第一開口層33在第一方 向Dl上的水平寬度33WU參照圖5A)?？蒞使用同一鍛覆（例如，電鍛、化學(xué)鍛）工藝來 形成第一柱狀凸點層46A和第二柱狀凸點層46B。第一柱狀凸點層46A可W填充第S開口 85A的一部分，第二柱狀凸點層46B可W填充第四開口 85B的一部分。第一柱狀凸點層46A 和第二柱狀凸點層46B中的每個可W包括金屬（例如，化、化合金、Ni、Ni合金、Au、Au合 金或它們的組合）。第一柱狀凸點層46A和第二柱狀凸點層46B與基體凸點層40可W由相 同的材料形成，或由不同的材料形成。例如，基體凸點層40可W由銅來形成，而第一柱狀凸 點層46A和第二柱狀凸點層46B可W由銅或儀來形成。在一些實施例中，第一柱狀凸點層 46A的厚度46AH可W基本上等于第二柱狀凸點層46B的厚度4她H。例如，第一柱狀凸點層 46A的厚度46AH和第二柱狀凸點層46B的厚度46BH可W是大約10 y m至30 y m。
[0115] 第一焊料層47A可W形成在第一柱狀凸點層46A上，第二焊料層47B可W形成在 第二柱狀凸點層46B上。第一焊料層47A可W填充第=開口 85A，第二焊料層47B可W填 充第四開口 85B。在一些實施例中，第一焊料層47A的厚度47AH和第二焊料層47B的厚度 47BH可W基本上相同。例如，第一焊料層47A的厚度47AH和第二焊料層47B的厚度47BH 的每個可W是例如大約15 ym至60 ym。可W同時通過同一鍛覆（例如，電鍛、化學(xué)鍛）工 藝來形成第一焊料層47A和第二焊料層47B。第一焊料層47A和第二焊料層47B中的每個 可W包括焊接材料。例如，焊料層47可W包括Sn、Pb、Sn-Pb、Sn-Ag、Sn-Au、Sn-Cu、Sn-Bi、 Sn-Zn、Sn-Ag-Cu、Sn-Ag-Bi、Sn-Ag-Zn、Sn-Cu-Bi、Sn-Cu-Zn、Sn-Bi-Zn、Sn-Ag-Ce 或它們的 組合。
[0116] 第一焊料層47A的頂表面和第二焊料層47B的頂表面可W是共面的。目P，從第一 柱狀凸點層46A的底表面到第一焊料層47A的頂表面之間的第一豎直高度BSHl可W與從 第二柱狀凸點層46B的底表面到第二焊料層47B的頂表面之間的第二豎直高度BS肥基本 上相同。
[0117] 參照圖5F，可W去除第二掩模圖案84,然后可W通過對第一焊料層47A和第二焊 料層47B執(zhí)行回流工藝形成第一焊料凸點層48A和第二焊料凸點層48B。例如，可W通過灰 化工藝去除第二掩模圖案84,可W通過從大約200°C到大約300°C范圍內(nèi)的溫度下對第一 焊料層47A和第二焊料層47B進(jìn)行回流形成第一焊料凸點層48A和第二焊料凸點層48B。 第一焊料凸點層48A和第二焊料凸點層48B可W具有珠子形狀?？蒞通過濕式蝕刻去除 UBM層38的沒有被基體凸點層40和第二柱狀凸點層46B覆蓋的部分，從而在第一區(qū)SA上 在導(dǎo)電墊30上形成第一 UBM層38A并在第二區(qū)SB上在純化層30上形成第二UBM層38B。 第一 UBM層38A可W包括第一阻擋層34A和第一種子層36A，第二UBM層38B可W包括第二 阻擋層34B和第二種子層36B。在一些實施例中，在UBM層38的沒有被基體凸點層40和第 二柱狀凸點層46B覆蓋的部分通過濕式蝕刻去除之后，可對第一焊料層47A和第二焊料層 47B進(jìn)行回流W形成第一焊料凸點層48A和第二焊料凸點層48B。
