一種陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在主動式矩陣顯不器(ActiveMatrix Liquid Crystal Display，AMLCD)或有源矩陣有機發(fā)光二極體(Active-matrix organic light emitting d1de, AMOLED)顯不器中，一般采用陣列基板行驅(qū)動(Gate Driver on Array，GOA)技術(shù)來實現(xiàn)顯示器的窄邊框效果O
[0003]其中，在GOA技術(shù)中，陣列基板在生產(chǎn)的過程中需要設(shè)計間隔設(shè)置的兩層金屬層，同時，兩層金屬層需要跨越陣列基板的柵極絕緣層進(jìn)行橋接，因此，如何以相對簡單的方式實現(xiàn)兩層金屬層的橋接以提高陣列基板的生產(chǎn)效率是一個亟待解決的問題。另外，為了實現(xiàn)兩層金屬層的橋接，陣列基板在生產(chǎn)的過程中需要兩道不同的光罩分別對半導(dǎo)體層和柵極絕緣層進(jìn)行圖案化，增加了陣列基板的生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及其制作方法，能夠采用一道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本，另外，能夠以相對簡單的方式實現(xiàn)陣列基板中兩層金屬層的橋接，從而提高陣列基板的生產(chǎn)效率。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制作方法，該方法包括:提供一基板，在基板上沉積第一金屬層，并通過第一道光罩圖案化第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體；在柵極和第一導(dǎo)體上沉積柵極絕緣層；在柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體層，并通過第二道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，以形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔；通過柵極和第一導(dǎo)體圖案化半導(dǎo)體層，以形成間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)，其中，第一溝道區(qū)對應(yīng)位于柵極的上方，第二溝道區(qū)對應(yīng)位于第一導(dǎo)體的上方；在第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)上沉積第二金屬層，并通過第三道光罩圖案化第二金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體，其中，源極、漏極分別與第一溝道區(qū)相接觸，第二導(dǎo)體與第二溝道區(qū)相接觸并通過通孔與第一導(dǎo)體相接觸。
[0006]其中，在柵極和第一導(dǎo)體上沉積柵極絕緣層的步驟具體為:在柵極和第一導(dǎo)體上通過等離子增強化學(xué)氣相沉積法沉積柵極絕緣層；在柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體層的步驟具體為:在柵極絕緣層上通過物理氣相沉積法沉積半導(dǎo)體層。
[0007]其中，通過第二道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔的步驟具體為:在半導(dǎo)體層上涂布第一光阻層；通過第二道光罩對第一光阻層進(jìn)行正面曝光、顯影；對顯影后的第一光阻層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層進(jìn)行濕法蝕刻；剝離濕法蝕刻后的第一光阻層以在半導(dǎo)體層、柵極絕緣層形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔。
[0008]其中，通過柵極和第一導(dǎo)體圖案化半導(dǎo)體層，形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)的步驟具體為:在半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層；通過柵極和第一導(dǎo)體對第二光阻層進(jìn)行背面曝光、顯影；對顯影后的第二光阻層、半導(dǎo)體層進(jìn)行濕法蝕刻；剝離濕法蝕刻后的第二光阻層以在半導(dǎo)體層形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)。
[0009]其中，半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物。
[0010]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，該陣列基板包括從下到上依次設(shè)置的基板、第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和第二金屬層；第一金屬層包括間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體；半導(dǎo)體層包括間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；第二金屬層包括間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體；
[0011]其中，第一溝道區(qū)對應(yīng)位于柵極的上方，第二溝道區(qū)對應(yīng)位于第一導(dǎo)體的上方；
[0012]其中，源極、漏極分別與第一溝道區(qū)相接觸，第二導(dǎo)體與第二溝道區(qū)相接觸并通過通孔與第一導(dǎo)體相接觸；
[0013]其中，所述柵極絕緣層和所述半導(dǎo)體層采用一道光罩進(jìn)行圖案化。
[0014]其中，第二溝道區(qū)包括第一溝道部和第二溝道部，第一溝道部和第二溝道部設(shè)置在通孔的兩側(cè)；其中，第二導(dǎo)體覆蓋第一溝道部、通孔和第二溝道部。
[0015]其中，第一金屬層和第二金屬層的材料為銅、鋁或鉬。
[0016]其中，柵極絕緣層的材料為氧化硅或氮化硅。
[0017]其中，半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物。
