陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種陣列基板制作方法、一種陣列基板、一種顯示面板和一種顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)在制作薄膜晶體管的工藝中，先在柵絕緣層之上形成半導(dǎo)體層，然后對半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，保留溝道區(qū)的半導(dǎo)體層作為有源層，再制作源極和漏極與有源層搭接。
[0003]其中對半導(dǎo)體層蝕刻的工藝會對保留的半導(dǎo)體層(即有源層)造成損傷，即使在半導(dǎo)體層上形成蝕刻阻擋層，也無法完全避免蝕刻對保留的半導(dǎo)體造成損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，避免在制作薄膜晶體管的工藝中對有源層造成損傷。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種陣列基板制作方法，包括:
[0006]在柵絕緣層之上形成源極和漏極；
[0007]在所述柵絕緣層和源極與漏極之上形成光刻膠；
[0008]對所述光刻膠進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)，以露出所述源極和漏極之間的柵絕緣層，以及部分源極和部分漏極；
[0009]在所述溝道區(qū)形成有源層，以覆蓋漏出的柵絕緣層、所述部分源極和所述部分漏極。
[0010]優(yōu)選地，在所述溝道區(qū)形成有源層包括:
[0011]將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，
[0012]其中，所述光刻膠的表面能與所述柵絕緣層的表面能之差大于預(yù)設(shè)值。
[0013]優(yōu)選地，在溝道區(qū)形成有源層包括:
[0014]通過噴墨打印、絲網(wǎng)印刷、刮涂、旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層。
[0015]優(yōu)選地，所述溝道區(qū)的長寬比為10:1至50:1。
[0016]優(yōu)選地，通過噴墨打印的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，則所述溝道區(qū)的寬度為5 μπι至50 μπι。
[0017]優(yōu)選地，通過絲網(wǎng)印刷、刮涂或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，則所述溝道區(qū)的寬度為30 μπι至100 μπι。
[0018]優(yōu)選地，在通過刮涂和/或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層之后還包括:
[0019]去除所述溝道區(qū)以外的半導(dǎo)體材料。
[0020]優(yōu)選地，對所述光刻膠進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)包括:
[0021 ] 通過干法蝕刻或濕法蝕刻對所述光刻膠進(jìn)行蝕刻。
[0022]優(yōu)選地，所述光刻膠為含氟光刻膠。
[0023]優(yōu)選地，所述溝道區(qū)的長寬比為10:1至50:1。
[0024]優(yōu)選地，在所述溝道區(qū)形成有源層還包括:
[0025]通過控制對所述有源層的退火時(shí)間和退火溫度，設(shè)置所述有源層的結(jié)構(gòu)參數(shù)。
[0026]優(yōu)選地，還包括:
[0027]去除所述溝道區(qū)以外的光刻膠。
[0028]本發(fā)明還提出了一種陣列基板，包括:
[0029]柵絕緣層；
[0030]源極和漏極，設(shè)置在所述柵絕緣層之上；
[0031]有源層，設(shè)置在預(yù)設(shè)溝道區(qū)，覆蓋部分所述源極和部分所述漏極以及所述源極和所述漏極之間的柵絕緣層。
[0032]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)溝道區(qū)長寬比為10:1至50:1。
[0033]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)溝道區(qū)的寬度為5 μπι至50 μπι，或30 μπι至100 μπι。
[0034]優(yōu)選地，還包括:
[0035]鈍化層，設(shè)置在所述有源層之上，
[0036]其中，所述鈍化層中設(shè)置有過孔；
[0037]像素電極，設(shè)置在所述鈍化層之上，通過所述過孔與所述漏極電連接。
[0038]本發(fā)明還提出了一種顯示面板，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0039]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0040]通過上述技術(shù)方案，可以先形成源極和漏極，然后通過光刻膠形成溝道區(qū)，進(jìn)而在溝道區(qū)直接形成有源層，無需對形成有源層的半導(dǎo)體材料進(jìn)行蝕刻，從而避免對有源層造成損傷。
