br>[0051]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0052]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法。
[0053]如圖1所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0054]S101、在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作像素電極；
[0055]S102、在完成上述步驟的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線以及與所述像素電極電連接的電極塊，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線在相交位置處斷開；
[0056]S103、在晶圓襯底上制作若干薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管包括同層絕緣制作的源電極、漏電極和柵電極，以及位于源電極、漏電極和柵電極上，同層絕緣制作的源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極；所述源電極鍵合電極與所述源電極電連接，所述漏電極鍵合電極與所述漏電極電連接，所述柵電極鍵合電極與所述柵電極電連接;
[0057]S104、將每一個(gè)薄膜晶體管與晶圓襯底分離，并分別將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。
[0058]下面首先介紹本發(fā)明具體實(shí)施例在襯底基板上制作像素電極的方法。
[0059]具體地，如圖2所示，首先，在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作像素電極023，本發(fā)明具體實(shí)施例中的襯底基板為玻璃基板，當(dāng)然，在實(shí)際制作過程中，襯底基板還可以選擇石英基板、陶瓷基板等類型的基板。本發(fā)明具體實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠的去除的部分或全部過程。本發(fā)明具體實(shí)施例制作的像素電極為氧化銦錫(ITO)的單層膜，或?yàn)檠趸熶\(IZO)的單層膜，或?yàn)镮TO和IZO的復(fù)合膜，當(dāng)然，在實(shí)際制作過程中，像素電極還可以為其它類型的透明導(dǎo)電膜，本發(fā)明具體實(shí)施例不對(duì)像素電極的具體材料作限定。本發(fā)明具體實(shí)施例采用構(gòu)圖工藝制作像素電極023的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。
[0060]下面接著介紹本發(fā)明具體實(shí)施例在像素電極上制作柵極線、數(shù)據(jù)線和電極塊的方法。
[0061]接著，如圖2所示，在像素電極023上通過構(gòu)圖工藝制作柵極線021、數(shù)據(jù)線022以及與像素電極023電連接的電極塊020，柵極線021和數(shù)據(jù)線022在相交位置處斷開，本發(fā)明具體實(shí)施例制作柵極線021的金屬和制作數(shù)據(jù)線022的金屬薄膜同時(shí)沉積，本發(fā)明具體實(shí)施例制作柵極線021的金屬和制作數(shù)據(jù)線022的金屬可以為銅(Cu)，也可以為鋁(Al)、鉬(Mo)等金屬。圖中虛線框的區(qū)域?yàn)楹罄m(xù)薄膜晶體管的貼合(Bonding)區(qū)域。
[0062]本發(fā)明具體實(shí)施例在制作柵極線021時(shí)，在該柵極線021上預(yù)設(shè)一區(qū)域018，后續(xù)柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)區(qū)域018處的柵極線鍵合。本發(fā)明具體實(shí)施例在制作數(shù)據(jù)線022時(shí)，在該數(shù)據(jù)線022上預(yù)設(shè)一區(qū)域019，后續(xù)源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)區(qū)域019處的數(shù)據(jù)線鍵合。
[0063]優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例在制作柵極線021、數(shù)據(jù)線022以及與像素電極023電連接的電極塊020之前，還包括在像素電極023上通過構(gòu)圖工藝制作一層絕緣層(圖中未示出)，該絕緣層起到對(duì)像素電極023的保護(hù)作用，優(yōu)選地，該絕緣層的材料為氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN)，當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，絕緣層還可以為其它類型的透明絕緣層，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)絕緣層的具體材料作限定。
[0064]具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例在像素電極023上沉積一層絕緣層，通過構(gòu)圖工藝在后續(xù)需要制作電極塊020對(duì)應(yīng)的位置處形成貫穿該絕緣層的過孔，使得后續(xù)制作的電極塊020能夠通過該過孔與像素電極023電連接。另外，在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明具體實(shí)施例通過構(gòu)圖工藝在后續(xù)需要制作柵極線021和數(shù)據(jù)線022對(duì)應(yīng)的位置處形成貫穿該絕緣層的溝槽，使得后續(xù)制作的柵極線021和數(shù)據(jù)線022直接位于玻璃基板上，增加了柵極線021和數(shù)據(jù)線022的粘附性。
