一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]以傳統(tǒng)的頂柵型陣列基板為例，主要功能圖形如圖1所示，包括:襯底基板1、有源層2、第一絕緣層3、源極S、公共電極Com、和像素電極P-E。為抑制薄膜晶體管的漏極電流，需要通過(guò)離子注入工藝在有源層2上進(jìn)一步形成源極摻雜區(qū)21和漏極摻雜區(qū)22。該源極摻雜區(qū)21用于與源極S連接，而漏極摻雜區(qū)22則與像素電極P-E連接(像素電極P-E本身可作為漏極)。
[0003]針對(duì)圖1所示的陣列基板，由于源極S與像素電極P-E不屬于同一圖層，因此現(xiàn)有的制作方法在形成源極S前，需要單獨(dú)使用一次掩膜工藝，在對(duì)應(yīng)源極摻雜區(qū)21的位置上，形成貫通第一絕緣層3的過(guò)孔，以保證后續(xù)形成的源極S能夠直接通過(guò)該第一絕緣層3的過(guò)孔與源極摻雜區(qū)21跨接。而掩膜工藝耗時(shí)長(zhǎng)、成本高，若能將第一絕緣層3的過(guò)孔步驟復(fù)用在其他圖形掩膜工藝中制作，則可以有效提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，能夠能降低陣列基板制作中的掩膜次數(shù)，進(jìn)而減少制作時(shí)間、成本，并增加產(chǎn)能。
[0005]為解決上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0006]—方面提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0007]在襯底基板上依次形成有源層、第一絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層，所述有源層上形成有源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，
[0008]其特征在于，包括:
[0009]在所述層間介質(zhì)層上形成源極；
[0010]在所述源極上方形成第二絕緣層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在與所述源極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿所述第二絕緣層的第一過(guò)孔，并且在與所述源極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第二過(guò)孔，在與所述漏極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第三過(guò)孔；
[0011]在形成有所述第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和第三過(guò)孔的所述第二絕緣層上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成由第一透明導(dǎo)電層構(gòu)成的透明電極和連接導(dǎo)線，所述連接導(dǎo)線通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔將所述源極和所述源極摻雜區(qū)相互連接。
[0012]其中，所述透明電極為公共電極，所述制作方法還包括:
[0013]在所述公共電極和連接導(dǎo)線上形成鈍化層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，形成貫穿所述鈍化層的第四過(guò)孔，所述第四過(guò)孔與所述第三過(guò)孔連通；在形成有所述第四過(guò)孔的鈍化層上形成第二透明導(dǎo)電層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成由所述第二透明導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第四過(guò)孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。
[0014]或者，所述透明電極為像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。
[0015]在所述層間介質(zhì)層上形成源極的步驟包括:
[0016]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在所述層間介質(zhì)層上形成公共電極和源極。
[0017]其中，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在所述層間介質(zhì)層上形成公共電極和源極，包括:
[0018]在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上，依次沉積第二透明導(dǎo)電層和金屬層；
[0019]在所述金屬層上涂布光刻膠；
[0020]利用多灰階掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，形成光刻膠全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)，其中，光刻膠全保留區(qū)對(duì)應(yīng)源極圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)對(duì)應(yīng)公共電極圖形區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)對(duì)應(yīng)其他區(qū)域；
[0021]對(duì)所述光刻膠去除區(qū)的金屬層和第三透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕；
[0022]通過(guò)灰化，去除所述光刻膠半保留區(qū)的光刻膠，將所述光刻膠全保留區(qū)的光刻膠減?。粚?duì)所述光刻膠半保留區(qū)的金屬層進(jìn)行刻蝕，形成只由第三透明導(dǎo)電層構(gòu)成的公共電極的圖形和由第三透明導(dǎo)電層以及金屬層構(gòu)成的源極圖形；
[0023]去除剩余的光刻膠。
