專利名稱：外延遷移堆棧和方法
外延遷移堆棧和方法發(fā)明背景 發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明的實施方案通常涉及太陽能器件、半導體器件和電子器件的制造，且更具 體地，涉及外延遷移Epitaxial lift off, EL0)器件和方法。相關(guān)技術(shù)的描述器件制造中的一個階段包括處理和封裝用作太陽能器件、半導體器件或其他電子 器件的薄膜。這類薄膜器件可通過使用各種用于在晶片或其他基底上沉積并移除材料的工 藝來制造。用于制造薄膜器件的一種罕見技術(shù)稱為外延遷移(ELO)工藝。ELO工藝包括在 生長基底上的犧牲層上沉積外延層或膜，接著蝕刻犧牲層以將外延層與生長基底分隔。所 移除的薄外延層稱為ELO膜或?qū)樱⒁话惆ㄓ米魈柲芷骷?、半導體器件或其他電子器 件的薄膜。例如，當接合至基底或當封裝時，薄ELO膜非常難以管理或處理，因為ELO膜非常 易碎并具有窄尺寸。ELO膜在非常小的力之下產(chǎn)生裂紋。此外，由于其極端窄的尺寸，ELO 膜非常難以對準。犧牲層一般非常薄，且通常經(jīng)由濕化學工藝被蝕去?？偣に嚨乃俾士墒芟抻诜磻?yīng) 物到蝕刻前緣的傳送或暴露的缺乏，這導致副產(chǎn)品較少從蝕刻前緣移除。此所述工藝為有 限擴散工藝，且如果膜維持所沉積的幾何形狀，則非常窄且長的開口將形成，以嚴格限制工 藝的總速率。為了減少擴散工藝的輸送限制，可能有利的是，展開由蝕刻或移除的犧牲層 產(chǎn)生的作為結(jié)果的間隙，并使外延層遠離生長基底彎曲。在外延層和生長基底之間形成裂 縫-其幾何形狀提供朝著和遠離蝕刻前緣的更大的物種輸送。反應(yīng)物朝著蝕刻前緣移動， 而副產(chǎn)品通常遠離蝕刻前緣移動。然而，外延層的彎曲可在其內(nèi)部誘發(fā)應(yīng)力，且彎曲量受限于膜強度。外延層通常包 含脆性材料，其在故障前不經(jīng)歷塑性變形，并因此可能遭受裂紋所誘發(fā)的故障。為了最小化裂紋傳播的可能性，脆性外延層可維持在壓縮應(yīng)力下。裂紋通常不會 通過殘留壓縮應(yīng)力的區(qū)域傳播。由于外延層位于裂縫曲率的外側(cè)，當使外延層遠離生長基 底彎曲時，外延層置于拉伸應(yīng)力下。拉伸應(yīng)力限制裂縫曲率量，并降低蝕刻工藝的速率。為 了克服此限制，在蝕刻犧牲層前，可在外延層內(nèi)部灌輸殘留的壓縮應(yīng)力。此初始的壓縮應(yīng)力 可通過彎曲所導致的拉伸應(yīng)力來偏移，并因而允許在分隔工藝期間的較大量彎曲。因此，需要有更強健的ELO薄膜和形成、移除并處理ELO薄膜的方法。發(fā)明概述本發(fā)明的實施方案通常涉及外延遷移(ELO)薄膜和器件，以及用來形成這類薄膜 和器件的方法。ELO薄膜通常包含外延生長層，其在配置于基底例如晶片之上或上方的犧牲 層上形成。支撐材料或支撐柄可配置在除了基底外的外延材料的相對側(cè)上。支撐柄可例如 通過提供對外延材料的壓縮來用于穩(wěn)定外延材料。此外，在ELO工藝的蝕刻和移除步驟期 間，支撐柄可用于抓緊以及支撐住外延材料。在不同實施方案中，支撐材料或支撐柄可包含預(yù)先彎曲的柄、多層柄、非均勻蠟柄和兩個收縮誘發(fā)柄(shrinkage-induced handle)，其普 通地或單向地收縮，以給外延材料提供壓縮。在一個實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括在犧 牲層之上或上方形成外延材料，犧牲層配置在基底之上或上方；將多層支撐柄黏合至外延 材料之上；在蝕刻工藝期間移除犧牲層；以及在蝕刻工藝期間，從基底剝離外延材料，同時 在其間形成蝕刻裂縫，同時維持外延材料中的壓縮。該方法進一步規(guī)定，多層支撐柄包含 硬性支撐層，其配置在外延材料之上或上方或黏合至外延材料；軟性支撐層，其黏合至硬性 支撐層；及柄板，其黏合至軟性支撐層。在一個實例中，多層支撐柄包含硬性支撐層，其配置在外延材料上方；軟性支撐 層，其配置在硬性支撐層上方；及柄板，其配置在軟性支撐層上方。多層支撐柄配置在外延 材料之上并維持外延材料的壓縮。在一些實施方案中，硬性支撐層可包含聚合物、共聚物、 低聚物、其衍生物或其組合。在一個實例中，硬性支撐層包含共聚物，例如，乙烯/乙酸乙烯 酯(EVA)共聚物或其衍生物。在其他實例中，硬性支撐層可包含熱熔性粘合劑、有機材料或 有機涂層、無機材料或其組合。在一個實例中，無機材料包含多個無機層，例如，金屬層和/ 或介電層。在另一實例中，硬性支撐層可包含復(fù)合材料或圖案化復(fù)合材料，例如，有機/無 機材料。復(fù)合材料可包含至少一種有機材料和至少一種無機材料。在一些實例中，無機材 料可包含金屬層、介電層或其組合。在另一實例中，硬性支撐層可包含蠟或其衍生物，例如 黑蠟。在其他實施方案中，軟性支撐層可包含彈性體，例如橡膠、泡沫或其衍生物?？蛇x 地，軟性支撐層可包含材料，例如氯丁橡膠、膠乳或其衍生物。軟性支撐層可包含單體。舉例 來說，軟性支撐層可包含乙烯丙烯二烯單體或其衍生物。在另一實施方案中，軟性支撐層可 包含液體或流體，其包含在膜內(nèi)部。可選地，軟性支撐層可包含氣體，其包含在膜內(nèi)部。膜 可包含材料，例如橡膠、泡沫、氯丁橡膠、膠乳或其衍生物。在一個實例中，膜為氣球，例如橡 膠氣球或膠乳氣球。在另一實施方案中，柄板可以由塑料材料、聚合物材料、或低聚物材料、其衍生物、 其混合物或其組合制成或包含這些材料。在一個實例中，柄板可包含聚酯或其衍生物。柄 板可具有在從約50. 8 μ m至約127. 0 μ m的范圍內(nèi)的厚度，例如，約23. 4 μ m。在一個實施方案中，該方法進一步包括從基底移除外延材料以及將支撐基底附接 至外延材料的暴露表面。支撐基底可以由粘合劑接合至外延材料的暴露表面，從而在其間 形成粘合層。在一個實例中，粘合劑為光學粘合劑和/或可為紫外線固化型(例如，通過紫 外光暴露而固化)。在一些實例中，粘合劑可包含巰基酯化合物。在其他實例中，粘合劑可 進一步包含材料，例如，鄰苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸酯單體、其衍生物 或其組合。在另一實施方案中，提供薄膜材料，例如ELO薄膜堆棧，其包含支撐基底，其配置 在外延材料的第一表面之上或上方；及支撐柄，其配置在外延材料的另一表面之上或上方。 粘合層可配置在外延材料和支撐基底之間。在一個實例中，支撐柄可為多層支撐柄，其包 含硬性支撐層，其配置在外延材料之上或上方；軟性支撐層，其配置在硬性支撐層之上或 上方；及柄板，其配置在軟性支撐層之上或上方。在另一實施方案中，提供ELO薄膜堆棧，其包含犧牲層，其配置在基底之上；外延材料，其配置在犧牲層之上或上方；及壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料或柄，其配置在外延材料 之上或上方。當外延材料受到壓縮時，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄承受張力。壓平的預(yù)先彎 曲的支撐柄可包含單層或多層。壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄可包含蠟、聚乙烯、聚酯、聚烯烴、 聚對苯二甲酸乙二酯聚酯、橡膠、其衍生物或其組合。在一些實例中，壓平的預(yù)先彎曲的支 撐柄包含蠟。在其他實例中，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄包含聚對苯二甲酸乙二酯聚酯或其 衍生物。在其他實例中，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄包含聚烯烴或其衍生物。在一些實施方案中，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄包含第一層，其具有蠟；及第二層， 其具有聚合物，且配置在第一層上方。舉例來說，第二層可包含聚對苯二甲酸乙二酯聚酯或 其衍生物。在其他實例中，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄包含至少三層。第三層可包含蠟，并配 置在第二層之上或上方。在一些實例中，第三層包含另一聚合物(例如，聚乙烯或其衍生 物)，并配置在第二層之上或上方。在其他實施方案中，粘合劑配置在壓平的預(yù)先彎曲的支 撐柄和外延材料之間。在其他實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料例如ELO薄膜堆棧的 方法，其包括在基底上的犧牲層之上或上方形成外延材料；將壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料 或柄黏合至外延材料之上或上方；在蝕刻工藝期間移除犧牲層；及從基底剝離外延材料， 同時在其間形成蝕刻裂縫；及使壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄彎曲以具有相當大的曲率。壓平 的支撐柄承受張力，以使外延材料受壓縮。壓平的支撐柄可通過壓平彎曲的支撐材料來形 成。在另一實施方案中，提供ELO薄膜堆棧，其包含犧牲層，其配置在基底之上或上 方；外延材料，其配置在犧牲層之上或上方；及普通可收縮支撐柄，其配置在外延材料之上 或上方，其中支撐柄包含普通可收縮材料，其在收縮時即形成支撐柄中的張力和外延材料 中的壓縮。在一個實例中，普通可收縮材料包含無定形材料。在普通收縮工藝期間，無定形 材料可結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮小。普通可收縮材料可包含塑料、聚合物、低聚物、其衍生物、 其混合物或其組合。在一些實例中，普通可收縮支撐柄包含熱縮聚合物。在另一實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成ELO薄膜堆棧的方法，其包括在 犧牲層之上或上方形成外延材料，犧牲層配置在基底之上或上方；將普通可收縮支撐柄黏 合到外延材料之上或上方，其中支撐柄包含普通可收縮材料；在普通收縮工藝期間，使支撐 柄收縮，以形成支撐柄中的張力和外延材料中的壓縮；在蝕刻工藝期間移除犧牲層；及從 基底剝離外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫；及使支撐柄彎曲以具有相當大的曲率。普通 可收縮支撐柄可包含一層或多層。在另一實施方案中，提供薄膜堆棧材料，其包含犧牲層，其配置在基底之上或上 方；外延材料，其配置在犧牲層之上或上方；及單向可收縮支撐柄，其配置在外延材料之上 或上方。單向可收縮支撐柄可包含可收縮材料和補強纖維，補強纖維單向延伸貫穿可收縮 材料。可收縮材料單向收縮并正切于補強纖維，以形成支撐柄中的張力和外延材料中的壓縮。補強纖維為高強度聚合物纖維。在一個實例中，補強纖維包含聚乙烯或其衍生物。 在一些實例中，補強纖維沿著纖維長度包含負的線性熱膨脹系數(shù)。一般說來，補強纖維具有 在從約15GPa至約134GPa的范圍內(nèi)的拉伸模量。在其他實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括在基底上的犧牲層之上或上方形成外延材料；將單向可收縮支撐柄黏合至外延材料之上，其中 支撐柄包含可收縮材料和補強纖維，補強纖維單向延伸貫穿可收縮材料；及在單向收縮工 藝期間，收縮正切于補強纖維的支撐柄，以形成支撐柄中的張力和外延材料中的壓縮。該方 法進一步包括在蝕刻工藝期間移除犧牲層；從基底剝離外延材料，同時在其間形成蝕刻裂 縫；及使支撐柄彎曲以具有相當大的曲率。在其他實施方案中，提供薄膜堆棧材料，其包含犧牲層，其配置在基底之上或上 方；外延材料，其配置在犧牲層之上或上方；及非均勻支撐柄，其配置在外延材料之上或上 方，其中非均勻支撐柄包含具有變化厚度的蠟?zāi)ぁＴ诹硪粚嵤┓桨钢?，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括形成 配置在基底上的犧牲層之上或上方的外延材料；及將非均勻支撐柄黏合至外延材料之上或 上方，其中非均勻支撐柄包含具有變化厚度的蠟?zāi)?。該方法進一步包括在蝕刻工藝期間移 除犧牲層；從基底剝離外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫；及在蝕刻工藝期間，使非均勻 支撐柄彎曲，以形成外延材料中的壓縮。附圖簡述參照在附圖中示出的一些實施方案可提供對上文簡要概述的本發(fā)明的更具體的 描述，以便可詳細地理解本發(fā)明的上述特征的方式。然而，須注意，附圖僅示出此發(fā)明的典 型實施方案，且因此不應(yīng)視為對本發(fā)明范圍的限制，因為本發(fā)明可容許其他同樣有效的實 施方案。

圖1示出根據(jù)此處所述的實施方案的在晶片上的ELO薄膜堆棧；圖2A示出根據(jù)此處所述的實施方案的預(yù)先彎曲的支撐柄；圖2B至2C示出根據(jù)此處所述的實施方案的包含預(yù)先彎曲的支撐柄的ELO薄膜堆 棧；圖2D示出如此處的實施方案中所述的在從晶片被移除后的預(yù)先彎曲的支撐柄和 外延材料；圖3A至3C示出根據(jù)此處所述的另一實施方案的包含普通可收縮支撐柄的ELO薄 膜堆棧；圖3D示出如此處的實施方案中所述的在從晶片被移除后的普通可收縮支撐柄和 外延材料；圖4A至4C示出根據(jù)此處所述的其他實施方案的包含單向可收縮支撐柄的ELO薄 膜堆棧；圖4D示出如此處的實施方案中所述的在從晶片被移除后的單向可收縮柄和外延 材料；圖5A至5B示出根據(jù)此處所述的其他實施方案的配置在薄膜堆棧之上或上方的非 均勻蠟支撐柄；圖6A示出根據(jù)此處所述的另一實施方案的配置在基底上的薄膜堆棧上方的多層 支撐柄；以及圖6B示出根據(jù)此處所述的另一實施方案的配置在支撐基底上的多層支撐柄和薄 膜堆棧。詳述
