一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不面板(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是目前常用的平板顯示器，液晶顯示面板以其體積小、功耗低、無輻射、分辨率高等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于現(xiàn)代數(shù)字信息化設(shè)備中。
[0003]現(xiàn)有的TFT-1XD面板制造工藝中，薄膜晶體管器件所占的面積僅是比例很小的一部分，為保證像素區(qū)域的透光率和開口率，大部分半導(dǎo)體材料在沉積后都會被刻蝕去掉，這種無法避免的浪費(fèi)不僅是成本上的增加，也會以犧牲環(huán)境效益為代價。此外，現(xiàn)有技術(shù)在玻璃基板上進(jìn)行器件工藝，因玻璃基板尺寸過大以及耐腐蝕、耐高溫等方面的先天缺陷，使得薄膜晶體管器件在工藝手段的選擇以及精密程度上具備一定的局限性。
[0004]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)在TFT-LCD面板制作過程中，材料的利用率較低，會對環(huán)境造成一定的污染，且不易制作出精密度較高的半導(dǎo)體器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以提高材料的利用率，提高經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益，提高半導(dǎo)體器件的精密度。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，所述方法包括:
[0007]在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作像素電極；
[0008]在完成上述步驟的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線以及與所述像素電極電連接的電極塊，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線在相交位置處斷開；
[0009]在晶圓襯底上制作若干薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管包括同層絕緣制作的源電極、漏電極和柵電極，以及位于源電極、漏電極和柵電極上，同層絕緣制作的源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極；所述源電極鍵合電極與所述源電極電連接，所述漏電極鍵合電極與所述漏電極電連接，所述柵電極鍵合電極與所述柵電極電連接；
[0010]將每一個薄膜晶體管與晶圓襯底分離，并分別將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。
[0011]由本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，由于該方法包括在晶圓襯底上制作若干薄膜晶體管，將每一個薄膜晶體管與晶圓襯底分離，并分別將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。本發(fā)明實(shí)施例將薄膜晶體管器件制作在晶圓襯底上，然后將具有薄膜晶體管器件功能的微芯片鍵合至襯底基板上，而在晶圓襯底上制作薄膜晶體管器件，可提高材料的利用率，減少過多的刻蝕浪費(fèi)，提高經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益；且晶圓襯底相比于現(xiàn)有技術(shù)尺寸較大的襯底基板，在耐高溫、耐腐蝕等特性上擁有優(yōu)勢，可適應(yīng)更多的半導(dǎo)體工藝方法，且在小尺寸的晶圓襯底上進(jìn)行半導(dǎo)體器件加工工藝，可更好的控制器件的精密度。
[0012]較佳地，所述在完成上述步驟的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線以及與所述像素電極電連接的電極塊，包括:
[0013]在完成上述步驟的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝制作一層絕緣層；
[0014]在所述絕緣層上通過構(gòu)圖工藝制作柵極線、數(shù)據(jù)線和電極塊，所述電極塊通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述像素電極電連接。
[0015]較佳地，在晶圓襯底上制作薄膜晶體管，包括:
[0016]在晶圓襯底上依次制作犧牲層和緩沖層，所述犧牲層用于在后續(xù)去除時，將薄膜晶體管與晶圓襯底分離；
[0017]在完成上述步驟的晶圓襯底上制作半導(dǎo)體有源層；
[0018]在完成上述步驟的晶圓襯底上通過構(gòu)圖工藝制作第一絕緣層，后續(xù)需要制作源電極和漏電極的區(qū)域不覆蓋第一絕緣層，后續(xù)需要制作柵電極的區(qū)域覆蓋的第一絕緣層的厚度小于晶圓襯底的其余區(qū)域覆蓋的第一絕緣層的厚度；
[0019]在完成上述步驟的晶圓襯底上制作柵電極、源電極和漏電極，柵電極、源電極和漏電極通過所述第一絕緣層絕緣；
[0020]在完成上述步驟的晶圓襯底上通過構(gòu)圖工藝制作第二絕緣層，后續(xù)需要制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的區(qū)域不覆蓋第二絕緣層；
[0021]在完成上述步驟的晶圓襯底上制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極，源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極通過所述第二絕緣層絕緣。
[0022]較佳地，所述在完成上述步驟的晶圓襯底上制作柵電極、源電極和漏電極，包括:
[0023]在所述第一絕緣層上依次制作金屬阻擋層和銅籽層；
[0024]在完成上述步驟的晶圓襯底上采用電化學(xué)鍍的方法制作銅薄膜層；
[0025]采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法對銅薄膜層進(jìn)行拋光、研磨，形成相互絕緣的柵電極、源電極和漏電極。
[0026]較佳地，所述在完成上述步驟的晶圓襯底上制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極，包括:
[0027]在所述第二絕緣層上依次制作金屬阻擋層和銅籽層；
[0028]在完成上述步驟的晶圓襯底上采用電化學(xué)鍍的方法制作銅薄膜層；
[0029]采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法對銅薄膜層進(jìn)行拋光、研磨，形成相互絕緣的源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極。
[0030]較佳地，所述將每一個薄膜晶體管與晶圓襯底分離，包括:
[0031]對制作有源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的晶圓襯底的預(yù)設(shè)切割道區(qū)域進(jìn)行刻蝕，使得切割道區(qū)域僅保留犧牲層；
[0032]采用第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤吸附每一個薄膜晶體管，并采用刻蝕溶液刻蝕去除犧牲層。
[0033]較佳地，所述將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合，包括:
[0034]采用與所述第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤位置對應(yīng)的第二轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤將每一個薄膜晶體管進(jìn)行翻轉(zhuǎn)；
[0035]采用各項(xiàng)異性導(dǎo)電薄膜將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合。
[0036]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括依次位于襯底基板上的像素電極、柵極線、數(shù)據(jù)線、與像素電極電連接的電極塊、第一絕緣層、源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極、柵電極鍵合電極、第二絕緣層、源電極、漏電極、柵電極、半導(dǎo)體有源層；其中:
[0037]所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線在相交位置處斷開，所述源電極、所述漏電極和所述柵電極位于同一層，通過所述第二絕緣層絕緣；
[0038]所述源電極鍵合電極、所述漏電極鍵合電極和所述柵電極鍵合電極位于同一層，通過所述第一絕緣層絕緣；
[0039]所述柵電極通過所述柵電極鍵合電極與所述柵極線電連接；所述源電極通過所述源電極鍵合電極與所述數(shù)據(jù)線電連接；所述漏電極通過所述漏電極鍵合電極與所述電極塊電連接。
[0040]較佳地，所述像素電極、所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述電極塊位于同一層。
[0041]較佳地，還包括位于所述半導(dǎo)體有源層上的鈍化層，以及位于所述鈍化層上的公共電極。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述的陣列基板。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。
【附圖說明】
[0044]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0045]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作像素電極、柵極線、數(shù)據(jù)線以及電極塊的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的在晶圓襯底上制作薄膜晶體管的制作方法流程圖；
[0047]圖4-圖10(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的在晶圓襯底上制作薄膜晶體管的不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的將薄膜晶體管從晶圓襯底上分離的示意圖；
[0049]圖12(a)和圖12 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的將分離后的薄膜晶體管鍵合到制作有像素電極、柵極線、數(shù)據(jù)線以及電極塊的襯底基板上的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0050]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以提高材料的利用率，提高經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益，提高半導(dǎo)體器件的精密度。<