有機發(fā)光顯示器及制造有機發(fā)光顯示器的方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2014年2月26日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請 No. 10-2014-0022513的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，通過引用將其全部內(nèi)容結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明的實施方式的方面涉及有機發(fā)光顯示器及制造有機發(fā)光顯示器的方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 有機發(fā)光顯示器是使用（利用）有機發(fā)光二極管的平板顯示器，并且與其他平板 顯示器相比，具有廣泛使用（應(yīng)用）溫度范圍、較強的耐沖擊性或耐振動性、寬視角、以及由 于快速響應(yīng)速度的清晰運動照片的期望特征。因此，作為下一代平板顯示器，有機發(fā)光顯示 器已成為公眾注意的焦點。
[0005] 有機發(fā)光二極管的發(fā)光量由薄膜晶體管控制。有機發(fā)光二極管包括：陽電極，電耦 接到基板（其上形成有薄膜晶體管）上的薄膜晶體管；有機發(fā)射層；以及陰電極，形成在包 括有機發(fā)射層的基板的前表面上。
[0006] 當有機發(fā)光二極管形成在基板上時，粒子（particle)可附接至有機發(fā)光二極管。 例如，當粒子（在基板上形成陽電極的過程中產(chǎn)生的）附接至陽電極的表面上時，在后續(xù)過 程中有機發(fā)射層和陰電極形成在陽電極上同時環(huán)繞粒子。
[0007] 通過在陽極和陰電極之間穿透（連接），粒子允許（可能引起）陽極和陰電極短 路，并且因此可能引起（形成）潛在的暗斑（darkspot)。因此，執(zhí)行去除粒子的修復(fù)過程 (repairprocess)〇
[0008] 在修復(fù)過程中，通過向陽電極和陰電極（粒子附接至其）施加反向電壓產(chǎn)生熱，并 且隨后通過氧氣氣氛下暴露陽電極和陰電極在環(huán)繞粒子的陰電極的表面上形成氧化膜，從 而粒子與粒子未附接至其的部分（陰電極的）絕緣（insulate)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明實施方式的方面涉及有機發(fā)光顯示器以及制造有機發(fā)光顯示器的方法，其 通過最小化或減少暗斑缺陷的出現(xiàn)來改善圖像質(zhì)量。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，有機發(fā)光顯示器包括：基板，其上具有至少一個薄膜晶體 管；第一電極，電耦接至基板上的薄膜晶體管；有機發(fā)射層，在第一電極上；第二電極，在有 機發(fā)射層上；絕緣層，在第二電極上；以及輔助電極，在絕緣層上并電耦接至第二電極。
[0011] 第一電極可以是透明電極，并且第二電極可以是反射電極。
[0012] 第二電極和輔助電極可包括相同的導(dǎo)電材料。
[0013] 絕緣層在除了形成有機發(fā)射層的區(qū)域之外的其他區(qū)域中可包括至少一個開口，第 二電極的一部分通過該至少一個開口暴露至外部。
[0014] 絕緣層和輔助電極可在基板的前表面上。
[0015] 絕緣層和輔助電極可僅在基板上的除了形成有機發(fā)射層的區(qū)域之外的區(qū)域中。
[0016] 第二電極的厚度可以為70至200A，并且輔助電極的厚度可為1500至3000A。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，有機發(fā)光顯示器包括：基板，其上具有至少一個薄膜 晶體管；第一電極，電耦接至基板上的薄膜晶體管；有機發(fā)射層，在第一電極上；第二電極， 在有機發(fā)射層上；以及輔助電極，在第二電極上并電耦接至第二電極。
[0018] 第一電極可以是透明電極，并且第二電極可以是反射電極。
[0019] 第二電極和輔助電極可包括相同的導(dǎo)電材料。
[0020] 輔助電極可僅在基板上的除了形成有機發(fā)射層的區(qū)域之外的其他區(qū)域中。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，制造有機發(fā)光顯示器的方法包括：在基板上形成至少一 個薄膜晶體管；形成電耦接至基板上的薄膜晶體管的第一電極；在第一電極上形成有機發(fā) 射層；在有機發(fā)射層上形成第二電極；在第二電極上形成絕緣層，絕緣層被圖案化為包括 至少一個開口，第二電極的一部分通過該至少一個開口暴露至外部；以及在絕緣層上形成 輔助電極，輔助電極通過開口電耦接至第二電極。
[0022] 形成絕緣層和形成輔助電極可包括：在具有形成在其上的第二電極的基板的前表 面上形成絕緣材料層；通過圖案化絕緣材料層的與有機發(fā)射層不重疊的部分來形成包括至 少一個開口的絕緣層，第二電極的一部分通過該至少一個開口暴露至外部；以及在絕緣層 的前表面上形成輔助電極以便通過至少一個開口電耦接至第二電極。