圖1示出基底100，其包含配置在晶片102上的ELO薄膜堆棧150，如此處的一個 實施方案中所述的。ELO薄膜堆棧150可具有犧牲層104，其配置在晶片102之上或上方； 外延材料106，其配置在犧牲層104之上或上方；及支撐柄108，其配置在外延材料106之上 或上方。在不同的實施方案中，支撐柄108承受張力，而外延材料106受到壓縮。ELO工藝 包括在蝕刻工藝期間移除犧牲層104，同時從晶片102剝離外延材料106，并在其間形成蝕 刻裂縫，直到外延材料106和支撐柄108從晶片102移除為止。犧牲層104通常包含砷化
ο晶片102可包含各種材料例如III/V族材料或由各種材料例如III/V族材料制 成，并可摻雜有其他元素。在一個實施方案中，晶片106包含砷化鎵或其衍生物。砷化鎵晶 片具有約5. 73X IO-6oC 1的熱膨脹系數(shù)。在不同的實施方案中，支撐柄108包含具有較高 的熱膨脹系數(shù)的材料(例如，蠟或聚合物)。支撐柄108可為單層材料或多層。在不同的實施方案中，支撐柄108可為壓平的預(yù) 先彎曲的支撐柄，其通過壓平彎曲的支撐材料而形成。在另一實施方案中，支撐柄108可包 含可收縮材料，例如熱縮塑料。在一個可選的實施方案中，支撐柄108可包含可收縮材料， 其具有補強纖維，補強纖維單向延伸貫穿可收縮材料。在另一實施方案中，支撐柄108可包 含蠟?zāi)?，其具有在整個基底100上變化或非均勻的厚度。在另一實施方案中，支撐柄108可 為多層柄。預(yù)先彎曲的柄圖2Α至2D示出如此處的一個實施方案所述的在ELO工藝的不同方面期間或在 ELO薄膜堆棧內(nèi)部的預(yù)先彎曲的支撐材料或柄。圖2Α示出預(yù)先彎曲的支撐材料，例如預(yù)先 彎曲的支撐柄202。預(yù)先彎曲的支撐柄202包含頂表面211和底表面213。在一個實施方案 中，預(yù)先彎曲的支撐柄202可在黏合或附接至基底200例如外延材料204之前被壓平或弄 直?？蛇x地，預(yù)先彎曲的支撐柄202可在黏合或附接至基底200的同時被壓平或弄直。一 旦被壓平或弄直，預(yù)先彎曲的支撐柄202就承受張力，這用于在黏合或附接至基底200時產(chǎn) 生對下方的層(例如，外延材料204)的壓縮。圖2Β示出基底200，其包含配置在晶片208之上或上方的ELO薄膜堆棧250，如此 處的一個實施方案中所述的。ELO薄膜堆棧250可具有犧牲層206，其配置在晶片208之 上或上方；外延材料204，其配置在犧牲層206之上或上方；及預(yù)先彎曲的支撐柄202，其配 置在外延材料204之上或上方。在蝕刻工藝期間，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄202朝頂表面 211彎曲，如圖2C所示的。預(yù)先彎曲的支撐柄202可具有在從約IOcm至約IOOcm的范圍內(nèi) 的曲率半徑。在一些實施方案中，預(yù)先彎曲的支撐柄202包含多層，例如，第一蠟層和配置在第 一層之上或上方的第二聚合物層。舉例來說，第二層可包含聚對苯二甲酸乙二酯聚酯，例如 MYLAR 聚合物膜。在其他實例中，預(yù)先彎曲的支撐柄202包含至少三層。第三層可配置 在第二層之上或上方。在一些實例中，第三層包含另一聚合物(例如，聚乙烯或其衍生物) 或蠟，其配置在第二層之上或上方。圖2B示出基底200，其包含壓平后的預(yù)先彎曲的支撐柄202。壓平的預(yù)先彎曲的 支撐柄202可配置在外延材料204之上或上方，外延材料204可配置在犧牲層206之上或 上方。犧牲層206可配置在晶片208之上或上方。
在一些實施方案中，粘合劑(未顯示)可配置在預(yù)先彎曲的支撐柄202和外延材 料204之間。粘合劑可為壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、紫外線(UV)固化粘合劑、天然粘合劑、 合成粘合劑、其衍生物或其組合。在一些實施方案中，犧牲層206可包含砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。在一 個實例中，犧牲層206包含砷化鋁層。犧牲層206可具有約20nm或更小的厚度，優(yōu)選地在 從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)的厚度，以及更優(yōu)選地從約4nm至約6nm的厚度。晶片208可 為晶片或基底，且通常包含砷化鎵、砷化鎵合金或其他衍生物，并可為η摻雜或P摻雜。在 一個實例中，晶片208包含η摻雜的砷化鎵材料。在另一實例中，晶片208包含ρ摻雜的砷 化鎵材料。在一些實施方案中，外延材料204可包含砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其 衍生物或其組合。外延材料204可包含一層，但通常包含多層。在一些實例中，外延材料 204包含具有砷化鎵的一層及具有砷化鋁鎵的另一層。在另一實例中，外延材料204包含砷 化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約300nm ； 砷化鋁鎵鈍化層可具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約30nm ；且砷化鎵活 性層可具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約lOOOnm。在一些實例中，外 延材料204進一步包含第二砷化鋁鎵鈍化層。第二砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約 500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約300nm。在此處的其他實施方案中，外延材料204可具有晶胞結(jié)構(gòu)，其包含多層。晶胞結(jié)構(gòu) 可包含砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、 磷化銦鎵、其合金、其衍生物或其組合。如此處的實施方案所述，圖2C示出在ELO蝕刻工藝期間，形成蝕刻裂縫210，同時 蝕去犧牲層206，并從晶片208剝離預(yù)先彎曲的支撐柄202和外延材料。圖2D示出在從晶 片208移除后的預(yù)先彎曲的支撐柄202和外延材料204。壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄202承 受張力，而外延材料204受到壓縮。在用于形成薄膜材料的方法的一個實施方案中，犧牲層206可配置在基底200例 如晶片208之上或上方；外延材料204配置在犧牲層206之上或上方；以及壓平的預(yù)先彎曲 的支撐材料或柄可配置在外延材料204之上或上方。壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料或柄可包 含單層或多層。壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料或柄可包含蠟、聚乙烯、聚酯、聚烯烴、聚對苯二 甲酸乙二酯聚酯、橡膠、其衍生物或其組合。在一些實例中，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄202 包含蠟。在其他實例中，壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄202包含聚對苯二甲酸乙二酯聚酯或其 衍生物，例如MYLAR ,膜。在其他實例中，預(yù)先彎曲的支撐柄202包含聚烯烴或其衍生物。在另一實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括在配 置于基底200例如晶片208上的犧牲層206之上或上方形成外延材料204。該方法進一 步提供將壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料例如預(yù)先彎曲的支撐柄202黏合或附接至外延材料 204之上或上方，其中壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄202通過壓平彎曲的支撐材料而形成，且壓 平的預(yù)先彎曲的支撐柄202承受張力，而外延材料204受到壓縮；在蝕刻工藝期間移除犧牲 層206 ；及從基底剝離外延材料204，同時在其間形成蝕刻裂縫；及使壓平的預(yù)先彎曲的支 撐柄202彎曲，以具有相當大的曲率。
在一些實施方案中，犧牲層206可在ELO蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶液。在一 些實例中，濕蝕刻溶液包含氫氟酸，并可包含表面活性劑和/或緩沖劑。犧牲層206可以按 約0. 3毫米/小時或更大的速度被蝕刻，優(yōu)選地是約1毫米/小時或更大，且更優(yōu)選地是約 5毫米/小時或更大。在一個可選的實施方案中，犧牲層206可在ELO蝕刻工藝期間暴露于電化學蝕刻。 電化學蝕刻可為偏壓工藝(biased process)或電鍍工藝(galvanic process)。同樣地，在 此處所述的另一實施方案中，犧牲層206可在ELO蝕刻工藝期間暴露于蒸汽相蝕刻。蒸汽 相蝕刻包括將犧牲層206暴露于氟化氫蒸汽。ELO蝕刻工藝可為光化學蝕刻、熱增強蝕刻、 等離子體增強蝕刻、應(yīng)力增強蝕刻、其衍生物或其組合。誘發(fā)收縮柄(普通收縮)圖3A至3D示出如此處的一些實施方案所述的在ELO工藝的不同方面期間或在 ELO薄膜堆棧內(nèi)部的普通可收縮支撐材料或柄。圖3A示出基底300，其包含配置在晶片308 之上或上方的ELO薄膜堆棧350，如此處的一個實施方案中所述的。ELO薄膜堆棧350可包 含犧牲層306，其配置在晶片308之上或上方；外延材料304，其配置在犧牲層306之上或 上方；及普通可收縮支撐柄302，其配置在外延材料304之上或上方。圖:3B示出力/應(yīng)力 320在施加至普通可收縮支撐柄302時提供在整個基底300的平面上的普通收縮322?？墒湛s支撐柄302包含普通可收縮材料，例如蠟、聚乙烯、聚酯、聚烯烴、聚對苯二 甲酸乙二酯聚酯、橡膠、其衍生物或其組合。在一個實例中，可收縮支撐柄302包含蠟。在 一些實例中，可收縮支撐柄302包含聚對苯二甲酸乙二酯聚酯或其衍生物，例如MYLAR , 膜。在其他實例中，可收縮支撐柄302包含聚烯烴或其衍生物。在其他實例中，可收縮支 撐柄302包含第一層，其具有蠟；及第二層，其具有聚合物(例如，聚對苯二甲酸乙二酯聚 酯)，并配置在第一層上方。普通可收縮支撐柄302可包含三層或更多層。舉例來說，可收縮支撐柄302還可 具有第三層，其包含蠟或聚合物，并配置在第二層上方。第三層可包含聚乙烯或其衍生物?？墒湛s支撐柄302包含底表面和頂表面，且底表面黏合至外延材料304或位于外 延材料304之上。在蝕刻工藝期間，可收縮支撐柄302朝頂表面彎曲。在另一實施方案中， 普通可收縮材料包含無定形材料，且在收縮工藝期間，無定形材料可結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮 小。普通可收縮材料可包含至少一種塑料、橡膠、聚合物、低聚物、其衍生物或其組合。在一 個特定實例中，普通可收縮材料包含聚酯或其衍生物。在其他實例中，可使用熱縮粘合帶作 為普通可收縮支撐柄302。在其他實施方案中，可收縮支撐柄302可在收縮工藝期間被加熱?？墒湛s支撐柄 302可包含熱縮塑料或聚合物?？蛇x地，可收縮支撐柄302可通過從可收縮材料移除溶劑而 收縮。可收縮支撐柄302可彎曲，以具有在從約IOcm至約IOOcm的范圍內(nèi)的曲率半徑。在一些實施方案中，粘合劑(未顯示)可配置在普通可收縮支撐柄302和外延材 料304之間。粘合劑可為壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、紫外線(UV)固化粘合劑、天然粘合劑、 合成粘合劑、其衍生物或其組合。在一些實例中，可使用在一側(cè)上包含粘合劑的熱縮帶作為 可收縮支撐柄302。在一些實施方案中，外延材料304可包含砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其 衍生物或其組合。外延材料304可包含一層，但通常包含多層。在一些實例中，外延材料304包含具有砷化鎵的一層；及具有砷化鋁鎵的另一層。在另一實例中，外延材料304包含 砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約300nm ； 砷化鋁鎵鈍化層可具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約30nm ；且砷化鎵活 性層可具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約lOOOnm。在一些實例中，外 延材料304進一步包含第二砷化鋁鎵鈍化層。第二砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約 500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約300nm。在此處的其他實施方案中，外延材料304可具有晶胞結(jié)構(gòu)，其包含多層。