薄膜晶體管陣列及圖像顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及薄膜晶體管陣列及圖像顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，從撓性化、輕量化、低成本化等觀點(diǎn)出發(fā)，使用了能夠利用印刷法制造的有機(jī)半導(dǎo)體的薄膜晶體管的研究盛行，期待其在有機(jī)EL或電子紙等的驅(qū)動(dòng)電路或者電子標(biāo)簽等中的應(yīng)用。
[0003]薄膜晶體管是層疊導(dǎo)電體、絕緣體及半導(dǎo)體等而成的。薄膜晶體管陣列根據(jù)結(jié)構(gòu)或用途而設(shè)有層間絕緣膜，介由設(shè)置于層間絕緣膜的通孔將上部的導(dǎo)電體與下部的導(dǎo)電體之間電連接。
[0004]為了制成層間絕緣膜，廣泛使用下述方法:使用等離子體CVD對(duì)無機(jī)膜的氮化硅或氧化硅進(jìn)行成膜，利用光致抗蝕劑形成所希望的開口部之后，利用干式刻蝕形成通孔。另外還有使用感光性樹脂進(jìn)行形成的方法。這些方法中，由于在通孔形成中使用光刻法，因此對(duì)于通過以低成本為目標(biāo)的印刷法制造薄膜晶體管陣列的嘗試，生產(chǎn)量或成本成為問題。
[0005]與此相對(duì)，專利文獻(xiàn)I中記載了利用印刷法形成層間絕緣膜的方法。該方法中，在柵極絕緣膜的成膜之后利用噴墨法在要形成通孔的部分上涂布溶劑以將絕緣膜溶解，從而形成通孔。利用噴墨法將疏液油墨涂布于在通孔部中露出的導(dǎo)電體表面上來進(jìn)行疏液化。進(jìn)而，利用噴墨法在基板整面上印刷前體樹脂并進(jìn)行固化，從而形成層間絕緣膜。
[0006]另外，在專利文獻(xiàn)2所記載的方法中，在對(duì)柵極絕緣膜進(jìn)行成膜之后，利用噴墨法在要形成通孔的部分上涂布溶劑以將絕緣膜溶解，從而形成通孔。在通孔部中露出的導(dǎo)電體由于面積比開口部小，因此利用噴墨法在導(dǎo)電體表面上涂布疏液油墨來進(jìn)行疏液化。進(jìn)而，利用噴墨法在基板整面上印刷前體樹脂并進(jìn)行固化，從而形成層間絕緣膜。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)I:日本特開2012-64844號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2:日本特開2012-204657號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0012]但是，專利文獻(xiàn)I所記載的方法中由于在第一層間絕緣膜的成膜后涂布溶劑、進(jìn)行通孔的開孔，因此在通孔部上易于殘留第一層間絕緣膜的殘?jiān)?、具有像素電極與漏電極的導(dǎo)通不充分的問題。
[0013]另外，專利文獻(xiàn)2所記載的方法中雖然預(yù)先將通孔部的漏電極以小于第一層間絕緣膜的通孔尺寸的方式形成，但由于是利用真空成膜和光刻法進(jìn)行的加工，因此與印刷法相比，在生產(chǎn)量和成本方面問題很大。
[0014]因此，本發(fā)明鑒于上述問題而作出，其目的在于提供在層間絕緣膜的形成中不使用光刻法且層間絕緣膜的缺陷少的薄膜晶體管陣列及圖像顯示裝置。
[0015]本發(fā)明對(duì)于鑒于上述問題的通孔的結(jié)構(gòu)提供下述的結(jié)構(gòu)和制造方法:在層間絕緣膜的漏電極部分預(yù)先開個(gè)開口，利用噴墨法向其中涂布疏液處理油墨，從而僅使漏電極的通孔部為疏液性，由此可以利用印刷法形成層間絕緣膜。
[0016]用于解決技術(shù)問題的方法
[0017]本發(fā)明一個(gè)方式的薄膜晶體管陣列是至少具備絕緣基板、柵電極、柵極絕緣膜、源電極、漏電極、半導(dǎo)體層、覆蓋半導(dǎo)體層的保護(hù)層、像素電極、以及形成在漏電極與像素電極之間的層間絕緣膜的薄膜晶體管陣列，其中，層間絕緣膜是有機(jī)膜或有機(jī)與無機(jī)的混合膜，層間絕緣膜在形成有漏電極的位置的一部分具有通孔以使像素電極連接于漏電極，漏電極具有位于通孔內(nèi)且在電極材料上形成有開口的開口部，在通孔內(nèi)的漏電極上存在硫醇基或二硫化物基。
[0018]另外，上述薄膜晶體管陣列中，通孔的開口端還可以存在于漏電極的端部或漏電極上。
[0019]另外，上述薄膜晶體管陣列中，層間絕緣膜的厚度可以為0.5μπι以上且5μπι以下。
[0020]另外，上述薄膜晶體管陣列中，層間絕緣膜還可利用噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法或凹版膠印法形成。
[0021]另外，上述薄膜晶體管陣列中，半導(dǎo)體層還可以是有機(jī)半導(dǎo)體層。
