量子點發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點發(fā)光器件，比如，量子點發(fā)光二極管(Quantum dot Light EmittingD1de，QLED)因具有色域廣、色純度高、穩(wěn)定性好、低功耗、低成本等優(yōu)點被譽為繼有機發(fā)光器件之后的新一代照明器件。量子點發(fā)光二極管包括量子點發(fā)光層、空穴傳輸層及電子傳輸層。所述電子傳輸層、所述量子點發(fā)光層及所述空穴傳輸層依次層疊設(shè)置。所述電子傳輸層、所述量子點發(fā)光層及所述空穴傳輸層通常將相應(yīng)的材料溶解在有機溶劑中，再通過旋涂的方式濕法單獨成膜。即，所述電子傳輸層、所述量子點發(fā)光層及所述空穴傳輸層分為三層來制備。通常，先制備出一層，再接著制備另一層。由于成膜的時候會用到有機溶劑，因此，在量子點發(fā)光二極管制備過程中，正在制作的膜層會對已經(jīng)制作好的相鄰的膜層造成破壞，從而造成量子點發(fā)光二極管發(fā)光效率的降低及制備成功率的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種量子點發(fā)光器件，所述量子點發(fā)光器件包括基板、陽極、空穴注入和空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子注入和電子傳輸層及陰極，所述陽極設(shè)置在所述基板上，所述陽極與所述陰極設(shè)置在所述基板的同側(cè)，且所述陽極和所述陰極相對且間隔設(shè)置，所述空穴注入和空穴傳輸層、所述量子點發(fā)光層及所述電子注入和電子傳輸層夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間，所述空穴注入和空穴傳輸層的一面與所述陽極相連，所述量子點發(fā)光層及所述電子注入和電子傳輸層依次層疊設(shè)置在所述空穴注入和空穴傳輸層遠離所述陽極的一面，且所述電子注入和電子傳輸層遠離所述量子點發(fā)光層的一面與所述陰極相連，所述陽極用于提供空穴，所述陰極用于提供電子，所述空穴注入和空穴傳輸層用于將所述空穴傳輸至所述量子點發(fā)光層，所述電子注入和電子傳輸層用于將所述電子傳輸至所述量子點發(fā)光層，所述空穴和所述電子在所述量子點發(fā)光層中復(fù)合以發(fā)光，其中，所述電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物。
[0004]其中，所述水醇溶性共軛聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一種或者多種。
[0005]其中，所述陽極包括氧化銦錫。
[0006]其中，所述空穴注入和空穴傳輸層包括PED0T:PSS或者P型金屬氧化物納米粒子，其中，所述P型金屬氧化物納米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。
[0007]其中，所述空穴注入和空穴傳輸層的厚度為10?15nm。
[0008]其中，所述量子點發(fā)光層的厚度為30?40nm。
[0009]其中，所述量子點發(fā)光層包括單層或者多層量子點。
[0010]其中，所述陰極包括鋁，所述陰極的厚度為100?150nm。
[0011]本發(fā)明還提供了一種量子點發(fā)光器件的制備方法，所述量子點發(fā)光器件的制備方法包括:
[0012]提供基板；
[0013]在所述基板的表面上形成陽極；
[0014]在所述陽極遠離所述基板的表面涂布空穴注入和空穴傳輸材料以形成空穴注入和空穴傳輸層；
[0015]在所述空穴注入和空穴傳輸層遠離所述陽極的表面涂布量子點發(fā)光材料以形成量子點發(fā)光層；
[0016]在所述量子點發(fā)光層遠離所述空穴注入和空穴傳輸層的表面涂布電子注入和電子傳輸材料以形成電子注入和電子傳輸層，其中，所述電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物；
[0017]在所述電子注入和電子傳輸層遠離所述量子點發(fā)光層的表面沉積金屬以形成陰極。
[0018]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括前述任一實施方式所述的量子點發(fā)光器件。
[0019]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的量子點發(fā)光器件的電子注入和電子傳輸層包括水醇溶性共軛聚合物可以溶解在極性較大的溶劑中，比如，水、甲醛等?？梢员苊馑鲭娮幼⑷牒碗娮觽鬏攲又苽涑赡r對所述量子點發(fā)光層產(chǎn)生破壞，因此，可以提高所述量子點發(fā)光器件的性能。進一步地，所述水醇溶性共軛聚合物是無毒的，在生產(chǎn)過程中對環(huán)境無污染，綠色環(huán)保。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的量子點發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2為本發(fā)明一較佳實施方式的量子點發(fā)光器件的制備方法的流程圖。
[0023]圖3為本發(fā)明一較佳實施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0025]請參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的量子點發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。所述量子點發(fā)光器件100包括基板110、陽極120、空穴注入和空穴傳輸層130、量子點發(fā)光層140、電子注入和電子傳輸層150及陰極160。所述陽極120設(shè)置在所述基板110上，所述陽極120和所述陰極160設(shè)置在所述基板110的同側(cè)，且所述陽極120相對且間隔設(shè)置。所述空穴注入和空穴傳輸層130、所述量子點發(fā)光層140及所述電子注入和電子傳輸層150夾設(shè)在所述陽極120和所述陰極160之間，所述空穴注入和空穴傳輸層130的一面與所述陽極120相連，所述量子點發(fā)光層140及所述電子注入和電子傳輸層150依次層疊設(shè)置在所述空穴注入和空穴傳輸層150遠離所述陽極120的一面，且所述電子注入和電子傳輸層150遠離所述量子點發(fā)光層140的一面與所述陰極160相連。所述陽極120用于提供空穴，所述陰極160用于提供電子，所述空穴注入和空穴傳輸層130用于將所述空穴傳輸至所述量子點發(fā)光層140，所述電子注入和電子傳輸層150用于將所述電子傳輸至所述量子點發(fā)光層140，所述空穴和所述電子在所述量子點發(fā)光層140中復(fù)合以發(fā)光，其中，所述電子注入和電子傳輸層150包括水醇溶性共軛聚合物。
[0026]所述水醇溶性共軛聚合物(WACPs)由共軛骨架和含有強極性基團(如胺基、二乙醇胺基、磷酸酯基、羧基、季銨鹽、羧酸根、磺酸根、兩性離子基團等)的側(cè)鏈組成，在一實施方式中，所述水醇溶性共軛聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一種或者多種。所述水醇溶性共軛聚合物作為所述電子注入和電子傳輸層的材料，可以溶解在極性較大的溶劑中，比如，水、甲醛等。可以避免所述電子注入和電子傳輸層150制備時對所述量子點發(fā)光層140產(chǎn)生破壞，因此，可以提高所述量子點發(fā)光器件100的性能。進一步地，所述水醇溶性共軛聚合物是無毒的，在生產(chǎn)過程中對環(huán)境無污染，綠色環(huán)保。
[0027]所述基板110為透明基板，所述基板110可以為但不僅限于為玻璃、塑料基板等。
[0028]所述陽極120包括氧化銦錫(ΙΤ0)，所述陰極160為金屬，比如鋁。所述陽極120設(shè)置在所述基板110的一表面上。
[0029]所述空穴注入和空穴傳輸層130包括聚(3，4_乙烯二氧噻吩)_聚苯乙烯磺酸(Poly(3,4-ethylened1