有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管（OLED)陣列及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光二極管具有自發(fā)光的特性，因此，采用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示屏無(wú)需背 光源，能夠顯著節(jié)省電能。而且，采用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示屏幕可視角度大，因此，有機(jī)發(fā) 光二極管成為研究熱點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)通常將多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管制備在一基底上形成一陣列。其中，該有機(jī) 發(fā)光二極管陣列的制備方法包括：在一基底上制備一薄膜晶體管（TFT)陣列；在該薄膜晶 體管陣列上形成一第一絕緣層；在該第一絕緣層上形成多個(gè)第一電極；在該第一絕緣層上 形成一第二絕緣層將每個(gè)第一電極的邊緣覆蓋，使每個(gè)第一電極的中間部分暴露；在每個(gè) 第一電極暴露的部分表面形成一有機(jī)發(fā)光層；以及在該有機(jī)發(fā)光層上形成一第二電極。
[0004] 然而，現(xiàn)有技術(shù)中形成有機(jī)發(fā)光層的方法通常為蒸鍍，其不僅需要掩模，而且需要 高溫真空條件。因此，制備工藝復(fù)雜，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，確有必要提供一種工藝簡(jiǎn)單，成本低廉的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備 方法。
[0006] -種有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面 形成有序排列的多個(gè)凸部，每個(gè)凸部對(duì)應(yīng)至少一子像素；至少在多個(gè)凸部的頂面形成多個(gè) 第一電極，且多個(gè)第一電極相互間隔設(shè)置；形成一圖案化的第二絕緣層將相鄰?fù)共恐g的 第一電極覆蓋，且使每個(gè)第一電極至少位于凸部頂面的部分暴露并突出；在每個(gè)第一電極 暴露并突出的表面轉(zhuǎn)印形成層疊設(shè)置的電洞注入層和電洞傳輸層；在對(duì)應(yīng)同一像素單元的 三個(gè)電洞傳輸層的表面分別轉(zhuǎn)印形成發(fā)不同顏色光的電激發(fā)光層；在電激發(fā)光層上分別沉 積層疊設(shè)置的電子傳輸層和電子注入層；以及形成一第二電極，該第二電極位于所述電子 注入層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)且與該電子注入層電連接。
[0007] -種有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面 形成有序排列的多個(gè)凸部，每個(gè)凸部對(duì)應(yīng)至少一子像素；在多個(gè)凸部的表面形成多個(gè)第一 電極，該多個(gè)第一電極相互間隔設(shè)置且設(shè)置于對(duì)應(yīng)凸部的頂面、側(cè)面以及相鄰的凸部之間 的基板表面；形成一圖案化的第二絕緣層將相鄰?fù)共恐g的第一電極覆蓋，且使每個(gè)第一 電極至少位于凸部頂面的部分暴露并突出；在對(duì)應(yīng)同一像素單元的三個(gè)第一電極暴露并突 出的表面分別轉(zhuǎn)印形成發(fā)不同顏色光的有機(jī)發(fā)光層；以及形成一第二電極，該第二電極位 于該有機(jī)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)且與該有機(jī)發(fā)光層電連接。
[0008] 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，通過(guò)轉(zhuǎn)印形 成有機(jī)發(fā)光層，避免了蒸鍍所需要的掩模和高溫真空條件，因此，制備工藝簡(jiǎn)單，成本低廉。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程圖。
[0010] 圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的多個(gè)凸部成二維陣列排布的示意圖。
[0011] 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的多個(gè)條形凸部成一維陣列排布的示意圖。
[0012] 圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例制備第一電極的工藝流程圖。
[0013] 圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例制備有機(jī)發(fā)光層的工藝流程圖。
[0014] 圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015] 圖7為有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光層的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0016] 圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程圖。 [0017] 圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例制備紅光有機(jī)發(fā)光層的工藝流程圖。
[0018] 圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例制備綠光有機(jī)發(fā)光層的工藝流程圖。
[0019] 圖11-12為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0021] 圖14為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 圖15為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0023] 圖16為本發(fā)明第四實(shí)施例制備的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的第二電極的結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0024] 圖17為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0025] 圖18為本發(fā)明第五實(shí)施例一次轉(zhuǎn)印制備不同厚度的電洞傳輸層的工藝流程圖。
[0026] 圖19-20為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027] 圖21為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0028] 圖22為本發(fā)明第六實(shí)施一次轉(zhuǎn)印形成電洞注入層和電洞傳輸層的工藝流程圖。
[0029] 圖23-24為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030] 圖25為本發(fā)明第七實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0031] 圖26為本發(fā)明第八實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0032] 圖27為本發(fā)明第八實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033] 圖28為本發(fā)明第八實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)分解圖。
[0034] 圖29為本發(fā)明第九實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法的工藝流程 圖。
[0035] 圖30為本發(fā)明第九實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的結(jié)構(gòu)分解圖。
[0036] 主要元件符號(hào)說(shuō)明
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其包括： 提供一基板； 在上述基板一表面形成有序排列的多個(gè)凸部，每個(gè)凸部對(duì)應(yīng)至少一子像素； 至少在多個(gè)凸部的頂面形成多個(gè)第一電極，且多個(gè)第一電極相互間隔設(shè)置； 形成一圖案化的第二絕緣層將相鄰?fù)共恐g的第一電極覆蓋，且使每個(gè)第一電極至少 位于凸部頂面的部分暴露并突出； 在每個(gè)第一電極暴露并突出的表面轉(zhuǎn)印形成層疊設(shè)置的電洞注入層和電洞傳輸層； 在對(duì)應(yīng)同一像素單元的三個(gè)電洞傳輸層的表面分別轉(zhuǎn)印形成發(fā)不同顏色光的電激發(fā) 光層； 在電激發(fā)光層上分別沉積層疊設(shè)置的電子傳輸層和電子注入層；以及 形成一第二電極