圖5所示，在完成上述步驟的晶圓襯底上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作第一絕緣層006，第一絕緣層為氟化Si02玻璃材質(zhì)，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)第一絕緣層的具體材料作限定。具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例制作第一絕緣層006時(shí)，首先沉積一層絕緣層薄膜，之后在該絕緣層薄膜上涂覆光刻膠，采用灰階或半階掩膜板進(jìn)行曝光，顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，其中，光刻膠部分保留區(qū)對(duì)應(yīng)后續(xù)需要制作柵電極的區(qū)域，即圖中的區(qū)域50 ;光刻膠完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)后續(xù)需要制作源電極和漏電極的區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)對(duì)應(yīng)晶圓襯底的其余區(qū)域。
[0082]之后，進(jìn)行第一次干法刻蝕，去除沒(méi)有被光刻膠覆蓋區(qū)域的絕緣層薄膜，暴露出η型摻雜源/漏接觸區(qū)005，以便后續(xù)制作的源電極和漏電極分別與η型摻雜源/漏接觸區(qū)005的半導(dǎo)體有源層接觸。之后，去除光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠，并對(duì)光刻膠部分保留區(qū)暴露出的絕緣層薄膜進(jìn)行第二次干法刻蝕，去除該區(qū)域的部分絕緣層薄膜，以便后續(xù)制作的柵電極能夠通過(guò)絕緣層薄膜與半導(dǎo)體有源層絕緣。最后，去除剩余的光刻膠，形成第一絕緣層006。
[0083]接著，如圖6所示，在第一絕緣層006上依次制作金屬阻擋層和銅籽層，圖中007表示制作得到的金屬阻擋層和銅籽層。具體地，在第一絕緣層006上通過(guò)磁控濺射等方法沉積一層薄的鉭/氮化鉭(Ta/TaN)混合層，再接著沉積一層薄的銅(Cu)層，這里Ta/TaN作為阻擋層具有很好的機(jī)械導(dǎo)電性能，可增加Cu與第一絕緣層的粘附，并可有效地阻止Cu金屬因電迀移等現(xiàn)象向第一絕緣層的滲透擴(kuò)散，而Cu薄層則作為后續(xù)電化學(xué)鍍膜工藝中的銅籽層。
[0084]接著，如圖7所示，在金屬阻擋層和銅籽層上采用電化學(xué)鍍的方法制作銅薄膜層008，銅薄膜層008層作為后續(xù)的電極層。本發(fā)明具體實(shí)施例電化學(xué)鍍的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。
[0085]接著，如圖8(a)和圖8(b)所示，采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法對(duì)銅薄膜層進(jìn)行拋光、研磨，形成相互絕緣的柵電極009、源電極010和漏電極011。柵電極009、源電極010和漏電極011位于同一層，通過(guò)第一絕緣層006彼此絕緣。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)銅薄膜層進(jìn)行研磨的深度控制在第一絕緣層006最表面后再向下一定的深度，以更好的保證柵電極009、源電極O1和漏電極011彼此絕緣。
[0086]接著，如圖9所示，在完成上述步驟的晶圓襯底上通過(guò)構(gòu)圖工藝制作第二絕緣層012，本發(fā)明具體實(shí)施例中第二絕緣層的材料可以與第一絕緣層選擇相同的材料。具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例制作第二絕緣層012時(shí)，首先沉積一層絕緣層薄膜，之后在該絕緣層薄膜上涂覆光刻膠，采用普通掩膜板進(jìn)行曝光，顯影，形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)，光刻膠去除區(qū)對(duì)應(yīng)后續(xù)需要制作源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的區(qū)域。之后，進(jìn)行干法刻蝕，去除沒(méi)有被光刻膠覆蓋區(qū)域的絕緣層薄膜，暴露出源電極010、柵電極009和漏電極011 ;最后，去除剩余的光刻膠，形成第二絕緣層012。