[0018]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的陣列基板及其制造方法通過第一道光罩圖案化第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體；通過第二道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，以形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔；通過柵極和第一導(dǎo)體圖案化半導(dǎo)體層，以形成間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；通過第三道光罩圖案化第二金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體；其中，第二導(dǎo)體通過通孔與第一導(dǎo)體相接觸。通過上述方式，本發(fā)明采用一道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，降低了陣列基板的生產(chǎn)成本，另外，本發(fā)明以相對簡單的方式實現(xiàn)了第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體的橋接，進(jìn)而提高了陣列基板的生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0020]圖2A-2G是圖1所示制作方法在制作過程中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3是圖1所示制作方法制得的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0022]在說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的組件，所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)可理解，制造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及權(quán)利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的基準(zhǔn)。下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0023]圖1是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖。圖2A-2G是圖1所示制作方法在制作過程中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。需注意的是，若有實質(zhì)上相同的結(jié)果，本發(fā)明的方法并不以圖1所示的流程順序為限。如圖1所示，該方法包括如下步驟:
[0024]步驟SlOl:提供一基板，在基板上沉積第一金屬層，并通過第一道光罩圖案化第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體。
[0025]在步驟SlOl中，基板優(yōu)選為玻璃基板，第一金屬層的材料優(yōu)選為銅、鋁或鉬。
[0026]請一并參考圖2A，圖2A為對沉積于基板10的第一金屬層進(jìn)行第一道光罩后得到的柵極21和第一導(dǎo)體22的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]步驟S102:在柵極和第一導(dǎo)體上沉積柵極絕緣層。
[0028]在步驟S102中，在柵極和第一導(dǎo)體上沉積柵極絕緣層的步驟具體為:在柵極和第一導(dǎo)體上通過等離子增強化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n, PECVD)沉積柵極絕緣層。優(yōu)選地，柵極絕緣層的材料為氧化娃或氮化娃。
[0029]步驟S103:在柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體層，并通過第二道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，以形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔。
[0030]在步驟S103中，在柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體層的步驟具體為:在柵極絕緣層上通過物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposit1n, PVD)沉積半導(dǎo)體層。優(yōu)選地，半導(dǎo)體層的材料為銦嫁鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)。
[0031]其中，通過第二道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔的步驟具體為:在半導(dǎo)體層上涂布第一光阻層；通過第二道光罩對第一光阻層進(jìn)行正面曝光、顯影；對顯影后的第一光阻層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層進(jìn)行濕法蝕刻；剝離濕法蝕刻后的第一光阻層以在半導(dǎo)體層、柵極絕緣層形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔。
[0032]請一并參考圖2B、2C、2D，其中，圖2B為涂布了第一光阻層41的基板10、柵極21、第一導(dǎo)體22、柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2C為通過第二道光罩對第一光阻層41進(jìn)行正面曝光、顯影后基板10、柵極21、第一導(dǎo)體22、柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40和第一光阻層41的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2D為剝離濕法蝕刻后的第一光阻層41后基板10、柵極21、第一導(dǎo)體22、柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40和暴露出第一導(dǎo)體22的通孔23的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]步驟S104:通過柵極和第一導(dǎo)體圖案化半導(dǎo)體層，以形成間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)。
[0034]在步驟S104中，通過柵極和第一導(dǎo)體圖案化半導(dǎo)體層，形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)的步驟具體為:在半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層；通過柵極和第一導(dǎo)體對第二光阻層進(jìn)行背