[0118] 第一焊料層47A的頂表面和第二焊料層47B的頂表面是基本上共面的，所W第一 焊料凸點層48A的頂端和第二焊料凸點層48B的頂端可W基本上位于同一水平。如圖IC所 示，第一焊料凸點層48A可W具有在第一方向Dl上的第一最大水平寬度48AW1和在第二方 向D2上的第二最大水平寬度48AW2。第一最大水平寬度48AW1可W小于第二最大水平寬度 48AW2。在一些實施例中，第一最大水平寬度48AW1和第二最大水平寬度48AW2可W基本上 相同。如圖IC所示，第二焊料凸點層48B可W具有在第一方向Dl上的第一最大水平寬度 48BW1和在第二方向D2上的第二最大水平寬度48BW2。第一最大水平寬度48BW1可W小于 第二最大水平寬度48BW2。在一些實施例中，第一最大水平寬度48BW1和第二最大水平寬 度48BW2可W基本上相同。在其他實施例中，第二焊料凸點層48B的尺寸可W基本上等于 或小于第一焊料凸點層48A的尺寸。當(dāng)在平面圖中觀看時，第一焊料凸點層48A和第二焊 料凸點層48B中的每個可W具有圓形形狀或楠圓形形狀。
[0119] 在一些實施例中，當(dāng)通過濕式蝕刻去除UBM層38時，可W蝕刻基體凸點層40的一 部分和第一柱狀凸點層46A和第二柱狀凸點層46B中的每個的一部分。
[0120] 因此，可W在半導(dǎo)體基底10上形成包括第一凸點結(jié)構(gòu)50A和第二凸點結(jié)構(gòu)50B的 凸點結(jié)構(gòu)50。第一凸點結(jié)構(gòu)50A可W形成在第一區(qū)SA上，第二凸點結(jié)構(gòu)50A可W形成在第 二區(qū)SB上。第一凸點結(jié)構(gòu)50A可W包括順序地堆疊在導(dǎo)電墊30上的基體凸點層40、第一 柱狀凸點層46A和第一焊料凸點層48A，其中，基體凸點層40包括基體部分40A和突出部分 40P?；w凸點層40的突出部分40P可W圍繞第一柱狀凸點層46A的一部分。第一柱狀凸 點層46A的側(cè)壁46AS可W與突出部分40P的內(nèi)側(cè)壁40PS1相對。第二凸點結(jié)構(gòu)50B可W 包括順序地堆疊在純化層32上的第二柱狀凸點層4她和第二焊料凸點層48B。第一凸點結(jié) 構(gòu)50A可W是電連接到集成電路層20的導(dǎo)線28 (參照圖IE和圖1巧的有源凸點結(jié)構(gòu)。第 二凸點結(jié)構(gòu)50B可W與導(dǎo)電墊30分開或隔離。因此，第二凸點結(jié)構(gòu)50B可W是不電連接到 集成電路層20的導(dǎo)線28 (參照圖IE和圖1巧的無源凸點結(jié)構(gòu)或虛設(shè)凸點結(jié)構(gòu)。第一 UBM 層38A可W設(shè)置在第一凸點結(jié)構(gòu)50A和導(dǎo)電墊30之間，第二UBM層38B可W設(shè)置在第二凸 點結(jié)構(gòu)50B和純化層32之間。 陽121] 因此，可W使用上述工藝來形成如圖IA至圖2D所示的包括第一凸點結(jié)構(gòu)50A和 第二凸點結(jié)構(gòu)50B的半導(dǎo)體裝置110。因為導(dǎo)電墊30可W通過基體凸點層來與外部環(huán)境隔 離，所W半導(dǎo)體裝置110的凸點結(jié)構(gòu)50可W保護(hù)導(dǎo)電墊30不受腐蝕。此外，因為凸點結(jié)構(gòu) 50具有處于基本上同一水平的頂端52A和52B，所W當(dāng)半導(dǎo)體裝置110安裝在封裝基底80 上時，可W防止或減少接合缺陷W保證半導(dǎo)體裝置與封裝基底或其他電子裝置之間的電連 接。因此，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體裝置110可W具有高度改善的可靠性。
