剝離而提高良率。柔性器件經(jīng)常變形和被彎折，使 用導(dǎo)電平坦層可以使得器件不容易剝離和脫落，因此這種長期穩(wěn)定性在制備和使用柔性器 件的過程中尤其重要。
[0052] 本發(fā)明的一些實施方式提供一種陣列基板，包括：
[0053] 具有多個子像素區(qū)域的基底，
[0054] 其中，所述陣列基板在每個子像素區(qū)域中包括：設(shè)置在所述基底上的開關(guān)元件，設(shè) 置于該開關(guān)元件上的導(dǎo)電平坦層，以及設(shè)置于該平坦層上的像素電極，其中所述像素電極 與所述開關(guān)元件電連接。在一種實施方式中，所述像素電極與所述開關(guān)元件的輸出電極電 連接。在一種實施方式中，所述開關(guān)元件是薄膜晶體管，所述輸出電極為薄膜晶體管的漏 極。
[0055] 陣列基板是顯示設(shè)備中的主要元件之一。一般而言，陣列基板包含多個子像素區(qū) 域，每個子像素區(qū)域形成一個子像素，每個子像素能夠發(fā)出一種顏色的光。每個子像素的發(fā) 光顏色根據(jù)設(shè)計而定。通?？梢允褂藐嚵谢迳戏謩e發(fā)紅、綠和藍(lán)光的三個子像素構(gòu)成一 個像素。在一些實施方式中，可以使用分別發(fā)白光、紅光、綠光和藍(lán)光的四個子像素構(gòu)成一 個像素。
[0056] -般而言，每個子像素區(qū)域中形成的子像素至少包括一個開關(guān)元件，一個電極對 和電致發(fā)光材料，該開關(guān)元件的輸出電極與電極對的一個電極連接，電致發(fā)光材料位于該 電極對之間。所述電極對通常包括一個像素電極，以及與該像素電極相對的公共電極。在 一些實施方式中，像素電極為陽極，公共電極為陰極。
[0057] 在一種實施方式中，開關(guān)元件是晶體管，例如是薄膜晶體管。薄膜晶體管可以是頂 柵型或底柵型結(jié)構(gòu)。適合于本發(fā)明的陣列基板的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)沒有限制，可以是本領(lǐng) 域技術(shù)人員通常已知的結(jié)構(gòu)。
[0058] 在本發(fā)明的一種實施方式中，陣列基板包含設(shè)置于該開關(guān)元件上的導(dǎo)電平坦層。 在本申請中，導(dǎo)電平坦層具有兩個主表面，一個主表面靠近開關(guān)元件，一個主表面靠近像素 電極，其中靠近開關(guān)元件的主表面為非平坦的，靠近像素電極的主表面為平坦的。在一些實 施方式中，所述導(dǎo)電平坦層的平坦的主表面與基底的表面平行。該導(dǎo)電平坦層主要由金屬 構(gòu)成，在起到平坦化作用（例如，將陣列基板上的開關(guān)元件等形成的段差平坦化）的基礎(chǔ) 上，還可以進(jìn)一步充當(dāng)反射電極?？梢栽趯?dǎo)電平坦層上形成像素電極，例如透明的頂發(fā)射陽 極。在一些實施方式中，導(dǎo)電平坦層與該像素電極電連接，導(dǎo)電平坦層與開關(guān)元件的輸出電 極電連接。在一些實施方式中，像素電極直接與開關(guān)元件的輸出電極電連接。在一些實施 方式中，像素電極直接形成在導(dǎo)電平坦層上。例如，像素電極可以直接接觸導(dǎo)電平坦層。
