陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]近年來，低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS)技術不斷發(fā)展。采用低溫多晶硅工藝技術生產(chǎn)的液晶面板，有利于提高面板開口率，使顯示器亮度提升、耗電降低，適用于生產(chǎn)更輕薄、低耗電、高分辨率的產(chǎn)品。然而，低溫多晶硅在提高了載流子迀移率的同時，也由于熱載流子效應而對器件的性能產(chǎn)生了不利的影響。具體而言，在強電場作用下，載流子沿著電場方向不斷漂移，不斷加速，進而獲得很大的動能形成熱載流子，在小尺寸器件或大規(guī)模集成電路中所述熱載流子會對器件性能產(chǎn)生損傷，這種效應稱為熱載流子效應。
[0003]為了解決熱載流子效應的影響，現(xiàn)有技術主要通過避免局部強電場的產(chǎn)生。如:采用離子植入的方法，在柵電極(Gate)兩側(cè)η+α-Si和poly-Si之間做一段對稱輕摻雜漏區(qū)(Lightly Doped Drain，LDD)的結構。這就意味著單獨的掩膜版(Mask)設計和一次光(Photo)制程，需要花費大量的成本。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，本發(fā)明旨在提供一種陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術中制備工藝復雜、成本較高的問題。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案如下:
[0006]—種陣列基板的制作方法，包括:
[0007](1)在玻璃基板上沉積緩沖層；
[0008](2)在所述緩沖層上沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進行結晶化處理、和圖案化處理，以形成多晶硅圖形；
[0009](3)對所述多晶硅圖形進行導電摻雜；
[0010](4)沉積柵絕緣層及柵電極層，用柵電極光罩對所述柵電極層進行圖案化處理以形成柵電極，同時用所述柵電極光罩對對應的多晶硅圖形進行N輕摻雜，以形成N輕摻雜區(qū)；
[0011](5)濺鍍絕緣膜，用絕緣膜光罩對所述絕緣膜進行蝕刻以形成絕緣圖形，同時用所述絕緣膜光罩對對應的多晶硅圖形進行N重摻雜，以形成N重摻雜區(qū)；以及
[0012](6)在所述N重摻雜區(qū)上方制備源電極和漏電極。
[0013]優(yōu)選地，步驟(4)中同時用所述柵電極光罩對對應的多晶硅圖形進行N輕摻雜，以形成N輕摻雜區(qū)，具體包括:
[0014]利用所述柵電極光罩對對應的多晶硅圖形進行曝光處理，以生成第一 N輕摻雜溝道和第二 N輕摻雜溝道；以及
[0015]在所述第一 N輕摻雜溝道和所述第二 N輕摻雜溝道內(nèi)進行N輕摻雜，其中所述N輕摻雜采用磷離子或砷離子。
[0016]優(yōu)選地，步驟(4)中沉積柵絕緣層及柵電極層，用柵電極光罩對所述柵電極層進行圖案化處理以形成柵電極，具體包括:
[0017]沉積柵絕緣層；
[0018]在所述柵電極絕緣層上沉積柵電極層；以及
[0019]對所述柵絕緣層和所述柵電極層利用柵電極光罩進行圖形化處理，以形成柵電極絕緣圖形和柵電極，其中所述柵電極絕緣圖形、所述柵電極與所述多晶硅圖形的位置相對應。
[0020]優(yōu)選地，步驟(5)中所述絕緣膜光罩對對應的多晶硅圖形進行N重摻雜，以形成N重摻雜區(qū)，具體包括:
[0021]利用所述絕緣膜光罩對對應的多晶硅圖形進行曝光處理，以生成第一 N重摻雜溝道和第二N重摻雜溝道；以及
[0022]在所述第一 N重摻雜溝道和所述第二 N重摻雜溝道內(nèi)進行N重摻雜，以生成第一N重摻雜區(qū)和第二 N重摻雜區(qū)，其中所述N輕摻雜采用磷離子或砷離子。
[0023]優(yōu)選地，所述N重摻雜區(qū)形成于所述N輕摻雜區(qū)之間。
[0024]優(yōu)選地，步驟(5)中濺鍍絕緣膜，用絕緣膜光罩對所述絕緣膜進行蝕刻以形成絕緣圖形，具體包括:
[0025]濺鍍絕緣膜，其中所述絕緣膜材料的介電常數(shù)小于等于3.9 ;
[0026]在所述絕緣膜上沉積光阻層；以及
[0027]按照絕緣膜光罩上的絕緣圖案進行蝕刻，以形成絕緣圖形。
[0028]優(yōu)選地，步驟(3)對所述多晶硅圖形進行導電摻雜，具體包括:
[0029]選擇P型離子對所述多晶硅圖形進行導電摻雜，其中，所述P型離子為硼離子。
[0030]優(yōu)選地，步驟(2)在所述緩沖層上沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進行結晶化處理、和圖案化處理，以形成多晶硅圖形，具體包括:
[0031]在450°C以下的溫度環(huán)境中在所述緩沖層上沉積非晶硅層；
[0032]利用激光退火處理對所述非晶硅層進行結晶化處理，以形成多晶硅層；以及
[0033]按照預設圖形對所述多晶硅層進行圖案化處理，以形成多晶硅圖形。
[0034]優(yōu)選地，所述步驟(6)在所述N重摻雜區(qū)上方制備源電極和漏電極，之前還包括:
[0035]形成第一接觸孔，并導通至所述柵電極；
