要求相對(duì)較低一些。其余均與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0065]本發(fā)明的ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)，設(shè)置同一電極層8既作為源極81，又作為像素電極82，且漏極6與源極81分別位于不同層別，使得TFT的溝道長(zhǎng)度為所述第一、第二過(guò)孔51、52之間的間隔距離L4，小于現(xiàn)有的ESL型TFT基板的溝道長(zhǎng)度，一方面能夠使TFT具有良好的導(dǎo)電能力，一方面能夠使TFT尺寸較小，從而可以提高像素開(kāi)口率，降低像素設(shè)計(jì)難度。
[0066]請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明還提供一種ESL型TFT基板的制作方法，包括以下步驟:
[0067]步驟1、如圖5所示，提供一基板I，在所述基板I上沉積第一金屬層，并對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到柵極2。
[0068]步驟2、如圖6所示，在所述柵極2及基板I上沉積柵極絕緣層3 ;在所述柵極絕緣層3上沉積并圖案化氧化物半導(dǎo)體層4。
[0069]具體地，所述氧化物半導(dǎo)體層4的材料為IGZ0。
[0070]步驟3、如圖7至9所示，在所述氧化物半導(dǎo)體層4上沉積蝕刻阻擋層5，并采用灰階光罩對(duì)所述蝕刻阻擋層5進(jìn)行圖案化處理，將對(duì)應(yīng)于所述氧化物半導(dǎo)體層4 一側(cè)上方的蝕刻阻擋層5完全蝕刻掉，暴露出所述氧化物半導(dǎo)體層4的一側(cè)區(qū)域，形成通透的第一過(guò)孔51，將對(duì)應(yīng)于所述氧化物半導(dǎo)體層4另一側(cè)上方的蝕刻阻擋層5部分蝕刻掉，不暴露出所述氧化物半導(dǎo)體層4的另一側(cè)區(qū)域，形成盲孔形式的第二過(guò)孔52。所述第一、第二過(guò)孔51、52之間的間隔距離L4定義出溝道長(zhǎng)度。
[0071]具體地，該步驟3具體包括以下步驟:
[0072]步驟31、如圖7所示，在所述蝕刻阻擋層5上涂布光阻層30，采用灰階光罩對(duì)所述光阻層30進(jìn)行曝光、顯影，分別得到對(duì)應(yīng)位于所述氧化物半導(dǎo)體層4 一側(cè)上方的全曝光區(qū)域301，及對(duì)應(yīng)位于所述氧化物半導(dǎo)體層4另一側(cè)上方的半曝光區(qū)域302。
[0073]步驟32、如圖8所示，以所述光阻層30為遮蔽層，對(duì)所述蝕刻阻擋層5進(jìn)行蝕刻，將對(duì)應(yīng)位于所述全曝光區(qū)域301下方的蝕刻阻擋層5完全蝕刻掉，得到通透的第一過(guò)孔51，將對(duì)應(yīng)位于所述半曝光區(qū)域302下方的蝕刻阻擋層5部分蝕刻掉，形成盲孔形式的第二過(guò)孔52。
[0074]步驟33、如圖9所示，剝離所述光阻層30。
[0075]步驟4、如圖10所示，在所述蝕刻阻擋層5上沉積第二金屬層，并對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到漏極6 ;所述漏極6經(jīng)由所述第一過(guò)孔51與所述氧化物半導(dǎo)體層4相接觸。
[0076]步驟5、如圖11所示，在所述漏極6與蝕刻阻擋層5上沉積鈍化保護(hù)層7，并對(duì)鈍化保護(hù)層7進(jìn)行圖案化處理，形成與所述盲孔形式的第二過(guò)孔52貫通的通孔72，同時(shí)將所述盲孔形式的第二過(guò)孔52完全挖開(kāi)，形成通透的第二過(guò)孔52，保持溝道長(zhǎng)度不變。
[0077]步驟6、如圖12所示，在所述鈍化保護(hù)層7上沉積并圖案化電極層8，所述電極層8的一側(cè)相對(duì)靠近所述漏極6并經(jīng)由所述通孔72與第二過(guò)孔52接觸氧化物半導(dǎo)體層4，構(gòu)成源極81 ;所述電極層8的另一側(cè)沿相對(duì)遠(yuǎn)離所述漏極6的方向延伸，構(gòu)成像素電極82。
[0078]具體地，所述電極層8的材料為ITO。
[0079]圖12示意出了所述源極81與所述漏極6在所述柵極2上方的空間內(nèi)無(wú)交疊，當(dāng)然，受制程精度的限制，所述源極81與所述漏極6也可如圖3所示那樣在所述柵極2上方的空間內(nèi)有交疊。
[0080]上述ESL型TFT基板的制作方法，先采用灰階光罩對(duì)蝕刻阻擋層5進(jìn)行圖案化處理，得到通透的第一過(guò)孔51與盲孔形式的第二過(guò)孔52，通過(guò)第一、第二過(guò)孔51、52之間的間隔距離L4定義出溝道長(zhǎng)度，再形成漏極6，然后沉積并圖案化鈍化保護(hù)層7，同時(shí)將所述盲孔形式的第二過(guò)孔52完全挖開(kāi)，保持溝道長(zhǎng)度不變，最后形成同時(shí)作為源極81與像素電極82的電極層，能夠減小溝道長(zhǎng)度，提高TFT的導(dǎo)電能力，同時(shí)減小TFT尺寸，從而可以提高像素開(kāi)口率，降低像素設(shè)計(jì)難度。
