[0098]如圖5所示，本實(shí)施例的陣列基板包括:
[0099]襯底基板I ;
[0100]在襯底基板I上依次形成的有源層2、第一絕緣層3、柵極G和層間介質(zhì)層4;其中，有源層2可以由是銦鎵鋅氧化物或低溫多晶硅制成，并形成有源極摻雜區(qū)21和漏極摻雜區(qū)22 ；
[0101]在所述層間介質(zhì)層上形成的源極S ;
[0102]在所述源極S上方的第二絕緣層5 ;
[0103]形成在源極S上方的第二絕緣層5，在與源極S對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿第二絕緣層5的第一過孔H1，在與源極摻雜區(qū)21對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿第二絕緣層5、層間介質(zhì)層4和第一絕緣層3的第二過孔H2，在與漏極摻雜區(qū)22對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿第二絕緣層5、層間介質(zhì)層4和第一絕緣層3的第三過孔H3 ;
[0104]在形成有第一過孔Hl、第二過孔H2和第三過孔H3的所述第二絕緣層5上形成的透明電極62和連接導(dǎo)線61，所述連接導(dǎo)線61通過第一過孔Hl和第二過孔H2將源極S和所述源極摻雜區(qū)21相互連接。
[0105]顯然，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板由本發(fā)明的制作方法所得到，因此上述制作方法所能應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)方式，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板同樣也能適用。
[0106]S卩，上述透明電極62可以為公共電極，本實(shí)施例的陣列基板可以與圖3J所示的結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)，包括:
[0107]在公共電極62和連接導(dǎo)線61上形成的鈍化層7，該鈍化層7形成有貫通的第四過孔H4，該第四過孔H4與第三過孔H3連通；
[0108]在形成有第四過孔H4的鈍化層7上形成的像素電極P-E，該像素電極P_E通過第四過孔H4與漏極摻雜區(qū)22相互連接。
[0109]此外，在本實(shí)施例的陣列基板中，透明電極可以為像素電極，即本實(shí)施例的陣列基板可以為圖4E所示的結(jié)構(gòu)，包括:
[0110]在層間介質(zhì)層4和源極S之間形成的公共電極Com ；
[0111]位于公共電極Com上方的公共電極引線Com-Data ;其中，公共電極引線Com-Data與源極S同層同材料形成。
[0112]此外，本發(fā)明還提供一種包括有上述陣列基板的顯示裝置，該顯示裝置可以是手機(jī)、PAD、電視等產(chǎn)品。由于顯示裝置中的陣列基板是通過本發(fā)明的制作方法得到的，因此在成本和產(chǎn)能上要比現(xiàn)有的顯示裝置具有明顯優(yōu)勢。
[0113]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上依次形成有源層、第一絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層，所述有源層上形成有源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)， 其特征在于，包括: 在所述層間介質(zhì)層上形成源極； 在所述源極上方形成第二絕緣層，通過一次構(gòu)圖工藝在與所述源極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿所述第二絕緣層的第一過孔，并且在與所述源極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第二過孔，在與所述漏極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第三過孔； 在形成有所述第一過孔、第二過孔和第三過孔的所述第二絕緣層上，通過一次構(gòu)圖工藝形成由第一透明導(dǎo)電層構(gòu)成的透明電極和連接導(dǎo)線，所述連接導(dǎo)線通過所述第一過孔和所述第二過孔將所述源極和所述源極摻雜區(qū)相互連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明電極為公共電極，所述制作方法還包括: 在所述公共電極和連接導(dǎo)線上形成鈍化層，通過一次構(gòu)圖工藝，形成貫穿所述鈍化層的第四過孔，所述第四過孔與所述第三過孔連通；在形成有所述第四過孔的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電層，通過一次構(gòu)圖工藝形成由所述第二透明導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極，所述像素電極通過所述第四過孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明電極為像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述層間介質(zhì)層上形成源極的步驟包括: 通過一次構(gòu)圖工藝，在所述層間介質(zhì)層上形成公共電極和源極。