[0036]所述步驟(6)在所述N重摻雜區(qū)上方制備源電極和漏電極，之后還包括:
[0037]在所述源電極和漏電極上沉積絕緣層；
[0038]在所述源電極漏電極絕緣層上開設形成第二接觸孔；以及
[0039]沉積像素電極，且所述像素電極通過所述第二接觸孔與漏電極連接。
[0040]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案如下:
[0041]一種陣列基板，包括:
[0042]玻璃基板；
[0043]緩沖層，沉積于所述玻璃基板上；
[0044]多晶娃層，包括:多晶娃圖形，所述多晶娃圖形的一側(cè)依次為:第一 N輕摻雜區(qū)、第一N重摻雜區(qū)、和第一輕摻雜區(qū)，所述多晶硅圖形的另一側(cè)依次為:第二 N輕摻雜區(qū)第二 N重摻雜區(qū)、和第二輕摻雜區(qū)；
[0045]柵電極絕緣層；
[0046]柵電極，所述柵電極與所述多晶硅圖形相對應；
[0047]絕緣膜，包括絕緣圖形，所述絕緣圖形與所述第一 N重摻雜區(qū)、和所述第二 N重摻雜區(qū)相對應；以及
[0048]源電極和漏電極，分別沉積于所述絕緣膜上，且位于第一 N重摻雜區(qū)與所述第二 N重摻雜區(qū)的上方。
[0049]本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制作方法，將柵電極與N輕摻雜共用一個光罩、將絕緣膜與N重摻雜區(qū)共用一個光罩，使低溫多晶硅陣列基板的制備步驟減少，從而使工藝更加簡單、降低了制備成本、同時提升了生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0050]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
[0051]圖1為本發(fā)明實施例一的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0052]圖2為本發(fā)明實施例一的N型輕摻雜的結構示意圖；
[0053]圖3為本發(fā)明實施例一的N型重摻雜的結構示意圖；
[0054]圖4為本發(fā)明實施例二的陣列基板的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0055]本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法，適用于半導體領域的磁控濺射設備設計和制作。具體可應用于液晶面板行業(yè)的真空鍍膜(Physical Vapor Deposit1n，PVD)設備設計，同樣也適用于太陽能等其他磁控濺射設備的磁場設計。
[0056]實施例一
[0057]請參照圖1，所示為本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖。
[0058]所述陣列基板的制作方法，包括:
[0059]在步驟S101中，在玻璃基板上沉積緩沖層。
[0060]請參閱圖2，如在玻璃基板10上沉積緩沖層20。
[0061]在步驟S102中，在所述緩沖層上沉積非晶硅層，并對所述非晶硅層進行結晶化處理、和圖案化處理，以形成多晶硅圖形。
[0062]可以理解的是，所述形成多晶硅圖形的步驟具體包括:
[0063](1)在450°C以下的溫度環(huán)境中在所述緩沖層上沉積非晶硅層；
[0064](2)利用激光退火處理對所述非晶硅層進行結晶化處理，以形成多晶硅層，如圖2的多晶娃層30 ;以及
[0065](3)按照預設圖形對所述多晶硅層進行圖案化處理，以形成多晶硅圖形，如圖2的多晶硅圖形35。
[0066]在步驟S103中，對所述多晶硅圖形進行導電摻雜。
[0067]可以理解的是，導電摻雜的步驟具體包括:
[0068]選擇P型離子對所述多晶硅圖形進行導電摻雜，其中，所述P型離子為硼離子。
[0069]在步驟S104中，沉積柵絕緣層及柵電極層，并用柵電極光罩對所述柵電極層進行圖案化處理以形成柵電極，同時用所述柵電極光罩對對應的多晶硅圖形進行N輕摻雜以形成N輕慘雜區(qū)。
[0070]可以理解的是，形成柵電極的本步驟具體包括:
[0071](1)沉積柵絕緣層；
[0072](2)在所述柵電極絕緣層上沉積柵電極層；以及
[0073](3)對所述柵絕緣層和所述柵電極層進行圖形化處理，以形成如圖2所示的柵電極絕緣圖形40和柵電極50，其中所述柵電極絕緣圖形、所述柵電極與所述多晶硅圖形的位置相對應。
[0074]如圖2的N型輕摻雜的結構示意圖所示，形成N輕摻雜的步驟具體包括:
[0075](1)在利用柵電極光罩對所述柵電極層進行圖案化處理時，所述柵電極光罩同時對對應的多晶硅圖形進行N輕摻雜，進行曝光處理以生成第一 N輕摻雜溝道和第二 N輕摻雜溝道。即本實施例中，對柵電極層的圖案化處理和多晶硅的N輕摻雜采用同一道光罩進行。
[0076](2)在所述第一 N輕摻雜溝道和所述第二 N輕摻雜溝道內(nèi)進行N輕摻雜，以形成第一輕摻雜區(qū)31和第二輕摻雜區(qū)32。其中所述N輕摻雜采用磷離子或砷離子。
[0077]可以理解的是，所述第一輕摻雜區(qū)31和第二輕摻雜區(qū)32，可以有效的防止短溝道效應、以及有助于減少源漏電極間的