[0065]之后，在絕緣層上沉積一層金屬薄膜，本發(fā)明具體實(shí)施例沉積的金屬薄膜的材料以Cu為例進(jìn)行說明，沉積方法可以為磁控濺射等方法。在Cu薄膜上涂覆光刻膠，并進(jìn)行曝光、顯影，顯影后僅保留需要形成柵極線021、數(shù)據(jù)線022和電極塊020位置處的光刻膠，通過濕法刻蝕去除未被光刻膠覆蓋的Cu薄膜，去除剩余的光刻膠，形成柵極線、數(shù)據(jù)線和電極塊。本發(fā)明具體實(shí)施例對(duì)Cu薄膜進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，由于像素電極023上方覆蓋有絕緣層，因此濕法刻蝕不對(duì)像素電極023造成影響。
[0066]本發(fā)明具體實(shí)施例采用一次金屬沉積，并采用一道掩膜板同時(shí)制作出柵極線和數(shù)據(jù)線，與現(xiàn)有技術(shù)在制作柵極線和數(shù)據(jù)線時(shí)，分別需要進(jìn)行兩次金屬沉積，并需要采用兩道掩膜板相比，本發(fā)明具體實(shí)施例能夠節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間，降低生產(chǎn)成本。
[0067]下面接著介紹本發(fā)明具體實(shí)施例在晶圓襯底上制作若干薄膜晶體管的方法。
[0068]如圖3所示，本發(fā)明具體實(shí)施例在晶圓襯底上制作薄膜晶體管的方法包括:
[0069]S301、在晶圓襯底上依次制作犧牲層和緩沖層，所述犧牲層用于在后續(xù)去除時(shí)，將薄膜晶體管與晶圓襯底分離；
[0070]S302、在完成上述步驟的晶圓襯底上制作半導(dǎo)體有源層；
[0071]S303、在完成上述步驟的晶圓襯底上通過構(gòu)圖工藝制作第一絕緣層，后續(xù)需要制作源電極和漏電極的區(qū)域不覆蓋第一絕緣層，后續(xù)需要制作柵電極的區(qū)域覆蓋的第一絕緣層的厚度小于晶圓襯底的其余區(qū)域覆蓋的第一絕緣層的厚度；
[0072]S304、在完成上述步驟的晶圓襯底上制作柵電極、源電極和漏電極，柵電極、源電極和漏電極通過所述第一絕緣層絕緣；
[0073]S305、在完成上述步驟的晶圓襯底上通過構(gòu)圖工藝制作第二絕緣層，后續(xù)需要制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的區(qū)域不覆蓋第二絕緣層；
[0074]S306、在完成上述步驟的晶圓襯底上制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極，源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極通過所述第二絕緣層絕緣。
[0075]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例在晶圓襯底上制作單個(gè)薄膜晶體管的方法。
[0076]如圖4所示，首先，在晶圓襯底001上沉積一層犧牲層002，本發(fā)明具體實(shí)施例中的晶圓襯底001可以為硅片襯底、藍(lán)寶石襯底、砷化鎵(GaAs)襯底等，本發(fā)明具體實(shí)施例中的犧牲層002為氧化鋁(A1203)，或?yàn)槠渌妆凰崛芤焊g，且與硅(Si)、氧化硅(Si02)及晶圓襯底001有明顯刻蝕選擇性的材料。本發(fā)明具體實(shí)施例通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n,PECVD)等方法在晶圓襯底 001 上沉積犧牲層002，本發(fā)明具體實(shí)施例不對(duì)犧牲層的具體沉積方法作限定。
[0077]接著，在犧牲層002上沉積一層緩沖層003，本發(fā)明具體實(shí)施例中的緩沖層003為Si02，在實(shí)際制作過程中，緩沖層003還可以為其它材料，但需要保證緩沖層003與犧牲層002有明顯刻蝕選擇性，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)緩沖層003的具體材料作限定。本發(fā)明具體實(shí)施例也可以通過PECVD等方法在犧牲層002上沉積緩沖層003，本發(fā)明具體實(shí)施例不對(duì)緩沖層的具體沉積方法作限定。
[0078]接著，在緩沖層003上制作半導(dǎo)體有源層，制作的半導(dǎo)體有源層可以為氧化物半導(dǎo)體有源層，也可以為多晶硅半導(dǎo)體有源層，本發(fā)明具體實(shí)施例以制作多晶硅半導(dǎo)體有源層為例進(jìn)行說明。
[0079]如圖4所示，在緩沖層003上沉積一層非晶硅層，非晶硅層的沉積方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述，之后，對(duì)沉積的非晶硅層進(jìn)行低溫激光退火，使得非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼樱景l(fā)明具體實(shí)施例對(duì)非晶硅層進(jìn)行低溫激光退火的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。接著，對(duì)多晶硅層進(jìn)行選擇性摻雜，形成多晶硅半導(dǎo)體有源層，該多晶硅半導(dǎo)體有源層包括P型摻雜溝道區(qū)004和η型摻雜源/漏接觸區(qū)005，本發(fā)明具體實(shí)施例對(duì)多晶硅進(jìn)行摻雜的具體過程與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。
[0080]另外，本發(fā)明具體實(shí)施例由于采用的是晶圓襯底，與現(xiàn)有技術(shù)采用玻璃襯底相比，本發(fā)明具體實(shí)施例除了低溫激光退火外，也可以直接使用高溫退火等其它工藝實(shí)現(xiàn)非晶硅向多晶硅的轉(zhuǎn)換，這也是晶圓襯底進(jìn)行半導(dǎo)體工藝的一大優(yōu)勢(shì)。
[0081]接著，如