[0112] 在本實例中的導(dǎo)電平坦層113之間形成了像素隔離層112。像素隔離層是絕緣體， 由有機(jī)或無機(jī)絕緣材料構(gòu)成。像素隔離層將所有的導(dǎo)電平坦層彼此隔開并絕緣。
[0113] 在本實施例中，附圖標(biāo)記1所指的部分可以稱為開關(guān)元件，其包括基底100、基底 上的柵極101、柵極絕緣層102、半導(dǎo)體層103、刻蝕阻擋層104、源極106、漏極105、和中間 金屬層107。
[0114] 實施例3 (制備本發(fā)明的陣列基板，形成緩沖層的情況下）
[0115] 在本實施例中，使用無堿玻璃作為基底，在其上形成TFT所需要的開關(guān)元件。如圖 4所示，沉積柵極金屬材料（Cu)并刻蝕形成柵極金屬層的底柵結(jié)構(gòu)，即柵極（101)。接著，如 圖5所示，形成膜厚約為3微米無機(jī)絕緣層鈍化層。如圖6所示，沉積無機(jī)半導(dǎo)體材料銦鎵 鋅氧化物，并圖案化后沉積刻蝕保護(hù)層104,并且形成通孔。如圖7所示，形成源極106 (其 如圖所示，通過通孔連接至半導(dǎo)體層103)，漏極105 (其如圖所示，通過通孔連接至半導(dǎo)體 層103)和中間金屬層107 (其如圖所示，通過通孔連接至柵極101)，形成TFT開關(guān)元器件。
[0116] 如圖8所示，沉積無機(jī)緩沖（SiO2)層108,并形成像素隔離層114。干法刻蝕后露 出漏極105。
[0117] 如圖9所示將金屬納米噴墨印刷材料（韓國Inktec公司導(dǎo)電銀納米溶液，其中的 納米銀粒徑為約25nm)通過噴墨打印及注入到界定后的無機(jī)緩沖層108上形成未燒結(jié)的膜 層，該膜層厚度為250nm(其厚度可以為250nm~3um)，在250°C的溫度燒結(jié)（燒結(jié)溫度可 以為120至600°C，例如130-560°C )，得到厚度為200nm的導(dǎo)電平坦層113(其用作反射電 極）。導(dǎo)電平坦層113直接與漏極105電連接。
[0118] 如圖10所示，在形成的導(dǎo)電平坦層113上進(jìn)一步通過濺射沉積ITO層形成透明的 ITO像素電極111。像素電極111經(jīng)導(dǎo)電平坦層113與漏極105電連接。
[0119] 進(jìn)一步在像素電極111上形成像素界定層112,由此，形成實施例2中所述的陣列 基板。
[0120] 在進(jìn)一步的步驟中，在像素電極上，使用旋轉(zhuǎn)涂布工藝涂布正性光阻膠（JEM-542， 購自JSR公司），執(zhí)行曝光顯影，形成像素界定層112,該像素界定層112界定出像素電極的 開口部分。
[0121] 進(jìn)一步地，采用掩模方式（例如加熱蒸發(fā)蒸鍍方式）或噴墨打印方式，在界定出來 的像素電極上依次沉積并形成OLED發(fā)光材料，并最后沉積無機(jī)導(dǎo)電氧化物材料ITO (也可 以使用ΙΖ0)作為透明陰極（其具有微腔結(jié)構(gòu)）。
[0122] 最后使用化學(xué)氣相沉積方法沉積2微米的無機(jī)阻擋層。形成OLED發(fā)光部分。
[0123] 該OLED發(fā)光部分可以進(jìn)一步形成顯示器件。
[0124] 對比例2 (制備對比例1的陣列基板）
[0125] 在本實例中，使用無堿玻璃作為基底，在其上形成TFT所需要的開關(guān)元件。形成的 TFT開關(guān)元器件與實施例3中的相同。
[0126] 在形成TFT開關(guān)元件之后，在所述開關(guān)元件上采用旋涂形成丙烯酸類單體的濕 膜，通過加熱預(yù)固化形成預(yù)固化的膜，通過掩模曝光方式將預(yù)固化的膜在除通孔以外的部 分形成丙烯酸類樹脂平坦層109 (圖1)，厚度1500nm。在平坦層109上刻蝕出通孔，露出漏 極 105〇
[0127] 在形成的平坦層109上沉積200nm厚的金屬Ag層作為反射電極110,并且沉積ITO 層形成透明的ITO像素電極111。反射電極110直接與漏極105接觸。像素電極111經(jīng)反 射電極110與漏極105電連接。
[0128] 由此，形成對比例1中所述的陣列基板。
[0129] 測試 1
[0130] 測試陣列基板的穩(wěn)定性。應(yīng)力導(dǎo)致的器件穩(wěn)定性的提高
[0131] 根據(jù)JIS K 5400所述的棋盤格法進(jìn)行評價。具體方法如下，將實施例3 (其對應(yīng) 于實施例2的陣列基板）和對比例2 (其對應(yīng)于對比例1的陣列基板）所制備的陣列基板 用刀具劃刻成棋盤格狀，以2mm間隔形成25個網(wǎng)格。貼上3M 600透明玻璃紙膠帶，拿住3M 膠帶的一端，并呈60度角度，在0. 5-1秒內(nèi)平穩(wěn)地剝離。將測試完畢的3M膠帶粘在測試板 上，供參照判定用。目視觀察將膠帶剝離后涂膜的附著狀態(tài)，按照網(wǎng)格沒有剝落為〇〇,網(wǎng)格 有少于等于1/5的剝落為0,網(wǎng)格有大于1/5的剝落為X進(jìn)行評價。結(jié)果如下：
[0132] 表 1
[0133]
[0134] 以上所述僅是本發(fā)明的示范性實施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā) 明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。
【主權(quán)項】
