具有導(dǎo)電平坦層的陣列基板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種具有導(dǎo)電平坦層的陣列基板、包含其的顯示裝置及其制 備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，陣列基板上的反射陽極的制備通常采用ITO/Ag或 AINd/ITO結(jié)構(gòu)，其中Ag或者AlNd用作反射電極，ITO用作透明的導(dǎo)電陽極。由于在陣列基 板的制作中，陣列基板上的開關(guān)元件例如薄膜晶體管（TFT)上會(huì)產(chǎn)生一些段差，所以，常常 會(huì)在開關(guān)元件上沉積有機(jī)樹脂平坦層，然后將ITO/Ag或AINd/ITO電極沉積在該有機(jī)樹脂 平坦層上面，然而由于有機(jī)樹脂材料與電極材料之間應(yīng)力不匹配，ITO/Ag或AINd/ITO電極 很容易脫落，器件的合格率與器件的長期穩(wěn)定性都存在問題。
[0003] 因此，本領(lǐng)域中需要一種改進(jìn)的陣列基板結(jié)構(gòu)來改善器件的合格率與器件的長期 穩(wěn)定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種陣列基板，包含其的顯示設(shè)備，及其制備方法。本發(fā)明 包含以下內(nèi)容：
[0005] 實(shí)施方式1. 一種陣列基板，包括：
[0006] 具有多個(gè)子像素區(qū)域的基底，
[0007] 其中，所述陣列基板在每個(gè)子像素區(qū)域中包括：設(shè)置在所述基底上的開關(guān)元件，設(shè) 置于該開關(guān)元件上的導(dǎo)電平坦層，以及設(shè)置于該平坦層上的像素電極，所述像素電極與所 述開關(guān)元件的輸出電極電連接。這種陣列基板中由于平坦層和像素電極都由無機(jī)材料構(gòu) 成，改善了材料之間由于應(yīng)力導(dǎo)致的器件不穩(wěn)定性，提高了器件的長期穩(wěn)定性，并且生產(chǎn)工 藝也得到簡化。
[0008] 實(shí)施方式2.根據(jù)實(shí)施方式1所述的陣列基板，其中，所述導(dǎo)電平坦層為包含金屬 的導(dǎo)電平坦層。
[0009] 實(shí)施方式3.根據(jù)實(shí)施方式1或2所述的陣列基板，其中，所述導(dǎo)電平坦層通過燒 結(jié)納米級(jí)金屬材料制成。
[0010] 實(shí)施方式4.根據(jù)實(shí)施方式3所述的陣列基板，其中，所述納米級(jí)金屬材料為納米 級(jí)金屬線、納米級(jí)金屬顆粒，或其組合。
[0011] 實(shí)施方式5.根據(jù)實(shí)施方式1至4中任一項(xiàng)所述的陣列基板，還包括像素隔離層， 所述像素隔離層將所有的導(dǎo)電平坦層彼此隔開并絕緣。
[0012] 實(shí)施方式6.根據(jù)實(shí)施方式1至5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中所述導(dǎo)電平坦層 的厚度為大于或等于10納米至小于1微米。
[0013] 實(shí)施方式7.根據(jù)實(shí)施方式1至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中所述像素電極經(jīng) 所述導(dǎo)電平坦層與所述開關(guān)元件的輸出電極電連接。
[0014] 實(shí)施方式8.根據(jù)實(shí)施方式1至7中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中所述開關(guān)元件與 所述平坦層之間設(shè)置有無機(jī)緩沖層。
[0015] 實(shí)施方式9.根據(jù)實(shí)施方式4所述的陣列基板，其中所述納米級(jí)金屬材料包括納米 銀材料。
[0016] 實(shí)施方式10.根據(jù)實(shí)施方式8或9所述的陣列基板，其中所述無機(jī)緩沖層的厚度 為50納米至1500納米。
[0017] 實(shí)施方式11.根據(jù)實(shí)施方式1-10中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中所述開關(guān)元件為 薄膜晶體管，所述開關(guān)元件的輸出電極為該薄膜晶體管的漏極。
[0018] 實(shí)施方式12.根據(jù)實(shí)施方式1-11中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中所述陣列基板還 包括位于所述像素電極上方的有機(jī)發(fā)光層和位于所述有機(jī)發(fā)光層上方的透明電極。
[0019] 實(shí)施方式13.根據(jù)實(shí)施方式1-12中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中所述導(dǎo)電平坦層 與所述像素電極彼此直接接觸。
[0020] 實(shí)施方式14.根據(jù)實(shí)施方式1-13中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其中所述像素電極的 材料包含透明導(dǎo)電氧化物例如ITO (氧化銦錫）和IZO (氧化銦鋅）、碳納米管和碳納米線中 的至少一種。
[0021] 實(shí)施方式15. -種顯示裝置，包括根據(jù)實(shí)施方式1-14中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0022] 實(shí)施方式16. -種陣列基板的制造方法，
[0023] 所述陣列基板包括：包括多個(gè)子像素區(qū)域的基底，
[0024] 其中，所述陣列基板在每個(gè)子像素區(qū)域中包括：設(shè)置在所述基底上的開關(guān)元件，設(shè) 置于該開關(guān)元件上的導(dǎo)電平坦層，以及設(shè)置于該平坦層上的像素電極，其中所述像素電極 與所述開關(guān)兀件的輸出電極電連接；