晶胞結(jié)構(gòu) 可包含砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、 磷化銦鎵、其合金、其衍生物或其組合。在另一實施方案中，犧牲層306可包含砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。在一 個實例中，犧牲層306包含砷化鋁層。犧牲層306可具有約20nm或更小的厚度，優(yōu)選地在 從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)的厚度，更優(yōu)選地從約4nm至約6nm的厚度。晶片308可為晶 片或基底，且通常包含砷化鎵、砷化鎵合金或其他衍生物，并可為η摻雜或P摻雜。在一個 實例中，晶片308包含η摻雜的砷化鎵材料。在另一實例中，晶片308包含ρ摻雜的砷化鎵 材料。圖3C示出形成蝕刻裂縫310，同時蝕去犧牲層306，并從晶片308剝離可收縮支撐 柄302和外延材料304。圖3D示出從晶片308移除后的可收縮支撐柄302和外延材料304。在用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法的一個實施方案中，外延材料304可 形成或沉積在犧牲層306上方，犧牲層306配置在基底300例如晶片308之上或上方；及將 可收縮支撐柄302黏合至外延材料304之上或上方?？墒湛s支撐柄302包含普通可收縮材 料。該方法進一步提供在收縮工藝期間收縮或減小可收縮支撐柄302的尺寸，以形成可收 縮支撐柄302中的張力和外延材料304中的壓縮；在蝕刻工藝期間移除犧牲層306 ；及從基 底剝離外延材料304，同時在其間形成蝕刻裂縫310 ；及使可收縮支撐柄302彎曲，以具有相 當大的曲率。可收縮支撐柄302可包含一層或多層。在另一實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括定位 基底300，其包含配置于犧牲層306之上或上方的外延材料304，犧牲層306配置在晶片308 之上或上方；及將可收縮支撐柄302黏合至外延材料304之上?？墒湛s支撐柄302包含普 通可收縮材料。該方法進一步提供在收縮工藝期間收縮或減小可收縮支撐柄302的尺寸， 以形成可收縮支撐柄302中的張力和外延材料304中的壓縮；及在蝕刻工藝期間移除犧牲 層306。該方法進一步規(guī)定蝕刻工藝進一步包括從基底剝離外延材料304 ；在外延材料 304和基底之間形成蝕刻裂縫310 ；及使可收縮支撐柄302彎曲，以具有相當大的曲率。在其他實施方案中，提供薄膜堆棧材料，其包含犧牲層306，其配置在基底之上； 外延材料304，其配置在犧牲層306上方；及可收縮支撐柄302，其配置在外延材料304上 方?？墒湛s支撐柄302包含普通可收縮材料，其在收縮時形成可收縮支撐柄302中的張力 和外延材料304中的壓縮。在一個實例中，可收縮材料包含無定形材料。在收縮工藝期間， 無定形材料可結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮小?？墒湛s材料可包含至少一種塑料、聚合物、低聚物、 其衍生物或其組合。在一些實例中，可收縮支撐柄302包含熱縮塑料或聚合物。在一些實施方案中，犧牲層306可在蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶液。濕蝕刻溶液包含氫氟酸，并可包含表面活性劑和/或緩沖劑。在一些實例中，犧牲層306可以按約 0. 3毫米/小時或更大的速度被蝕刻，優(yōu)選地是約1毫米/小時或更大，且更優(yōu)選地是約5 毫米/小時或更大。在一個可選實施方案中，犧牲層306可在蝕刻工藝期間暴露于電化學蝕刻。電化 學蝕刻可為偏壓工藝或電鍍工藝。同樣地，在此處所述的另一實施方案中，犧牲層306可在 蝕刻工藝期間暴露于蒸汽相蝕刻。蒸汽相蝕刻包括將犧牲層306暴露于氟化氫蒸汽。蝕刻 工藝可為光化學蝕刻、熱增強蝕刻、等離子體增強蝕刻、應(yīng)力增強蝕刻、其衍生物或其組合。誘發(fā)收縮柄(單向收縮)圖4A至4D示出如此處的一個實施方案中所述的在ELO工藝的不同方面期間或在 ELO薄膜堆棧內(nèi)部的單向可收縮支撐材料或柄。圖4A示出基底400，其包含配置在晶片408 之上或上方的ELO薄膜堆棧450，如此處的一個實施方案中所述的。ELO薄膜堆棧450可具 有犧牲層406，其配置在晶片408之上或上方；外延材料404，其配置在犧牲層406之上或上 方；及單向可收縮支撐柄402，其配置在外延材料404之上或上方。單向可收縮支撐柄402包含可收縮材料和補強纖維，補強纖維單向延伸貫穿可收 縮材料，其在收縮時正切于補強纖維而收縮，以形成可收縮支撐柄402中的張力和外延材 料404中的壓縮。圖4B示出力/應(yīng)力420在施加至可收縮支撐柄402時提供在整個基底 400的平面上的單向收縮422?？墒湛s支撐柄402包含底表面和頂表面，且底表面黏合至外延材料404或位于外 延材料404之上。在蝕刻工藝期間，可收縮支撐柄402可朝頂表面彎曲。在一個實例中，單 向可收縮材料包含無定形材料，在單向收縮工藝期間，無定形材料可結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮 小。在另一實例中，單向可收縮材料可包含塑料、聚合物、低聚物、其衍生物或其組合。在一 個實例中，單向可收縮材料包含聚酯或其衍生物。補強纖維可為高強度聚合物纖維。補強纖維可包含聚乙烯或其衍生物。在一些實 例中，補強纖維沿著纖維長度包含負的線性熱膨脹系數(shù)。一般說來，補強纖維具有在從約 15GPa至約134GPa的范圍內(nèi)的拉伸模量。在一些實例中，單向可收縮支撐柄402可在收縮工藝期間被加熱?？墒湛s支撐柄 402可包含熱縮聚合物和高強度聚合物纖維。在其他實例中，可收縮支撐柄402通過從可收 縮材料移除溶劑而收縮。可收縮支撐柄402可彎曲，以具有在從約IOcm至約IOOcm的范圍 內(nèi)的曲率半徑。在一些實施方案中，粘合劑(未顯示)可配置在單向可收縮支撐柄402和外延材 料404之間。粘合劑可為壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、紫外線(UV)固化粘合劑、天然粘合劑、 合成粘合劑、其衍生物或其組合。在此處的一些實施方案中，外延材料404可包含砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其 合金、其衍生物或其組合。外延材料404可包含一層，但通常包含多層。在一些實例中，外 延材料404包含具有砷化鎵的一層及具有砷化鋁鎵的另一層。在另一實例中，外延材料404 包含砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約400nm ； 砷化鋁鎵鈍化層可具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約30nm ；且砷化鎵活 性層可具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約lOOOnm。在一些實例中，外延材料404進一步包含第二砷化鋁鎵鈍化層。第二砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約 500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約400nm。在此處的其他實施方案中，外延材料404可具有晶胞結(jié)構(gòu)，其包含多層。晶胞結(jié)構(gòu) 可包含砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、 磷化銦鎵、其合金、其衍生物或其組合。在另一實施方案中，犧牲層406可包含砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。在一 個實例中，犧牲層406包含砷化鋁層。犧牲層406可具有約20nm或更小的厚度，優(yōu)選地在 從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)的厚度，且更優(yōu)選地從約4nm至約6nm的厚度。晶片408可為 晶片或基底，且通常包含砷化鎵、砷化鎵合金或其他衍生物，并可為η摻雜或P摻雜。在一 個實例中，晶片408包含η摻雜的砷化鎵材料。在另一實例中，晶片408包含ρ摻雜的砷化 鎵材料。圖4C示出形成蝕刻裂縫410，同時蝕去犧牲層406，并從晶片408剝離可收縮支撐 柄402和外延材料404。圖4D示出從晶片408移除后的可收縮支撐柄402和外延材料404。在另一實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括在基 底400上的犧牲層406上方形成外延材料404 ；將可收縮支撐柄402黏合至外延材料404之 上，其中可收縮支撐柄402包含單向可收縮材料和補強纖維，補強纖維單向延伸貫穿可收 縮材料；及在收縮工藝期間，收縮或減小正切于補強纖維的可收縮支撐柄402，以形成可收 縮支撐柄402中的張力和外延材料404中的壓縮。該方法進一步包括在蝕刻工藝期間移 除犧牲層406 ；從基底剝離外延材料404，同時在其間形成蝕刻裂縫；及使單向可收縮支撐 柄402彎曲，以具有相當大的曲率。在一個實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括在犧 牲層406之上或上方沉積外延材料404，犧牲層406配置在基底400的晶片408之上；及將 可收縮支撐柄402黏合至外延材料404之上。可收縮支撐柄402包含單向可收縮材料和補 強纖維，補強纖維單向延伸貫穿可收縮材料。該方法進一步提供在收縮工藝期間收縮或減 小正切于補強纖維的可收縮支撐柄402，以形成可收縮支撐柄402中的張力和外延材料404 中的壓縮；及在蝕刻工藝期間移除犧牲層406。蝕刻工藝包括從基底剝離外延材料404 ； 在外延材料404和基底之間形成蝕刻裂縫；及使單向可收縮支撐柄402彎曲，以具有相當大 的曲率。在一些實施方案中，犧牲層406可在蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶液。濕蝕刻溶 液包含氫氟酸，并可包含表面活性劑和/或緩沖劑。在一些實例中，犧牲層406可以按約 0. 3毫米/小時或更大的速度被蝕刻，優(yōu)選地是約1毫米/小時或更大，且更優(yōu)選地是約5 毫米/小時或更大。在一個可選實施方案中，犧牲層406可在蝕刻工藝期間暴露于電化學蝕刻。電化 學蝕刻可為偏壓工藝或電鍍工藝。同樣地，在此處所述的另一實施方案中，犧牲層406可在 蝕刻工藝期間暴露于蒸汽相蝕刻。蒸汽相蝕刻包括將犧牲層406暴露于氟化氫蒸汽。蝕刻 工藝可為光化學蝕刻、熱增強蝕刻、等離子體增強蝕刻、應(yīng)力增強蝕刻、其衍生物或其組合。非均勻蠟柄圖5Α至5Β示出基底500，其包含配置在晶片508之上或上方的ELO薄膜堆棧550， 如此處的一個實施方案中所述的。ELO薄膜堆棧550可具有犧牲層506，其配置在晶片508之上或上方；外延材料504，其配置在犧牲層506之上或上方；及非均勻支撐柄502，其配置 在外延材料504之上或上方。在一個實施方案中，非均勻支撐柄502包含具有變化厚度的 蠟?zāi)ぃ缭诖颂幍囊恍嵤┓桨钢兴龅?。在一個實例中，非均勻支撐柄502的變化厚度在 非均勻支撐柄502的中央510a中或附近最厚，如圖5A所示出的。在另一實例中，非均勻支 撐柄502的變化厚度在非均勻支撐柄502的中央510b中或附近最薄，如圖5B所示出的。在另一實施方案中，ELO薄膜堆棧550包含犧牲層506，其配置在基底之上；外延 材料504，其配置在犧牲層506上方；及非均勻支撐柄502，其配置在外延材料504上方，其 中非均勻支撐柄502包含蠟?zāi)?，其具有變化厚度或非均勻厚度。在其他實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括在基 底上的犧牲層506上方形成外延材料504 ；將非均勻支撐柄502黏合至外延材料504之上， 其中非均勻支撐柄502包含具有變化厚度的蠟?zāi)?；在蝕刻工藝期間移除犧牲層506 ；及從基 底剝離外延材料504，同時在其間形成蝕刻裂縫；及在蝕刻工藝期間使非均勻支撐柄502彎 曲，以形成外延材料504中的壓縮。在另一實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括定位 基底，其包含配置在基底上的犧牲層506上方的外延材料504 ；將非均勻支撐柄502黏合至 外延材料504之上，其中非均勻支撐柄502包含具有變化厚度的蠟?zāi)?；及在蝕刻工藝期間移 除犧牲層506，其中蝕刻工藝進一步包括從基底剝離外延材料504 ；在外延材料504和基底 之間形成蝕刻裂縫；及在蝕刻工藝期間使非均勻支撐柄502彎曲，以形成外延材料504中的 壓縮。在一些實施方案中，非均勻支撐柄502包含蠟?zāi)さ牡妆砻婧腿嵝詷?gòu)件的頂表面， 且底表面黏合至外延材料504。非均勻支撐柄502可朝頂表面彎曲。非均勻支撐柄502可彎 曲，以具有在從約IOcm至約IOOcm的范圍內(nèi)的曲率半徑。柔性構(gòu)件可包含塑料、聚合物、低 聚物、其衍生物或其組合，例如，聚酯或聚酯衍生物。柔性構(gòu)件可具有在從約50. 8 μ m(約20 錠距(gauge))至約127. 0 μ m(約500錠距)的范圍內(nèi)的薄膜厚度，優(yōu)選地是約23. 4 μ m(約 92錠距)。在其他實例中，蠟?zāi)ぐ灒渚哂性趶募s65°C至約95°C的范圍內(nèi)的軟化點溫 度，優(yōu)選地是從約80°C至約90°C的溫度，例如約85°C。