表面上形成半導(dǎo)體材料層130'，并且隨后圖案化半導(dǎo)體材料層130' 以使其僅保留在緩沖層120的特定區(qū)域中。
[0105] 接下來(lái)，參考圖11，第一絕緣層140形成在基板110(其具有形成在其上的半導(dǎo)體 材料層130'）上。繼續(xù)地（接下來(lái)），通過(guò)在第一絕緣層140上形成由金屬等制成的導(dǎo)電 材料層并且圖案化導(dǎo)電材料層以與半導(dǎo)體材料層130'的中間部分重疊來(lái)形成柵電極150。
[0106] 接下來(lái)，參考圖12,第二絕緣層160形成在基板110(其具有形成在其上的柵電極 150)上。接著，圖案化第一絕緣層140和第二絕緣層160以便暴露源極區(qū)130b和漏極區(qū) 130c〇
[0107] 隨后，使用（利用）依次形成的第一絕緣層140和第二絕緣層160作為掩模，通過(guò) 向暴露至外部的半導(dǎo)體材料層注入P-型（P-溝道）或n-型（n-溝道）雜質(zhì)來(lái)形成半導(dǎo)體 層 130。
[0108] 通過(guò)這樣的過(guò)程，有源區(qū)130a形成為與柵電極150重疊以便不向其注入雜質(zhì)，并 且分別在有源區(qū)130a的兩側(cè)形成源極區(qū)130b和漏極區(qū)130c，其中，源極區(qū)130b和漏極區(qū) 13〇c具有注入其中的雜質(zhì)。
[0109] 繼續(xù)地（接下來(lái)）形成源極電極170a和漏極電極170b以分別耦接至暴露的源極 區(qū)130b和漏極區(qū)130c。
[0110] 接下來(lái)，參考圖13,在源極電極170a和漏極電極170b上形成第三絕緣層175。在 這種情況下，圖案化第三絕緣層175以包括接觸孔，漏極電極170b的一部分通過(guò)該接觸孔 暴露于外部。
[0111] 繼續(xù)地（接下來(lái)），在第三絕緣層175上形成通過(guò)接觸孔電耦接至漏電極170b的 第一電極180。
[0112] 通過(guò)沉積過(guò)程在第三絕緣層175上形成第一電極180。在這種情況下，在沉積室中 形成第一電極180時(shí)產(chǎn)生諸如雜質(zhì)的PC，并且因此PC可能附接在第一電極180的表面上。
[0113] 像素限定層185形成在第一電極180 (其具有附接在其上的PC)上。像素限定層 185通過(guò)光學(xué)工藝包括開口，第一電極180的一部分通過(guò)該開口暴露于外部。
[0114] 繼續(xù)地（接下來(lái)），在通過(guò)開口暴露于外部的第一電極180上形成有機(jī)發(fā)射層 190。由于附接在第一電極180的表面上的PC，構(gòu)成有機(jī)發(fā)射層190的粒子（材料）未沉積 在第一電極180的表面與PC之間的邊界部分處。
[0115] 接著，通過(guò)真空蒸鍍?cè)谟袡C(jī)發(fā)射層190上形成第二電極195a，以便形成在PC的下 部區(qū)域中的空的空間200未填充有第二電極195a。
[0116] 接下來(lái)，參考圖14,絕緣材料層193'形成在第二電極195a的前表面上。絕緣材料 層193'具有約1至2ym的厚度，并可由任何合適的無(wú)機(jī)和/或有機(jī)絕緣材料形成。在這 種情況下，絕緣材料層193'形成在第二電極195a上。
[0117] 接下來(lái)，參考圖15,通過(guò)圖案化絕緣材料層（圖14的193'）以包括開口h來(lái)形成 第四絕緣層193,第二電極195a的一部分通過(guò)開口h暴露于外部。繼續(xù)地（接下來(lái)），在第 四絕緣層193上形成通過(guò)開口h電耦接至第二電極195a的輔助電極195b。
[0118] 在具有空的空間200的第二電極195a上形成第四絕緣層193,以將PC與第一電極 180和第二電極195a絕緣，從而可以減小或最小化由于PC引起的暗斑缺陷的出現(xiàn)，從而改 善圖像質(zhì)量。
[0119] 圖16是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的截面圖。
[0120] 參考圖16,有機(jī)發(fā)光顯示器300包括：基板110 ;緩沖層120,形成在基板110上； 半導(dǎo)體層130,形成在緩沖層120上，半導(dǎo)體層130包括源極區(qū)130b/有源區(qū)130a/漏極區(qū) 130c;第一絕緣層140,形成在半導(dǎo)體層130上；柵電極150,形成在第一絕緣層140上；第二 絕緣層160,形成在柵電極150上；源電極170a和漏電極170b，形成在第二絕緣層160上； 以及第三絕緣層175,形成在源電極170a和漏電極170b上。
[0121] 根據(jù)該實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器300進(jìn)一步包括：第一電極380,形成在第三絕 緣層175上；像素限定層385,設(shè)置有開口，第一電極380的一個(gè)區(qū)域通過(guò)該開口暴露；有機(jī) 發(fā)射層390,形成在像素限定層385上；第二電極395a，形成在包括有機(jī)發(fā)射層390的像素 限定層385上；第四絕緣層393,形成在第二電極395a上；以及輔助電極395b，形成在第四 絕緣層393上以電耦接至第二電極395a。
