一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在陣列基板周邊走線的設(shè)計(jì)中，周邊走線中輸出區(qū)域內(nèi)的柵極周邊走線與數(shù)據(jù)線周邊走線之間需要交替布線以解決空間不足問題，但是由于數(shù)據(jù)線周邊走線背離襯底基板一側(cè)的保護(hù)層的厚度(200?400nm)小于柵極周邊走線背離襯底基板一側(cè)保護(hù)層(絕緣層+保護(hù)層)的厚度(600nm?800nm)，因此數(shù)據(jù)線周邊走線更易遭受外界異物的劃傷或壓傷，進(jìn)而導(dǎo)致線不良問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，其中，該陣列基板能夠減少數(shù)據(jù)線周邊走線被外界異物壓傷或劃傷的概率，提高產(chǎn)品使用穩(wěn)定性。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下的技術(shù)方案:
[0005]一種陣列基板，包括襯底基板、形成于所述襯底基板上的柵極周邊走線、柵絕緣層、數(shù)據(jù)線周邊走線、保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層與所述柵極周邊走線圖形正對部位背離所述襯底基板的表面高于所述保護(hù)層與所述數(shù)據(jù)線周邊走線正對部位背離所述襯底基板的表面。
[0006]上述陣列基板中，由于保護(hù)層與柵極周邊走線圖形正對的部位背離襯底基板的表面高于保護(hù)層與所述數(shù)據(jù)線周邊走線正對部位背離所述襯底基板的表面，因此，當(dāng)外界異物在與陣列基板的周邊走線區(qū)域接觸時(shí)首先與保護(hù)層與柵極周邊走線正對的部位接觸，從而減少數(shù)據(jù)線周邊走線被外界異物壓傷或劃傷的概率，提高產(chǎn)品使用穩(wěn)定性。
[0007]優(yōu)選地，上述陣列基板中，所述柵絕緣層與所述數(shù)據(jù)線周邊走線相對的部位設(shè)有凹槽，且所述數(shù)據(jù)線周邊走線的至少一部分位于所述凹槽內(nèi)。
[0008]優(yōu)選地，沿垂直于襯底基板并指向襯底基板的方向，所述凹槽的深度為100?400nmo
[0009]優(yōu)選地，上述陣列基板還包括位于所述柵絕緣層與所述保護(hù)層之間、且沿垂直于所述襯底基板方向與所述柵極周邊走線重疊的半導(dǎo)體層。
[0010]優(yōu)選地，沿垂直于襯底基板并背離襯底基板的方向，所述半導(dǎo)體層的厚度為100 ?300nmo
[0011]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括如上述方案提供的任一種陣列基板。
[0012]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如上述方案提供的顯示面板。
[0013]本發(fā)明還提供了一種陣列基板制備方法，包括:
[0014]在襯底基板上依次形成柵極周邊走線圖形、柵絕緣層圖形、數(shù)據(jù)線周邊走線圖形、保護(hù)層的圖形，其中，所述保護(hù)層與所述柵極周邊走線圖形正對部位背離所述襯底基板的表面高于所述保護(hù)層與所述數(shù)據(jù)線周邊走線正對部位背離所述襯底基板的表面。
[0015]在采用上述制備方法制備的陣列基板中，由于保護(hù)層與柵極周邊走線圖形正對的部位背離襯底基板的表面高于保護(hù)層與所述數(shù)據(jù)線周邊走線正對部位背離所述襯底基板的表面，因此，當(dāng)外界異物在與陣列基板的周邊走線區(qū)域接觸時(shí)，首先與柵極周邊走線背離襯底基板一側(cè)的保護(hù)層接觸，從而減少數(shù)據(jù)線周邊走線被外界異物壓傷或劃傷的概率，提高產(chǎn)品使用穩(wěn)定性。
[0016]優(yōu)選地，上述制備方法，具體包括:
[0017]在襯底基板上形成柵金屬層，并形成柵極周邊走線的圖形；
[0018]在所述柵極周邊走線的圖形上形成柵絕緣層的圖形，所述柵絕緣層的圖形中包括在數(shù)據(jù)線周邊走線的設(shè)計(jì)區(qū)域形成的凹槽；
[0019]在所述柵絕緣層的圖形上形成源漏金屬層，并形成數(shù)據(jù)線周邊走線的圖形，其中，所述數(shù)據(jù)線周邊走線的至少一部分位于所述凹槽內(nèi)；
[0020]在所述數(shù)據(jù)線周邊走線圖形上形成保護(hù)層圖形。
[0021]優(yōu)選地，沿垂直于襯底基板并指向襯底基板的方向，所述凹槽的深度為100?400nmo
[0022]優(yōu)選地，上述制備方法，具體包括:
[0023]在襯底基板上形成柵金屬層，并形成柵極周邊走線的圖形；
[0024]在所述柵金屬層的圖形上形成柵絕緣層的圖形；
[0025]在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層的圖形，其中，所述半導(dǎo)體層的圖形中保留沿垂直于所述襯底基板方向與所述柵極周邊走線重疊的部位；
[0026]在所述柵絕緣層的圖形上形成源漏金屬層，并形成數(shù)據(jù)線周邊走線的圖形；
[0027]在所述數(shù)據(jù)線周邊走線圖形上形成保護(hù)層圖形。
[0028]優(yōu)選地，沿垂直于襯底基板并背離襯底基板的方向，所述柵極周邊走線上部的半導(dǎo)體層厚度為100?300nmo
[0029]優(yōu)選地，上述制備方法，具體包括:
[0030]在襯底基板上形成柵金屬層，并形成柵極周邊走線的圖形；