在一個實例中，蠟?zāi)さ淖兓穸仍?蠟?zāi)ぶ醒胫谢蚋浇詈?圖5A)，或在蠟?zāi)ぶ醒胫谢蚋浇畋?圖5B)。在不同的實施方 案中，蠟?zāi)さ淖兓穸瓤稍趶募s1 μ m至約100 μ m的范圍內(nèi)。在一個實施方案中，蠟?zāi)ぞ哂?最薄的段，其具有在從約1 μ m至約25 μ m的范圍內(nèi)的厚度，并具有最厚的段，其具有在從約 25 μ m至約100 μ m的范圍內(nèi)的厚度。在此處的一些實施方案中，外延材料504可包含砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其 合金、其衍生物或其組合。外延材料504可包含一層，但通常包含多層。在一些實例中，外 延材料504包含具有砷化鎵的一層及具有砷化鋁鎵的另一層。在另一實例中，外延材料504 包含砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約500nm ； 砷化鋁鎵鈍化層可具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約30nm ；且砷化鎵活 性層可具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約lOOOnm。在一些實例中，外 延材料504進一步包含第二砷化鋁鎵鈍化層。第二砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約500nm。在此處的其他實施方案中，外延材料504可具有晶胞結(jié)構(gòu)，其包含多層。晶胞結(jié)構(gòu) 可包含砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、 磷化銦鎵、其合金、其衍生物或其組合。在另一實施方案中，犧牲層506可包含砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。在一 個實例中，犧牲層506包含砷化鋁層。犧牲層506可具有約20nm或更小的厚度，優(yōu)選地在 從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)的厚度，且更優(yōu)選地從約4nm至約6nm的厚度。晶片508可為 晶片或基底，且通常包含砷化鎵、砷化鎵合金或其他衍生物，并可為η摻雜或P摻雜。在一 個實例中，晶片508包含η摻雜的砷化鎵材料。在另一實例中，晶片508包含ρ摻雜的砷化 鎵材料。在一些實施方案中，犧牲層506可在蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶液。濕蝕刻溶 液包含氫氟酸，并可包含表面活性劑和/或緩沖劑。在一些實例中，犧牲層506可以按約 0. 3毫米/小時或更大的速度被蝕刻，優(yōu)選地是約1毫米/小時或更大，且更優(yōu)選地是約5 毫米/小時或更大。在一個可選實施方案中，犧牲層506可在蝕刻工藝期間暴露于電化學蝕刻。電化 學蝕刻可為偏壓工藝或電鍍工藝。同樣地，在此處所述的另一實施方案中，犧牲層506可在 蝕刻工藝期間暴露于蒸汽相蝕刻。蒸汽相蝕刻包括將犧牲層506暴露于氟化氫蒸汽。蝕刻 工藝可為光化學蝕刻、熱增強蝕刻、等離子體增強蝕刻、應(yīng)力增強蝕刻、其衍生物或其組合。多層支撐柄本發(fā)明的實施方案通常涉及ELO薄膜材料和器件，以及用來形成這類材料和器件 的方法。在一個實施方案中，提供用于在ELO工藝期間形成薄膜材料的方法，其包括在基 底上的犧牲層上方沉積或以其他方式形成外延材料；將支撐柄黏合至外延材料之上；在蝕 刻工藝期間移除犧牲層；以及在蝕刻工藝期間，從基底剝離外延材料，同時在其間形成蝕刻 裂縫，同時維持外延材料中的壓縮。該方法進一步規(guī)定支撐柄包含硬性支撐層，其黏合 至外延材料；軟性支撐層，其黏合至硬性支撐層；及柄板，其黏合至軟性支撐層。如圖6Α所示出的，在一個實施方案中，提供ELO薄膜堆棧600Α，其包含犧牲層 620，其配置在基底例如晶片610之上或上方；外延材料630，其配置在犧牲層620之上或上 方；及多層支撐柄670，其配置在外延材料630之上或上方。在一個實例中，多層支撐柄670 包含硬性支撐層640，其配置在外延材料630上方；軟性支撐層650，其配置在硬性支撐層 640上方；及柄板660，其配置在軟性支撐層650上方。多層支撐柄670配置在外延材料630 之上并維持其壓縮。在一些實例中，硬性支撐層640可包含聚合物、共聚物、低聚物、其衍生物或其組 合。在一個實施方案中，硬性支撐層640包含共聚物。在一個實例中，共聚物可為乙烯/乙 酸乙烯酯(EVA)共聚物或其衍生物。用作硬性支撐層640的EVA共聚物為晶片夾緊(WAFER GRIP)粘膜，其在商業(yè)上可從位于Santa Rosa，CA的Dynatex International購得。在其他 實例中，硬性支撐層640可包含熱熔性粘合劑、有機材料或有機涂層、無機材料或其組合。在一個實施方案中，硬性支撐層640包含無機材料，其具有多個無機層，例如金屬 層、介電層或其組合。在另一實例中，硬性支撐層640可包含復(fù)合材料或圖案化復(fù)合材料， 例如有機/無機材料。復(fù)合材料可包含至少一種有機材料和至少一種無機材料。在一些實例中，無機材料可包含金屬層、介電層或其組合。復(fù)合材料可用于優(yōu)化器件性能，例如，增加 反射率、電導率和/或產(chǎn)量。在另一實施方案中，硬性支撐層640可包含蠟或其衍生物，例 如黑蠟。在另一實施方案中，軟性支撐層650可包含彈性體，例如橡膠、泡沫或其衍生物。 可選地，軟性支撐層650可包含材料，例如氯丁橡膠、膠乳或其衍生物。軟性支撐層650可 包含單體。舉例來說，軟性支撐層650可包含乙烯丙烯二烯單體或其衍生物。在另一實施方案中，軟性支撐層650可包含液體或流體，其包含在膜內(nèi)部?？蛇x 地，軟性支撐層650可包含氣體，其包含在膜內(nèi)部。膜可包含材料，例如橡膠、泡沫、氯丁橡 膠、膠乳或其衍生物。在一個實例中，膜為橡膠或膠乳氣球。在另一實施方案中，柄板660可包含材料，例如塑料、聚合物、低聚物、其衍生物或 其組合。在一個實例中，柄板660可包含聚酯或其衍生物。柄板660可具有在從約50. 8 μ m 至約127. 0 μ m的范圍內(nèi)的厚度，例如，約23. 4 μ m。在一個實施方案中，該方法進一步包括移除犧牲層620，以分隔外延材料630與基 底，例如晶片610，如圖6A所示出的；及隨后通過在其間使用粘合劑接合以形成粘合層690 而將外延材料630黏合或附接至支撐基底680，如圖6B所示的。支撐基底680可以使用粘 合劑接合至外延材料630的暴露表面。在一個實例中，粘合層690可由光學粘合劑和/或 紫外線固化型粘合劑形成或包含光學粘合劑和/或紫外線固化型粘合劑，例如，在商業(yè)上 可購得的Norland紫外線固化型光學粘合劑。在一些實例中，粘合劑可包含巰基酯化合物。 在其他實例中，粘合劑可進一步包含材料，例如鄰苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、 丙烯酸酯單體、其衍生物或其組合。如圖6B所示的，在一個實例中，提供ELO薄膜堆棧600B，其包含支撐基底680，其 配置在外延材料630的第一表面上方；及多層支撐柄670，其配置在外延材料630的另一表 面上方。粘合層690可配置在外延材料630和支撐基底680之間。多層支撐柄670包含 硬性支撐層640，其配置在外延材料630上方；軟性支撐層650，其配置在硬性支撐層640上 方；及柄板660，其配置在軟性支撐層640上方。在一個實例中，粘合層690可由粘合劑形成，粘合劑已在固化工藝期間暴露于紫 外線輻射。一般說來，粘合劑可在一段時間內(nèi)暴露于紫外線輻射，這段時間在從約1分鐘至 約10分鐘的范圍內(nèi)，優(yōu)選地從約3分鐘至約7分鐘，例如約5分鐘。粘合劑可在從約25°C 至約75°C的范圍內(nèi)例如約50°C的溫度下固化。在其他實例中，粘合層690的粘合劑可為有機硅粘合劑，或可包含硅酸鈉。在這些 實例中，粘合劑可在一段時間內(nèi)固化，這段時間在從約10小時至約100小時的范圍內(nèi)，優(yōu)選 地從約20小時至約60小時，且更優(yōu)選地從約30小時至約50小時，例如約42小時。粘合劑 可在從約25°C至約75°C的范圍內(nèi)例如約50°C的溫度下固化。粘合劑也可在從約Ipsi (每 平方英寸磅)至約50psi的范圍內(nèi)的壓力下固化，優(yōu)選地是從約3psi至約25psi，且更優(yōu)選 地從約5psi至約15psi。在一個實例中，壓力可為約9psi。犧牲層620可暴露于蝕刻工藝，以從基底移除外延材料630。在一些實施方案中， 犧牲層620可在蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶液。濕蝕刻溶液包含氫氟酸，并可包含表面 活性劑和/或緩沖劑。在一些實例中，犧牲層620可以按約0. 3毫米/小時或更大的速度 被蝕刻，優(yōu)選地是約1毫米/小時或更大，且更優(yōu)選地是約5毫米/小時或更大。在一個可選實施方案中，犧牲層620可在蝕刻工藝期間暴露于電化學蝕刻。電化學蝕刻可為偏壓工 藝或電鍍工藝。同樣地，在此處所述的另一實施方案中，犧牲層620可在蝕刻工藝期間暴露 于蒸汽相蝕刻。蒸汽相蝕刻包括將犧牲層620暴露于氟化氫蒸汽。蝕刻工藝可為光化學蝕 刻、熱增強蝕刻、等離子體增強蝕刻、應(yīng)力增強蝕刻、其衍生物或其組合。在此處的實施方案中，外延材料630可包含砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、 其衍生物或其組合。外延材料630可具有矩形幾何形狀、正方形幾何形狀或其他幾何形狀。 外延材料630可包含一層，但通常包含多層。在一些實例中，外延材料630包含具有砷化鎵 的一層及具有砷化鋁鎵的另一層。在另一實例中，外延材料630包含砷化鎵緩沖層、砷化鋁 鎵鈍化層和砷化鎵活性層。砷化鎵緩沖層可具有在從約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)的厚 度，例如，約300nm ；砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約 30nm ；且砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度，例如，約lOOOnm。在 一些實例中，外延材料630進一步包含第二砷化鋁鎵鈍化層。在此處的其他實施方案中，外延材料630可包含晶胞結(jié)構(gòu)，其包含多層。晶胞結(jié)構(gòu) 可包含砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、 磷化銦鎵、其合金、其衍生物或其組合。在許多實例中，砷化鎵為η摻雜或P摻雜。在一些實施方案中，犧牲層620可包含砷化鋁、其合金、其衍生物或其組合。在一 個實例中，犧牲層620包含砷化鋁層，并具有約20nm或更小的厚度，優(yōu)選地在從約Inm至約 IOnm的范圍內(nèi)的厚度，且更優(yōu)選地從約4nm至約6nm的厚度?；桌缇?10和/或支 撐基底680通常包含砷化鎵或其衍生物，并可為η摻雜或ρ摻雜。雖然以上內(nèi)容涉及本發(fā)明的實施方案，但可設(shè)計本發(fā)明的其他和另外的實施方案 而不偏離本發(fā)明的基本范圍，且本發(fā)明范圍由所附權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
