道區(qū)以外的半導(dǎo)體材料。
[0066]噴墨打印和絲網(wǎng)印刷方式可以直接在溝道區(qū)中形成有源層4，而刮涂和旋涂的方式則是在溝道區(qū)中和光刻膠之上形成一道半導(dǎo)體層，因此需要去除溝道區(qū)以外的半導(dǎo)體材料，例如通過(guò)干法蝕刻或濕法蝕刻或激光去除溝道區(qū)以外的半導(dǎo)體材料。
[0067]無(wú)論通過(guò)上述何種方式形成有源層4，由于涂在溝道區(qū)中的半導(dǎo)體材料已經(jīng)覆蓋在源極2和漏極3之上，即使后續(xù)再對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行去除，也只會(huì)影響有源層4的上表面，而不會(huì)影響有源層4與源極2和漏極3接觸的一側(cè)，因此保證了有源層4與源極2和漏極3的良好接觸。
[0068]優(yōu)選地，對(duì)光刻膠5進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)包括:
[0069]通過(guò)干法蝕刻或濕法蝕刻對(duì)光刻膠5進(jìn)行蝕刻。
[0070]通過(guò)干法蝕刻或濕法蝕刻進(jìn)行蝕刻，可以準(zhǔn)確地控制蝕刻深度，避免蝕刻不完全造成光刻膠5存在殘留，或蝕刻過(guò)度對(duì)柵絕緣層I造成損傷。
[0071]優(yōu)選地，光刻膠5為含氟光刻膠。
[0072]含氟光刻膠具有較大的表面能，可以保證與柵絕緣層I之間形成較大的表面能差。并且含氟光刻膠在柵絕緣層I和源極2與漏極3上的成膜情況相近，易于形成表面均勻的有源層4。而且含氟光刻膠易于完全剝離，方便后續(xù)去除光刻膠5的工藝，以及保證去除光刻膠5后的材料表面不會(huì)有殘留光刻膠，例如可以選用型號(hào)為OSCoR 4001或OSCoR 5001的光刻膠。
[0073]優(yōu)選地，溝道區(qū)的長(zhǎng)寬比為10:1至50:1。在該長(zhǎng)寬比的溝道區(qū)中形成的相應(yīng)長(zhǎng)寬比的有源層4可以在柵極9的驅(qū)動(dòng)下良好地導(dǎo)通，進(jìn)而導(dǎo)通源極2和漏極3。
[0074]優(yōu)選地，在溝道區(qū)形成有源層4還包括:
[0075]通過(guò)控制對(duì)有源層4的退火時(shí)間和退火溫度，設(shè)置有源層4的結(jié)構(gòu)參數(shù)。通過(guò)控制對(duì)有源層4的退火時(shí)間和退火溫度，可以形成與目標(biāo)結(jié)構(gòu)參數(shù)相符的有源層4。
[0076]優(yōu)選地，還包括:
[0077]S5，去除溝道區(qū)以外的光刻膠5，如圖6所示。以便后續(xù)在有源層4之上繼續(xù)形成鈍化層等結(jié)構(gòu)。
[0078]其中，上述流程所采用的形成工藝?yán)缈砂?沉積、濺射等成膜工藝和刻蝕等構(gòu)圖工藝。
[0079]如圖7所示，本發(fā)明還提出了一種陣列基板，包括:
[0080]柵絕緣層I ;
[0081]源極2和漏極3，設(shè)置在柵絕緣層I之上；
[0082]有源層4，設(shè)置在預(yù)設(shè)溝道區(qū)，覆蓋部分源極2和部分漏極3以及源極2和漏極3之間的柵絕緣層I。
[0083]優(yōu)選地，預(yù)設(shè)溝道區(qū)長(zhǎng)寬比為10:1至50:1。
[0084]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)溝道區(qū)的寬度為5 μπι至50 μπι，或30 μπι至100 μπι。
[0085]優(yōu)選地，還包括:
[0086]鈍化層6，設(shè)置在有源層4之上，
[0087]其中，鈍化層6中設(shè)置有過(guò)孔；
[0088]像素電極7，設(shè)置在鈍化層6之上，通過(guò)過(guò)孔與漏極3電連接。
[0089]本發(fā)明還提出了一種顯示面板，包括上述任一項(xiàng)的陣列基板。
[0090]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0091]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的顯示裝置可以為:電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0092]以上結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的技術(shù)方案，考慮到現(xiàn)有技術(shù)中，圖像編碼方式?jīng)]有充分地考慮人臉的成像角度等信息，難以進(jìn)一步降低圖像幀編碼后的信息量，而且無(wú)法恢復(fù)原圖像幀。通過(guò)本申請(qǐng)的技術(shù)方案，能夠在進(jìn)行圖像傳輸過(guò)程中，進(jìn)一步減小傳輸所占的帶寬，提高用戶對(duì)于圖像傳輸?shù)捏w驗(yàn)，并且能夠使得圖像接收端恢復(fù)原圖像幀。
[0093]需要指出的是，在附圖中，為了圖示的清晰可能夸大了層和區(qū)域的尺寸。而且可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印跋隆睍r(shí)，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個(gè)以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當(dāng)層或元件被稱為在兩層或兩個(gè)元件“之間”時(shí)，它可以為兩層或兩個(gè)元件之間惟一的層，或還可以存在一個(gè)以上的中間層或元件。通篇相似的參考標(biāo)記指示相似的元件。
