選擇任何一種方法形成在像素限定層485上以便減小或最小化對有機發(fā)射層 490的損害。
[0138] 輔助電極495b具有約1500至3〇〇〇A的厚度，并可由不同于第二電極495a的導 電材料形成。然而，在一個實施方式中，輔助電極495b可由與第二電極495a相同的導電材 料形成。輔助電極495b僅形成在第二電極495a上的除了與有機發(fā)射層490對應的區(qū)域之 外的其他區(qū)域中（即，輔助電極495b未形成在第二電極495a上的與有機發(fā)射層490對應 的區(qū)域中）。
[0139] 輔助電極495b由低電阻材料形成以便減小具有薄的厚度的第二電極495a的線路 電阻。例如，輔助電極495b可包括諸如Mo、A1或Ag的導電材料。
[0140] 第一電極480用作由透明導電材料制成的陽電極，并且第二電極495a用作反射電 極的第一陰電極。輔助電極495b用作用于減小第一陰電極（第二電極）的電阻的第二陰 電極。
[0141] 當在第二電極495a上形成輔助電極495b時，所使用的（利用的）用于形成有機 發(fā)射層490的掩模布置在與有機發(fā)射層490對應的區(qū)域上方，以便輔助電極495b可僅形成 于第二電極495a上的除了有機發(fā)射層490之外的其他區(qū)域中。
[0142] 掩模布置在第二電極495a上的與有機發(fā)射層490對應的區(qū)域上方以便減小或防 止在輔助電極495b的形成中可能產(chǎn)生的粒子附接至第二電極495a的上部。因此，可以減 小或防止可能在發(fā)射區(qū)域中出現(xiàn)的暗斑缺陷的出現(xiàn)。
[0143] 通過總結(jié)和回顧，隨著有機發(fā)光顯示器的尺寸逐漸增大，陰電極的電阻增大，并且 因此，引起（造成）諸如IR壓降的問題。為了減少或防止這種問題，提出一種通過在陰電 極上形成具有厚的厚度的輔助陰電極來減小陰電極的電阻的方法。
[0144] 當輔助電極的厚度增大以實現(xiàn)陰電極的低電阻時，在修復過程中，在陰電極的表 面上形成氧化物層時存在限制。因此，不能夠絕緣附接在陽電極上的粒子。此外，在陽電極 和陰電極彼此短路的部分處出現(xiàn)顯示缺陷，并且因此，引起（造成）圖像質(zhì)量劣化。
[0145] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在具有薄的厚度的陰電極上形成絕緣層，并且電耦接至陰 電極的輔助電極形成在絕緣層的非發(fā)射區(qū)域中，從而可以有效地絕緣附接至有機發(fā)光二極 管的粒子。因此，可以減小或最小化暗斑缺陷的出現(xiàn)并改善圖像質(zhì)量。
[0146] 在本文中已公開了實例實施方式，并且盡管使用（利用）了特定術(shù)語，但僅以一般 性和描述性的意義而不是出于限制性目的來使用和解釋這些術(shù)語。在某些情況下，如對本 領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，除非另有明確指示，否則，當提交本申請時，結(jié)合特定實施方 式描述的特征、特性和/或元件可單獨地使用（利用），或者與結(jié)合其他實施方式描述的特 征、特性和/或元件結(jié)合使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離如在所附權(quán)利要求 及其等同物所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可做出各種形式和細節(jié)上的變化。
【主權(quán)項】
1. 一種有機發(fā)光顯不器，包括： 基板，其上具有至少一個薄膜晶體管； 第一電極，電耦接至所述基板上的所述薄膜晶體管； 有機發(fā)射層，在所述第一電極上； 第二電極，在所述有機發(fā)射層上； 絕緣層，在所述第二電極上；以及 輔助電極，在所述絕緣層上并電耦接至所述第二電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述第一電極是透明電極，并且所述 第二電極是反射電極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述第二電極和所述輔助電極包括 相同的導電材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述絕緣層具有至少一個開口，所述 第二電極的一部分通過所述至少一個開口暴露至外部，所述至少一個開口僅在除了形成所 述有機發(fā)射層的區(qū)域之外的其他區(qū)域中。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述絕緣層和所述輔助電極在所述 基板的前表面上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述絕緣層和所述輔助電極僅在所 述基板上的除了形成所述有機發(fā)射層的區(qū)域之外的其他區(qū)域中。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述第二電極的厚度為70A至 200A，并且所述輔助電極的厚度為1500A至3000A。
