u-Bi、Sn-Cu-Zn、Sn-Bi-Zn、Sn-Ag-Ce 或 它們的組合。
[0074] 第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B可W在半導(dǎo)體基底10的第二區(qū)SB上設(shè)置在純化層32上。第 二凸點(diǎn)下金屬OJBM)層38B中的每個(gè)可W設(shè)置在第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)與純化 層32之間。每個(gè)第二UBM層38B可W包括順序地堆疊在純化層32上的第二阻擋層34B和 第二種子層36B。第二阻擋層34B和第一阻擋層34A可W包括相同的材料并具有相同的厚 度。第二種子層36B和第一種子層36A可W包括相同的材料并具有相同的厚度。第二阻擋 層34B和第二種子層36B可W具有在第一方向Dl上的相同的水平寬度。在一些實(shí)施例中， 每個(gè)第一 UBM層38A的水平寬度可W大于每個(gè)第二UBM層38B的水平寬度。在其他的實(shí)施 例中，每個(gè)第一 UBM層38A的水平寬度可W基本上等于每個(gè)第二UBM層38B的水平寬度。 [00巧]第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B中的每個(gè)可W包括第二柱狀凸點(diǎn)層4她和第二焊料凸點(diǎn)層48B。 每個(gè)第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B的豎直高度50BH可W小于每個(gè)第一凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A的豎直高度50AH。 每個(gè)第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B的豎直高度50BH可W是從第二柱狀凸點(diǎn)層46B的底表面到第二焊 料凸點(diǎn)層48B的頂端52B的最大距離。每個(gè)第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B的豎直高度50BH可W是例 如大約15 Ji m至大約90 Ji m。
[0076] 第二柱狀凸點(diǎn)層46B可W與第二UBM層38B接觸并可W設(shè)置在其上。第二柱狀凸 點(diǎn)層46B可W與第二種子層36B接觸。在一些實(shí)施例中，第一柱狀凸點(diǎn)層46A和第二柱狀 凸點(diǎn)層46B可W具有相同的厚度并可W包括相同的材料。如圖IC所示，第二柱狀凸點(diǎn)層 4她可W具有在第一方向Dl上的第一水平寬度46BW1和在第二方向D2上的第二水平寬度 46BW2。第一水平寬度46BW1可W小于第二水平寬度46BW2。在一些實(shí)施例中，第一水平寬 度46BW1可W基本上等于第二水平寬度46BW2。第二柱狀凸點(diǎn)層4她可W具有與第一柱狀 凸點(diǎn)層46A基本上相同的尺寸。在一些實(shí)施例中，第二柱狀凸點(diǎn)層46B可W具有與第一柱 狀凸點(diǎn)層46A不同的尺寸。例如，第二柱狀凸點(diǎn)層46B可W具有小于第一柱狀凸點(diǎn)層46A 的尺寸。目P，第二柱狀凸點(diǎn)層46B的第一水平寬度46BW1可W小于第一柱狀凸點(diǎn)層46A的 第一水平寬度46AW1，第二柱狀凸點(diǎn)層46B的第二水平寬度46BW2可W小于第一柱狀凸點(diǎn) 層46A的第二水平寬度46AW2。當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，第二柱狀凸點(diǎn)層46B可W具有圓形形 狀、楠圓形形狀或者諸如四邊形或八邊形的多邊形形狀。當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，第一柱狀凸 點(diǎn)層46A的形狀和第二柱狀凸點(diǎn)層46B的形狀可W基本上相同。例如，如圖IC所示，第一 柱狀凸點(diǎn)層46A的形狀和第二柱狀凸點(diǎn)層46B的形狀可W是基本上四邊形形狀。在一些實(shí) 施例中，第一柱狀凸點(diǎn)層46A的形狀和第二柱狀凸點(diǎn)層46B的形狀在平面圖中可W基本上 彼此不同。例如，如圖ID所示，第一柱狀凸點(diǎn)層46A的形狀可W具有四邊形形狀，而第二柱 狀凸點(diǎn)層46B的形狀可W具有八邊形形狀。
[0077] 第二焊料凸點(diǎn)層48B可W設(shè)置在第二柱狀凸點(diǎn)層4她上。第二焊料凸點(diǎn)層48B可 W具有大于第二柱狀凸點(diǎn)層4她的尺寸。第二焊料凸點(diǎn)層48B可W具有珠子形狀。第二焊 料凸點(diǎn)層48B可W具有與第一焊料凸點(diǎn)層48A基本上相同的豎直高度和形狀。在一些實(shí)施 例中，第二焊料凸點(diǎn)層48B的最大豎直高度48BH可W是第二柱狀凸點(diǎn)層46B的厚度46BH 的大約1. 5倍至3倍大。如圖IC所示，第二焊料凸點(diǎn)層48B可W具有在第一方向Dl上的 第一最大水平寬度48BW1和在第二方向D2上的第二最大水平寬度48BW2。第一最大水平 寬度48BW1可W小于第二最大水平寬度48BW2。在一些實(shí)施例中，第一最大水平寬度48BW1 可W基本上等于第二最大水平寬度48BW2。在一些實(shí)施例中，第二焊料凸點(diǎn)層48B的尺寸可 W基本上等于或小于第一焊料凸點(diǎn)層48A的尺寸。第二焊料凸點(diǎn)層48B可W包括與第一焊 料凸點(diǎn)層48A基本上相同的焊接材料。