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于， 通過一次構(gòu)圖工藝，在所述層間介質(zhì)層上形成公共電極和源極，包括: 在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上，依次沉積第三透明導(dǎo)電層和金屬層； 在所述金屬層上涂布光刻膠； 利用多灰階掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，形成光刻膠全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)，其中，光刻膠全保留區(qū)對(duì)應(yīng)源極圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)對(duì)應(yīng)公共電極圖形區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)對(duì)應(yīng)其他區(qū)域； 對(duì)所述光刻膠去除區(qū)的金屬層和第三透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕； 通過灰化，去除所述光刻膠半保留區(qū)的光刻膠，將所述光刻膠全保留區(qū)的光刻膠減??； 對(duì)所述的光刻膠半保留區(qū)的金屬層進(jìn)行刻蝕，形成只由第三透明導(dǎo)電層構(gòu)成的公共電極的圖形和由第三透明導(dǎo)電層以及金屬層構(gòu)成的源極圖形； 去除剩余的光刻膠。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于， 所述光刻膠全保留區(qū)還對(duì)應(yīng)公共電極引線圖形區(qū)域； 對(duì)所述光刻膠半保留區(qū)的金屬層進(jìn)行刻蝕還形成只由金屬層構(gòu)成的公共電極引線，所述公共電極引線位于所述公共電極的上方。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于， 所述有源層是銦鎵鋅氧化物或低溫多晶硅。8.—種陣列基板，包括:在襯底基板上依次形成的有源層、第一絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層，所述有源層上形成有源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)， 其特征在于，所述陣列基板還包括: 在所述層間介質(zhì)層上形成的源極； 形成在所述源極上方的第二絕緣層，在與所述源極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿所述第二絕緣層的第一過孔，在與所述源極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第二過孔，在與所述漏極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第三過孔； 在形成有所述第一過孔、第二過孔和第三過孔的所述第二絕緣層上形成的透明電極和連接導(dǎo)線，所述連接導(dǎo)線通過所述第一過孔和所述第二過孔將所述源極和所述源極摻雜區(qū)相互連接。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述透明電極為公共電極，所述陣列基板還包括: 在所述公共電極和連接導(dǎo)線上形成的鈍化層，所述鈍化層形成有貫通的第四過孔，所述第四過孔與所述第三過孔連通； 在形成有所述第四過孔的鈍化層上形成的像素電極，所述像素電極通過所述第四過孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于， 所述透明電極為像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 在所述層間介質(zhì)層和源極之間形成的公共電極。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 位于所述公共電極上方的公共電極引線，所述公共電極引線與所述源極同層同材料形成。13.根據(jù)權(quán)利要求8至12中的任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一過孔和所述第二過孔相互連通，形成為一個(gè)過孔。14.根據(jù)權(quán)利要求8至12中的任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于， 所述有源層是銦鎵鋅氧化物或低溫多晶硅。15.一種顯示裝置，其特征在于，包括:如權(quán)利要求8至14任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。方法包括：在襯底基板上依次形成有源層、第一絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層，有源層上形成有源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)；在層間介質(zhì)層上形成源極；在源極上方形成第二絕緣層，通過一次構(gòu)圖工藝在與源極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿第二絕緣層的第一過孔，在與源極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域貫穿第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第二過孔，在與漏極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第三過孔；在第二絕緣層上，通過一次構(gòu)圖工藝形成由第一透明導(dǎo)電層構(gòu)成的透明電極和連接導(dǎo)線，連接導(dǎo)線通過第一過孔和所述第二過孔將源極和源極摻雜區(qū)相互連接。本發(fā)明的方案可使陣列基板在制作過程中節(jié)省一道掩膜工藝。
【IPC分類】G02F1/1343, H01L27/12, H01L21/77, G02F1/1345, G02F1/1368
【公開號(hào)】CN105206565
【申請?zhí)枴緾N201510570434
【發(fā)明人】張斌, 周婷婷, 李正亮, 姚琪, 張偉, 關(guān)峰
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年9月9日