1.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 在基底上的犧牲層上方形成外延材料；將壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述壓平的預(yù)先彎曲的支 撐柄通過壓平彎曲的支撐材料而形成，且所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄承受張力，而所述 外延材料受到壓縮；在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層；以及從所述基底剝離所述外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫，以及使所述壓平的預(yù)先彎 曲的支撐柄彎曲，以具有相當大的曲率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述彎曲的支撐材料包括選自由下列項組成的組的 材料蠟、聚乙烯、聚酯、聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯聚酯、橡膠、其衍生物和其組合。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述彎曲的支撐材料包括聚對苯二甲酸乙二酯聚 酯、聚烯烴或其衍生物。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述彎曲的支撐材料包括包含蠟的第一層；及包含 聚合物并配置在所述第一層上方的第二層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第二層包括聚對苯二甲酸乙二酯聚酯或其衍生物。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述彎曲的支撐材料還包括包含蠟并配置在所述第 二層上方的第三層；或包括包含另一聚合物并配置在所述第二層上方的第三層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第三層包括聚乙烯或其衍生物。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄包括底表面和頂表 面，所述底表面黏合至所述外延材料，且所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄朝所述頂表面彎曲。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中粘合劑用來將所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄黏合至 所述外延材料之上，且所述粘合劑選自由下列項組成的組壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、UV 固化粘合劑、天然粘合劑、合成粘合劑、其衍生物和其組合。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶 液，所述濕蝕刻溶液包括氫氟酸、表面活性劑和緩沖劑。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述犧牲層以約5毫米/小時或更大的速度被蝕刻。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外延材料包括選自由下列項組成的組的材料 砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一層及包含砷化鋁鎵的另一層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化 層和砷化鎵活性層。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm至約500nm 的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度；且所 述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶胞結(jié)構(gòu)包含多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻 雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組I=I ο
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的組的材料砷 化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的厚度的砷化招層。
20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化鎵 或其衍生物。
21.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 定位基底，所述基底包括配置在所述基底上的犧牲層上方的外延材料；將壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述壓平的預(yù)先彎曲的支 撐柄通過壓平彎曲的支撐材料而形成，且所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄承受張力，而所述 外延材料受到壓縮；以及在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層，其中所述蝕刻工藝還包括 從所述基底剝離所述外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫；以及 使所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐柄彎曲，以具有相當大的曲率。
22.一種薄膜堆棧材料，包括 犧牲層，其配置在基底上；外延材料，其配置在所述犧牲層上方；以及壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料，其配置在所述外延材料上方，其中所述壓平的預(yù)先彎曲 的支撐材料承受張力，而所述外延材料受到壓縮。
23.如權(quán)利要求22所述的薄膜堆棧材料，其中所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料包括選 自由下列項組成的組的材料蠟、聚乙烯、聚酯、聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯聚酯、橡膠、其 衍生物和其組合。
24.如權(quán)利要求23所述的薄膜堆棧材料，其中所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料包括聚 對苯二甲酸乙二酯聚酯、聚烯烴或其衍生物。
25.如權(quán)利要求22所述的薄膜堆棧材料，其中所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料包括 包含蠟的第一層；及包含聚合物并配置在所述第一層上方的第二層。
26.如權(quán)利要求25所述的薄膜堆棧材料，其中所述第二層包括聚對苯二甲酸乙二酯聚
27.如權(quán)利要求25所述的薄膜堆棧材料，其中所述壓平的預(yù)先彎曲的支撐材料還包括 包含另一聚合物并配置在所述第二層上方的第三層。
28.如權(quán)利要求27所述的薄膜堆棧材料，其中所述第三層包括聚乙烯或其衍生物。
29.如權(quán)利要求22所述的薄膜堆棧材料，其中粘合劑配置在所述壓平的預(yù)先彎曲的支 撐材料和所述外延材料之間，且所述粘合劑選自由下列項組成的組壓敏粘合劑、熱熔性粘 合劑、UV固化粘合劑、天然粘合劑、合成粘合劑、其衍生物和其組合。
30.如權(quán)利要求四所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括選自由下列項組成的 組的材料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
31.如權(quán)利要求30所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一層 及包含砷化鋁鎵的另一層。
32.如權(quán)利要求30所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化 鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。
33.如權(quán)利要求32所述的薄膜堆棧材料，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm至 約500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚 度；且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
34.如權(quán)利要求32所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
35.如權(quán)利要求22所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶胞 結(jié)構(gòu)包括多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻雜 砷化鎵、P摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍 生物和其組合。
36.如權(quán)利要求22所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的組 的材料砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
37.如權(quán)利要求36所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的厚 度的砷化鋁層。
38.如權(quán)利要求37所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)。
39.如權(quán)利要求38所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約4nm至約6nm的范圍內(nèi)。
40.如權(quán)利要求22所述的薄膜堆棧材料，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ 摻雜砷化鎵或其衍生物。
41.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 在基底上的犧牲層上方形成外延材料；將支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述支撐柄包括可收縮材料； 在收縮工藝期間收縮所述支撐柄，以形成所述支撐柄中的張力和所述外延材料中的壓縮；在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層；以及從所述基底剝離所述外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫，并使所述支撐柄彎曲，以具 有相當大的曲率。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述支撐柄包括選自由下列項組成的組的材料 蠟、聚乙烯、聚酯、聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯聚酯、橡膠、其衍生物和其組合。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其中所述支撐柄包括聚對苯二甲酸乙二酯聚酯、聚烯 烴或其衍生物。
44.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述支撐柄包括包含蠟的第一層及包含聚合物 并配置在所述第一層上方的第二層。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，其中所述第二層包括聚對苯二甲酸乙二酯聚酯或其衍 生物。
46.如權(quán)利要求44所述的方法，其中所述支撐柄還包括包含蠟并配置在所述第二層上方的第三層；或所述支撐柄還包括包含另一聚合物并配置在所述第二層上方的第三層。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中所述第三層包括聚乙烯或其衍生物。
48.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述支撐柄包括底表面和頂表面，所述底表面黏 合至所述外延材料，且所述支撐柄朝所述頂表面彎曲。
49.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述可收縮材料包括無定形材料，且所述無定形 材料在所述收縮工藝期間結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮小。
50.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述可收縮材料包括選自由下列項組成的組的材 料塑料、橡膠、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
51.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述可收縮材料包括聚酯或其衍生物。
52.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述支撐柄包括熱縮聚合物，且所述支撐柄在所 述收縮工藝期間被加熱。
53.如權(quán)利要求41所述的方法，其中粘合劑用來將所述支撐柄黏合至所述外延材料之 上，且所述粘合劑選自由下列項組成的組壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、UV固化粘合劑、天 然粘合劑、合成粘合劑、其衍生物和其組合。
54.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶 液，所述濕蝕刻溶液包括氫氟酸、表面活性劑和緩沖劑。
55.如權(quán)利要求M所述的方法，其中所述犧牲層以約5毫米/小時或更大的速度被蝕刻。
56.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于氟化氫蒸汽。
57.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述外延材料包括選自由下列項組成的組的材 料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一層及包含砷化鋁鎵的另一層。
59.如權(quán)利要求57所述的方法，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化 層和砷化鎵活性層。