[0078] 在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置110中，第一凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A的頂端52A 和第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B的頂端52B可W基本上位于同一水平。目P，導(dǎo)電墊30的頂表面中的每 個(gè)與純化層32的頂表面之間的階梯差可W通過(guò)每個(gè)第一凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A的基體凸點(diǎn)層40的 厚度來(lái)補(bǔ)償。因此，每個(gè)第一焊料凸點(diǎn)層48A的頂端和每個(gè)第二焊料凸點(diǎn)層48B的頂端可 W基本上位于同一水平。
[0079] 圖2A是示出了根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例的包括半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖，圖2B是示出了圖2A的部分PA的放大剖視圖，圖2C和圖2D是示出了用于在半 導(dǎo)體裝置的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)和封裝基底之間形成互連的方法的剖視圖。
[0080] 參照?qǐng)D2A至圖2D，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝210可W包括封裝 基底80、包括凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50并安裝在封裝基底80上的半導(dǎo)體裝置110 W及覆蓋半導(dǎo)體裝置 110的模制層88。封裝基底80可W包括連接到半導(dǎo)體裝置110的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50的基底墊 (或稱(chēng)為"基底焊盤(pán)"）82和用于與外部裝置的電連接的導(dǎo)電端子84?；讐|82可W設(shè)置 在封裝基底80表面上并可W包括第一基底墊82A和第二基底墊82B。第一基底墊82A可 W設(shè)置在封裝基底80的中屯、區(qū)域中，第二基底墊82B可W設(shè)置在封裝基底80的外圍區(qū)域 中。封裝基底80可W是其中包括導(dǎo)線的印刷電路板（PCB)。模制層88可W覆蓋半導(dǎo)體裝 置110。在一些實(shí)施例中，模制層88可W填充半導(dǎo)體裝置110和封裝基底80之間的空間。 例如，模制層88可W是環(huán)氧模塑料（EMC)。在其他實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置110和封裝基底 80之間可W形成底填層86。例如，底填層86可W是非導(dǎo)電膏（NCP)或非導(dǎo)電膜（NCF)。
[0081] 半導(dǎo)體裝置110可W W倒裝忍片鍵合的方式安裝在封裝基底80上。如圖2C所示， 半導(dǎo)體裝置110可W W面朝下的狀態(tài)安裝在封裝基底80上，使得凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50面對(duì)封裝基 底80,從而將第一凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A的第一焊料凸點(diǎn)層48A連接到第一基底墊82A，將第二凸點(diǎn) 結(jié)構(gòu)50B的第二焊料凸點(diǎn)層48B連接到第二基底墊82B。隨后，可W通過(guò)焊接工藝將第一凸 點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A的第一焊料凸點(diǎn)層48A和第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B的第二焊料凸點(diǎn)層48B接合到第一 基底墊82A和第二基底墊82B。因此，半導(dǎo)體裝置110可W電連接到封裝基底80。還可W 在基底墊82的每個(gè)上形成潤(rùn)濕層92,所W可W增強(qiáng)第一焊料凸點(diǎn)層48A和第二焊料凸點(diǎn)層 48B與第一基底墊82A和第二基底墊82B之間的接合強(qiáng)度。潤(rùn)濕層92可W包括例如Au或 Au合金。在一些實(shí)施例中，潤(rùn)濕層92可W不形成在基底墊82上。
