Tft陣列基板的制備方法、tft陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種TFT陣列基板的制備方法、TFT陣列基 板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著低溫多晶硅（LTPS)半導(dǎo)體薄膜晶體管（TFT)的發(fā)展，以及由于LTPS半導(dǎo)體 本身超高載流子迀移率的特性，相應(yīng)的面板周邊集成電路也成為大家關(guān)注的焦點(diǎn)，并且很 多人投入到System on Panel(SOP)的相關(guān)技術(shù)研究，并逐步成為現(xiàn)實(shí)。與此同時(shí)，由于LTPS 半導(dǎo)體高迀移率的因素，其漏電特性相對(duì)于A-Si而言變得很差，漏電成為在LTPS設(shè)計(jì)中不 可忽略的一部分。
[0003] 如圖1和圖2所示，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列基板的制備方法的流程示意圖。 圖2是現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列基板的制備方法的工藝流程圖?，F(xiàn)有技術(shù)中，具有底柵結(jié)構(gòu)的 LTPS-TFT的制備方法包括以下步驟：
[0004] S10,在襯底40上形成柵極圖案層41。
[0005] S11，在柵極圖案層41上形成柵極絕緣層42。
[0006] S12,在柵極絕緣層42上形成圖案化的多晶硅層43,圖案化的多晶硅層43與柵極 圖案層41連接。
[0007] S13,在圖案化的多晶硅層43的兩側(cè)分別形成源極重?fù)诫s區(qū)431和漏極重?fù)诫s區(qū) 432〇
[0008] S14,采用一光罩在所述源極重?fù)诫s區(qū)431內(nèi)側(cè)形成源極輕摻雜區(qū)434,在所述漏 極重?fù)诫s區(qū)432內(nèi)側(cè)形成漏極輕摻雜區(qū)433,源極輕摻雜區(qū)434和漏極輕摻雜區(qū)433之間為 溝道區(qū)430。
[0009] S15,在所述圖案化的多晶硅層43上形成隔離層44。
[0010] S16,在隔離層44上形成源、漏極圖案層45,并將源、漏極圖案層45連接到圖案化 的多晶硅層43上。
[0011] 該制備方法中，在步驟S14形成輕摻雜區(qū)的時(shí)候，需要專門設(shè)計(jì)一光罩對(duì)需要形 成輕摻雜區(qū)的區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行遮擋，而使得該方法的成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 本發(fā)明提供一種TFT陣列基板的制備方法、TFT陣列基板及顯示裝置，能夠解決現(xiàn) 有技術(shù)存在的需要專門設(shè)計(jì)一個(gè)光罩用于形成輕摻雜區(qū)導(dǎo)致制備成本高的問題。
[0013] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種TFT陣列基板的 制備方法，該制備方法包括以下步驟：在襯底上形成柵極圖案層；在所述柵極圖案層上形 成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成圖案化的多晶硅層，所述圖案化的多晶硅層與所 述柵極圖案層連接；在所述圖案化的多晶硅層的兩側(cè)分別形成源極重?fù)诫s區(qū)和漏極重?fù)诫s 區(qū)，所述圖案化的多晶硅層的中部區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)；在所述圖案化的多晶硅層上形成隔離層； 在所述隔離層上，采用一光罩通過光刻工藝形成源、漏極圖案層，所述源、漏極圖案層與所 述圖案化的多晶硅層連接，所述光罩遮擋所述溝道區(qū)的一側(cè)，采用同一所述光罩在未被遮 擋的所述溝道區(qū)的另一側(cè)形成輕摻雜區(qū)。
[0014] 其中，在所述隔離層上，采用一光罩通過光刻工藝以形成源、漏極圖案層的步驟包 括：在所述隔離層上淀積金屬以形成金屬層；在所述金屬層上涂光刻膠；采用紫外光通過 一光罩對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光；對(duì)所述光刻膠進(jìn)行顯影，以使所述光刻膠形成圖案，所述光 刻膠形成的圖案遮擋了所述金屬層的一部分，所述金屬層的另一部分則顯露出來；對(duì)顯露 出來的所述金屬層的部位進(jìn)行蝕刻，以形成所述源、漏極圖案層；采用同一所述光罩對(duì)未被 遮擋的所述溝道區(qū)的另一側(cè)進(jìn)行離子注入以形成所述輕摻雜區(qū)；剝離所述光刻膠。
[0015] 其中，在所述柵極圖案層上形成柵極絕緣層的步驟之后，還包括：在所述柵極絕緣 層上形成柵極貫通孔，并在所述柵極貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料；在所述柵極絕緣層上形成圖 案化的多晶硅層，所述圖案化的多晶硅層與所述柵極圖案層連接的步驟中，所述圖案化的 多晶硅層通過所述柵極貫通孔內(nèi)的導(dǎo)電材料與所述柵極圖案層進(jìn)行連接。
[0016] 其中，在所述圖案化的多晶硅層上形成隔離層的步驟之后，還包括：在所述隔離層 上、對(duì)應(yīng)于所述源極重?fù)诫s區(qū)的位置處形成源極貫通孔，在對(duì)應(yīng)于所述漏極重?fù)诫s區(qū)的位 置處形成漏極貫通孔；在所述隔離層上淀積金屬以形成金屬層的步驟中，金屬填充到所述 源極貫通孔和所述漏極貫通孔而使所述源、漏極圖案層與所述多晶硅層進(jìn)行連接。