8. 一種有機發(fā)光顯不器，包括： 基板，其上具有至少一個薄膜晶體管； 第一電極，電耦接至所述基板上的所述薄膜晶體管； 有機發(fā)射層，在所述第一電極上； 第二電極，在所述有機發(fā)射層上；以及 輔助電極，在所述第二電極上并電耦接至所述第二電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述第一電極是透明電極，并且所述 第二電極是反射電極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述第二電極和所述輔助電極包括 相同的導電材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述輔助電極僅在所述基板上的除 了形成所述有機發(fā)射層的區(qū)域之外的其他區(qū)域中。
12. -種制造有機發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括： 在基板上形成至少一個薄膜晶體管； 形成電耦接至所述基板上的所述薄膜晶體管的第一電極； 在所述第一電極上形成有機發(fā)射層； 在所述有機發(fā)射層上形成第二電極； 在所述第二電極上形成絕緣層，所述絕緣層被圖案化為包括至少一個開口，所述第二 電極的一部分通過所述至少一個開口暴露至外部；以及 在所述絕緣層上形成通過所述至少一個開口電耦接至所述第二電極的輔助電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述絕緣層和形成所述輔助電極包括： 在所述基板的前表面上形成絕緣材料層，所述基板的所述前表面具有形成在其上的所 述第二電極； 通過圖案化所述絕緣材料層的與所述有機發(fā)射層不重疊的部分來形成包括所述至少 一個開口的所述絕緣層，所述第二電極的一部分通過所述至少一個開口暴露至外部；以及 在所述絕緣層的前表面上形成輔助電極以通過所述至少一個開口電耦接至所述第二 電極。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述絕緣層和形成所述輔助電極包括： 在所述基板的前表面上形成絕緣材料層，所述基板的所述前表面具有形成在其上的所 述第二電極； 通過圖案化所述絕緣材料層的與所述有機發(fā)射層不重疊的部分形成具有至少一個第 一開口的所述絕緣層，所述第二電極的一部分通過所述至少一個第一開口暴露至外部；并 且通過圖案化所述絕緣材料層的與所述有機發(fā)射層重疊的部分進一步形成第二開口，所述 第二電極的一部分通過所述第二開口暴露至外部； 在所述第二開口上布置掩模； 在除了所述第二開口之外的所述絕緣層上形成所述輔助電極，所述輔助電極通過所述 至少一個第一開口電耦接至所述第二電極；以及 去除所述掩模。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一電極是透明電極，并且所述第二電極 是反射電極。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二電極和所述輔助電極包括相同的導 電材料。
17. -種制造有機發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括： 在基板上形成至少一個薄膜晶體管； 形成電耦接至所述基板上的所述薄膜晶體管的第一電極； 在所述第一電極上形成有機發(fā)射層； 在包括所述有機發(fā)射層的所述基板的前表面上形成第二電極；以及 僅在所述第二電極上的除了與所述有機發(fā)射層重疊的區(qū)域之外的其他區(qū)域中形成輔 助電極，所述輔助電極電耦接至所述第二電極。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述輔助電極包括： 在所述第二電極上的與所述有機發(fā)射層重疊的所述區(qū)域中布置掩模； 在所述第二電極上的除了由所述掩模遮擋的所述有機發(fā)射層之外的其他區(qū)域中形成 所述輔助電極，所述輔助電極電耦接至所述第二電極；以及 去除所述掩模。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一電極是透明電極，并且所述第二電極 是反射電極。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第二電極和所述輔助電極包括相同的導 電材料。
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示器及制造有機發(fā)光顯示器的方法。有機發(fā)光顯示器包括基板、第一電極、有機發(fā)射層、第二電極、絕緣層、以及輔助電極。基板具有形成在其上的至少一個薄膜晶體管。第一電極電耦接(例如，電連接)至基板上的薄膜晶體管。有機發(fā)射層形成在第一電極上。第二電極形成在有機發(fā)射層上。絕緣層形成在第二電極上。輔助電極形成在絕緣層上以電耦接至第二電極。
【IPC分類】H01L51-52, H01L27-32, H01L51-50, H01L51-56
【公開號】CN104867955
【申請?zhí)枴緾N201510053035
【發(fā)明人】權(quán)珉圣, 安基完
【申請人】三星顯示有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年2月2日
【公告號】US20150243716