【附圖說明】
[0041]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0042]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板制作方法的示意流程圖；
[0043]圖2至圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板制作方法的具體流程圖；
[0044]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045]附圖標(biāo)號說明:
[0046]1-棚.絕緣層；2_源極；3_漏極；4_有源層；5_光刻I父；6_純化層；7_像素電極；8-基底；9_柵極。
【具體實(shí)施方式】
[0047]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0048]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0049]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板制作方法，包括:
[0050]SI，在柵絕緣層I之上形成源極2和漏極3，如圖2所示，其中，在形成源極2和漏極3之前，還包括在基底8上形成柵極，在柵極9和基底8之上形成柵絕緣層I ;
[0051]S2，在柵絕緣層I和源極2與漏極3之上形成光刻膠5，如圖3所示；
[0052]S3，對光刻膠5進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)，以露出源極2和漏極3之間的柵絕緣層1，以及部分源極2和部分漏極3，如圖4所不；
[0053]S4，在溝道區(qū)形成有源層4，以覆蓋漏出的柵絕緣層1、部分源極2和部分漏極3，如圖5所示。
[0054]通過光刻膠5來形成溝道區(qū)，可以限定出有源層4形成的區(qū)域，進(jìn)而可以在溝道區(qū)直接形成有源層4，相對于現(xiàn)有技術(shù)先形成半導(dǎo)體層，再對半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻來形成有源層的工藝，無需對形成有源層的半導(dǎo)體材料進(jìn)行蝕刻，從而避免對有源層4造成損傷，保證了有源層4與源極2和漏極3良好接觸，以便在開啟時(shí)能夠良好地導(dǎo)通源極2和漏極3，保證薄膜晶體管具有良好的性能。而且，由于有源層4形成在源極2和漏極3之上，即使后續(xù)工藝需要對有源層4進(jìn)行處理，也只會影響有源層4的上表面，而不會影響有源層4與源極2和漏極3接觸的一側(cè)，仍可保證有源層4與源極2和漏極3良好接觸。
[0055]優(yōu)選地，在溝道區(qū)形成有源層4包括:
[0056]將半導(dǎo)體材料溶液涂在溝道區(qū)以形成有源層4，
[0057]其中，光刻膠5的表面能與柵絕緣層I的表面能之差大于預(yù)設(shè)值。
[0058]通過選用特定的光刻膠5和/或柵絕緣層I的材料，可以使得光刻膠5的表面能(即表面張力)與柵絕緣層I的表面能之差較大，例如差值為0.ΟΙΝ/m，而半導(dǎo)體材料溶液與表面能較小的材料浸潤性較高，與表面能較大的材料浸潤性較低，因此在將半導(dǎo)體材料溶液涂在溝道區(qū)時(shí)，半導(dǎo)體材料溶液不易附著于光刻膠5，而易于附著于柵絕緣層1，從而使得通過半導(dǎo)體材料溶液形成的有源層4更好地限定在溝道區(qū)。
[0059]優(yōu)選地，在溝道區(qū)形成有源層4包括:
[0060]通過噴墨打印、絲網(wǎng)印刷、刮涂、旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在溝道區(qū)以形成有源層4。便于準(zhǔn)確地控制形成有源層4的厚度。
[0061 ] 優(yōu)選地，溝道區(qū)的長寬比為10:1至50:1。在該長寬比的溝道區(qū)中形成的相應(yīng)長寬比的有源層4可以在柵極9的驅(qū)動下良好地導(dǎo)通，進(jìn)而導(dǎo)通源極2和漏極3。
[0062]優(yōu)選地，通過噴墨打印的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在溝道區(qū)以形成有源層4，則溝道區(qū)的寬度為5 μπι至50 μπι。噴墨打印方式可以將半導(dǎo)體材料涂在較窄的溝道區(qū)內(nèi)，因此可以將溝道區(qū)寬度設(shè)置的較小，以減小薄膜晶體管所占區(qū)域，提高開口區(qū)域所占面積。
[0063]優(yōu)選地，通過絲網(wǎng)印刷、刮涂或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在溝道區(qū)以形成有源層4，則溝道區(qū)的寬度為30 μπι至100 μπι。絲網(wǎng)印刷、刮涂、旋涂由于涂覆面積較大，因此需要將溝道區(qū)設(shè)置的較寬。
[0064]優(yōu)選地，在通過刮涂和/或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在溝道區(qū)以形成有源層4之后還包括:
[0065]去除溝