[0017] 其中，在所述柵極絕緣層上形成圖案化的多晶硅層的步驟包括：在所述柵極絕緣 層上沉積非晶硅層；將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層；將所述多晶硅層蝕刻為圖案化的多 晶娃層。
[0018] 其中，將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層的步驟中，采用準(zhǔn)分子激光退火或者固相 結(jié)晶的方法將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層。
[0019] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種TFT陣列基板， 該陣列基板包括：襯底、柵極圖案層、柵極絕緣層、圖案化的多晶硅層、隔離層以及源、漏極 圖案層。其中，柵極圖案層形成于襯底之；柵極絕緣層形成于所述柵極圖案層之上；圖案化 的多晶硅層形成于所述柵極絕緣層之上，所述多晶硅層與所述柵極圖案層連接，所述圖案 化的多晶硅層的兩側(cè)分別為源極重?fù)诫s區(qū)和漏極重?fù)诫s區(qū)，所述圖案化的多晶硅層的中部 區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)；隔離層形成于所述圖案化的多晶硅層之上；源、漏極圖案層形成于所述隔 離層之上，所述源、漏極圖案層與所述圖案化的多晶硅層連接，所述源、漏極圖案層的圖案 遮擋所述溝道區(qū)的一側(cè)，未被所述源、漏極圖案層遮擋的所述溝道區(qū)的另一側(cè)為輕摻雜區(qū)。
[0020] 其中，所述柵極絕緣層上設(shè)有柵極貫通孔，所述柵極貫通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電材料，圖 案化的多晶硅層通過所述柵極貫通孔內(nèi)的導(dǎo)電材料與所述圖案化的柵極圖案層進(jìn)行連接。
[0021] 其中，所述隔離層上、對(duì)應(yīng)于所述源極重?fù)诫s區(qū)的位置處設(shè)有源極貫通孔，在對(duì) 應(yīng)于所述漏極重?fù)诫s區(qū)的位置處設(shè)有漏極貫通孔，所述源、漏極圖案層由金屬形成，該金屬 填充所述源極貫通孔和所述漏極貫通孔而使所述源、漏極圖案層與所述圖案化的多晶硅層 連接。
[0022] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示裝置，該顯 示裝置包括上述TFT陣列基板。
[0023] 本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的TFT陣列基板的制備方 法在形成源、漏極圖案層的時(shí)候采用的光罩的形狀遮擋了溝道區(qū)的一側(cè)的，使得在形成輕 摻雜區(qū)的時(shí)候可以采用同一光罩在溝道區(qū)的另一側(cè)形成，從而無需再設(shè)計(jì)一個(gè)用于形成輕 摻雜區(qū)的光罩，節(jié)省了光罩的設(shè)計(jì)，從而節(jié)省了成本。此外，該制備方法具有很強(qiáng)的設(shè)計(jì)靈 活性，可以通過光罩遮擋溝道區(qū)的面積大小來控制輕摻雜區(qū)的面積大小，從而能靈活控制 輕摻雜區(qū)降低漏電流的效果。
【附圖說明】
[0024] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列基板的制備方法的流程示意圖；
[0025] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)的TFT陣列基板的制備方法的工藝流程圖；
[0026] 圖3是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第一實(shí)施例的流程示意圖；
[0027] 圖4是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第一實(shí)施例的工藝流程圖；
[0028] 圖5是圖3中步驟S102的流程示意圖；
[0029] 圖6是圖3中步驟S105的流程示意圖；
[0030] 圖7是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第二實(shí)施例中的流程示意圖；
[0031] 圖8是本發(fā)明一種TFT陣列基板實(shí)施例的截面的層狀結(jié)構(gòu)示意圖
[0032] 圖9是本發(fā)明一種顯示裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0034] 請(qǐng)參閱圖3和圖4,圖3是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第一實(shí)施例的流程示 意圖;圖4是本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法第一實(shí)施例的工藝流程圖
[0035] 具體地，本發(fā)明TFT陣列基板的制備方法包括以下步驟：
[0036] S100,在襯底20上形成柵極圖案層21。
[0037] 舉例而言，該柵極圖案層21的形成如下：在襯底20上淀積金屬以形成柵極金屬 層。柵極的金屬通常為鋁及鋁合金，或者鋁層、鎢層、鉻層疊加后形成的金屬化合物導(dǎo)電層。 然后在柵極金屬層上涂光刻膠。再采用光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行光刻，以使光刻膠形成所需的圖 案，光刻膠形成的圖案遮擋柵極金屬層的一部分，未被遮擋的另一部分柵極金屬層則顯露 出來。對(duì)顯露出來