示意圖；
[0026] 圖8示出了在圖7所示的各第二柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁介質(zhì)層，并在第 一柵極材料層上形成犧牲介質(zhì)層后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖9示出了刻蝕圖8所示的犧牲介質(zhì)層和第一柵極材料層至露出氧化物層后的基 體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖10示出了形成覆蓋位于圖9所示的每對第二柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)的側(cè)壁介質(zhì)層和 氧化物層的光刻膠層后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖11示出了去除位于圖10所示的每對第二柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極材料層后的基體 的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖12示出了去除位于圖11所示的每對第二柵極結(jié)構(gòu)的外側(cè)的側(cè)壁介質(zhì)層，并去 除光刻膠層后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0031] 圖13示出了刻蝕圖12所示的氧化物層至露出襯底，并將剩余的氧化物層作為第 一柵氧化物層后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相 互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請。
[0033] 需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根 據(jù)本申請的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用屬于"包含"和/或"包 括"時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0034] 為了便于描述，在這里可以使用空間相對術(shù)語，如"在……之上"、"在……上方"、 "在……上表面"、"上面的"等，用來描述如在圖中所示的一個器件或特征與其他器件或特 征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對術(shù)語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為"在其他器 件或構(gòu)造上方"或"在其他器件或構(gòu)造之上"的器件之后將被定位為"在其他器件或構(gòu)造下 方"或"在其他器件或構(gòu)造之下"。因而，示例性術(shù)語"在……上方"可以包括"在……上方" 和"在……下方"兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位（旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方 位），并且對這里所使用的空間相對描述作出相應(yīng)解釋。
[0035] 正如【背景技術(shù)】中所介紹的，在現(xiàn)有制作方法中的通過刻蝕工藝形成第一柵極和第 一柵氧化物層的步驟中，由于每對第二柵極結(jié)構(gòu)的外側(cè)形成有第一柵極材料層和氧化物 層，而每對第二柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)形成有犧牲介質(zhì)層、第一柵極材料層和氧化物層，因此很難 通過控制刻蝕步驟來平衡第二柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的刻蝕程度。
[0036] 本申請的發(fā)明人針對上述問題進(jìn)行研究，提出了一種非易失性存儲器的制作方 法。如圖6所示，該制作方法包括以下步驟：形成基體結(jié)構(gòu)，基體結(jié)構(gòu)包括襯底，依次形成于 襯底上的氧化物層和第一柵極材料層，以及形成于第一柵極材料層上的至少一對第二柵極 結(jié)構(gòu)；在各第二柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁介質(zhì)層，并在第一柵極材料層上形成犧牲 介質(zhì)層；刻蝕犧牲介質(zhì)層和第一柵極材料層至露出氧化物層；去除位于每對第二柵極結(jié)構(gòu) 的外側(cè)的側(cè)壁介質(zhì)層和第一柵極材料層，并將剩余的第一柵極材料層作為第一柵極；刻蝕 氧化物層至露出襯底，并將剩余的氧化物層作為第一柵氧化物層。
[0037] 上述制作方法通過形成包括襯底，依次形成于襯底上的氧化物層和第一柵極材料 層，以及形成于第一柵極材料層上的至少一對第二柵極結(jié)構(gòu)的基體結(jié)構(gòu)，然后在各第二柵 極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁介質(zhì)層，并在第一柵極材料層上形成犧牲介質(zhì)層，以及刻蝕 犧牲介質(zhì)層和第一柵極材料層至露出氧化物層，從而在第二柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)形成具 有相同厚度的氧化物層；接下來，在去除位于每對第二柵極結(jié)構(gòu)的外側(cè)的側(cè)壁介質(zhì)層和第 一柵極材料層之后，由于第二柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的氧化物層具有相同的厚度，因此可 以通過控制刻蝕步驟實(shí)現(xiàn)完全去除第二柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的氧化物層，且不會對第二 柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的襯底造成損傷，從而實(shí)現(xiàn)了平衡第二柵極結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的刻 蝕程度的目的。