[0031]在所述柵極周邊走線的圖形上形成柵絕緣層的圖形，所述柵絕緣層的圖形中包括在數(shù)據(jù)線周邊走線的設(shè)計(jì)區(qū)域形成的凹槽；
[0032]在所述柵絕緣層的圖形上形成半導(dǎo)體層的圖形，其中，所述半導(dǎo)體層的圖形中沿垂直于所述襯底基板方向與所述柵極周邊走線重疊的部位；
[0033]在所述柵絕緣層的圖形上形成源漏金屬層，并形成數(shù)據(jù)線周邊走線的圖形，其中，所述數(shù)據(jù)線周邊走線的至少一部分位于所述凹槽內(nèi)；
[0034]在所述數(shù)據(jù)線周邊走線圖形上形成保護(hù)層圖形。
[0035]優(yōu)選地，沿垂直于襯底基板并背離襯底基板的方向，所述柵極周邊走線上部的半導(dǎo)體層厚度為100?300nmo
[0036]優(yōu)選地，沿垂直于襯底基板并指向襯底基板的方向，所述凹槽深度為100?400nmo
【附圖說明】
[0037]圖1是本發(fā)明一種實(shí)施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2是本發(fā)明一種實(shí)施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖3是本發(fā)明一種實(shí)施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]附圖標(biāo)記:
[0041]I，襯底基板2，柵極周邊走線 3，柵絕緣層
[0042]4，半導(dǎo)體層5，數(shù)據(jù)線周邊走線6，保護(hù)層
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044]如圖1-圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括襯底基板1、形成于襯底基板I上的柵極周邊走線2、柵絕緣層3、數(shù)據(jù)線周邊走線5、保護(hù)層6，其中，保護(hù)層6與柵極周邊走線2圖形正對部位背離襯底基板I的表面高于保護(hù)層6與數(shù)據(jù)線周邊走線5正對部位背離襯底基板的表面。由于保護(hù)層6與柵極周邊走線2圖形正對部位背離襯底基板I的表面高于保護(hù)層6與數(shù)據(jù)線周邊走線5正對部位背離襯底基板I的表面，所以，在外界異物與陣列基板的周邊周線區(qū)域接觸時(shí)，外界異物首先與保護(hù)層6與柵極周邊走線2正對的部位接觸，減少了外界異物與保護(hù)層6與數(shù)據(jù)線周邊走線5部位接觸的幾率，進(jìn)而能夠減小數(shù)據(jù)線周邊走線5被外界異物壓傷或劃傷的概率，提高了陣列基板的產(chǎn)品性能穩(wěn)定性。且提高了包括上述陣列基板的顯示面板、以及包括上述顯示面板的顯示裝置的產(chǎn)品性能穩(wěn)定性。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述陣列基板的制備方法，該制備方法包括:在襯底基板上依次形成柵極周邊走線圖形、柵絕緣層圖形、數(shù)據(jù)線周邊走線圖形、保護(hù)層的圖形，其中，所述保護(hù)層與所述柵極周邊走線圖形正對部位背離所述襯底基板的表面高于所述保護(hù)層與所述數(shù)據(jù)線周邊走線正對部位背離所述襯底基板的表面。
[0046]具體地，上述陣列基板可以通過下述具體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)保護(hù)層與柵極周邊走線圖形正對部位背離襯底基板的表面高于保護(hù)層與數(shù)據(jù)線周邊走線正對部位背離襯底基板的表面:
[0047]方式一:如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括襯底基板1、形成于襯底基板I上的柵極周邊走線2、柵絕緣層3、數(shù)據(jù)線周邊走線5、保護(hù)層6。其中，柵絕緣層3與數(shù)據(jù)線周邊走線5相對的部位設(shè)有凹槽，且數(shù)據(jù)線周邊走線5的至少一部分位于凹槽內(nèi)。
[0048]上述陣列基板中，因數(shù)據(jù)線周邊走線5的至少一部分位于凹槽內(nèi)，在不減少數(shù)據(jù)線周邊走線5的厚度的同時(shí)可以減小其背離襯底基板I的表面與襯底基板I之間的距離，使得保護(hù)層6與數(shù)據(jù)線周邊走線5正對的部位更加靠近襯底基板1，從而使保護(hù)層6與柵極周邊走線2圖形正對部位背離襯底基板I的表面高于保護(hù)層6與數(shù)據(jù)線周邊走線5正對部位背離襯底基板I的表面。
[0049]優(yōu)選地，該凹槽沿垂直于襯底基板I并指向襯底基板I的方向的深度為100?400nm，如 lOOnm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm。
[0050]相應(yīng)地，上述方式一中提供的陣列基板的可以通過下述制備方法制備，該制備方法具體包括:
[0051]在襯底基板I通過一次構(gòu)圖工藝上形成柵金屬層，并形成柵極周邊走線2的圖形；
[0052]通過HTM構(gòu)圖工藝在柵極周邊走線2的圖形上形成柵絕緣層3的圖形，并形成柵絕緣層3的圖形中包括在數(shù)據(jù)線周邊走線5的設(shè)計(jì)區(qū)域內(nèi)的凹槽；
[0053]通過一次構(gòu)圖工藝在柵絕緣層3的圖形上形成源漏金屬層，并形成數(shù)據(jù)線周邊走線5的圖形，數(shù)據(jù)線周邊走線5的至少一部分位于凹槽內(nèi)；
[0054]在數(shù)據(jù)線周邊走線5的圖形上形成保護(hù)