吸引電荷結(jié)構(gòu)610、620、710、720、810及820并非像是集成電路晶體管的小的結(jié)構(gòu)。例如，吸引電荷結(jié)構(gòu)610、620、710、720、810及820可以是大于至少1微米，并且可以是至少2或是更大微米寬的。
[0097]圖9至11是描繪對應(yīng)于中介物600、700及800的形成的范例的制程流程900、1000及1100的個別的流程圖。為了清楚起見，制程流程900、1000及1100的每一個是從在901處的一習(xí)用的TSV孔洞形成的操作開始，其例如可以包含蝕刻TSV孔洞以及通過一介電層的氧化或沉積于其中形成，其中在之前的熟知操作并未說明性地被描繪。再者，為了清楚起見，制程流程900、1000及1100的每一個是在906處以一習(xí)用的TSV形成的操作來結(jié)束，例如阻障層沉積、銅電鍍以及銅CMP，其中后續(xù)的習(xí)用操作并未說明性地被描繪。當(dāng)一 TSV氧化物是通過CVD或濕式氧化加以形成時，在901及906處的操作可以在906處加以組合。
[0098]參考圖6及9，從901開始，在902處，一用于井616的一植入的圖案的形成、井616的一植入、一用于井615的一植入的圖案的選配的形成、以及井615的一選配的植入可加以執(zhí)行。在903處，一用于區(qū)域614的一植入的圖案的形成、區(qū)域614的一植入、一用于區(qū)域613的一植入的圖案的形成、以及區(qū)域613的一植入可加以執(zhí)行。在904處，一用于本地的互連612的圖案的形成、一金屬層612的沉積、以及金屬層612與區(qū)域613及614的每一個的一部分的硅的硅化可加以執(zhí)行。硅化可以利用一快速的熱退火("RTA")來加以執(zhí)行。選配的是，在905處，一用于金屬蓋611的圖案的形成、一導(dǎo)電層611的沉積、以及一金屬蝕刻可加以執(zhí)行，以形成本地的互連。在905處的操作可以是選配的，因為金屬蓋611在本地的互連或接點(diǎn)的形成中可被省略。在904或是選配地在905處的操作之后，習(xí)用的處理可以在906處接續(xù)。操作910，亦即對于902至904以及選配的905的操作可以是用于一 CoWoS制程流程900。
[0099]參考圖7及10，從901開始，在1002處，一用于井715的一植入的圖案的形成、井715的一植入，一用于井716的一植入的圖案的形成、以及井716的一植入可加以執(zhí)行。在1003處，一用于一薄的介電層709的沉積或生長的圖案的形成、以及一薄的介電層的沉積或生長可加以執(zhí)行。在1004處，一用于多晶硅層的圖案的形成、以及一多晶硅層的沉積可加以執(zhí)行，以提供導(dǎo)電層707。此外，在1005處，一例如是氮化物或其它介電質(zhì)的硅化物阻擋層的沉積、此種硅化物阻擋層708的圖案化、以及此種介電層的蝕刻可加以執(zhí)行，以提供一硅化物阻擋件708。從1005開始，在1006處，一用于硅化的例如是Ni或Co或其它金屬的金屬沉積、金屬蝕刻、以及例如利用一快速的熱退火("RTA")的硅化可加以執(zhí)行。選配的是，從1006開始，在905處，金屬蓋611可加以形成以提供本地的互連或接點(diǎn)，即例如先前所敘述者。在1006或是選配的905處的操作之后，習(xí)用的處理可以在906處接續(xù)。操作1010，亦即對于1002至1006以及905的操作可以是用于一 CoWoS制程流程1000。
[0100]參考圖8及11，從901開始，在1102處，一用于井816的一植入的圖案的形成、以及井816的一植入可加以執(zhí)行。從1102開始，在903處，一用于區(qū)域814的一植入的圖案的形成、區(qū)域814的一植入、一用于區(qū)域813的一植入的圖案的形成、以及區(qū)域813的一植入可加以執(zhí)行。在904處，一用于一金屬層612的沉積的圖案的形成、一金屬層612的沉積、以及金屬層612與區(qū)域813及814的每一個的一部分的硅的硅化可加以執(zhí)行。選配地在905處，金屬蓋611的形成可加以執(zhí)行，即如先前所述者。在905處的操作之后，習(xí)用的處理可以在906處接續(xù)。操作1110，亦即對于1102、903及904以及選配的905的操作可以是用于一 CoWoS制程流程1100。
[0101]盡管先前是描述范例的裝置及/或方法，但是根據(jù)一或多個在此所述的特點(diǎn)的其它及另外的例子也可被設(shè)計出，而不脫離本發(fā)明的范疇，此范疇是通過接著的權(quán)利要求書及其等同項來加以決定。權(quán)利要求書所列的步驟并不意指該步驟的任何順序。商標(biāo)是其個別的擁有者的財產(chǎn)。
【主權(quán)項】