[0059] 在一些實施方式中，所述導(dǎo)電平坦層為包含金屬的導(dǎo)電平坦層。金屬是電的良導(dǎo) 體，因此，本發(fā)明實施例的導(dǎo)電平坦層可以包含金屬。在一些實施例方式中，導(dǎo)電平坦層由 金屬形成。相比于有機平坦層與有機平坦層上的反射電極、以及有機平坦層下面的無機緩 沖層之間的應(yīng)力差別而言，由金屬形成的導(dǎo)電平坦層與形成于導(dǎo)電平坦層上的像素電極 (例如ΙΤ0)、以及導(dǎo)電平坦層下面的無機緩沖層之間的應(yīng)力差別較小，因此，改善了材料之 間由于應(yīng)力差別導(dǎo)致的器件不穩(wěn)定性。由于該導(dǎo)電平坦層同時又可以用作反射電極，因此 形成反射電極和平坦層的步驟集成到了一個形成導(dǎo)電平坦層的工藝步驟中，這使得本發(fā)明 實施例的陣列基板的生產(chǎn)工藝也得到了簡化。
[0060] 在一些實施方式中，所述導(dǎo)電平坦層通過施加納米級金屬材料，然后燒結(jié)納米級 金屬材料制成。形成的經(jīng)燒結(jié)的導(dǎo)電平坦層具有反射性質(zhì)，可以在陣列基板中用作反射電 極。
[0061] 在本申請中，術(shù)語"納米級金屬材料"是指該金屬材料的尺寸為1納米至小于等于 200nm，并且主要由金屬構(gòu)成。這里的主要由金屬構(gòu)成，是指其成分中80%以上是金屬元素， 優(yōu)選90%，甚至是95 %以上是金屬元素。當(dāng)然材料的尺寸也可以為1-100納米，5-80納米， 5-50納米，5-40納米，10-35納米，10-30納米，例如10至25納米。這里所述的材料的尺寸 是指該金屬材料的較小維度（extent)的尺寸。比如，該金屬材料如果微觀上為纖維狀，那 么該尺寸為該纖維的直徑，如果該金屬材料微觀上為球狀，那么該尺寸為該球的直徑。在本 申請中，當(dāng)述及納米級金屬材料的尺寸時，指的是該金屬材料的尺寸的平均值。一般而言， 納米級金屬材料可以具有各種形貌，例如球狀、纖維狀、樹枝狀、片狀等及其組合。當(dāng)金屬材 料的尺寸在納米級時，納米級金屬材料可以在比同種類的塊狀金屬材料的熔融溫度低得多 的溫度（例如130至400°C的溫度）被燒結(jié)。
[0062] 在一些實施方式中，所述納米級金屬材料為納米級金屬線、納米級金屬顆粒，或其 組合。在一些實施方式中，所述納米級金屬材料包括納米銀材料。這些金屬納米材料是可 以商購獲得的，例如可以是韓國Inktec公司的導(dǎo)電銀納米溶液。在一些實施方式中，納米 銀材料的尺寸為100納米至200納米，其可以在390至400°C或者更高的溫度被燒結(jié)。在一 些實施方式中，納米銀材料的尺寸為50納米至130納米，其可以在380至390°C或者更高 的溫度被燒結(jié)。在一些實施方式中，納米銀材料的尺寸為10納米至35納米，其可以在130 至140°C或者更高的溫度被燒結(jié)。當(dāng)納米銀材料的尺寸為小于10納米時，還可以在更低的 溫度進(jìn)行燒結(jié)。在較低的溫度燒結(jié)可以盡可能地降低燒結(jié)過程中對陣列基板性能的影響。
[0063] 在一些實施方式中，其中不同子像素區(qū)域中的導(dǎo)電平坦層彼此隔開并絕緣。根據(jù) 本發(fā)明實施例的平坦層是導(dǎo)電的，它們常常與子像素的像素電極和開關(guān)元件電連接，因此， 各個子像素之間的平坦層需要相互隔開并絕緣。對于使其隔開并絕緣的方法并沒有限制， 可以使用像素隔離層將其隔開并絕緣，也可以通過空間上的間隔產(chǎn)生絕緣效果。
