通過(guò)第二絕緣層012絕緣；
[0102]柵電極009通過(guò)柵電極鍵合電極015與柵極線021電連接；源電極010通過(guò)源電極鍵合電極016與數(shù)據(jù)線022電連接；漏電極011通過(guò)漏電極鍵合電極017與電極塊020
電連接。
[0103]優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的像素電極023、柵極線021、數(shù)據(jù)線022和電極塊020位于同一層。本發(fā)明具體實(shí)施例中的陣列基板還包括位于半導(dǎo)體有源層上的鈍化層，以及位于鈍化層上的公共電極。
[0104]本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括本發(fā)明具體實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0105]本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板，該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic LightEmitting D1de，0LED)面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。
[0106]綜上所述，本發(fā)明具體實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，陣列基板的制作方法包括:在襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作像素電極；在完成上述步驟的襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線以及與所述像素電極電連接的電極塊，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線在相交位置處斷開(kāi)；在晶圓襯底上制作若干薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管包括同層絕緣制作的源電極、漏電極和柵電極，以及位于源電極、漏電極和柵電極上，同層絕緣制作的源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極；所述源電極鍵合電極與所述源電極電連接，所述漏電極鍵合電極與所述漏電極電連接，所述柵電極鍵合電極與所述柵電極電連接；將每一個(gè)薄膜晶體管與晶圓襯底分離，并分別將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。本發(fā)明具體實(shí)施例將薄膜晶體管器件制作在晶圓襯底上，然后將具有薄膜晶體管器件功能的微芯片鍵合至襯底基板上，而在晶圓襯底上制作薄膜晶體管器件，可提高材料的利用率，減少過(guò)多的刻蝕浪費(fèi)，提高經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益；且晶圓襯底相比于玻璃基板，在耐高溫、耐腐蝕等特性上擁有優(yōu)勢(shì)，可適應(yīng)更多的半導(dǎo)體工藝方法，且在小尺寸的晶圓襯底上進(jìn)行半導(dǎo)體器件加工工藝，可更好的控制器件的精密度。
[0107]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作像素電極； 在完成上述步驟的襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線以及與所述像素電極電連接的電極塊，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線在相交位置處斷開(kāi)； 在晶圓襯底上制作若干薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管包括同層絕緣制作的源電極、漏電極和柵電極，以及位于源電極、漏電極和柵電極上，同層絕緣制作的源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極；所述源電極鍵合電極與所述源電極電連接，所述漏電極鍵合電極與所述漏電極電連接，所述柵電極鍵合電極與所述柵電極電連接； 將每一個(gè)薄膜晶體管與晶圓襯底分離，并分別將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在完成上述步驟的襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線以及與所述像素電極電連接的電極塊，包括: 在完成上述步驟的襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作一層絕緣層； 在所述絕緣層上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線和電極塊，所述電極塊通過(guò)貫穿所述絕緣層的過(guò)孔與所述像素電極電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在晶圓襯底上制作薄膜晶體管，包括: 在晶圓襯底上依次制作犧牲層和緩沖層，所述犧牲層用于在后續(xù)去除時(shí)，將薄膜晶體管與晶圓襯底分離； 在完成上述步驟的晶圓襯底上制作半導(dǎo)體有源層； 在完成上述步驟的晶圓襯底上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作第一絕緣層，后續(xù)需要制作源電極和漏電極的區(qū)域不覆蓋第一絕緣層，后續(xù)需要制作柵電極的區(qū)域覆蓋的第一絕緣層的厚度小于晶圓襯底的其余區(qū)域覆蓋的第一絕緣層的厚度； 在完成上述步驟的晶圓襯底上制作柵電極、源電極和漏電極，柵電極、源電極和漏電極通過(guò)所述第一絕緣層絕緣； 在完成上述步驟的晶圓襯底上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作第二絕緣層，后續(xù)需要制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的區(qū)域不覆蓋第二絕緣層； 在完成上述步驟的晶圓襯底上制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極，源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極通過(guò)所述第二絕緣層絕緣。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述在完成上述步驟的晶圓襯底上制作柵電極、源電極和漏電極，包括: 在所述第一絕緣層上依次制作金屬阻擋層和銅籽層； 在完成上述步驟的晶圓襯底上采用電化學(xué)鍍的方法制作銅薄膜層； 采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法對(duì)銅薄膜層進(jìn)行拋光、研磨，形成相互絕緣的柵電極、源電極和漏電極。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在完成上述步驟的晶圓襯底上制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極，包括: 在所述第二絕緣層上依次制作金屬阻擋層和銅籽層； 在完成上述步驟的晶圓襯底上采用電化學(xué)鍍的方法制作銅薄膜層； 采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法對(duì)銅薄膜層進(jìn)行拋光、研磨，形成相互絕緣的源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述將每一個(gè)薄膜晶體管與晶圓襯底分離，包括: 對(duì)制作有源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的晶圓襯底的預(yù)設(shè)切割道區(qū)域進(jìn)行刻蝕，使得切割道區(qū)域僅保留犧牲層； 采用第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)吸附每一個(gè)薄膜晶體管，并采用刻蝕溶液刻蝕去除犧牲層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合，包括: 采用與所述第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)位置對(duì)應(yīng)的第二轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)將每一個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行翻轉(zhuǎn)； 采用各項(xiàng)異性導(dǎo)電薄膜將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。8.—種陣列基板，其特征在于，包括依次位于襯底基板上的像素電極、柵極線、數(shù)據(jù)線、與像素電極電連接的電極塊、第一絕緣層、源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極、柵電極鍵合電極、第二絕緣層、源電極、漏電極、柵電極、半導(dǎo)體有源層；其中: 所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線在相交位置處斷開(kāi)，所述源電極、所述漏電極和所述柵電極位于同一層，通過(guò)所述第二絕緣層絕緣； 所述源電極鍵合電極、所述漏電極鍵合電極和所述柵電極鍵合電極位于同一層，通過(guò)所述第一絕緣層絕緣； 所述柵電極通過(guò)所述柵電極鍵合電極與所述柵極線電連接；所述源電極通過(guò)所述源電極鍵合電極與所述數(shù)據(jù)線電連接；所述漏電極通過(guò)所述漏電極鍵合電極與所述電極塊電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極、所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述電極塊位于同一層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述半導(dǎo)體有源層上的鈍化層，以及位于所述鈍化層上的公共電極。11.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求8-10任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板。12.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求11所述的顯示面板。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以提高材料的利用率，提高環(huán)境效益，提高半導(dǎo)體器件的精密度。陣列基板的制作方法包括：在襯底基板上制作像素電極；在像素電極上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線、與像素電極連接的電極塊，柵極線和數(shù)據(jù)線在相交位置處斷開(kāi)；在晶圓襯底上制作若干薄膜晶體管，每一薄膜晶體管包括同層相互絕緣制作的源電極、漏電極和柵電極制作，以及同層相互絕緣制作的源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極；將每一薄膜晶體管與晶圓襯底分離，并分別將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。
【IPC分類(lèi)】H01L27/12, H01L21/77
【公開(kāi)號(hào)】CN105118838
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510609031
【發(fā)明人】安暉
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年9月22日