60.如權(quán)利要求59所述的方法，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm至約500nm 的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度；且所 述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
61.如權(quán)利要求59所述的方法，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
62.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括 多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ 摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其 組合。
63.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的組的材料 砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
64.如權(quán)利要求63所述的方法，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的厚度的砷化招層。
65.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化鎵或其衍生物。
66.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟定位基底，所述基底包括配置在所述基底上的犧牲層上方的外延材料；將支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述支撐柄包括可收縮材料；在收縮工藝期間收縮所述支撐柄，以形成所述支撐柄中的張力和所述外延材料中的壓 縮；以及在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層，其中所述蝕刻工藝還包括從所述基底剝離所述外延材料；在所述外延材料和所述基底之間形成蝕刻裂縫；以及使所述支撐柄彎曲，以具有相當大的曲率。
67.一種薄膜堆棧材料，包括犧牲層，其配置在基底上；外延材料，其配置在所述犧牲層上方；以及支撐柄，其配置在所述外延材料上方，其中所述支撐柄包括可收縮材料，所述可收縮材 料在收縮時形成所述支撐柄中的張力和所述外延材料中的壓縮。
68.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中所述可收縮材料包括無定形材料，所述 無定形材料在收縮工藝期間結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮小。
69.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中所述可收縮材料包括選自由下列項組成 的組的材料塑料、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
70.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中所述支撐柄包括熱縮聚合物。
71.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中粘合劑在所述支撐柄和所述外延材料之 間，且所述粘合劑選自由下列項組成的組壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、UV固化粘合劑、天 然粘合劑、合成粘合劑、其衍生物和其組合。
72.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括選自由下列項組成的 組的至少一種材料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
73.如權(quán)利要求72所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一層 及包含砷化鋁鎵的另一層。
74.如權(quán)利要求72所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化 鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。
75.如權(quán)利要求74所述的薄膜堆棧材料，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm至 約500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚 度；且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
76.如權(quán)利要求72所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
77.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶胞 結(jié)構(gòu)包括多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻雜 砷化鎵、P摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍 生物和其組合。
78.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的組的材料砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
79.如權(quán)利要求78所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的厚 度的砷化鋁層。
80.如權(quán)利要求79所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)。
81.如權(quán)利要求80所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約4nm至約6nm的范圍內(nèi)。
82.如權(quán)利要求67所述的薄膜堆棧材料，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ 摻雜砷化鎵或其衍生物。
83.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 在基底上的犧牲層上方形成外延材料；將支撐柄黏合至外延材料之上，其中所述支撐柄包括可收縮材料和補強纖維，所述補 強纖維單向延伸貫穿所述可收縮材料；在收縮工藝期間收縮正切于所述補強纖維的所述支撐柄，以形成所述支撐柄中的張力 和所述外延材料中的壓縮；在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層；以及從所述基底剝離所述外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫，并使所述支撐柄彎曲，以具 有相當大的曲率。
84.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述支撐柄包括底表面和頂表面，所述底表面黏 合至所述外延材料，且所述支撐柄朝所述頂表面彎曲。
85.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述可收縮材料包括無定形材料，所述無定形材 料在所述收縮工藝期間結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮小。
86.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述可收縮材料包括選自由下列項組成的組的材 料塑料、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
87.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述可收縮材料包括聚酯或其衍生物。
88.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述補強纖維為高強度聚合物纖維。
89.如權(quán)利要求88所述的方法，其中所述補強纖維包括聚乙烯或其衍生物。
90.如權(quán)利要求88所述的方法，其中所述補強纖維沿著纖維長度包括負的線性熱膨脹 系數(shù)。
91.如權(quán)利要求88所述的方法，其中所述補強纖維包括在從約15GPa至約134GPa的范 圍內(nèi)的拉伸模量。
92.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述支撐柄在所述收縮工藝期間被加熱，且所述 支撐柄包括熱縮聚合物和高強度聚合物纖維。
93.如權(quán)利要求83所述的方法，其中收縮所述支撐柄包括從所述可收縮材料移除溶劑。
94.如權(quán)利要求83所述的方法，其中粘合劑用來將所述支撐柄黏合至所述外延材料之 上，且所述粘合劑選自由下列項組成的組壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、UV固化粘合劑、天 然粘合劑、合成粘合劑、其衍生物和其組合。
95.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻溶 液，所述濕蝕刻溶液包括氫氟酸、表面活性劑和緩沖劑。
96.如權(quán)利要求95所述的方法，其中所述犧牲層以約5毫米/小時或更大的速度被蝕刻。
97.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于氟化氫蒸汽。
98.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述外延材料包括選自由下列項組成的組的材 料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
99.如權(quán)利要求98所述的方法，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一層及包含砷化鋁鎵的另一層。
100.如權(quán)利要求98所述的方法，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。
101.如權(quán)利要求100所述的方法，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm至約 500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度； 且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
102.如權(quán)利要求100所述的方法，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
103.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括 多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ 摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其 組合。
104.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的組的材料 砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
105.如權(quán)利要求104所述的方法，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的厚度的砷化鋁層。
106.如權(quán)利要求83所述的方法，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷化 鎵或其衍生物。
107.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 定位基底，所述基底包括配置在所述基底上的犧牲層上方的外延材料；將支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述支撐柄包括可收縮材料和補強纖維，所 述補強纖維單向延伸貫穿所述可收縮材料；在收縮工藝期間收縮正切于所述補強纖維的所述支撐柄，以形成所述支撐柄中的張力 和所述外延材料中的壓縮；及在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層，其中所述蝕刻工藝還包括 從所述基底剝離所述外延材料； 在所述外延材料和所述基底之間形成蝕刻裂縫；以及 使所述支撐柄彎曲，以具有相當大的曲率。