[0023] 形成絕緣層和形成輔助電極可包括：在具有形成在其上的第二電極的基板的前表 面上形成絕緣材料層；通過圖案化絕緣材料層的與有機發(fā)射層不重疊的部分來形成包括至 少一個第一開口的絕緣層，第二電極的一部分通過該至少一個第一開口暴露至外部，并且 通過圖案化絕緣材料層的與有機發(fā)射層重疊的部分來進一步形成第二開口，第二電極的一 部分通過該第二開口暴露至外部；在第二開口上布置掩膜；在除了第二開口之外的絕緣層 上形成輔助電極，輔助電極通過至少一個第一開口電耦接至第二電極；以及去除掩模。
[0024] 第一電極可以是透明電極，并且第二電極可以是反射電極。
[0025] 第二電極和輔助電極可包括相同的導(dǎo)電材料。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，一種制造有機發(fā)光顯示器的方法包括：在基板上形 成至少一個薄膜晶體管；形成電耦接至基板上的薄膜晶體管的第一電極；在第一電極上形 成有機發(fā)射層；在包括有機發(fā)射層的基板的前表面上形成第二電極；以及在第二電極上的 除了與有機發(fā)射層重疊的區(qū)域之外的區(qū)域中形成輔助電極，輔助電極電耦接至第二電極。
[0027] 形成輔助電極可包括：在第二電極上的與有機發(fā)射層重疊的區(qū)域中布置掩模；在 第二電極上的除了由掩模遮擋的有機發(fā)射層之外的其他區(qū)域上形成輔助電極，輔助電極電 耦接至第二電極；以及去除掩模。
[0028] 第一電極可以是透明電極，并且第二電極可以是反射電極。
[0029] 第二電極和輔助電極可包括相同的導(dǎo)電材料。
【附圖說明】
[0030] 在下文中將參考附圖更全面地描述實例實施方式；然而，它們可體現(xiàn)為不同的形 式體現(xiàn)并不應(yīng)當被解釋為限于本文中闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式以使本公 開是徹底和完整的，并且將實例實施方式的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0031] 在附圖中，為了清楚的說明，可夸大尺寸。將理解當元件被稱為"在"兩個元件"之 間"時，其可以是兩個元件之間的唯一的元件，或者也可存在一個或多個中間元件。在全文 中，相同的參考標號表示相同的元件。
[0032] 圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示器的截面圖。
[0033] 圖2至圖8是順序地示出制造圖1的有機發(fā)光顯示器的過程的截面圖。
[0034] 圖9是示出附接至有機發(fā)光二極管的粒子在圖1的有機發(fā)光顯示器中被絕緣的狀 態(tài)的截面圖。
[0035] 圖10至圖15是順序地示出修復(fù)（或制備）圖9的有機發(fā)光顯示器的過程的截面 圖。
[0036] 圖16是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的有機發(fā)光顯示器的截面圖。
[0037] 圖17是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式的有機發(fā)光顯示器的截面圖。
【具體實施方式】
[0038] 在以下的詳細說明中，僅通過簡單圖示的方式示出并描述了本發(fā)明的某些實例實 施方式。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到的，在完全不偏離本發(fā)明的精神或范圍的前提下，可以 各種不同的方式修改所描述的實施方式。因此，附圖和說明書本質(zhì)上應(yīng)被視為是說明性的， 而不是限制性的。此外，當元件被稱為"在"另一元件"上"時，其可直接在另一元件上，或 者間接地（其間插入一個或多個中間元件）在另一元件上。而且，當元件被稱為"連接至" 另一元件時，其可直接連接至另一元件，或者間接地連接至另一元件（其間插入一個或多 個中間元件）。在下文中，相同的參考標號表示相同的元件。在附圖中，為清晰起見，夸大了 層的厚度或尺寸，并且沒必要按比例繪制。
[0039] 圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示器的截面圖。
[0040] 參考圖1，根據(jù)該實施方式的有機發(fā)光顯示器100包括：基板110 ;緩沖層120,形 成在基板110上；半導(dǎo)體層130,形成在緩沖層120上，半導(dǎo)體層130包括源極區(qū)130b/有 源區(qū)130a/漏極區(qū)130c;形成在半導(dǎo)體層130上的第一絕緣層140 ;形成在第一絕緣層140 上柵電極150,形成在柵電極150上的第二絕緣層160,形成在第二絕緣層160上的源電極 170a和漏極電極170b，以及形成在源電極170a和漏極電極170b上的第三絕緣層175。
[0041] 根據(jù)該實施方式的有機發(fā)光顯示器100進一步包括：第一電極180,形成在第三絕 緣層175上；設(shè)置有開口的像素限定層185,第一電極180的一個區(qū)域通過該開口暴露；有 機發(fā)射層190,形成在像素限定層185上；第二電極195a，形成在