[0064] 在一些實施方式中，其中所述導(dǎo)電平坦層的厚度為大于10納米。在本申請中，當(dāng) 述及"導(dǎo)電平坦層的厚度"時，指的是導(dǎo)電平坦層除開將開關(guān)元件的段差恰好找平之后額外 增加的厚度。導(dǎo)電平坦層的厚度沒有特別限制，然而在導(dǎo)電平坦層的厚度大于10納米，尤 其是大于30納米的情況下，使得導(dǎo)電平坦層能夠很好地發(fā)揮反射電極的作用，避免光的透 射。在一些實施方式中，所述導(dǎo)電平坦層的厚度為小于4微米、小于3微米、小于2微米、小 于1微米、小于100納米或者小于50納米。將導(dǎo)電平坦層的厚度限制在小于一定的值是為 了節(jié)省材料，節(jié)省制作工藝的時間，以及降低陣列基板的厚度。
[0065] 在一些實施方式中，不同子像素區(qū)域中的導(dǎo)電平坦層彼此隔開并絕緣。在一些實 施方式中，不同子像素區(qū)域中的導(dǎo)電平坦層通過像素隔離層彼此隔開并絕緣。在使用像素 隔離層將導(dǎo)電平坦層彼此隔開的情況下，像素隔離層還可以用于將像素電極彼此隔開并絕 緣。這取決于像素隔離層的高度，在像素隔離層僅用來使導(dǎo)電平坦層彼此隔開并絕緣的情 況下，該像素隔離層通?？梢詾閷?dǎo)電平坦層所要達(dá)到的高度即可，當(dāng)然也可以比該高度高。
[0066] 在一些實施方式中，不同子像素區(qū)域中的像素電極彼此通過另一像素隔離層隔開 并絕緣。在一些實施方式中，該另一像素隔離層可以形成于用于隔離導(dǎo)電平坦層的像素隔 離層上，這是因為在同一個子像素區(qū)域中，像素電極和其相應(yīng)的導(dǎo)電平坦層的形狀和面積 可以相同，上下相互對應(yīng)。
[0067] 在一些實施方式中，所述像素電極經(jīng)所述導(dǎo)電平坦層與所述開關(guān)元件電連接。在 這種情況下，導(dǎo)電平坦層用作反射電極，并且用來連接開關(guān)元件的輸出電極和像素電極。在 開關(guān)元件是薄膜晶體管的情況下，輸出電極一般是指薄膜晶體管的漏極。
[0068] 在一些實施方式中，所述開關(guān)元件與所述平坦層之間設(shè)置有無機緩沖層。由于導(dǎo) 電平坦層可能影響開關(guān)元件的電性質(zhì)，因此可以在形成本發(fā)明的導(dǎo)電平坦層之前，先在開 關(guān)元件上形成無機緩沖層。在這種情況下，需要對所述無機緩沖層進(jìn)行蝕刻露出所述開關(guān) 元件的輸出電極。在一些實施方式中，在形成導(dǎo)電平坦層的過程中，導(dǎo)電平坦層可以接觸該 輸出電極。
[0069] 在一些實施方式中，無機緩沖層的材料可以為氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至 少一種。相比于有機樹脂材料而言，這些無機材料與導(dǎo)電平坦層之間的應(yīng)力差別小，因此， 導(dǎo)致電極材料不容易脫落。同時，無機緩沖層可以起到保護(hù)開關(guān)元件，并使開關(guān)元件（除輸 出電極之外）與導(dǎo)電平坦層之間絕緣的作用。
[0070] 在一些實施方式中，所述無機緩沖層的厚度為50納米至5000納米，優(yōu)選50至 1500納米，優(yōu)選50至500納米。太低的厚度不能達(dá)到很好的保護(hù)和絕緣的作用，太高的厚 度又會過多增加陣列基板的厚度，且不利于節(jié)約材料。
[0071] 在一些實施方式中，其中所述開關(guān)元件為薄膜晶體管。
[0072] 在一些實施方式中，其中所述陣列基板還包括位于所述像素電極上方的有機發(fā)光 層和位于所述有機發(fā)光層上方的透明電極。在本申請中，透明電極的制備材料沒有限制。在 一些實施方式中，透明電極可以使用ITO電極材料，碳納米管，碳納米線等制造。碳納米管 和碳納米線在機械強度和導(dǎo)電性方面都是特別優(yōu)良的，而且也是透光的，