108.一種薄膜堆棧材料，包括 犧牲層，其配置在基底上；外延材料，其配置在所述犧牲層上方；以及支撐柄，其配置在所述外延材料上方，其中所述支撐柄包括可收縮材料和補強纖維，所 述補強纖維單向延伸貫穿所述可收縮材料，所述可收縮材料在收縮時正切于所述補強纖維而收縮，以形成所述支撐柄中的張力和所述外延材料中的壓縮。
109.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述可收縮材料包括無定形材料，所 述無定形材料在所述收縮工藝期間結(jié)晶，以經(jīng)歷凈體積縮小。
110.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述可收縮材料包括選自由下列項組 成的組的材料塑料、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
111.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述補強纖維為高強度聚合物纖維。
112.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述補強纖維包括聚乙烯。
113.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述補強纖維沿著纖維長度包括負的 線性熱膨脹系數(shù)。
114.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述補強纖維包括在從約15GI^至約 134GPa的范圍內(nèi)的拉伸模量。
115.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述支撐柄包括熱縮聚合物和高強度 聚合物纖維。
116.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中粘合劑在所述支撐柄和所述外延材料 之間，且所述粘合劑選自由下列項組成的組壓敏粘合劑、熱熔性粘合劑、UV固化粘合劑、 天然粘合劑、合成粘合劑、其衍生物和其組合。
117.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括選自由下列項組成 的組的材料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
118.如權(quán)利要求117所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一 層及包含砷化鋁鎵的另一層。
119.如權(quán)利要求117所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷 化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。
120.如權(quán)利要求119所述的薄膜堆棧材料，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm 至約500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的 厚度；且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
121.如權(quán)利要求119所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍 化層。
122.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶 胞結(jié)構(gòu)包括多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻 雜砷化鎵、P摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其 衍生物和其組合。
123.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的 組的材料砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
124.如權(quán)利要求123所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的 厚度的砷化鋁層。
125.如權(quán)利要求IM所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)。
126.如權(quán)利要求125所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約4nm至約6nm的范圍內(nèi)。
127.如權(quán)利要求108所述的薄膜堆棧材料，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、 P摻雜砷化鎵或其衍生物。
128.—種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 在基底上的犧牲層上方形成外延材料；將支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述支撐柄包括具有變化厚度的蠟?zāi)ぃ?在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層；以及在所述蝕刻工藝期間，從所述基底剝離所述外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫，并使 所述支撐柄彎曲，以形成所述外延材料中的壓縮。
129.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述支撐柄包括所述蠟?zāi)さ牡妆砻婧腿嵝詷?gòu)件 的頂表面，所述底表面黏合至所述外延材料，且所述支撐柄朝所述頂表面彎曲。
130.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述柔性構(gòu)件包括選自由下列項組成的組的材 料塑料、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
131.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述柔性構(gòu)件包括聚酯或其衍生物。
132.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述蠟?zāi)ぐㄏ?，所述蠟具有在從約65°C至約 95°C的范圍內(nèi)的軟化點溫度。
133.如權(quán)利要求132所述的方法，其中所述軟化點溫度在從約80°C至約90°C的范圍內(nèi)。
134.如權(quán)利要求132所述的方法，其中所述蠟?zāi)さ淖兓穸仍谒鱿災(zāi)ぶ醒胫谢蚋浇畋　?br> 135.如權(quán)利要求132所述的方法，其中所述蠟?zāi)さ淖兓穸仍谒鱿災(zāi)ぶ醒胫谢蚋浇詈瘛?br> 136.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻 溶液，所述濕蝕刻溶液包括氫氟酸、表面活性劑和緩沖劑。
137.如權(quán)利要求136所述的方法，其中所述犧牲層以約5毫米/小時或更大的速度被 蝕刻。
138.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于氟化氫蒸汽。
139.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述外延材料包括選自由下列項組成的組的材 料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
140.如權(quán)利要求139所述的方法，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一層及包含砷化鋁鎵的另一層。
141.如權(quán)利要求139所述的方法，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍 化層和砷化鎵活性層。
142.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm至約 500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度； 且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
143.如權(quán)利要求141所述的方法，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
144.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶胞結(jié)構(gòu)包 括多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻雜砷化鎵、P摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物 和其組合。
145.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的組的材 料砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
146.如權(quán)利要求145所述的方法，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的厚度的砷化鋁層。
147.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷 化鎵或其衍生物。
148.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 定位基底，所述基底包括配置在所述基底上的犧牲層上方的外延材料；將支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述支撐柄包括具有變化厚度的蠟?zāi)?；以及在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層，其中所述蝕刻工藝還包括從所述基底剝離所述外延材料；在所述外延材料和所述基底之間形成蝕刻裂縫；以及在所述蝕刻工藝期間，使所述支撐柄彎曲，以形成所述外延材料中的壓縮。
149.一種薄膜堆棧材料，包括 犧牲層，其配置在基底上；外延材料，其配置在所述犧牲層上方；以及支撐柄，其配置在所述外延材料上方，其中所述支撐柄包括具有變化厚度的蠟?zāi)ぁ?br> 150.如權(quán)利要求149所述的薄膜堆棧材料，其中所述支撐柄包括所述蠟?zāi)さ牡妆砻婧?柔性構(gòu)件的頂表面，且所述底表面黏合至所述外延材料。
151.如權(quán)利要求150所述的薄膜堆棧材料，其中所述柔性構(gòu)件包括選自由下列項組成 的組的材料塑料、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
152.如權(quán)利要求150所述的薄膜堆棧材料，其中所述柔性構(gòu)件包括聚酯或其衍生物。
153.如權(quán)利要求150所述的薄膜堆棧材料，其中所述柔性構(gòu)件包括在從約50.8 μ m至 約127. Ομπι的范圍內(nèi)的膜厚度。
154.如權(quán)利要求149所述的薄膜堆棧材料，其中所述蠟?zāi)ぐㄏ?，所述蠟具有在從約 65°C至約95°C的范圍內(nèi)的軟化點溫度。
155.如權(quán)利要求IM所述的薄膜堆棧材料，其中所述軟化點溫度在從約80°C至約90°C 的范圍內(nèi)。
156.如權(quán)利要求IM所述的薄膜堆棧材料，其中所述蠟?zāi)さ淖兓穸仍谒鱿災(zāi)さ闹?心處或附近最薄。
157.如權(quán)利要求IM所述的薄膜堆棧材料，其中所述蠟?zāi)さ淖兓穸仍谒鱿災(zāi)さ闹?心處或附近最厚。
158.如權(quán)利要求IM所述的薄膜堆棧材料，其中所述蠟?zāi)さ淖兓穸仍趶募s1μ m至約 100 μ m的范圍內(nèi)。
159.如權(quán)利要求IM所述的薄膜堆棧材料，其中所述蠟?zāi)さ淖兓穸劝ㄗ畋《魏妥詈穸巍?br> 160.如權(quán)利要求159所述的薄膜堆棧材料，其中所述最薄段具有在從約1μ m至約·25 μ m的范圍內(nèi)的厚度。
161.如權(quán)利要求159所述的薄膜堆棧材料，其中所述最厚段具有從約25μ m至約 100 μ m的范圍內(nèi)的厚度。
162.如權(quán)利要求149所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括選自由下列項組成 的組的材料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
163.如權(quán)利要求162所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一 層及包含砷化鋁鎵的另一層。
164.如權(quán)利要求162所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷 化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。
