面曝光、顯影；對(duì)顯影后的第二光阻層、半導(dǎo)體層進(jìn)行濕法蝕刻；剝離濕法蝕刻后的第二光阻層以在半導(dǎo)體層形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在步驟S104中，以柵極和第一導(dǎo)體作為一道光罩，減少了陣列基板生產(chǎn)過程中光罩的使用，降低了陣列基板的生產(chǎn)成本。
[0035]其中，第一溝道區(qū)位于柵極的上方，第二溝道區(qū)位于第一導(dǎo)體的上方。
[0036]請(qǐng)一并參考圖2E、2F、2G，其中，圖2E為涂布了第二光阻層42的基板10、柵極21、第一導(dǎo)體22、柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2F為通過柵極和第一導(dǎo)體對(duì)第二光阻層42進(jìn)行背面曝光、顯影后基板10、柵極21、第一導(dǎo)體22、柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40和第二光阻層42的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2G為剝離濕法蝕刻后的第二光阻層42后基板10、柵極21、第一導(dǎo)體22、柵極絕緣層30、第一溝道區(qū)43、第二溝道區(qū)44的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]步驟S105:在第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)上沉積第二金屬層，并通過第三道光罩圖案化第二金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體，其中，第二導(dǎo)體通過通孔與第一導(dǎo)體相接觸。
[0038]在步驟S105中，在第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)上沉積第二金屬層的步驟具體為:在第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)上通過物理氣相沉積法沉積第二金屬層。優(yōu)選地，第二金屬層的材料為銅、招或鉬。
[0039]在本實(shí)施例中，第一金屬層的材料和第二金屬層的材料不相同，在其它實(shí)施例中，第一金屬層的材料也可與第二金屬層的材料相同。
[0040]在本實(shí)施例中，源極、漏極分別與第一溝道區(qū)相接觸，第二導(dǎo)體與第二溝道區(qū)相接觸。在其它實(shí)施例中，也可以僅存在第一溝道區(qū)，第二導(dǎo)體直接通過通孔與第一導(dǎo)體相接觸。
[0041]請(qǐng)一并參考圖3，圖3是圖1所示制作方法制得的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，整列基板包括從下到上依次設(shè)置的基板10、第一金屬層、柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層和第二金屬層。
[0042]其中，第一金屬層包括間隔設(shè)置的柵極21和第一導(dǎo)體22。半導(dǎo)體層包括間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)43和第二溝道區(qū)44。第二金屬層包括間隔設(shè)置的源極51、漏極52和第二導(dǎo)體53。
[0043]其中，第一溝道區(qū)43對(duì)應(yīng)位于柵極21的上方，第二溝道區(qū)44對(duì)應(yīng)位于第一導(dǎo)體22的上方。源極51、漏極52分別與第一溝道區(qū)43相接觸，第二導(dǎo)體53與第二溝道區(qū)44相接觸并通過通孔與第一導(dǎo)體22相接觸。
[0044]其中，通孔23由一道光罩圖案化柵極絕緣層30和半導(dǎo)體層制得。
[0045]其中，柵極絕緣層30和半導(dǎo)體層采用一道光罩進(jìn)行圖案化。
[0046]優(yōu)選地，第二溝道區(qū)44包括第一溝道部441和第二溝道部442，第一溝道部441和第二溝道部442設(shè)置在通孔23的兩側(cè)，第二導(dǎo)體53覆蓋第一溝道部441、通孔23和第二溝道部442。
[0047]優(yōu)選地，位于第一金屬層的柵極21和第一導(dǎo)體22以及位于和第二金屬層的源極51、漏極52和第二導(dǎo)體53的材料為銅、鋁或鉬。
[0048]優(yōu)選地，柵極絕緣層30的材料為氧化硅或氮化硅。
[0049]優(yōu)選地，位于半導(dǎo)體層的第一溝道區(qū)43和第二溝道區(qū)44的材料為銦鎵鋅氧化物。
[0050]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的陣列基板及其制造方法通過第一道光罩圖案化第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體；通過第二道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，以形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔；通過柵極和第一導(dǎo)體圖案化半導(dǎo)體層，以形成間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；通過第三道光罩圖案化第二金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體；其中，第二導(dǎo)體通過通孔與第一導(dǎo)體相接觸。通過上述方式，本發(fā)明采用一道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，降低了陣列基板的生產(chǎn)成本，另外，本發(fā)明能夠以相對(duì)簡單的方式實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體的橋接，從而提高陣列基板的生產(chǎn)效率。