[0081]綜上所述，本發(fā)明的ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)，設(shè)置同一電極層既作為源極，又作為像素電極，且漏極與源極分別位于不同層別，使得TFT的溝道長(zhǎng)度較小，一方面能夠使TFT具有良好的導(dǎo)電能力，一方面能夠使TFT尺寸較小，從而可以提高像素開(kāi)口率，降低像素設(shè)計(jì)難度。本發(fā)明的ESL型TFT基板的制作方法，先采用灰階光罩對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行圖案化處理，得到通透的第一過(guò)孔與盲孔形式的第二過(guò)孔，通過(guò)第一、第二過(guò)孔之間的間隔距離定義出溝道長(zhǎng)度，再形成漏極，然后沉積并圖案化鈍化保護(hù)層，同時(shí)將所述盲孔形式的第二過(guò)孔完全挖開(kāi)，保持溝道長(zhǎng)度不變，最后形成同時(shí)作為源極與像素電極的電極層，能夠減小溝道長(zhǎng)度，提高TFT的導(dǎo)電能力，同時(shí)減小TFT尺寸，從而可以提高像素開(kāi)口率，降低像素設(shè)計(jì)難度。
[0082]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 基板⑴； 設(shè)于所述基板⑴上的柵極⑵； 設(shè)于所述柵極(2)及基板(I)上的柵極絕緣層(3); 位于所述柵極(2)上方設(shè)于所述柵極絕緣層(3)上的氧化物半導(dǎo)體層(4); 設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層(4)上的蝕刻阻擋層(5)，所述蝕刻阻擋層(5)對(duì)應(yīng)所述氧化物半導(dǎo)體層(4)的兩側(cè)分別設(shè)有第一過(guò)孔(51)、與第二過(guò)孔(52); 設(shè)于所述蝕刻阻擋層(5)上經(jīng)由第一過(guò)孔(51)接觸氧化物半導(dǎo)體層(4)的漏極(6); 設(shè)于所述漏極(6)與蝕刻阻擋層(5)上的鈍化保護(hù)層(7)，所述鈍化保護(hù)層(7)設(shè)有與第二過(guò)孔(52)貫通的通孔(72);及 設(shè)于所述鈍化保護(hù)層(7)上的電極層(8);所述電極層(8)的一側(cè)相對(duì)靠近所述漏極(6)并經(jīng)由所述通孔(72)與第二過(guò)孔(52)接觸氧化物半導(dǎo)體層(4)，構(gòu)成源極(81);所述電極層(8)的另一側(cè)沿相對(duì)遠(yuǎn)離所述漏極(6)的方向延伸，構(gòu)成像素電極(82)。
2.如權(quán)利要求1所述的ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極(81)與所述漏極(6)在所述柵極(2)上方的空間內(nèi)無(wú)交疊。
3.如權(quán)利要求1所述的ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極(81)與所述漏極(6)在所述柵極(2)上方的空間內(nèi)有交疊。
4.如權(quán)利要求1所述的ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層(4)的材料為銦鎵鋅氧化物。
5.如權(quán)利要求1所述的ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極層(8)的材料為氧化銦錫。
6.一種ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供一基板(I)，在所述基板(I)上沉積第一金屬層，并對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到柵極(2); 步驟2、在所述柵極(2)及基板(I)上沉積柵極絕緣層(3);在所述柵極絕緣層(3)上沉積并圖案化氧化物半導(dǎo)體層(4); 步驟3、在所述氧化物半導(dǎo)體層(4)上沉積蝕刻阻擋層(5)，并采用灰階光罩對(duì)所述蝕刻阻擋層(5)進(jìn)行圖案化處理，將對(duì)應(yīng)于所述氧化物半導(dǎo)體層(4) 一側(cè)上方的蝕刻阻擋層(5)完全蝕刻掉，暴露出所述氧化物半導(dǎo)體層(4)的一側(cè)區(qū)域，形成通透的第一過(guò)孔(51)，將對(duì)應(yīng)于所述氧化物半導(dǎo)體層(4)另一側(cè)上方的蝕刻阻擋層(5)部分蝕刻掉，不暴露出所述氧化物半導(dǎo)體層(4)的另一側(cè)區(qū)域，形成盲孔形式的第二過(guò)孔(52); 