[0025] 其中所述方法包括以下步驟：
[0026] 在所述基底的每個(gè)子像素區(qū)域上形成開關(guān)元件，
[0027] 在所述開關(guān)元件上形成導(dǎo)電平坦層，和
[0028] 在所述導(dǎo)電平坦層上形成像素電極。
[0029] 實(shí)施方式17.根據(jù)實(shí)施方式16所述的方法，其中，在開關(guān)元件上形成導(dǎo)電平坦層 的步驟包括：在所述開關(guān)元件上施加納米級(jí)金屬材料，然后進(jìn)行燒結(jié)，得到所述導(dǎo)電平坦 層。
[0030] 實(shí)施方式18.根據(jù)實(shí)施方式16或17所述的方法，還包括在形成所述導(dǎo)電平坦層 之前，在所述開關(guān)元件上形成無機(jī)緩沖層，并且對(duì)所述無機(jī)緩沖層進(jìn)行蝕刻以露出所述開 關(guān)兀件的輸出電極。
[0031] 實(shí)施方式19.根據(jù)實(shí)施方式16至18中任一項(xiàng)的方法，還包括在形成所述導(dǎo)電平 坦層之前，形成像素隔離層，所述像素隔離層將不同子像素區(qū)域中的導(dǎo)電平坦層彼此隔離。
[0032] 實(shí)施方式20.根據(jù)實(shí)施方式19所述的方法，其中像素隔離層也將不同子像素區(qū)域 中的像素電極彼此隔離。
[0033] 實(shí)施方式21.根據(jù)實(shí)施方式17所述的方法，其中所述納米級(jí)金屬材料通過噴墨打 印、絲網(wǎng)印刷或轉(zhuǎn)印的方式施加，所述燒結(jié)在120至600°C的溫度，例如，130至560°C的溫度 進(jìn)行。
[0034] 實(shí)施方式22.根據(jù)實(shí)施方式17所述的方法，其中所述納米級(jí)金屬材料包括納米銀 材料。
【附圖說明】
[0035] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡單地介 紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。
[0036] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的頂發(fā)射型陣列基板的示意圖。
[0037] 圖2為根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的陣列基板的示意圖。
[0038] 圖3為根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的陣列基板的示意圖。
[0039] 圖4-10為示意圖，其說明制造本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的方法。
[0040] 附圖標(biāo)記：
[0041] 1-開關(guān)元件； 100-基底； 101-基底上的柵極；
[0042] 102-柵極絕緣層；103-半導(dǎo)體層； 104-刻蝕阻擋層；
[0043] 105-漏極； 106-源極； 1〇7_中間金屬層；
[0044] 108-無機(jī)絕緣層；109-有機(jī)樹脂平坦層；110-反射電極；
[0045] 111-透明像素電極；112-像素界定層； 113-導(dǎo)電平坦層。
[0046] 114-像素隔離層
【具體實(shí)施方式】
[0047] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā) 明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0048] 圖1為頂發(fā)射型陣列基板的視圖，其包括：基底100、基底上的柵極101、柵極絕 緣層102、半導(dǎo)體層103、刻蝕阻擋層104、源極106、漏極105、中間金屬層107、無機(jī)絕緣層 108 (任選的）、有機(jī)樹脂平坦層109、反射電極110、透明像素電極111、和像素界定層112。
[0049] 本申請(qǐng)中的術(shù)語具有本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的含義。
[0050] 例如，術(shù)語"開關(guān)元件"具有本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的含義。一般而言，在電子 器件中，開關(guān)元件可以是晶體管，尤其是薄膜晶體管（Thin Film Transistor)。例如，如圖 2中的附圖標(biāo)記1所指示的，開關(guān)元件1可以包括基底上的柵極101、柵極絕緣層102、半導(dǎo) 體層103、刻蝕阻擋層104、源極106、漏極105、和中間金屬層107。這里的所述的開關(guān)元件 的結(jié)構(gòu)僅僅為一種示例性結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例并不限制于此。
[0051] 本發(fā)明的實(shí)施例提出了一種改進(jìn)的陣列基板，包含其的顯示設(shè)備，及其制備方法。 在陣列基板的開關(guān)元件上通過例如噴墨打印等工藝施加納米金屬材料，尤其是納米銀材 料，并將其燒結(jié)成為導(dǎo)電平坦層（該導(dǎo)電平坦層也可用作反射電極），再沉積ITO作為頂發(fā) 射像素電極。這種陣列基板中由于平坦層和像素電極都由無機(jī)材料構(gòu)成，改善了材料之間 由于應(yīng)力導(dǎo)致的器件不穩(wěn)定性，提高了器件的長期穩(wěn)定性，并且生產(chǎn)工藝也得到簡化。在本 申請(qǐng)中，術(shù)語"長期穩(wěn)定性"是指器件在制造和使用時(shí)的信賴性與穩(wěn)定性。在非柔性器件的 制造中使用導(dǎo)電平坦層使得器件不容易