1.一種裝置，其包括: 中介物，其具有復(fù)數(shù)個導(dǎo)體以及復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)； 其中該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)是用以保護(hù)待耦接至該中介物的至少一集成電路晶粒，以提供經(jīng)堆棧的晶粒；以及 其中該復(fù)數(shù)個導(dǎo)體是包含復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 形成在該中介物的基板中的第一井； 形成在該第一井中的第一區(qū)域；以及 第一接點(diǎn)，其是被形成以用于從該第一接點(diǎn)傳導(dǎo)至該第一區(qū)域； 其中該第一井、該第一區(qū)域以及該第一接點(diǎn)的組合提供該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)的第一吸引電荷結(jié)構(gòu)，以吸引第一帶電粒子。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 形成在該基板中的第二井； 形成在該第二井中的第三井； 形成在該第三井中的第二區(qū)域；以及 第二接點(diǎn)，其是被形成以用于將電荷從該第二接點(diǎn)傳導(dǎo)至該第二區(qū)域； 其中該第二井、該第三井、該第二區(qū)域以及該第二接點(diǎn)的組合提供該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)的第二吸引電荷結(jié)構(gòu)，以吸引第二帶電粒子。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 接地總線，其是將該第一吸引電荷結(jié)構(gòu)耦接至該復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔的第一部分；以及 電源總線，其是將該第二吸引電荷結(jié)構(gòu)耦接至該復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔的第二部分。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的的裝置，其進(jìn)一步包括: 該至少一集成電路晶粒是耦接至該中介物以提供該經(jīng)堆棧的晶粒； 其中該第一吸引電荷結(jié)構(gòu)的第一崩潰電壓是低于在該至少一集成電路晶粒中的第一p-n接面的第二崩潰電壓；以及 其中該第二吸引電荷結(jié)構(gòu)的第三崩潰電壓是低于在該至少一集成電路晶粒中的第二p-n接面的第四崩潰電壓。6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項所述的裝置，其中: 該中介物包含在該中介物的前側(cè)表面上的接地墊以在該經(jīng)堆棧的晶粒的形成期間在原處接地該中介物； 該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)的該第一吸引電荷結(jié)構(gòu)以及該第二吸引電荷結(jié)構(gòu)被設(shè)置在該中介物的硅基板的頂表面上或是接近該頂表面處，以分別吸引該第一帶電粒子以及該第二帶電粒子；以及 該頂表面與該中介物的背側(cè)表面相對的。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的裝置，其中該中介物進(jìn)一步包括: 基板，其中該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)的井是形成在該基板中并且該復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔被設(shè)置在該基板中； 其中該基板進(jìn)一步包含電荷耗散結(jié)構(gòu)； 其中該電荷耗散結(jié)構(gòu)包括P型雙井結(jié)構(gòu)以及η型雙井結(jié)構(gòu)； 其中該Ρ型雙井結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)線來耦接至該η型雙井結(jié)構(gòu)，以提供虛擬的接地。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 形成在該中介物的基板中的第一井； 形成在該基板中的第二井是重疊、相鄰或是至少接近至該第一井； 其中該第二井具有相對該第一井的相反極性類型； 形成在該第一井以及該第二井上的介電層； 第一接點(diǎn)，其被形成以用于將電荷從該第一接點(diǎn)通過該介電層傳導(dǎo)至該第一井； 第二接點(diǎn)，其被形成以用于將電荷從該第二接點(diǎn)通過該介電層傳導(dǎo)至該第二井；其中該第一井、該介電層以及該第一接點(diǎn)的組合是提供該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)的第一吸引電荷結(jié)構(gòu)，以吸引第一帶電粒子；以及 其中該第二井、該介電層以及該第二接點(diǎn)的組合是提供該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)的第二吸引電荷結(jié)構(gòu)，以吸引第二帶電粒子。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 形成在該第一接點(diǎn)以及該第二接點(diǎn)之間的硅化物阻擋件； 其中該第一接點(diǎn)以及該第二接點(diǎn)利用第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層來加以形成； 其中該第一導(dǎo)電層是在該介電層上； 其中該第二導(dǎo)電層是在該第一導(dǎo)電層上； 其中該第二導(dǎo)電層被形成為彼此間隔開的第一墊以及第二墊；以及其中該第一導(dǎo)電層被該硅化物阻擋件分成和該第一接點(diǎn)墊相關(guān)的第一部分以及和該第二接點(diǎn)墊相關(guān)的第二部分。