[0022]另外，上述薄膜晶體管陣列中，絕緣基板還可以是塑料基板。
[0023]另外，本發(fā)明一個(gè)方式的圖像顯示裝置是由上述薄膜晶體管陣列和圖像顯示介質(zhì)構(gòu)成的圖像顯示裝置。
[0024]另外，上述圖像顯示裝置中，上述圖像顯示介質(zhì)可以是利用電泳方式的介質(zhì)。
[0025]發(fā)明效果
[0026]根據(jù)本發(fā)明，可以提供在層間絕緣膜的形成中不使用光刻法、層間絕緣膜中缺陷少的薄膜晶體管陣列及圖像顯示裝置。
【附圖說明】
[0027]圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列的結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖。
[0028]圖2是表示實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列的結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖。
[0029]圖3是表示實(shí)施例1的漏電極的俯視圖及截面圖。
[0030]圖4是表示實(shí)施例1的薄膜晶體管陣列的制造方法中從疏液處理到層間絕緣膜的形成為止的工序的截面圖。
[0031]圖5是表示比較例I的薄膜晶體管陣列的結(jié)構(gòu)的俯視圖及截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]參照【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。以下參照的附圖為了易于判斷說明、并未準(zhǔn)確地描述比例尺。另外，實(shí)施方式中對(duì)相同構(gòu)成要素帶有相同符號(hào)。
[0033]本實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列50、51至少具備絕緣基板10、柵電極11、柵極絕緣膜
12、源電極13Β、漏電極14、半導(dǎo)體層15、覆蓋半導(dǎo)體層15的保護(hù)層16、像素電極18、以及形成在漏電極14與像素電極18之間的層間絕緣膜17。柵電極11被柵極絕緣膜12覆蓋。層間絕緣膜17為有機(jī)膜或有機(jī)與無機(jī)的混合膜。層間絕緣膜17在形成有漏電極14的位置的一部分具有通孔40以使像素電極18連接于漏電極14。在通孔40中埋設(shè)有導(dǎo)電材料。漏電極14具有位于通孔40內(nèi)且在電極材料上形成有開口的開口部，在通孔40內(nèi)的漏電極14上存在硫醇基或二硫化物基。例如，通孔40的開口端存在于漏電極14的端部或漏電極14上。例如，層間絕緣膜17的厚度為0.5μπι以上且5μπι以下。例如，層間絕緣膜17利用噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法或凹版膠印法形成。例如，半導(dǎo)體層15為有機(jī)半導(dǎo)體層。例如，絕緣基板10為塑料基板。
[0034]另外，本實(shí)施方式的圖像顯示裝置具備本實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列50、51和圖像顯示介質(zhì)(例如圖像顯示面板)。例如，圖像顯示介質(zhì)是利用電泳方式的介質(zhì)。
[0035]另外，制造薄膜晶體管陣列50、51時(shí)，在漏電極14中的通孔形成預(yù)定部上預(yù)先開有開口，利用噴墨法在其上涂布疏液處理油墨。將疏液處理油墨僅成膜在通孔形成預(yù)定部的漏電極14上。由此，僅漏電極14上的所希望的區(qū)域變?yōu)槭枰盒?，使用印刷法成膜的層間絕緣膜17選擇性地不涂布在通孔形成預(yù)定部的漏電極14上。由此，可以使用印刷法在層間絕緣膜17上形成通孔40。
[0036]具體地說，圖1表示本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列50的構(gòu)成之一例。圖1中上偵H己載俯視圖、下側(cè)記載截面圖。這點(diǎn)在圖2和圖5中也一樣。
[0037]薄膜晶體管陣列50在塑料基板10(絕緣基板)上具備柵電極11、電容器電極19、柵極絕緣膜12、源電極13Β、漏電極14、半導(dǎo)體層15、保護(hù)層16、層間絕緣膜17及像素電極18(上部像素電極)。源電極13Β及漏電極14形成在柵極絕緣膜12上并連接于半導(dǎo)體層15。薄膜晶體管陣列50中，保護(hù)層16由有機(jī)絕緣材料構(gòu)成，按照將各半導(dǎo)體層15覆蓋的方式形成為條紋狀。進(jìn)而，為了將像素電極18與漏電極14導(dǎo)通而開在層間絕緣膜17中的通孔40在漏電極14