有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)陣列及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管具有自發(fā)光的特性，因此，采用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示屏無(wú)需背 光源，能夠顯著節(jié)省電能。而且，采用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示屏幕可視角度大，因此，有機(jī)發(fā) 光二極管成為研究熱點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)通常將多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管制備在一基底上形成一陣列。其中，該有機(jī) 發(fā)光二極管陣列的制備方法包括：在一基底上制備一薄膜晶體管（TFT)陣列；在該薄膜晶 體管陣列上形成一第一絕緣層；在該第一絕緣層上形成多個(gè)第一電極；在該第一絕緣層上 形成一第二絕緣層將每個(gè)第一電極的邊緣覆蓋，使每個(gè)第一電極的中間部分暴露；在每個(gè) 第一電極暴露的部分表面形成一有機(jī)發(fā)光層；以及在該有機(jī)發(fā)光層上形成一第二電極。
[0004] 然而，現(xiàn)有技術(shù)中形成有機(jī)發(fā)光層的方法通常為蒸鍍，其不僅需要掩模，而且需要 高溫真空條件。因此，制備工藝復(fù)雜，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，確有必要提供一種成本低廉，制備工藝簡(jiǎn)單的有機(jī)發(fā)光二極管陣列。
[0006] -種有機(jī)發(fā)光二極管陣列，其包括：一基板，且該基板的一表面具有多個(gè)間隔設(shè)置 的凸部；多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形第一電極設(shè)置于所述基板的表面，且每個(gè)第一電極設(shè) 置于至少一凸部的頂面；多個(gè)電激發(fā)光層間隔設(shè)置于所述多個(gè)第一電極的表面；一圖案化 的第二絕緣層設(shè)置于所述基板的表面，將位于相鄰的凸部之間的基板的表面覆蓋，且使每 個(gè)電激發(fā)光層至少頂面暴露；以及多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形第二電極設(shè)置于所述第二絕 緣層遠(yuǎn)離基板一側(cè)，該多個(gè)第二電極與所述多個(gè)電激發(fā)光層電連接，所述第二電極的延伸 方向與第一電極的延伸方向交叉設(shè)置，且在每個(gè)交叉處定義一子像素。
[0007] -種有機(jī)發(fā)光二極管陣列，其包括：一基板，且該基板的一表面具有多個(gè)間隔設(shè)置 的凸部；多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形第一電極設(shè)置于所述基板的表面，且每個(gè)第一電極設(shè) 置于至少一凸部的頂面；多個(gè)有機(jī)發(fā)光層間隔設(shè)置于所述多個(gè)第一電極的表面，且每個(gè)有 機(jī)發(fā)光層包括層疊設(shè)置的電洞注入層、電洞傳輸層、電激發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入 層；一圖案化的第二絕緣層設(shè)置于所述基板的表面，將位于相鄰的凸部之間的基板的表面 覆蓋，且使每個(gè)有機(jī)發(fā)光層至少頂面暴露；以及多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形第二電極設(shè)置 于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離基板的表面，該多個(gè)第二電極與所述多個(gè)有機(jī)發(fā)光層電連接，所述 第二電極的延伸方向與第一電極的延伸方向交叉設(shè)置，且在每個(gè)交叉處定義一子像素。
[0008] -種有機(jī)發(fā)光二極管陣列，其包括：一基板，且該基板的一表面具有多個(gè)間隔設(shè)置 的凸部；多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形第一電極設(shè)置于所述基板的表面，且每個(gè)第一電極設(shè) 置于至少一凸部的頂面；一連續(xù)的電洞注入層設(shè)置于所述多個(gè)第一電極表面，且將該多個(gè) 第一電極覆蓋；一連續(xù)的電洞傳輸層層疊于所述電洞注入層遠(yuǎn)離第一電極的表面，且將該 電洞注入層覆蓋；多個(gè)電激發(fā)光層間隔設(shè)置于該電洞傳輸層遠(yuǎn)離第一電極的表面，且每個(gè) 電激發(fā)光層對(duì)應(yīng)一第一電極設(shè)置；一圖案化的第二絕緣層設(shè)置于所述電洞傳輸層表面，該 圖案化的第二絕緣層將位于相鄰的凸部之間的電洞傳輸層覆蓋，且使每個(gè)電激發(fā)光層至少 頂面暴露；一連續(xù)的電子傳輸層設(shè)置于所述多個(gè)電激發(fā)光層表面，且將該多個(gè)電激發(fā)光層 覆蓋；一連續(xù)的電子注入層層疊設(shè)置于所述電子傳輸層遠(yuǎn)離第一電極的表面，且將該電子 傳輸層覆蓋；以及多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形第二電極設(shè)置于所述電子注入層遠(yuǎn)離基板的 表面，該多個(gè)第二電極與所述電子注入層電連接，所述第二電極的延伸方向與第一電極的 延伸方向交叉設(shè)置，且在每個(gè)交叉處定義一子像素。
[0009] 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列，由于第一電極設(shè)置于凸 部表面上，可以通過(guò)轉(zhuǎn)印方法形成有機(jī)發(fā)光層，避免了蒸鍍所需要的掩模和高溫真空條件， 因此，制備工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程圖。
[0011] 圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的多個(gè)凸部成二維陣列排布的示意圖。
[0012] 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的多個(gè)條形凸部成一維陣列排布的示意圖。
[0013] 圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例制備第一電極的工藝流程圖。
[0014] 圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例制備有機(jī)發(fā)光層的工藝流程圖。
[0015] 圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016] 圖7為有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0017] 圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程圖。
[0018] 圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例制備紅光有機(jī)發(fā)光層的工藝流程圖。
[0019] 圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例制備綠光有機(jī)發(fā)光層的工藝流程圖。
[0020] 圖11-12為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021] 圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0022] 圖14為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023] 圖15為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0024] 圖16為本發(fā)明第四實(shí)施例制備的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的第二電極的結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0025] 圖17為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0026] 圖18為本發(fā)明第五實(shí)施例一次轉(zhuǎn)印制備不同厚度的電洞傳輸層的工藝流程圖。
[0027] 圖19-20為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028] 圖21為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0029] 圖22為本發(fā)明第六實(shí)施一次轉(zhuǎn)印形成電洞注入層和電洞傳輸層的工藝流程圖。
[0030] 圖23-24為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031] 圖25為本發(fā)明第七實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0032] 圖26為本發(fā)明第八實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0033] 圖27為本發(fā)明第八實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034] 圖28為本發(fā)明第八實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)分解圖。
[0035] 圖29為本發(fā)明第九實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0036] 圖30為本發(fā)明第九實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)分解圖。
[0037] 豐要元件符號(hào)說(shuō)明
【主權(quán)