[0122] 第一電極380、有機(jī)發(fā)射層390、第二電極395a、以及輔助電極395b構(gòu)成有機(jī)發(fā)光 二極管E。
[0123] 第一電極380由透明導(dǎo)電材料形成。第一電極380形成在第三絕緣層175上以通 過(guò)開口電耦接至漏電極170b。像素限定層385形成在第一電極380上并且被圖案化以便第 一電極380的一部分暴露至外部。有機(jī)發(fā)射層390形成在暴露至外部的第一電極380上。
[0124] 第二電極395a在像素限定層385上用作反射電極，并由低電阻導(dǎo)電材料形成。第 二電極395a具有大約70至2〇〇A的薄的厚度，并且通過(guò)真空蒸鍍形成在像素限定層385上 以便減少或最小化對(duì)有機(jī)發(fā)射層390的損害。
[0125] 第四絕緣層393包括：在非發(fā)射區(qū)域中的第一開口hl，第二電極395a的一部分通 過(guò)第一開口hi暴露于外部；以及在與有機(jī)發(fā)射層390對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的第二開口h2,第二電 極395a的一部分通過(guò)第二開口h2暴露于外部。
[0126] 第四絕緣層393可包括任何合適的無(wú)機(jī)和/或有機(jī)絕緣材料。第四絕緣層393具 有約1至2ym的厚度，并可通過(guò)從真空蒸鍍和低損傷物理氣相沉積中選擇的任何一種方法 形成在第二電極395a上。
[0127] 輔助電極395b形成在第四絕緣層393上以便與第四絕緣層393重疊。因此，輔助 電極395b通過(guò)第一開口hi電耦接至非發(fā)射區(qū)域中的第二電極395a。輔助電極395b具有 約1500至3000A的厚度，并可由不同于第二電極395a的導(dǎo)電材料形成。然而，在一個(gè)實(shí) 施方式中，輔助電極395b可由與第二電極395a相同的導(dǎo)電材料形成。
[0128] 輔助電極395b由低電阻材料形成以便減小具有薄的厚度的第二電極395a的線路 電阻。例如，輔助電極395b可包括諸如Mo、A1或Ag的導(dǎo)電材料。
[0129] 第一電極380用作由透明導(dǎo)電材料制成的陽(yáng)電極，并且第二電極395a用作反射電 極的第一陰電極。輔助電極395b用作用于減小第一陰電極（第二電極）的電阻的第二陰 電極。
[0130] 當(dāng)在第四絕緣層393上形成輔助電極395b時(shí)，所使用的（利用的）用于形成有機(jī) 發(fā)射層390的掩模布置于第四絕緣層393的第二開口h2上方，以便輔助電極395b可僅形 成在第四絕緣層393上。
[0131] 掩模布置在第二開口h2上方以便減小或防止在輔助電極395b的形成中可能產(chǎn)生 的粒子附接至第二電極395a(其通過(guò)第二開口h2暴露于外部）的上部。
[0132] 圖17是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的截面圖。
[0133] 參考圖17,根據(jù)該實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器400包括：基板110;形成在基板 110上的緩沖層120 ;形成在緩沖層120上的半導(dǎo)體層130,半導(dǎo)體層130包括源極區(qū)130b/ 有源區(qū)130a/漏極區(qū)130c;形成在半導(dǎo)體層130上的第一絕緣層140 ;形成在第一絕緣層 140上的柵電極150 ;形成在柵電極150上的第二絕緣層160 ;形成在第二絕緣層160上的 源電極170a和漏電極170b;以及形成在源電極170a和漏電極170b上的第三絕緣層175。
[0134] 有機(jī)發(fā)光顯示器400進(jìn)一步包括：形成在第三絕緣層175上的第一電極480;設(shè) 置有開口的像素限定層485,第一電極480的一個(gè)區(qū)域通過(guò)該開口暴露；形成在像素限定 層485上的有機(jī)發(fā)射層490 ;形成在包括有機(jī)發(fā)射層490的像素限定層485上的第二電極 495a;以及輔助電極495b，形成在第二電極495a上以電耦接至第二電極495a。
[0135] 第一電極480、有機(jī)發(fā)射層490、第二電極495a、以及輔助電極495b構(gòu)成有機(jī)發(fā)光 二極管E。
[0136] 第一電極480由透明導(dǎo)電材料形成。第一電極480形成在第三絕緣層175上以通 過(guò)開口電耦接至漏電極170b。像素限定層485包括開口，第一電極480的一部分通過(guò)該開 口暴露。有機(jī)發(fā)射層490通過(guò)像素限定層485的開口形成在第一電極480上。
[0137] 第二電極495a在像素限定層485上用作反射電極，并由低電阻導(dǎo)電材料形成。第 二電極495a具有約70至2〇〇A的薄的厚度，并且通過(guò)從真空蒸鍍和低損傷物理氣相沉積 (LDPVD)中