[0024]其中，所述光刻膠全保留區(qū)還對(duì)應(yīng)公共電極引線圖形區(qū)域；
[0025]對(duì)所述光刻膠半保留區(qū)的金屬層進(jìn)行刻蝕還形成只由金屬層構(gòu)成的公共電極引線，所述公共電極引線位于所述公共電極的上方。
[0026]其中，所述有源層是銦鎵鋅氧化物或低溫多晶硅。
[0027]另一方面，本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括:
[0028]在襯底基板上依次形成的有源層、第一絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層，所述有源層上形成有源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，
[0029]其特征在于，所述陣列基板還包括:
[0030]在所述層間介質(zhì)層上形成的源極；
[0031]形成在所述源極上方的第二絕緣層，在與所述源極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿所述第二絕緣層的第一過(guò)孔，在與所述源極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第二過(guò)孔，在與所述漏極摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有貫穿所述第二絕緣層、層間介質(zhì)層和第一絕緣層的第三過(guò)孔；
[0032]在形成有所述第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和第三過(guò)孔的所述第二絕緣層上形成的透明電極和連接導(dǎo)線，所述連接導(dǎo)線通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔將所述源極和所述源極摻雜區(qū)相互連接。
[0033]其中，所述透明電極為公共電極，所述的陣列基板還包括:
[0034]在所述公共電極和連接導(dǎo)線上形成的鈍化層，所述鈍化層形成有貫通的第四過(guò)孔，所述第四過(guò)孔與所述第三過(guò)孔連通；
[0035]在形成有所述第四過(guò)孔的鈍化層上形成的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第四過(guò)孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。
[0036]或者，所述透明電極為像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述漏極摻雜區(qū)相互連接。
[0037]所述陣列基板還包括:
[0038]在所述層間介質(zhì)層和源極之間形成的公共電極；
[0039]位于所述公共電極上方的公共電極引線，所述公共電極引線與所述源極同層同材料形成。
[0040]其中，所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔相互連通，形成為一個(gè)過(guò)孔。
[0041 ] 其中，所述有源層是銦鎵鋅氧化物或低溫多晶硅。
[0042]另一方面，本發(fā)明還提供一種包括有上述陣列基板的顯示裝置。
[0043]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0044]本發(fā)明的方案中，在形成源極上方的第二絕緣層后，使用一次掩膜工藝形成露出源極、源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)的三個(gè)過(guò)孔。并在第二絕緣層上方形成透明電極的掩膜工藝中，額外制作一個(gè)連接導(dǎo)線，以連接源極和源極摻雜區(qū)。相比于現(xiàn)有技術(shù)，在形成源極前，不再單獨(dú)使用一道掩膜工藝，對(duì)第一絕緣層進(jìn)行過(guò)孔，從而有效提高陣列基板的制作效率，并降低制作成本。
【附圖說(shuō)明】
[0045]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖2A-圖2D為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的示意圖；
[0047]圖3A-圖3J為本發(fā)明的制作方法，在制作頂柵型陣列基板的一種可行方式的流程示意圖。
[0048]圖4A-4F為本發(fā)明的制作方法，在制作頂柵型陣列基板的另一種可行方式的流程示意圖；
[0049]圖4D1-圖4D4為圖4D的詳細(xì)步驟示意圖；
[0050]圖5為本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0052]針對(duì)目前的陣列基板需要使用過(guò)多掩膜工藝制作的問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，如圖2A所示，應(yīng)用于依次形成有源層2、第一絕緣層3、柵極G和層間介質(zhì)層4的襯底基板1，該有源層2上形成有源極摻雜區(qū)21和漏極摻雜區(qū)22 ;其中，本實(shí)施例的制作方法包括:
[0053]步驟21，參考圖2B，在所述層間介質(zhì)層4上形成源極S。
[0054]步驟22，參考圖2C，在源極S上方形成第二絕緣層5，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在與源極S對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿第二絕緣層5的第一過(guò)孔H1，并且在與源極摻雜區(qū)21對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿第二絕緣層5、層間介質(zhì)層4和第一絕緣層3的第二過(guò)孔H2，在與漏極摻雜區(qū)22對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成貫穿第二絕緣層5、層間介質(zhì)層4和第一絕緣層3的第三過(guò)孔H3 ;
[0055]步驟23，參考圖2D，在形成有第一過(guò)孔Hl、第二過(guò)孔H2和第三過(guò)孔H3的第二絕緣層5上，形成由第一透明導(dǎo)電層構(gòu)成的透明電極6