，從而避免了將有機空穴傳輸材料、量子點傳輸材料及有機電子傳輸材料制備成三層時由于成膜的先后順序造成的后續(xù)的膜對起那么已有的膜層造成的破壞。此外，有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料及量子點傳輸材料均勻混合在有機溶劑中電子和空穴可以有效的傳遞給量子點材料，能夠有效提高所述量子點發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
[0037]下面結合圖1及前述對量子點發(fā)光器件100的描述對本發(fā)明的量子點發(fā)光器件的制備方法進行描述，請一并參閱圖2，圖2為本發(fā)明一較佳實施方式的量子點發(fā)光器件的制備方法。所述量子點發(fā)光器件的制備方法包括如下步驟。
[0038]步驟S110，提供陽極110。在本實施方式中，所述陽極110為氧化銦錫。
[0039]步驟S120，在所述陽極110的一面形成空穴注入層120。具體地，可以采用旋涂等方法在所述陽極110的一面形成所述空穴注入層120。所述空穴注入層120可以為聚(3，4_乙烯二氧噻吩)-聚苯乙稀橫酸(Poly(3 , 4-ethylened1xyth1phene ): ρ ο 1 ystyrenesulfonate，PEDOT:PSS)。所述空穴注入層120的厚度可以為40nm。
[0040]步驟S130，在所述空穴注入層120遠離所述陽極110的一面形成量子點發(fā)光功能層130，其中，所述量子點發(fā)光功能層130為有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料、量子點材料及有機溶劑組成的一層材料層。
[0041 ]具體地，所述量子點發(fā)光功能層130的厚度可以為30?40nm。所述有機空穴傳輸材料為P型有機材料，所述有機電子傳輸材料為η型有機材料。所述P型有機材料可以為PVK、TFB、Po 1 y-TH)等;所述電子傳輸材料可以為如0XD-7、TPB1、F8BT等。所述有機溶劑可以為氯苯、二氯苯、氯仿、甲苯等。所述有機空穴傳輸材料、所述有機電子傳輸材料及所述量子點材料的含量通過質量比來控制，其中，所述有機空穴傳輸材料的含量高于所述電子傳輸材料的含量。所述量子點材料包括發(fā)光核、殼體結構及有機配體，所述發(fā)光核、所述殼體結構及所述有機配體能夠溶解在同一有機溶劑中。
[0042]所述步驟S130具體包括如下步驟。
[0043]步驟S131，將所述有機空穴傳輸材料、所述有機電子傳輸材料、所述量子點材料量子點材料混合于所述有機溶劑中。
[0044]步驟S132，將混合有所述有機空穴傳輸材料、所述有機電子傳輸材料及所述量子點材料的有機溶劑旋涂在所述空穴注入層120遠離所述陽極110的一面。
[0045]步驟S133，烘干成膜，以形成所述量子點發(fā)光功能層130。
[0046]步驟S140，在所述量子點發(fā)光功能層130遠離所述空穴注入層120的表面形成電子注入層140。所述電子注入層140可以為LiF，所述LiF的厚度為5?10nm。
[0047]具體地，所述步驟S140包括:采用蒸鍍的方式在所述量子點發(fā)光功能層130遠離所述空穴注入層120的一面沉積LiF，以形成所述電子注入層140。
[0048]步驟S150，在所述電子注入層140遠離所述量子點發(fā)光功能層130的一面形成陰極150。
[0049]具體地，所述步驟S150包括:采用蒸鍍的方式在所述電子注入層140遠離所述量子點發(fā)光功能層130的一面沉積鋁，以形成所述陰極150。優(yōu)選地，所述鋁的厚度為100?120nmo
[0050]相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明量子點發(fā)光器件的制備方法將有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料及量子點材料混合在有機溶劑中，并一次制備工藝中制成一層量子點發(fā)光功能層130，從而避免了將有機空穴傳輸材料、量子點傳輸材料及有機電子傳輸材料制備成三層時由于成膜的先后順序造成的后續(xù)的膜對起那么已有的膜層造成的破壞。此外，有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料及量子點傳輸材料均勾混合在有機溶劑中電子和空穴可以有效的傳遞給量子點材料，能夠有效提高所述量子點發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
[0051 ]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明之權利范圍，本領域普通技術人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權項】
