量子點(diǎn)發(fā)光器件及量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光器件及量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點(diǎn)發(fā)光器件，比如，量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum dot Light EmittingD1de，QLED)因具有色域廣、色純度高、穩(wěn)定性好、低功耗、低成本等優(yōu)點(diǎn)被譽(yù)為繼有機(jī)發(fā)光器件之后的新一代照明器件。量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層及電子傳輸層。所述電子傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述空穴傳輸層依次層疊設(shè)置。所述電子傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述空穴傳輸層通常將相應(yīng)的材料溶解在有機(jī)溶劑中，再通過(guò)旋涂的方式濕法單獨(dú)成膜。即，所述電子傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層及所述空穴傳輸層分為三層來(lái)制備。通常，先制備出一層，再接著制備另一層。由于成膜的時(shí)候會(huì)用到有機(jī)溶劑，因此，在量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備過(guò)程中，正在制作的膜層會(huì)對(duì)已經(jīng)制作好的相鄰的膜層造成破壞，從而造成量子點(diǎn)發(fā)光二極管發(fā)光效率的降低及制備成功率的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括陽(yáng)極、空穴注入層、量子點(diǎn)發(fā)光功能層、電子注入層及陰極，所述陽(yáng)極與所述陰極相對(duì)且間隔設(shè)置，所述陽(yáng)極用于提供空穴，所述陰極用于提供電子，所述空穴注入層、所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層及所述電子注入層夾設(shè)在所述陽(yáng)極和所述陰極之間，所述空穴注入層的一面與所述陽(yáng)極相連，所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層及所述電子注入層依次層疊設(shè)置在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的一面，所述電子注入層遠(yuǎn)離所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層的一面與所述陰極相連，所述空穴注入層用于將所述空穴注入所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層，所述電子注入層用于將所述電子注入所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層，所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層為有機(jī)空穴傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料、量子點(diǎn)材料及有機(jī)溶劑組成的一層材料層，其中，所述有機(jī)空穴傳輸材料用于將空穴傳輸給所述量子點(diǎn)材料，所述有機(jī)電子傳輸材料用于將電子傳輸給量子點(diǎn)材料，所述空穴和所述電子在所述量子點(diǎn)材料中復(fù)合以發(fā)光。
[0004]其中，所述有機(jī)空穴傳輸材料、所述有機(jī)電子傳輸材料及所述量子點(diǎn)材料的含量通過(guò)質(zhì)量比來(lái)控制，其中，所述有機(jī)空穴傳輸材料的含量高于所述電子傳輸材料的含量。
[0005]其中，所述量子點(diǎn)材料包括發(fā)光核、殼體結(jié)構(gòu)及有機(jī)配體，所述發(fā)光核、所述殼體結(jié)構(gòu)及所述有機(jī)配體能夠溶解在同一有機(jī)溶劑中。
[0006]其中，所述陽(yáng)極包括氧化銦錫，所述陰極包括鋁。
[0007]其中。所述有機(jī)空穴傳輸材料為P型有機(jī)材料，所述有機(jī)電子傳輸材料為η型有機(jī)材料。
[0008]本發(fā)明還提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法包括:
[0009]提供陽(yáng)極；
[0010]在所述陽(yáng)極的一面形成空穴注入層；
[0011]在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的一面形成量子點(diǎn)發(fā)光功能層，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層為有機(jī)空穴傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料、量子點(diǎn)材料及有機(jī)溶劑組成的一層材料層；
[0012]在所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述空穴注入層的一面形成電子注入層；
[0013]在所述電子注入層遠(yuǎn)離所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層的一面形成陰極。
[0014]其中，所述步驟“在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的一面形成量子點(diǎn)發(fā)光功能層，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層為有機(jī)空穴傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料、量子點(diǎn)材料及有機(jī)溶劑組成的一層材料層”包括:
[0015]將所述有機(jī)空穴傳輸材料、所述有機(jī)電子傳輸材料及所述量子點(diǎn)材料混合于所述有機(jī)溶劑中；