[0122] 可選擇地，凸點結(jié)構(gòu)可W包括基體凸點層和焊料凸點層。如上面結(jié)合圖IA至圖ID 與圖2A至圖2D描述的，基體凸點層包括基體部分和突出部分。如圖5A至圖5F中描述的， 形成基體凸點層。除了可W在基體凸點層上形成第一焊料層，可W在UBM層上形成第二焊 料層之外，可W如圖5A至圖5F中所描述地來形成焊料凸點層?；w部分的厚度被配置成 補償導(dǎo)電墊的頂表面與純化層的頂表面之間的階梯差，使得第一凸點結(jié)構(gòu)的頂端和第二凸 點結(jié)構(gòu)的頂端相對于基底的主表面處于基本上同一水平。另外，當(dāng)在平面圖中觀看時，每個 基體凸點層的面積等于或大于被純化層中的開口暴露的每個對應(yīng)的導(dǎo)電墊的面積，使得導(dǎo) 電墊被基體凸點層基本完全地覆蓋并與外部環(huán)境隔離。 陽123] 圖6A至圖6E是示出了根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法 的剖視圖。
[0124] 參照圖6A，可W在其上提供了集成電路層20、導(dǎo)電墊30和包括第一開口 33的純 化層32的半導(dǎo)體基底10上形成UBM層38。在一些實施例中，如圖IF中所示，還可W形成 貫穿半導(dǎo)體基底10并連接到導(dǎo)電墊30的至少一個基底貫穿孔70。
[01巧]可W在半導(dǎo)體基底10上形成多個導(dǎo)電墊30。導(dǎo)電墊30可W包括例如銅或侶。當(dāng) 在平面圖中觀看時，導(dǎo)電墊30可W具有四邊形形狀、圓形形狀或楠圓形形狀。 陽1%] 純化層32可W覆蓋集成電路層20并暴露導(dǎo)電墊30。例如，純化層32可W具有 暴露導(dǎo)電墊30的第一開口 33。第一開口 33可W通過蝕刻純化層32來形成。第一開口 33 可W具有正向傾斜的側(cè)壁。第一開口 33可W具有在第一方向Dl上的第一水平寬度33W1。 當(dāng)在平面圖中觀看時，第一開口 33可W形狀上與導(dǎo)電墊30相似。
[0127] 純化層32可W包括單層或多層。例如，純化層32的厚度32H可W是大約2 ym至 5 ym。純化層32可W是例如聚合物層或介電層。聚合物層可W包括光敏材料。 陽12引 UBM層38可W共形地形成在純化層32上和第一開口 33中。UBM層38可W包括 順序地堆疊在導(dǎo)電墊30和純化層32上的阻擋層34和種子層36。例如，阻擋層34可W具 有從大約1㈱妒森至撕獄}A的范圍的厚度。例如，種子層36可W具有從大約頒纖A至 5000 A的范圍的厚度。例如，阻擋層34可W包括Ti、Ti-W、化或它們的組合。種子層36 可W包括化、化合金、Ni、Ni合金或它們的組合。
[0129] 可W在UBM層38上形成包括第二開口 183的第一掩模圖案182,使得第二開口 183 與第一開口 33疊置。第二開口 183可W在尺寸上大于第一開口 33。第二開口 183的水平 寬度183W1可W大于第一開口 33的第一水平寬度33W1。因此，種子層36的設(shè)置在第一開 口 33中W及在鄰近第一開口 33的純化層32上的一部分可W被第二開口 183暴露?？蒞 通過例如光致抗蝕劑層的涂覆和圖案化工藝來形成第一掩模圖案182。例如，第一掩模圖案 182可W具有從大約1.5 ym至IOym的厚度。 陽130] 參照圖她，可W在UBM層38上形成基體凸點層40。