1.一種量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點發(fā)光器件包括陽極、空穴注入層、量子點發(fā)光功能層、電子注入層及陰極，所述陽極與所述陰極相對且間隔設置，所述陽極用于提供空穴，所述陰極用于提供電子，所述空穴注入層、所述量子點發(fā)光功能層及所述電子注入層夾設在所述陽極和所述陰極之間，所述空穴注入層的一面與所述陽極相連，所述量子點發(fā)光功能層及所述電子注入層依次層疊設置在所述空穴注入層遠離所述陽極的一面，所述電子注入層遠離所述量子點發(fā)光功能層的一面與所述陰極相連，所述空穴注入層用于將所述空穴注入所述量子點發(fā)光功能層，所述電子注入層用于將所述電子注入所述量子點發(fā)光功能層，所述量子點發(fā)光功能層為有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料、量子點材料及有機溶劑組成的一層材料層，其中，所述有機空穴傳輸材料用于將空穴傳輸給所述量子點材料，所述有機電子傳輸材料用于將電子傳輸給量子點材料，所述空穴和所述電子在所述量子點材料中復合以發(fā)光。2.如權利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述有機空穴傳輸材料、所述有機電子傳輸材料及所述量子點材料的含量通過質量比來控制，其中，所述有機空穴傳輸材料的含量高于所述電子傳輸材料的含量。3.如權利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點材料包括發(fā)光核、殼體結構及有機配體，所述發(fā)光核、所述殼體結構及所述有機配體能夠溶解在同一有機溶劑中。4.如權利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極包括氧化銦錫，所述陰極包括招。5.如權利要求1所述的量子點發(fā)光器件，其特征在于，所述有機空穴傳輸材料為P型有機材料，所述有機電子傳輸材料為η型有機材料。6.—種量子點發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點發(fā)光器件的制備方法包括: 提供陽極； 在所述陽極的一面形成空穴注入層； 在所述空穴注入層遠離所述陽極的一面形成量子點發(fā)光功能層，其中，所述量子點發(fā)光功能層為有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料、量子點材料及有機溶劑組成的一層材料層； 在所述量子點發(fā)光功能層遠離所述空穴注入層的一面形成電子注入層； 在所述電子注入層遠離所述量子點發(fā)光功能層的一面形成陰極。7.如權利要求6所述的量子點發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述空穴注入層遠離所述陽極的一面形成量子點發(fā)光功能層，其中，所述量子點發(fā)光功能層為有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料、量子點材料及有機溶劑組成的一層材料層”包括: 將所述有機空穴傳輸材料、所述有機電子傳輸材料及所述量子點材料混合于所述有機溶劑中； 將混合有所述有機空穴傳輸材料、所述有機電子傳輸材料及所述量子點材料的有機溶劑旋涂在所述空穴注入層遠離所述陽極的一面； 烘干成膜，以形成所述量子點發(fā)光功能層。8.如權利要求6所述的量子點發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述量子點發(fā)光功能層遠離所述空穴注入層的一面形成電子注入層”包括: 采用蒸鍍的方式在所述量子點發(fā)光功能層遠離所述空穴注入層的一面沉積LiF，以形成所述電子注入層。9.如權利要求8所述的量子點發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述電子注入層遠離所述量子點發(fā)光功能層的一面形成陰極”包括: 采用蒸鍍的方式在所述電子注入層遠離所述量子點發(fā)光功能層的一面沉積鋁，以形成所述陰極。10.如權利要求9所述的量子點發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述LiF的厚度為5?10nm，所述銷的厚度為100?120nm。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種量子點發(fā)光器件及其制備方法。量子點發(fā)光器件包括陽極、空穴注入層、量子點發(fā)光功能層、電子注入層及陰極，陽極與陰極相對且間隔設置，陽極提供空穴，陰極提供電子，空穴注入層、量子點發(fā)光功能層及電子注入層夾設在陽極和陰極之間，空穴注入層的一面與陽極相連，電子注入層遠離量子點發(fā)光功能層的一面與陰極相連，空穴注入層將空穴注入量子點發(fā)光功能層，電子注入層將電子注入量子點發(fā)光功能層，量子點發(fā)光功能層為有機空穴傳輸材料、有機電子傳輸材料、量子點材料及有機溶劑組成的一層材料層，有機空穴傳輸材料將空穴傳輸給量子點材料，有機電子傳輸材料將電子傳輸給量子點材料，空穴和電子在量子點材料中復合以發(fā)光。
【IPC分類】H01L51/50, H01L51/56
【公開號】CN105489782
【申請?zhí)枴緾N201610032760
【發(fā)明人】徐超
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2016年1月18日