[0087]接著，如圖9所示，在第二絕緣層012上依次制作金屬阻擋層和銅籽層，圖中013表示制作得到的金屬阻擋層和銅籽層。本發(fā)明具體實(shí)施例在第二絕緣層012上制作金屬阻擋層和銅籽層的方法與在第一絕緣層006上制作金屬阻擋層和銅籽層的方法相同，這里不再贅述。
[0088]接著，如圖9所示，在金屬阻擋層和銅籽層上采用電化學(xué)鍍的方法制作銅薄膜層014，本發(fā)明具體實(shí)施例制作銅薄膜層014的方法與制作銅薄膜層008的方法相同，這里不再贅述。
[0089]接著，如圖10(a)和圖10(b)所示，采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法對(duì)銅薄膜層進(jìn)行拋光、研磨，形成相互絕緣的源電極鍵合電極016、漏電極鍵合電極017和柵電極鍵合電極015。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)銅薄膜層進(jìn)行研磨的深度控制在第二絕緣層012最表面后再向下一定的深度，以更好的保證源電極鍵合電極016、漏電極鍵合電極017和柵電極鍵合電極015彼此絕緣。
[0090]本發(fā)明具體實(shí)施例中的柵電極、源電極、漏電極、源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的材料以Cu為例介紹，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中還可以采用其它的金屬，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)柵電極、源電極、漏電極、源電極鍵合電極、漏電極鍵合電極和柵電極鍵合電極的具體材料作限定。
[0091]下面接著介紹本發(fā)明具體實(shí)施例將每一個(gè)薄膜晶體管與晶圓襯底分離，并分別將柵電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的柵極線(xiàn)鍵合，將源電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的數(shù)據(jù)線(xiàn)鍵合，將漏電極鍵合電極與預(yù)設(shè)位置處的電極塊鍵合的方法。
[0092]如圖11所示，首先，對(duì)晶圓襯底001中的相鄰兩個(gè)薄膜晶體管025之間預(yù)設(shè)的切割道區(qū)域026進(jìn)行刻蝕，使得切割道區(qū)域026僅保留犧牲層002，每個(gè)薄膜晶體管025的具體結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖10(a)和圖10(b)。
[0093]接著，采用第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)027吸附每一個(gè)薄膜晶體管025，并采用刻蝕溶液刻蝕去除犧牲層，本發(fā)明具體實(shí)施例采用的第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)027的材質(zhì)為耐酸材質(zhì)。具體地，使用酸類(lèi)溶液，如鹽酸/磷酸(HC1/H3P04)，沿切割道區(qū)域026向下腐蝕犧牲層002，最終酸類(lèi)溶液從緩沖層003的底部逐漸側(cè)蝕進(jìn)去，使每個(gè)薄膜晶體管025與晶圓襯底001逐漸分離，達(dá)到將每一個(gè)薄膜晶體管與晶圓襯底分離的目的。另外，本發(fā)明具體實(shí)施例晶圓襯底001表面處理后可循環(huán)使用，具備很高的經(jīng)濟(jì)效益。
[0094]接著，如圖12(a)所示，采用第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)027將薄膜晶體管025吸取后，采用與第一轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)027位置對(duì)應(yīng)的第二轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)028將每一個(gè)薄膜晶體管025進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，本發(fā)明具體實(shí)施例采用的第二轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)028為具有高機(jī)械強(qiáng)度的轉(zhuǎn)印微細(xì)吸盤(pán)。
