芯片上，使第一芯片和第二芯片分別與第二引線框通過第一上水平段下表面和第二上水平段下表面的錫膏形成電性連接，且第二引線框的第一下水平段下表面和第二下水平段下表面分別搭設(shè)在第一引線框上表面上，壓合后第一引線框和第二引線框形成整體框架；
步驟六，參見圖6(f)，將步驟五形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進(jìn)行回流焊。壓板的材質(zhì)要求不容易發(fā)生形變且具有良好的熱傳導(dǎo)性能，其熱膨脹系數(shù)CTE與第一引線框和第二引線框材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)CTE接近，其CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C ；
步驟七，參見圖6(g)，將步驟六經(jīng)過回流焊后的整體框架采用塑封料進(jìn)行塑封，塑封后第二引線框的第一上水平段上表面和第二上水平段上表面中的一個(gè)暴露在塑封料之外；步驟八，參見圖6(h)，將步驟七完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式塑封體，切割或是沖切獨(dú)立開來，制得部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)。
[0026]上述步驟中，步驟二和步驟四可通過不同機(jī)臺(tái)同時(shí)進(jìn)行。
[0027]參見圖2?圖5，本發(fā)明一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)，它包括第一引線框21、第二引線框22、第一芯片23和第二芯片26，所述第二引線框22包括第一上水平段221、第一中間連接段222、第一下水平段223、第二上水平段224、第二中間連接段225和第二下水平段226，所述第一芯片23和第二芯片26分別夾設(shè)在第一引線框21與第二引線框22的第一上水平段221和第二上水平段224之間，所述第一芯片23的正面和背面分別通過錫膏24與第二引線框22的第一上水平段221和第一引線框21電性連接，第二芯片26的正面和背面分別通過錫膏24與第二引線框22的第二上水平段224和第一引線框21電性連接，所述第一引線框21和第二引線框22外包封有塑封料25，所述第二引線框22的第一上水平段221上表面和第二上水平段224上表面不齊平，所述第一引線框21下表面暴露于塑封料25之外，所述第二引線框22的第一上水平段221上表面和第二上水平段224上表面中的一個(gè)暴露于塑封料25之外，所述第二引線框22的第一下水平段223下表面和第二下水平段226下表面分別搭設(shè)在第一引線框21上表面上。
[0028]所述第一引線框21和第二引線框22均為整體框架，其材質(zhì)可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的導(dǎo)電材質(zhì)。
[0029]所述第一芯片23和第二芯片26為可以與金屬錫結(jié)合的二極芯片、三極芯片或多極芯片。
[0030]除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括第一引線框(21)、第二引線框(22)、第一芯片(23)和第二芯片(26)，所述第二引線框(22)包括第一上水平段(221)、第一中間連接段(222)、第一下水平段(223)、第二上水平段(224)、第二中間連接段(225)和第二下水平段(226)，所述第一芯片(23)和第二芯片(26)分別夾設(shè)在第一引線框(21)與第二引線框(22)的第一上水平段(221)和第二上水平段(224)之間，所述第一芯片(23)的正面和背面分別通過錫膏(24)與第二引線框(22)的第一上水平段(221)和第一引線框(21)電性連接，第二芯片(26)的正面和背面分別通過錫膏(24)與第二引線框(22)的第二上水平段(224)和第一引線框(21)電性連接，所述第一引線框(21)和第二引線框(22)外包封有塑封料(25)，所述第二引線框(22)的第一上水平段(221)上表面和第二上水平段(224)上表面不齊平，所述第一引線框(21)下表面暴露于塑封料(25)之外，所述第二引線框(22)的第一上水平段(221)上表面或第二上水平段(224)上表面中的一個(gè)暴露于塑封料(25)之夕卜，所述第二引線框(22)的第一下水平段(223)下表面和第二下水平段(226)下表面分別搭設(shè)在第一引線框(21)上表面上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一引線框(21)和第二引線框(22)均為整體框架。3.—種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于所述方法包括如下步驟: 步驟一、提供第一引線框； 步驟二、在第一引線框基島區(qū)域通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏； 步驟三，在步驟二中第一引線框基島區(qū)域涂覆的錫膏上植入第一芯片和第二芯片； 步驟四，提供第二引線框，所述第二引線框包括第一上水平段、第一中間連接段、第一下水平段、第二上水平段、第二中間連接段和第二下水平段，在第二引線框的第一上水平段下表面、第一下水平段下表面、第二上水平段下表面和第二下水平段下表面通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏； 步驟五，將第二引線框的第一上水平段和第二上水平段分別壓合在第一引線框上表面的第一芯片和第二芯片上，且第二引線框的第一下水平段下表面和第二下水平段下表面分別搭設(shè)在第一引線框上表面上，壓合后第一引線框和第二引線框形成整體框架； 步驟六，將步驟五形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進(jìn)行回流焊； 步驟七，將步驟六經(jīng)過回流焊后的整體框架采用塑封料進(jìn)行塑封， 塑封后第二引線框的第一上水平段上表面和第二上水平段上表面中的一個(gè)暴露在塑封料之外； 步驟八，將步驟七完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式塑封體，切割或是沖切獨(dú)立開來，制得部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述第一引線框和第二引線框均為整體框架，其材質(zhì)可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的導(dǎo)電材質(zhì)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述第一芯片和第二芯片為可以與金屬錫結(jié)合的二極芯片、三極芯片或多極芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述壓板材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)CTE與第一引線框、第二引線框材質(zhì)的熱膨脹系數(shù) CTE 接近，其CTE 范圍是8* I O' -6/ °C ?25* I O' -6/ °C。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述步驟二和步驟四可通過不同機(jī)臺(tái)同時(shí)進(jìn)行。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種部分框架外露多芯片多搭平鋪夾芯封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法，所述方法包括以下步驟：步驟一、提供第一引線框；步驟二、在第一引線框涂覆錫膏；步驟三，在步驟二中第一引線框基島區(qū)域涂覆的錫膏上植入第一芯片和第二芯片；步驟四，提供第二引線框，在第二引線框上涂覆錫膏；步驟五，將第二引線框壓合在第一引線框上表面的第一芯片和第二芯片上，壓合后第一引線框和第二引線框形成整體框架；步驟六，將步驟五形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進(jìn)行回流焊；步驟七，塑封料塑封；步驟八，切割或沖切作業(yè)。本發(fā)明的有益效果是：增加產(chǎn)品熱消散的能力，降低產(chǎn)品的封裝電阻。且整條產(chǎn)品可一體成型，生產(chǎn)效率高。
【IPC分類】H01L21/48, H01L23/495
【公開號(hào)】CN105633051
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510995934
【發(fā)明人】梁志忠, 劉愷, 周正偉, 王亞琴
【申請(qǐng)人】江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2015年12月24日