所述第一、第二過(guò)孔(51、52)之間的間隔距離(L4)定義出溝道長(zhǎng)度； 步驟4、在所述蝕刻阻擋層(5)上沉積第二金屬層，并對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，得到漏極￠);所述漏極(6)經(jīng)由所述第一過(guò)孔(51)與所述氧化物半導(dǎo)體層(4)相接觸； 步驟5、在所述漏極(6)與蝕刻阻擋層(5)上沉積鈍化保護(hù)層(7)，并對(duì)鈍化保護(hù)層(7)進(jìn)行圖案化處理，形成與所述盲孔形式的第二過(guò)孔(52)貫通的通孔(72)，同時(shí)將所述盲孔形式的第二過(guò)孔(52)完全挖開(kāi)，形成通透的第二過(guò)孔(52)，保持溝道長(zhǎng)度不變； 步驟6、在所述鈍化保護(hù)層(7)上沉積并圖案化電極層(8)，所述電極層(8)的一側(cè)相對(duì)靠近所述漏極(6)并經(jīng)由所述通孔(72)與第二過(guò)孔(52)接觸氧化物半導(dǎo)體層(4)，構(gòu)成源極(81);所述電極層(8)的另一側(cè)沿相對(duì)遠(yuǎn)離所述漏極(6)的方向延伸，構(gòu)成像素電極(82) ο
7.如權(quán)利要求6所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟3具體包括以下步驟: 步驟31、在所述蝕刻阻擋層(5)上涂布光阻層(30)，采用灰階光罩對(duì)所述光阻層(30)進(jìn)行曝光、顯影，分別得到對(duì)應(yīng)位于所述氧化物半導(dǎo)體層(4) 一側(cè)上方的全曝光區(qū)域(301)，及對(duì)應(yīng)位于所述氧化物半導(dǎo)體層(4)另一側(cè)上方的半曝光區(qū)域(302); 步驟32、以所述光阻層(30)為遮蔽層，對(duì)所述蝕刻阻擋層(5)進(jìn)行蝕刻，將對(duì)應(yīng)位于所述全曝光區(qū)域(301)下方的蝕刻阻擋層(5)完全蝕刻掉，得到通透的第一過(guò)孔(51)，將對(duì)應(yīng)位于所述半曝光區(qū)域(302)下方的蝕刻阻擋層(5)部分蝕刻掉，形成盲孔形式的第二過(guò)孔(52)； 步驟33、剝離所述光阻層(30)。
8.如權(quán)利要求7所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟32中，所述蝕刻采用干法蝕刻工藝。
9.如權(quán)利要求6所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源極(81)與所述漏極(6)在所述柵極(2)上方的空間內(nèi)無(wú)交疊。
10.如權(quán)利要求6所述的ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源極(81)與所述漏極(6)在所述柵極(2)上方的空間內(nèi)有交疊。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)及其制作方法。該ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)中，蝕刻阻擋層(5)對(duì)應(yīng)氧化物半導(dǎo)體層(4)的兩側(cè)分別設(shè)有第一過(guò)孔(51)、與第二過(guò)孔(52)；漏極(6)經(jīng)由第一過(guò)孔(51)接觸氧化物半導(dǎo)體層(4)；鈍化保護(hù)層(7)設(shè)有與第二過(guò)孔(52)貫通的通孔(72)；電極層(8)設(shè)于鈍化保護(hù)層(7)上，其一側(cè)相對(duì)靠近所述漏極(6)并經(jīng)由所述通孔(72)與第二過(guò)孔(52)接觸氧化物半導(dǎo)體層(4)，構(gòu)成源極(81)，另一側(cè)沿相對(duì)遠(yuǎn)離所述漏極(6)的方向延伸，構(gòu)成像素電極(82)。該ESL型TFT基板結(jié)構(gòu)具有較小的溝道長(zhǎng)度，一方面使得TFT具有良好的導(dǎo)電能力，一方面使TFT尺寸較小，從而可以提高像素開(kāi)口率，降低像素設(shè)計(jì)難度。
【IPC分類(lèi)】H01L27-12, H01L29-786, H01L21-77
【公開(kāi)號(hào)】CN104867946
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510246193
【發(fā)明人】李文輝
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年5月14日