像素結(jié)構(gòu)與薄膜晶體管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本揭露是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)。
【【背景技術(shù)】】
[0002]液晶顯示裝置是利用薄膜晶體管(Thin Film Transistor)來(lái)進(jìn)行各像素的顯示控制，以底柵型(Bottom Gate)的薄膜晶體管為例，當(dāng)背光等光源發(fā)光時(shí)，柵極電極對(duì)于設(shè)置于上方的通道層具有遮光的功能，用以降低通道層于薄膜晶體管斷開時(shí)所產(chǎn)生的光致漏電流(Light Leakage Current)，以維持薄膜晶體管良好的切換特性及液晶顯示裝置的影像品質(zhì)。
[0003]由于薄膜晶體管的柵極并無(wú)法將源極與漏極完全遮蔽，使得部分背光源發(fā)出的光線利用源極/漏極與柵極之間的反射而進(jìn)入通道層，造成額外的光致漏電流，特別是目前高亮度背光源產(chǎn)品，其所造成的光致漏電流更是嚴(yán)重，進(jìn)而降低液晶顯示裝置的影像品質(zhì)。因此，如何降低因?yàn)樵礃O/漏極與柵極之間的光線反射所產(chǎn)生的光致漏電流實(shí)為一重要課題。
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【發(fā)明內(nèi)容】
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[0004]本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣是在提供一種像素結(jié)構(gòu)，用以改善以上先前技術(shù)所提到的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括掃描線、數(shù)據(jù)線、柵極、通道層、柵介電層、源極、漏極以及像素電極。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯(cuò)設(shè)置。柵極電性連接掃描線。柵介電層至少部分介于通道層與柵極之間。源極電性連接數(shù)據(jù)線。源極與漏極電性連接通道層，且源極與漏極其中至少一者包括第一部分以及第二部分，其中第一部分沿第一方向延伸，且第一部分至少部分與通道層重疊。第二部分連接第一部分，并沿第二方向延伸，第二方向不與第一方向平行，且第二部分至少部分與柵極重疊。像素電極電性連接漏極。
[0006]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，源極與漏極其中另一者包括第三部分以及第四部分。第三部分沿第三方向延伸，且第三部分至少部分與通道層重疊。第四部分連接第三部分，并沿第四方向延伸，第四方向不與第三方向平行，且第四部分至少部分與柵極重疊。
[0007]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第四方向未延伸通過(guò)通道層。
[0008]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第三方向延伸通過(guò)通道層。
[0009]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第二方向未延伸通過(guò)通道層。
[0010]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第一方向延伸通過(guò)通道層。
[0011]本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括掃描線、數(shù)據(jù)線、柵極、通道層、柵介電層、源極、漏極以及像素電極。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯(cuò)設(shè)置。柵極電性連接掃描線。柵介電層至少部分介于通道層與柵極之間。源極電性連接數(shù)據(jù)線。源極與漏極電性連接通道層，且源極與漏極其中至少一者包括第一部分、第二部分以及第一轉(zhuǎn)折部，其中第一部分至少部分與通道層重疊，第二部分至少部分與柵極重疊但不與通道層重疊，第一轉(zhuǎn)折部連接第一部分與第二部分以使第一部分與第二部分沿不同方向延伸，第一轉(zhuǎn)折部與柵極至少部分重疊。像素電極電性連接漏極。
[0012]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，源極與漏極其中另一者包括第三部分、第四部分以及第二轉(zhuǎn)折部。第三部分至少部分與通道層重疊，第四部分至少部分與柵極重疊但不與通道層重疊，第二轉(zhuǎn)折部連接第三部分與第四部分以使第三部分與第四部分沿不同方向延伸，其中第二轉(zhuǎn)折部與柵極至少部分重疊。
[0013]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第四部分的長(zhǎng)軸方向未延伸通過(guò)通道層。
[0014]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第三部分的長(zhǎng)軸方向延伸通過(guò)通道層。
[0015]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第二部分的長(zhǎng)軸方向未延伸通過(guò)通道層。
[0016]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第一部分的長(zhǎng)軸方向延伸通過(guò)通道層。
[0017]本發(fā)明的又一實(shí)施方式提供一種薄膜晶體管，包括柵極、通道層、柵介電層、源極以及漏極。通道層位于柵極上。柵介電層至少部分介于通道層與柵極之間。源極與漏極電性連接通道層，且源極與漏極其中至少一者包括第一部分以及第二部分，其中第一部分沿第一方向延伸，且第一部分至少部分與通道層重疊。第二部分連接第一部分，并沿第二方向延伸，第二方向不與第一方向平行，且第二部分至少部分與柵極重疊。
[0018]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，源極與漏極其中另一者包括第三部分以及第四部分。第三部分沿第三方向延伸，且第三部分至少部分與通道層重疊。第四部分連接第三部分，并沿第四方向延伸，第四方向不與第三方向平行，且第四部分至少部分與柵極重疊。
[0019]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第四方向未延伸通過(guò)通道層。
[0020]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第三方向延伸通過(guò)通道層。
[0021]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第二方向未延伸通過(guò)通道層。
[0022]在本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施方式中，第一方向延伸通過(guò)通道層。
【【附圖說(shuō)明】】
[0023]圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)上視圖。
圖2繪示沿圖1的線段1-1的剖面圖。
圖3繪示沿圖1的線段I1-1I的剖面圖。
圖4繪示沿圖1的線段II1-1II的剖面圖。
圖5與圖6分別繪示依照本發(fā)明不同實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)上視圖。
圖7A與圖7B分別繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)以及一對(duì)照組的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖。
圖8繪示圖7A與圖7B的像素結(jié)構(gòu)在不同背光亮度下所測(cè)得的光致漏電流結(jié)果。 【符號(hào)說(shuō)明】
[0024]10:像素結(jié)構(gòu)
101:掃描線
102:數(shù)據(jù)線
103:柵極
104、104’:漏極104(a):第一部分 104(b):第二部分 104(c):第一轉(zhuǎn)折部
105、105’:源極105(a):第三部分105(b):第四部分105(c):第二轉(zhuǎn)折部
106:通道層
107:像素電極
108:基板
109:柵介電層
110:鈍化層 112:保護(hù)層 120、130:入射光 α:夾角
1-1、I1-1IJI1-1I1:線段
Χ、γ:方向
【【具體實(shí)施方式】】
[0025]以下將以圖式揭露本發(fā)明的實(shí)施方式，為明確說(shuō)明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明。然而，應(yīng)了解到，該多個(gè)實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說(shuō)，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，該多個(gè)實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示的。
[0026]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1以及圖2，其中，圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)10的上視圖，圖2則是繪示沿圖1的線段1-1的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)10包括掃描線101、數(shù)據(jù)線
102、柵極103、通道層106、柵介電層109、源極105、漏極104以及像素電極107，其中柵極
103、通道層106、柵介電層109、源極105、漏極104共同構(gòu)成薄膜晶體管，借以控制像素結(jié)構(gòu)10顯示與否。
[0027]數(shù)據(jù)線102與掃描線101交錯(cuò)設(shè)置。柵極103電性連接掃描線101。柵介電層109至少部分介于通道層106與柵極103之間。源極105電性連接數(shù)據(jù)線102。源極105與漏極104分別電性連接通道層106。像素電極107電性連接漏極104。
[0028]在本實(shí)施方式中，漏極104包括第一部分104(a)以及第二部分10