例如，可W利用鍛覆（例如， 電鍛或化學(xué)鍛）工藝在種子層36上形成基體凸點層40?；w凸點層40可W填充第一開口 33的至少一部分，并沿第二開口 183的內(nèi)側(cè)壁向上延伸。因此，基體凸點層40可W包括與 UBM層38接觸并填充第一開口 33的至少一部分的基體部分40A W及從基體部分40A的邊 緣區(qū)域沿第=方向D3向上突出的突出部分40P。例如，突出部分40P可W鄰近第一開口 33 的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置。突出部分40P可W在純化層32的頂表面35上遠(yuǎn)離第一開口 33的中屯、延 伸，或者可W在UBM層38的頂表面39上遠(yuǎn)離第一開口 33的中屯、延伸。突出部分40P可W 包括傾斜的內(nèi)側(cè)壁PS1。突出部分40P的內(nèi)側(cè)壁PSl可W是正向傾斜的?；w凸點層40可 W具有例如從大約I ym至5 Ji m的厚度40H?；w凸點層40的厚度40H可W對應(yīng)于基體凸 點層40的基體部分40P的厚度。在一些實施例中，基體凸點層40的厚度40H可W基本上薄 于純化層32的厚度，但是本公開的實施例不限于此。例如，基體凸點層40的厚度40H可W 等于或大于純化層32的厚度。在一些實施例中，基體凸點層40可W具有茶碟形狀。例如， 基體凸點層40可W具有圓茶碟形狀、楠圓茶碟形狀或多邊茶碟形狀，例如四邊形茶碟形狀 或八邊形茶碟形狀?；w凸點層40可W包括金屬（例如，化、化合金、化、Ni合金、Au、Au 合金或它們的組合）?；w凸點層40可W充分地覆蓋導(dǎo)電墊30,使得導(dǎo)電墊30不暴露于 外部環(huán)境。 陽131] 參照圖6C，可W去除第一掩模圖案182,然后可W在半導(dǎo)體基底10上形成暴露基 體凸點層40的一部分的第二掩模圖案184?？蒞使用灰化工藝來去除第一掩模圖案182。 第二掩模圖案184可W包括暴露基體凸點層40的一部分的第=開口 185。第二掩模圖案 184可W W第S開口 185的內(nèi)側(cè)壁與基體凸點層40的突出部分40P的內(nèi)側(cè)壁40PS1分隔開 最大距離FTL的方式來形成。例如，最大距離FTL可W是大約Iym至3 ym?？蒞形成第二 掩模圖案184 W覆蓋基體凸點層40的突出部分40P。第=開口 185在第一方向Dl上的水 平寬度185W1可W小于第二開口 183在第一方向Dl上的水平寬度183W1?？蒞通過例如光 致抗蝕劑層的涂覆和圖案化工藝來形成第二掩模圖案184。當(dāng)在平面圖中觀看時，第=開口 185可W具有諸如四邊形或八邊形的多邊形形狀、圓形形狀或楠圓形形狀。
[0132] 參照圖抓，可W在第S開口 185中形成柱狀凸點層46。柱狀凸點層46可W形成 在基體凸點層40的基體部分40A上，并可W與基體凸點層40的突出部分40P分隔開。因 此，柱狀凸點層46的在第一方向Dl上的水平寬度可W小于基體凸點層40的在第一方向Dl 上的水平寬度。柱狀凸點層46的在第一方向Dl上的水平寬度可W小于第一開口層33在 第一方向Dl上的在圖6A中示出的水平寬度33W1?？蒞使用鍛覆（例如，電鍛、化學(xué)鍛）工 藝來形成柱狀凸點層46。柱狀凸點層46可W填充第=開口 185的一部分。柱狀凸點層46 可W包括金屬（例如，Cu、化合金、化、Ni合金、Au、Au合金或b們的組合）。柱狀凸點層 46的厚度4細(xì)可W是例如大約IOym至30 ym。
[0133] 可W在柱狀凸點層46上形成焊料層47