[0038] 下面將更詳細(xì)地描述本申請?zhí)峁┑姆且资源鎯ζ鞯闹圃旆椒ǖ氖纠詫?shí)施方 式。然而，這些示例性實(shí)施方式可以由多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于 這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本申請的公開徹底 且完整，并且將這些示例性實(shí)施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在附圖中，為 了清楚起見，擴(kuò)大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的器件，因而將省 略對它們的描述。
[0039] 圖7至圖13示出了本申請?zhí)峁┑姆且资源鎯ζ鞯闹圃旆椒ㄖ校?jīng)過各個步驟后 得到的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。下面將結(jié)合圖7至圖13,進(jìn)一步說明本申請所提供的非易 失性存儲器的制造方法。
[0040] 首先，形成基體結(jié)構(gòu)，基體結(jié)構(gòu)包括襯底10,依次形成于襯底10上的氧化物層21 和第一柵極材料層31，以及形成于第一柵極材料層31上的至少一對第二柵極結(jié)構(gòu)40,其結(jié) 構(gòu)如圖7所示。其中，襯底10可以單晶硅或絕緣體上硅等；氧化物層21可以為Si02等；第 一柵極材料層31可以為多晶硅層；第二柵極結(jié)構(gòu)40可以包括柵介質(zhì)層41，形成于柵介質(zhì) 層41上的第二柵極42,以及形成于第二柵極42和柵介質(zhì)層41的兩側(cè)側(cè)壁上的偏移間隙壁 43,且柵介質(zhì)層41可以為ONO層，第二柵極42的材料可以為多晶硅，偏移間隙壁43的材料 可以為SiN等。
[0041] 上述基體結(jié)構(gòu)中第一柵極材料層31的厚度可以為2&Q~6〇〇A，偏移間隙壁43的厚 度也可以為〇〇~60〇A。形成基體結(jié)構(gòu)的方法可以參照現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。同時(shí)，本申 請所形成的非易失性存儲器可以為閃存器件，此時(shí)第一柵極33為浮柵，第二柵極42為控制 柵。
[0042] 完成形成基體結(jié)構(gòu)，基體結(jié)構(gòu)包括襯底10,依次形成于襯底10上的氧化物層21和 第一柵極材料層31，以及形成于第一柵極材料層31上的至少一對第二柵極結(jié)構(gòu)40的步驟 之后，在各第二柵極結(jié)構(gòu)40的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁介質(zhì)層51，并在第一柵極材料層31上形 成犧牲介質(zhì)層53,進(jìn)而形成如圖8所示的基體結(jié)構(gòu)。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，形成側(cè)壁介 質(zhì)層51和犧牲介質(zhì)層53的步驟包括：形成覆蓋第二柵極結(jié)構(gòu)40和第一柵極材料層31的 介質(zhì)材料層；刻蝕介質(zhì)材料層，以將位于第二柵極結(jié)構(gòu)40的側(cè)壁上的介質(zhì)材料層作為側(cè)壁 介質(zhì)層51，并將位于第一柵極材料層31的介質(zhì)材料層作為犧牲介質(zhì)層53。
[0043] 上述優(yōu)選實(shí)施方式中，介質(zhì)材料層可以為SiN層等，形成介質(zhì)材料層的工藝可以 為化學(xué)氣相沉積等，其具體工藝參數(shù)可以參照現(xiàn)有技術(shù)?？涛g介質(zhì)材料層的工藝可以為干 法刻蝕，更優(yōu)選為等離子體刻蝕，其具體工藝參數(shù)可以參照現(xiàn)有技術(shù)。在經(jīng)刻蝕介質(zhì)材料層 的步驟之后，位于第二柵極結(jié)構(gòu)40的上表面上的介質(zhì)材料層得以去除，且位于第二柵極結(jié) 構(gòu)40的側(cè)壁上和位于第一柵極材料層31上的部分介質(zhì)材料層也得以去除。此時(shí)，可以將 位于第二柵極結(jié)構(gòu)40的側(cè)壁上的介質(zhì)材料層作為側(cè)壁介質(zhì)層51，并將位于第一柵極材料 層31的介質(zhì)材料層作為犧牲介質(zhì)層53。
[0044] 完成在各第二柵極結(jié)構(gòu)40的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁介質(zhì)層51，并在第一柵極材料 層31上形成犧牲介質(zhì)層53的步驟之后，刻蝕犧牲介質(zhì)層53和第一柵極材料層31至露出 氧化物層21，進(jìn)而形成如圖9所示的基體結(jié)構(gòu)。經(jīng)過該步驟之后，在第二柵極結(jié)構(gòu)40的內(nèi) 側(cè)和外側(cè)形成具有相同厚度的氧化物層21，從而便于后續(xù)通過控制刻蝕步驟實(shí)現(xiàn)完全去除 第二柵極結(jié)構(gòu)