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 形成在該中介物的基板中的井； 形成在該井中的第一區(qū)域； 形成在該基板中的第二區(qū)域； 其中該第二區(qū)域的第一部分延伸到該井中，并且該第二區(qū)域的第二部分并不延伸到該井中； 第一接點(diǎn)，其被形成以用于將電荷從該第一接點(diǎn)傳導(dǎo)至該第一區(qū)域； 第二接點(diǎn)，其被形成以用于將電荷從該第二接點(diǎn)傳導(dǎo)至該第二區(qū)域； 其中該第二區(qū)域的該第二部分以及該第二接點(diǎn)的組合提供第一吸引電荷結(jié)構(gòu)，以吸引第一帶電粒子； 其中該井、該第一區(qū)域、該第二區(qū)域的該第一部分、以及該第一接點(diǎn)的組合提供第二吸引電荷結(jié)構(gòu)，以吸引第二帶電粒子；以及11.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 接地總線，其是將該第一吸引電荷結(jié)構(gòu)耦接至該復(fù)數(shù)個導(dǎo)體的第一部分；以及 電源總線，其是將該第二吸引電荷結(jié)構(gòu)耦接至該復(fù)數(shù)個導(dǎo)體的第二部分。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的裝置，其進(jìn)一步包括: 該至少一集成電路晶粒是耦接至該中介物以提供該經(jīng)堆棧的晶粒； 其中該第一吸引電荷結(jié)構(gòu)的第一崩潰電壓是低于在該至少一集成電路晶粒中的第一P-n接面的第二崩潰電壓；以及 其中該第二吸引電荷結(jié)構(gòu)的第三崩潰電壓是低于在該至少一集成電路晶粒中的第二P-n接面的第四崩潰電壓。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中: 該中介物包含在該中介物的前側(cè)表面上的接地墊，以在該經(jīng)堆棧的晶粒的形成期間在原處接地該中介物； 該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)的該第一吸引電荷結(jié)構(gòu)以及該第二吸引電荷結(jié)構(gòu)被設(shè)置在該中介物的硅基板的頂表面上或是接近該頂表面處，以分別吸引該第一帶電粒子以及該第二帶電粒子；以及 該頂表面是與該中介物的背側(cè)表面相對的。14.一種方法，其包括: 獲得用于中介物的基板； 在該基板中形成復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔以及復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)；以及將該復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔的部分耦接至該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)，以用于將帶電粒子從該復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔傳導(dǎo)至該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包括: 將至少一集成電路晶粒耦接至該中介物以提供經(jīng)堆棧的晶粒； 其中該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)是用以保護(hù)該至少一集成電路晶粒的P-n接面；以及 其中該中介物是被動中介物。
【專利摘要】一種大致關(guān)于一中介物(600，700，800)的裝置被揭示。在此種裝置中，該中介物(600，700，800)具有復(fù)數(shù)個導(dǎo)體(208，451-459，603-606)以及復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)(610，620，710，720，810，820)。該復(fù)數(shù)個吸引電荷結(jié)構(gòu)(610，620，710，720，810，820)用以保護(hù)至少一待耦接至該中介物(600，700，800)的集成電路晶粒(202)，以提供一經(jīng)堆棧的晶粒(202)。該復(fù)數(shù)個導(dǎo)體(208，451-459，603-606)包含復(fù)數(shù)個穿過基板的貫孔(208)。
【IPC分類】H01L25/18, H01L25/07, H01L25/065, H01L23/60
【公開號】CN105264660
【申請?zhí)枴緾N201480029286
【發(fā)明人】相奇, 李曉宇, 陳曉華, 葛倫·歐路克
【申請人】吉林克斯公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2014年5月20日
【公告號】EP3000129A1, US9214433, US20140346651, WO2014189983A1, WO2014189983A8