[0094]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括: 在柵絕緣層之上形成源極和漏極； 在所述柵絕緣層和源極與漏極之上形成光刻膠； 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)，以露出所述源極和漏極之間的柵絕緣層，以及部分源極和部分漏極； 在所述溝道區(qū)形成有源層，以覆蓋漏出的柵絕緣層、所述部分源極和所述部分漏極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述溝道區(qū)形成有源層包括: 將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層， 其中，所述光刻膠的表面能與所述柵絕緣層的表面能之差大于預(yù)設(shè)值。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在溝道區(qū)形成有源層包括: 通過(guò)噴墨打印、絲網(wǎng)印刷、刮涂、旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述溝道區(qū)的長(zhǎng)寬比為10:1 至 50:1。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板制作方法，其特征在于，通過(guò)噴墨打印的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，則所述溝道區(qū)的寬度為5 μπι至 50 μ m06.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板制作方法，其特征在于，通過(guò)絲網(wǎng)印刷、刮涂或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層，則所述溝道區(qū)的寬度為 30 μπι 至 100 μπι。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在通過(guò)刮涂和/或旋涂的溶液加工方式將半導(dǎo)體材料溶液涂在所述溝道區(qū)以形成所述有源層之后還包括: 去除所述溝道區(qū)以外的半導(dǎo)體材料。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)包括: 通過(guò)干法蝕刻或濕法蝕刻對(duì)所述光刻膠進(jìn)行蝕刻。9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述光刻膠為含氟光刻膠。10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述溝道區(qū)形成有源層還包括: 通過(guò)控制對(duì)所述有源層的退火時(shí)間和退火溫度，設(shè)置所述有源層的結(jié)構(gòu)參數(shù)。11.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法，其特征在于，還包括: 去除所述溝道區(qū)以外的光刻膠。12.—種陣列基板，其特征在于，包括: 柵絕緣層； 源極和漏極，設(shè)置在所述柵絕緣層之上； 有源層，設(shè)置在預(yù)設(shè)溝道區(qū)，覆蓋部分所述源極和部分所述漏極以及所述源極和所述漏極之間的柵絕緣層。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溝道區(qū)長(zhǎng)寬比為10:1至50:1ο14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溝道區(qū)的寬度為5μπι至50 μ m，或 30 μ m 至 100 μ m。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 鈍化層，設(shè)置在所述有源層之上， 其中，所述鈍化層中設(shè)置有過(guò)孔； 像素電極，設(shè)置在所述鈍化層之上，通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏極電連接。16.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的陣列基板。17.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求16所述的顯示面板。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，該制作方法包括：在柵絕緣層之上形成源極和漏極；在柵絕緣層和源極與漏極之上形成光刻膠；對(duì)光刻膠進(jìn)行蝕刻形成溝道區(qū)，以露出源極和漏極之間的柵絕緣層，以及部分源極和部分漏極；在溝道區(qū)形成有源層，以覆蓋漏出的柵絕緣層、部分源極和部分漏極。通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案，可以先形成源極和漏極，然后通過(guò)光刻膠形成溝道區(qū)，進(jìn)而在溝道區(qū)直接形成有源層，無(wú)需對(duì)形成有源層的半導(dǎo)體材料進(jìn)行蝕刻，從而避免對(duì)有源層造成損傷。
【IPC分類】H01L21/336, H01L27/12, H01L29/786
【公開(kāi)號(hào)】CN105118835
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510435044
【發(fā)明人】黃維
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 上海交通大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年7月22日