[0095]接著，按特定位置薄膜晶體管025鍵合至制作有柵極線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)和電極塊的玻璃基板029上，玻璃基板029的平面結(jié)構(gòu)示意圖參見(jiàn)圖2。具體地，參見(jiàn)圖2和圖10(a)所示，采用各項(xiàng)異性導(dǎo)電薄膜將柵電極鍵合電極015與預(yù)設(shè)區(qū)域018處的柵極線(xiàn)021鍵合，柵極線(xiàn)信號(hào)通過(guò)柵電極009、柵電極鍵合電極015和預(yù)設(shè)區(qū)域018處的柵極線(xiàn)021的連接導(dǎo)通；采用各項(xiàng)異性導(dǎo)電薄膜將源電極鍵合電極016與預(yù)設(shè)區(qū)域019處的數(shù)據(jù)線(xiàn)022鍵合，數(shù)據(jù)線(xiàn)信號(hào)通過(guò)源電極010、源電極鍵合電極016和預(yù)設(shè)區(qū)域019處的數(shù)據(jù)線(xiàn)022的連接導(dǎo)通；采用各項(xiàng)異性導(dǎo)電薄膜將漏電極鍵合電極017與預(yù)設(shè)位置處的電極塊020鍵合，像素電極023通過(guò)電極塊020和漏電極鍵合電極017與漏電極011電連接。本發(fā)明具體實(shí)施例采用的各項(xiàng)異性導(dǎo)電薄膜沿Z方向?qū)щ?，沿X和Y方向不導(dǎo)電，該各項(xiàng)異性導(dǎo)電薄膜為納米級(jí)的導(dǎo)電薄膜。
[0096]優(yōu)選地，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，本發(fā)明具體實(shí)施例在制作陣列基板時(shí)，還包括在鍵合有薄膜晶體管025后的玻璃基板029上制作鈍化層和公共電極，鈍化層和公共電極的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。
[0097]本發(fā)明具體實(shí)施例將薄膜晶體管器件制作在晶圓襯底上，然后利用轉(zhuǎn)印封裝技術(shù)將具有薄膜晶體管器件功能的微芯片鍵合至玻璃基板上。在晶圓襯底上制作薄膜晶體管器件，一方面可提高材料的利用率，減少過(guò)多的刻蝕浪費(fèi)，提高經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益；另一方面晶圓襯底相比于玻璃基板，在耐高溫、耐腐蝕等特性上擁有優(yōu)勢(shì)，可適應(yīng)更多的半導(dǎo)體工藝方法，且在小尺寸的晶圓襯底上進(jìn)行半導(dǎo)體器件加工工藝，可更好的控制器件的精密度。
[0098]隨著封裝工藝技術(shù)的進(jìn)步發(fā)展，未來(lái)芯片封裝行業(yè)工藝的尺寸限制會(huì)縮小，百微米級(jí)別向十微米、微米甚至是納米組裝跨越，半導(dǎo)體轉(zhuǎn)印封裝技術(shù)便會(huì)適用于TFT面板行業(yè)。將具備TFT、陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路(Gate Driver On Array,GOA)乃至驅(qū)動(dòng)功能的微芯片直接從晶圓襯底上轉(zhuǎn)移封裝至玻璃基板走線(xiàn)上，解決了半導(dǎo)體材料被刻蝕浪費(fèi)的問(wèn)題。此外，晶圓襯底上制作TFT器件芯片，大大擴(kuò)寬了器件可適用的工藝范圍，而且可以獲得更高的工藝精密度。
[0099]參見(jiàn)圖2、圖10(a)和圖12 (b)，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括依次位于襯底基板029上的像素電極023、柵極線(xiàn)021、數(shù)據(jù)線(xiàn)022、與像素電極023電連接的電極塊020、第二絕緣層012、源電極鍵合電極016、漏電極鍵合電極017、柵電極鍵合電極015、第一絕緣層006、源電極010、漏電極011、柵電極009、半導(dǎo)體有源層；其中:
[0100]柵極線(xiàn)021和數(shù)據(jù)線(xiàn)022在相交位置處斷開(kāi)，源電極010、漏電極011和柵電極009位于同一層，通過(guò)第一絕緣層006絕緣；
[0101]源電極鍵合電極016、漏電極鍵合電極017和柵電極鍵合電極015位于同一層，