165.如權(quán)利要求164所述的薄膜堆棧材料，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm 至約500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的 厚度；且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
166.如權(quán)利要求164所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍 化層。
167.如權(quán)利要求149所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶 胞結(jié)構(gòu)包括多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻 雜砷化鎵、P摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其 衍生物和其組合。
168.如權(quán)利要求149所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的 組的材料砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
169.如權(quán)利要求168所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括具有約20nm或更小的 厚度的砷化鋁層。
170.如權(quán)利要求169所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約Inm至約IOnm的范圍內(nèi)。
171.如權(quán)利要求170所述的薄膜堆棧材料，其中所述厚度在從約4nm至約6nm的范圍內(nèi)。
172.如權(quán)利要求149所述的薄膜堆棧材料，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、 P摻雜砷化鎵或其衍生物。
173.一種用于在外延遷移工藝期間形成薄膜材料的方法，包括下列步驟 在基底上的犧牲層上方形成外延材料；將支撐柄黏合至所述外延材料之上，其中所述支撐柄包括黏合至所述外延材料的硬 性支撐層；黏合至所述硬性支撐層的軟性支撐層；及黏合至所述軟性支撐層的柄板； 在蝕刻工藝期間移除所述犧牲層；以及在所述蝕刻工藝期間，從所述基底剝離所述外延材料，同時在其間形成蝕刻裂縫，同時 維持所述外延材料中的壓縮。
174.如權(quán)利要求173所述的方法，還包括從所述基底移除所述外延材料。
175.如權(quán)利要求174所述的方法，還包括將支撐基底附接至所述外延材料的暴露表
176.如權(quán)利要求174所述的方法，其中所述支撐基底以粘合劑接合至所述外延材料的所述暴露表面。
177.如權(quán)利要求176所述的方法，其中所述粘合劑為光學粘合劑或UV固化型粘合劑。
178.如權(quán)利要求176所述的方法，其中所述粘合劑還包括選自由下列項組成的組的材 料鄰苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸酯單體、其衍生物和其組合。
179.如權(quán)利要求176所述的方法，其中所述粘合劑為有機硅粘合劑，或所述粘合劑包 括硅酸鈉。
180.如權(quán)利要求176所述的方法，其中所述粘合劑在從約25°C至約75°C的范圍內(nèi)的溫 度下和在從約5psi至約15psi的范圍內(nèi)的壓力下，在從約20小時至約60小時的范圍內(nèi)的 一段時間內(nèi)被固化。
181.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述硬性支撐層包括選自由下列項組成的組的 材料聚合物、共聚物、低聚物、其衍生物和其組合。
182.如權(quán)利要求181所述的方法，其中所述硬性支撐層包括乙烯/乙酸乙烯酯共聚物 或其衍生物。
183.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述硬性支撐層包括選自由下列項組成的組的 材料熱熔性粘合劑、有機材料、有機涂層、無機材料和其組合。
184.如權(quán)利要求183所述的方法，其中所述硬性支撐層包括多層無機材料，且所述多 層還包括金屬層、介電層或其組合。
185.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述軟性支撐層包括彈性體，且所述彈性體包 括橡膠、泡沫或其衍生物。
186.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述軟性支撐層包括選自由下列項組成的組的 材料氯丁橡膠、膠乳和其衍生物。
187.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述軟性支撐層包括乙烯丙烯二烯單體或其衍 生物。
188.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述柄板包括選自由下列項組成的組的材料 塑料、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
189.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述柄板包括聚酯或其衍生物。
190.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于濕蝕刻 溶液，所述濕蝕刻溶液包括氫氟酸、表面活性劑和緩沖劑。
191.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述犧牲層以約5毫米/小時或更大的速度被 蝕刻。
192.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述犧牲層在所述蝕刻工藝期間暴露于氟化氫蒸汽。
193.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述外延材料包括選自由下列項組成的組的材 料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
194.如權(quán)利要求193所述的方法，其中所述外延材料包括包含砷化鎵的一層及包含砷化鋁鎵的另一層。
195.如權(quán)利要求194所述的方法，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍 化層和砷化鎵活性層。
196.如權(quán)利要求195所述的方法，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm至約500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度； 且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
197.如權(quán)利要求195所述的方法，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
198.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶胞結(jié)構(gòu)包 括多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的材料砷化鎵、η摻雜砷化鎵、ρ摻雜砷 化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
199.如權(quán)利要求173所述的方法，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的組的材 料砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
200.如權(quán)利要求199所述的方法，其中所述犧牲層包括具有在從約Inm至約IOnm的范 圍內(nèi)的厚度的砷化鋁層。
201.一種薄膜堆棧材料，包括犧牲層，其配置在基底上；外延材料，其配置在所述犧牲層上方；以及支撐柄，其配置在所述外延材料上方，其中所述支撐柄包括硬性支撐層，其配置在所述外延材料上方；軟性支撐層，其配置在所述硬性支撐層上方；以及柄板，其配置在所述軟性支撐層上方。
202.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料受到壓縮。
203.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述硬性支撐層包括乙烯/乙酸乙烯 酯共聚物或其衍生物。
204.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述硬性支撐層包括選自由下列項組 成的組的材料熱熔性粘合劑、有機涂層、有機材料、無機材料和其組合。
205.如權(quán)利要求204所述的薄膜堆棧材料，其中所述硬性支撐層包括多層無機材料， 且所述多層還包括金屬層、介電層或其組合。
206.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述軟性支撐層包括彈性體，且所述 彈性體包括橡膠、泡沫或其衍生物。
207.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述軟性支撐層包括選自由下列項組 成的組的材料氯丁橡膠、膠乳和其衍生物。
208.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述軟性支撐層包括乙烯丙烯二烯單 體或其衍生物。
209.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述柄板包括選自由下列項組成的組 的材料塑料、聚合物、低聚物、其衍生物和其組合。
210.如權(quán)利要求209所述的薄膜堆棧材料，其中所述柄板包括聚酯或其衍生物。
211.如權(quán)利要求209所述的薄膜堆棧材料，其中所述柄板具有在從約50.8 μ m至約 127.0μπι的范圍內(nèi)的厚度。
212.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括選自由下列項組成 的組的材料砷化鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合。
213.如權(quán)利要求212所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷 化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。
214.如權(quán)利要求213所述的薄膜堆棧材料，其中所述砷化鎵緩沖層具有在從約IOOnm 至約500nm的范圍內(nèi)的厚度；所述砷化鋁鎵鈍化層具有在從約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的 厚度；且所述砷化鎵活性層具有在從約500nm至約2000nm的范圍內(nèi)的厚度。
215.如權(quán)利要求213所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。
216.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述外延材料包括晶胞結(jié)構(gòu)，所述晶 胞結(jié)構(gòu)包括多層，所述晶胞結(jié)構(gòu)包括選自由下列項組成的組的至少一種材料砷化鎵、η摻 雜砷化鎵、P摻雜砷化鎵、砷化鋁鎵、η摻雜砷化鋁鎵、ρ摻雜砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其 衍生物和其組合。
217.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述犧牲層包括選自由下列項組成的 組的材料砷化鋁、其合金、其衍生物和其組合。
218.如權(quán)利要求201所述的薄膜堆棧材料，其中所述基底包括砷化鎵、η摻雜砷化鎵、 P摻雜砷化鎵或其衍生物。
全文摘要
本發(fā)明的實施方案通常涉及外延遷移(ELO)薄膜和器件，以及用來形成這類膜和器件的方法。ELO薄膜通常包括外延生長層，其在配置于基底例如晶片之上或上方的犧牲層上形成。支撐柄可配置在除了基底外的外延材料的相對側(cè)上。支撐柄可例如通過給外延材料提供壓縮來穩(wěn)定外延材料。此外，在ELO工藝的蝕刻和移除步驟期間，支撐柄可用于抓緊以及支撐住外延材料。在不同實施方案中，支撐柄可包括預(yù)先彎曲的柄、多層柄、非均勻蠟柄和兩個收縮誘發(fā)柄，其普通地或單向地收縮，以給外延材料提供壓縮。
文檔編號H01L21/302GK102084464SQ200980126340
公開日2011年6月1日 申請日期2009年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者何甘, 哈利·艾華特, 安德瑞斯·海吉杜斯, 斯圖爾特·索南費爾特, 湯瑪士·吉密特, 美利莎·艾契爾, 雷格·東克 申請人:奧塔裝置公司