[0082] 在其他實(shí)施例中，如圖2D所示，可在封裝基底80和面朝下的半導(dǎo)體裝置110之間 提供底填層86來(lái)覆蓋凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50和基底墊82,并可W熱壓半導(dǎo)體裝置110來(lái)將第一焊料 凸點(diǎn)層48A和第二焊料凸點(diǎn)層48B接合到第一基底墊82A和第二基底墊82B。因?yàn)榈谝煌?點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A的頂端和第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B的頂端可W基本上位于同一水平，所W第一凸點(diǎn)結(jié) 構(gòu)50A和第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B可W穩(wěn)定地接合到第一基底墊82A和第二基底墊82B，而不存在 缺陷。結(jié)果，可W提高半導(dǎo)體封裝210的可靠性和良率。
[0083] 半導(dǎo)體裝置110可W使用平坦地（或均一地）設(shè)置在半導(dǎo)體基底10上的凸點(diǎn)結(jié) 構(gòu)50牢固地安裝在封裝基底80上，并可W電連接到封裝基底80。第一凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A可W 電連接到封裝基底80,所W可W通過(guò)第一凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50A來(lái)在半導(dǎo)體裝置110和封裝基底80 之間交換電信號(hào)。第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B可W不電連接到封裝基底80。然而，第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B 可W用作支撐物，W防止在倒裝忍片鍵合工藝下半導(dǎo)體裝置110向一側(cè)傾斜。此外，第二凸 點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B可W用作傳熱路徑，使得從半導(dǎo)體裝置110產(chǎn)生的熱可W通過(guò)第二凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50B 傳遞到封裝基底80。因此，半導(dǎo)體封裝210可W具有提高的熱和/或機(jī)械耐久性。在一些 實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝210可W包括W倒裝忍片鍵合的方式安裝在封裝基底80上的多個(gè)半 導(dǎo)體裝置110,從而可W實(shí)現(xiàn)高堆積密度。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置110的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50 可W連接到插入物或另一個(gè)半導(dǎo)體裝置。
[0084] 圖3A是示出了根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖，圖3B是 示出了圖3A的部分OB的放大剖視圖，圖3C是示出了如圖3B所示的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0085] 在下面，為了易于解釋和便于解釋的目的，將省略或簡(jiǎn)要地提及對(duì)與在圖IA至圖 IF中示出的實(shí)施例中所描述的元件相同的元件的描述。
[0086] 參照?qǐng)D3A至圖3C，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置120可W包括集成電 路層20、導(dǎo)電墊30、純化層32和凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50。在一些實(shí)施例中，如圖IF所示，半導(dǎo)體裝置 120可W包括至少一個(gè)基底貫穿孔70?；棕灤┛?0可W電連接到導(dǎo)電墊30中的對(duì)應(yīng)的 一個(gè)。
[0087] 導(dǎo)電墊30可W電連接到圖IE和圖IF中示出的導(dǎo)線28。例如，導(dǎo)電墊30可W W 矩陣方式布置。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電墊30可W設(shè)置在半導(dǎo)體基底10的邊緣區(qū)域和/或 中屯、區(qū)域上。
[0088] 當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，每個(gè)導(dǎo)電墊30可W具有圓形形狀、楠圓形形狀或四邊形形 狀。每個(gè)導(dǎo)電墊30可W包括金屬。例如，每個(gè)導(dǎo)電墊30可W包括Al或化。
[0089] 純化層32可W覆蓋集成電路層20并可W暴露導(dǎo)電墊30。例如，純化層32可W包 括暴露導(dǎo)電墊中的每個(gè)的第一開(kāi)口 33。第一開(kāi)口 33可W具有正向地傾斜的側(cè)壁。第一開(kāi) 口 33可W具有在第一方向Dl上的第一水平寬度33W1和在第二方向D2上的第二水平寬度 33W2〇