[0016]將混合有所述有機(jī)空穴傳輸材料、所述有機(jī)電子傳輸材料及所述量子點(diǎn)材料的有機(jī)溶劑旋涂在所述空穴注入層遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極的一面；
[0017]烘干成膜，以形成所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層。
[0018]其中，所述步驟“在所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述空穴注入層的一面形成電子注入層”包括:
[0019]采用蒸鍍的方式在所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述空穴注入層的一面沉積LiF，以形成所述電子注入層。
[0020]其中，所述步驟“在所述電子注入層遠(yuǎn)離所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層的一面形成陰極”包括:
[0021]采用蒸鍍的方式在所述電子注入層遠(yuǎn)離所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層的一面沉積鋁，以形成所述陰極。
[0022]其中，所述LiF的厚度為5?10nm，所述鋁的厚度為100?120nm。
[0023]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法將有機(jī)空穴傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料及量子點(diǎn)材料混合在有機(jī)溶劑中，并在一次制備工藝中制成一層量子點(diǎn)發(fā)光功能層，從而避免了將有機(jī)空穴傳輸材料、量子點(diǎn)傳輸材料及有機(jī)電子傳輸材料制備成三層時(shí)由于成膜的先后順序造成的后續(xù)的膜對(duì)起那么已有的膜層造成的破壞。此外，有機(jī)空穴傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料及量子點(diǎn)傳輸材料均勾混合在有機(jī)溶劑中電子和空穴可以有效的傳遞給量子點(diǎn)材料，能夠有效提高所述量子點(diǎn)發(fā)光器件的發(fā)光效率。
【附圖說(shuō)明】
[0024]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的量子點(diǎn)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖所述量子點(diǎn)發(fā)光器件100包括陽(yáng)極110、空穴注入層120、量子點(diǎn)發(fā)光功能層130、電子注入層140及陰極150。所述陽(yáng)極110與所述陰極150相對(duì)且間隔設(shè)置，所述陽(yáng)極110用于提供空穴，所述陰極150用于提供電子。所述空穴注入層120、所述量子點(diǎn)功能發(fā)光層130及所述電子注入層140夾設(shè)在所述陽(yáng)極110及所述陰極150之間，所述空穴注入層120的一面與所述陽(yáng)極110相連，所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層130及所述電子注入層140依次設(shè)置在所述空穴注入層120遠(yuǎn)離所述陽(yáng)極110的一面，所述電子注入層140遠(yuǎn)離所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層130的一面與所述陰極150相連。所述空穴注入層120用于將空穴注入所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層130，所述電子注入層140用于將所述電子注入到所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層130。所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層130為有機(jī)空穴傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料、量子點(diǎn)材料及有機(jī)溶劑組成的一層材料層，其中，所述有機(jī)空穴傳輸材料用于將空穴傳輸給所述量子點(diǎn)材料，所述有機(jī)電子傳輸材料用于將電子傳輸給所述量子點(diǎn)材料，所述空穴和所述電子在所述量子點(diǎn)材料中復(fù)合以發(fā)光。
[0029]在本實(shí)施方式中，所述陽(yáng)極包括氧化銦錫(ΙΤ0)，所述陰極為金屬，比如鋁。
[0030]所述空穴注入層120可以為聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(P0ly(3，4-ethylened1xyth1phene):poly styrenesulfonate ,PED0T:PSS)。所述空穴注入層 120的厚度可以為40nmo
[0031 ]所述量子點(diǎn)發(fā)光功能層130的厚度可以為30?40nm。
[0032]所述有機(jī)空穴傳輸材料為P型有機(jī)材料，所述有機(jī)電子傳輸材料為η型有機(jī)材料。所述Ρ型有機(jī)材料可以為PVK、TFB、Poly-TPD等；所述電子傳輸材料可以為如0XD-7、TPB1、F8BT等。所述有機(jī)溶劑可以為氯苯、二氯苯、氯仿、甲苯等。
[0033]所述有機(jī)空穴傳輸材料、所述有機(jī)電子傳輸材料及所述量子點(diǎn)材料的含量通過(guò)質(zhì)量比來(lái)控制，其中，所述有機(jī)空穴傳輸材料的含量高于所述電子傳輸材料的含量。
[0034]所述量子點(diǎn)材料包括發(fā)光核、殼體結(jié)構(gòu)及有機(jī)配體，所述發(fā)光核、所述殼體結(jié)構(gòu)及所述有機(jī)配體能夠溶解在同一有機(jī)溶劑中。
[0035]所述電子注入層140可以為L(zhǎng)iF，所述LiF的厚度為5?10nm。所述陰極可以為鋁，所述招的厚度可以為lOOnm?120nmo
[0036]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的量子點(diǎn)發(fā)光器件100將有機(jī)空穴傳輸材料、有機(jī)電子傳輸材料及量子點(diǎn)材料混合在有機(jī)溶劑中，并制成一層量子點(diǎn)發(fā)光功能層130