1. 一種陣列基板，包括： 具有多個子像素區(qū)域的基底， 其中，所述陣列基板在每個子像素區(qū)域中包括：設(shè)置在所述基底上的開關(guān)元件，設(shè)置于 所述開關(guān)元件上的導(dǎo)電平坦層，以及設(shè)置于所述平坦層上的像素電極，所述像素電極與所 述開關(guān)元件的輸出電極電連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述導(dǎo)電平坦層為包含金屬的導(dǎo)電平坦層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述導(dǎo)電平坦層通過燒結(jié)納米級金屬材料 制成。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，所述納米級金屬材料為納米級金屬線、納米 級金屬顆粒，或其組合。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的陣列基板，還包括像素隔離層，所述像素隔離層 將不同子像素區(qū)域中的導(dǎo)電平坦層彼此隔開并絕緣。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的陣列基板，其中所述導(dǎo)電平坦層的厚度為大于 或等于10納米至小于1微米。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的陣列基板，其中所述像素電極經(jīng)所述導(dǎo)電平坦 層與所述開關(guān)元件的輸出電極電連接。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的陣列基板，其中所述開關(guān)元件與所述平坦層之 間設(shè)置有無機(jī)緩沖層。9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中所述納米級金屬材料包括納米銀材料。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中所述無機(jī)緩沖層的厚度為50納米至1500納 米。11. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板，其中所述開關(guān)元件為薄膜晶體管，所 述開關(guān)元件的輸出電極為所述薄膜晶體管的漏極。12. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板，其中所述陣列基板還包括位于所述 像素電極上方的有機(jī)發(fā)光層和位于所述有機(jī)發(fā)光層上方的透明電極。13. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板，其中所述導(dǎo)電平坦層與所述像素電 極彼此直接接觸。14. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板，其中所述像素電極的材料包括透明 導(dǎo)電氧化物、碳納米管和碳納米線中的至少一種。15. -種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一項所述的陣列基板。16. -種陣列基板的制造方法， 所述陣列基板包括：包括多個子像素區(qū)域的基底， 其中所述方法包括以下步驟： 在所述基底的每個子像素區(qū)域上形成開關(guān)元件， 在所述開關(guān)元件上形成導(dǎo)電平坦層，和 在所述導(dǎo)電平坦層上形成像素電極，其中所述像素電極與所述開關(guān)元件的輸出電極電 連接。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在開關(guān)元件上形成導(dǎo)電平坦層的步驟包括：在 所述開關(guān)元件上施加納米級金屬材料，然后將所述納米級金屬材料進(jìn)行燒結(jié)，得到所述導(dǎo) 電平坦層。18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括在形成所述導(dǎo)電平坦層之前，在所述開關(guān)元 件上形成無機(jī)緩沖層，并且對所述無機(jī)緩沖層進(jìn)行蝕刻以露出所述開關(guān)元件的輸出電極。19. 根據(jù)權(quán)利要求16至18中任一項的方法，還包括在形成所述導(dǎo)電平坦層之前，形成 像素隔離層，所述像素隔離層將不同子像素區(qū)域中的導(dǎo)電平坦層彼此隔離。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中像素隔離層也將不同子像素區(qū)域中的像素電極 彼此隔咼。21. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述納米級金屬材料通過噴墨打印、絲網(wǎng)印刷 或轉(zhuǎn)印的方式施加，所述燒結(jié)在120至600 °C的溫度進(jìn)行。22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述燒結(jié)在130至560°C的溫度進(jìn)行。23. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述納米級金屬材料包括納米銀材料。
【專利摘要】一種陣列基板，包括：具有多個子像素區(qū)域的基底(100)，其中，在每個子像素區(qū)域中包括：設(shè)置在所述基底上的開關(guān)元件(1)，設(shè)置于該開關(guān)元件(1)上的導(dǎo)電平坦層(113)，以及設(shè)置于該平坦層上的像素電極(111)，所述像素電極(111)與所述開關(guān)元件(1)的輸出電極(105)電連接。這種陣列基板改善了材料之間由于應(yīng)力導(dǎo)致的器件不穩(wěn)定性，提高了器件的長期穩(wěn)定性，并且生產(chǎn)工藝也得到簡化。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/12
【公開號】CN105118836
【申請?zhí)枴緾N201510453722
【發(fā)明人】劉則
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年7月29日