[0090] 凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50中的每個(gè)可W設(shè)置在導(dǎo)電墊30中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)上。凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50可 W通過(guò)導(dǎo)電墊30電連接到集成電路層20的導(dǎo)線28 (參照?qǐng)DIE和圖1F)。因此，輸入/輸 出信號(hào)可W通過(guò)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50。凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50可W用作傳熱路徑。
[0091] 每個(gè)凸點(diǎn)下金屬扣BM)層38可W設(shè)置在導(dǎo)電墊30中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)和凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50 中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)之間。每個(gè)UBM層38可W包括順序地堆疊在導(dǎo)電墊30中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)上 的阻擋層34和種子層36。每個(gè)UBM層38可W共形地設(shè)置在第一開(kāi)口 33中。每個(gè)UBM層 38可W在純化層32的頂表面35上方延伸。
[0092] 每個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50可W填充第一開(kāi)口 33的至少一部分并可W沿第S方向D3延伸。 每個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50可W包括順序地堆疊在導(dǎo)電墊30的對(duì)應(yīng)的一個(gè)（例如，UBM層的對(duì)應(yīng)的 一個(gè)）上的基體凸點(diǎn)層40、柱狀凸點(diǎn)層46和焊料凸點(diǎn)層48。每個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50的豎直高度 50H可W是從基體凸點(diǎn)層40的底表面到焊料凸點(diǎn)層48的頂端（即，凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50的頂端52) 的最大距離。例如，每個(gè)凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)50的豎直高度50H可W是大約26 ym至95 ym。 W93] 基體凸點(diǎn)層40可W設(shè)置在UBM層38上并可W與UBM層38接觸?；w凸點(diǎn)層40 可W包括基體部分40A和突出部分40P?；w部分40A可W是填充第一開(kāi)口 33的至少一部 分的區(qū)域，突出部分40P可W是從基體部分40A的邊緣區(qū)域向上延伸的區(qū)域。例如，突出部 分40P可W與第一開(kāi)口 33的內(nèi)側(cè)壁處相鄰地設(shè)置。突出部分40P可W在純化層32的頂表 面35上遠(yuǎn)離第一開(kāi)口 33的中屯、延伸，或者可W在UBM層38的頂表面39上遠(yuǎn)離第一開(kāi)口 33的中屯、延伸。基體凸點(diǎn)層40的厚度40H可W對(duì)應(yīng)于基體部分40A的厚度。例如，基體凸 點(diǎn)層40的厚度40H可W是大約1 y m至5 y m。在一些實(shí)施例中，基體凸點(diǎn)層40的厚度40H 可W與純化層32的厚度32H相同或相似。在其他實(shí)施例中，基體凸點(diǎn)層40的厚度40H可 W小于純化層32的厚度32H。因此，突出部分40P的一部分可W低于純化層32的頂表面 35。例如，突出部分40P的一部分可W在第一開(kāi)口 33中。在又一實(shí)施例中，基體凸點(diǎn)層40 的厚度40H可W大于純化層32的厚度32H。例如，基體部分40A的一部分可W在第一開(kāi)口 33上方。
[0094] 基體凸點(diǎn)層40可W具有茶碟形狀。例如，基體凸點(diǎn)層40可W具有圓茶碟形狀、楠 圓茶碟形狀或多邊茶碟形狀，例如四邊形茶碟形狀或八邊形茶碟形狀。當(dāng)在如圖3C所示的 平面圖中觀看時(shí)，基體凸點(diǎn)層40可W具有在第一方向Dl上的第一水平寬度40W1和在第二 方向D2上的第二水平寬度40W2。第一水平寬度40W1可W小于第二水平寬度40W2。在一 些實(shí)施例中，第一水平寬度40W1和第二水平寬度40W2可W基本上相同?；w凸點(diǎn)層40可 W完全覆蓋被第一開(kāi)口 33暴露的導(dǎo)電墊30 W保護(hù)導(dǎo)電墊30不暴露于外部環(huán)境。在一些 實(shí)施例中，當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，基體凸點(diǎn)層的面積不小于導(dǎo)電墊的面積，使得基體凸點(diǎn)層