[0051]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一基板，在所述基板上沉積第一金屬層，并通過第一道光罩圖案化所述第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體； 在所述柵極和所述第一導(dǎo)體上沉積柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體層，并通過第二道光罩圖案化所述半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，以形成暴露出所述第一導(dǎo)體的通孔； 通過所述柵極和所述第一導(dǎo)體圖案化所述半導(dǎo)體層，以形成間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)，其中，所述第一溝道區(qū)對(duì)應(yīng)位于所述柵極的上方，所述第二溝道區(qū)對(duì)應(yīng)位于所述第一導(dǎo)體的上方； 在所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)上沉積第二金屬層，并通過第三道光罩圖案化所述第二金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體，其中，所述源極、漏極分別與所述第一溝道區(qū)相接觸，所述第二導(dǎo)體與所述第二溝道區(qū)相接觸并通過所述通孔與所述第一導(dǎo)體相接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述在所述柵極和所述第一導(dǎo)體上沉積柵極絕緣層的步驟具體為: 在所述柵極和所述第一導(dǎo)體上通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積柵極絕緣層； 所述在所述柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體層的步驟具體為: 在所述柵極絕緣層上通過物理氣相沉積法沉積半導(dǎo)體層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過第二道光罩圖案化所述半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，形成暴露出所述第一導(dǎo)體的通孔的步驟具體為: 在所述半導(dǎo)體層上涂布第一光阻層； 通過第二道光罩對(duì)所述第一光阻層進(jìn)行正面曝光、顯影； 對(duì)顯影后的所述第一光阻層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層進(jìn)行濕法蝕刻； 剝離濕法蝕刻后的所述第一光阻層以在所述半導(dǎo)體層、柵極絕緣層形成暴露出所述第一導(dǎo)體的通孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過所述柵極和所述第一導(dǎo)體圖案化所述半導(dǎo)體層，形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)的步驟具體為: 在所述半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層； 通過所述柵極和所述第一導(dǎo)體對(duì)所述第二光阻層進(jìn)行背面曝光、顯影； 對(duì)顯影后的所述第二光阻層、半導(dǎo)體層進(jìn)行濕法蝕刻； 剝離濕法蝕刻后的所述第二光阻層以在所述半導(dǎo)體層形成第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物。6.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括從下到上依次設(shè)置的基板、第一金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和第二金屬層；所述第一金屬層包括間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體；所述半導(dǎo)體層包括間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；所述第二金屬層包括間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體； 其中，所述第一溝道區(qū)對(duì)應(yīng)位于所述柵極的上方，所述第二溝道區(qū)對(duì)應(yīng)位于所述第一導(dǎo)體的上方； 其中，所述源極、漏極分別與所述第一溝道區(qū)相接觸，所述第二導(dǎo)體與所述第二溝道區(qū)相接觸并通過所述通孔與所述第一導(dǎo)體相接觸； 其中，所述柵極絕緣層和所述半導(dǎo)體層采用一道光罩進(jìn)行圖案化。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，所述第二溝道區(qū)包括第一溝道部和第二溝道部，所述第一溝道部和所述第二溝道部設(shè)置在所述通孔的兩側(cè)；其中，所述第二導(dǎo)體覆蓋所述第一溝道部、通孔和第二溝道部。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層的材料為銅、招或鉬。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層的材料為氧化硅或氮化娃。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法。該方法包括：通過第一道光罩圖案化第一金屬層，以形成間隔設(shè)置的柵極和第一導(dǎo)體；通過第二道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，以形成暴露出第一導(dǎo)體的通孔；通過柵極和第一導(dǎo)體圖案化半導(dǎo)體層，以形成間隔設(shè)置的第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；通過第三道光罩圖案化第二金屬層，以形成間隔設(shè)置的源極、漏極和第二導(dǎo)體；其中，第二導(dǎo)體通過通孔與第一導(dǎo)體相接觸。通過上述方式，本發(fā)明采用一道光罩圖案化半導(dǎo)體層和柵極絕緣層，降低了陣列基板的生產(chǎn)成本，另外，本發(fā)明能夠以相對(duì)簡單的方式實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體的橋接，進(jìn)而提高陣列基板的生產(chǎn)效率。
【IPC分類】H01L27/12, H01L21/77
【公開號(hào)】CN105206567
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510655501
【發(fā)明人】石龍強(qiáng)
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年10月10日