，該第二電極位于所述電子注入層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)且與該電子注 入層電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述基板包括 一薄膜晶體管陣列，該薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管對應(yīng)一子像 素，且所述在基板的表面形成有序排列的多個(gè)凸部具體包括： 形成一連續(xù)的第一絕緣層覆蓋該薄膜晶體管陣列；以及 在該第一絕緣層遠(yuǎn)離該薄膜晶體管陣列的表面形成該多個(gè)凸部，且每個(gè)凸部對應(yīng)至少 一薄膜晶體管。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述基板包括 一薄膜晶體管陣列，該薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管對應(yīng)一子像 素；所述形成有序排列的多個(gè)凸部的步驟為形成多個(gè)呈陣列設(shè)置的凸部，每個(gè)凸部對應(yīng)一 薄膜晶體管設(shè)置，在每個(gè)凸部的表面形成一第一電極，每個(gè)第一電極對應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管 且與該對應(yīng)的薄膜晶體管電連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述基板包括 一薄膜晶體管陣列，該薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管對應(yīng)一子像 素；所述形成有序排列的多個(gè)凸部的步驟為形成多個(gè)平行且間隔設(shè)置的條形凸部，每個(gè)凸 部對應(yīng)一列薄膜晶體管設(shè)置，且在每個(gè)凸部的表面形成多個(gè)相互間隔的第一電極，每個(gè)第 一電極對應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管且與該對應(yīng)的薄膜晶體管電連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述至少在所 述多個(gè)凸部的頂面形成多個(gè)第一電極的方法包括： 形成一連續(xù)的導(dǎo)電層將該多個(gè)凸部覆蓋； 圖案化該連續(xù)的導(dǎo)電層形成多個(gè)相互間隔設(shè)置的第一電極，且每個(gè)第一電極至少設(shè)置 于對應(yīng)凸部的頂面和側(cè)面。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述在每個(gè)第 一電極暴露并突出的表面轉(zhuǎn)印形成層疊設(shè)置的電洞注入層和電洞傳輸層的方法為先在每 個(gè)第一電極的表面轉(zhuǎn)印形成一電洞注入層，然后在每個(gè)電洞注入層表面轉(zhuǎn)印形成一電洞傳 輸層。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述在每個(gè)第 一電極暴露并突出的表面轉(zhuǎn)印形成層疊設(shè)置的電洞注入層和電洞傳輸層的方法為通過一 次轉(zhuǎn)印在每個(gè)第一電極的表面形成所述電洞注入層和電洞傳輸層。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述通過一次 轉(zhuǎn)印在每個(gè)第一電極的表面形成所述電洞注入層和電洞傳輸層的方法包括： 提供一印模，所述印模具有不同高度表面，在該印模的表面形成一電洞傳輸薄膜； 在該電洞傳輸薄膜表面形成一電洞注入薄膜，且該電洞注入薄膜對應(yīng)同一像素單元的 第一電極具有不同的高度； 使對應(yīng)同一像素單元的第一電極的表面與對應(yīng)高度的電洞注入薄膜接觸；以及 使第一電極與該印模分離，在每個(gè)第一電極的表面形成一層疊設(shè)置的電洞注入層和電 洞傳輸層。
9. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述在對應(yīng)同 一像素單元的三個(gè)電洞傳輸層的表面分別轉(zhuǎn)印形成發(fā)不同顏色光的電激發(fā)光層的方法包 括： 提供一印模，并在該印模的表面形成一有機(jī)電激發(fā)光薄膜； 僅使對應(yīng)同一像素單元的三個(gè)電洞傳輸層中的一個(gè)電洞傳輸層的表面與該有機(jī)電激 發(fā)光薄膜接觸； 使該一個(gè)電洞傳輸層與該印模分離，并在該一個(gè)電洞傳輸層的表面形成一電激發(fā)光 層；以及 采用上述方法在所述相鄰的三個(gè)電洞傳輸層中的另外兩個(gè)電洞傳輸層的表面形成電 激發(fā)光層。
10. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述在該印模 的表面形成一有機(jī)電激發(fā)光薄膜，且僅使該一個(gè)電洞傳輸層的表面與該有機(jī)電激發(fā)光薄膜 接觸的方法為： 在該印模的表面形成不同高度的第一表面和第二表面； 在該印模的表面形成有機(jī)電激發(fā)光薄膜，且位于第一表面的有機(jī)電激發(fā)光薄膜高于位 于第二表面的有機(jī)電激發(fā)光薄膜；以及 使該一個(gè)電洞傳輸層的表面與位于第一表面的有機(jī)電激發(fā)光薄膜接觸，而另外兩個(gè)電 洞傳輸層與該位于第二表面的有機(jī)電激發(fā)光薄膜間隔且懸空設(shè)置。
11. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，在對應(yīng)同一像 素單元的三個(gè)電洞傳輸層的表面分別轉(zhuǎn)印形成發(fā)不同顏色光的電激發(fā)光層的方法為通過 一次轉(zhuǎn)印在對應(yīng)同一子像素的電洞傳輸層的表面形成發(fā)相同顏色光的電激發(fā)光層。
12. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其特征在于，所述形成第二 電極的方法為先在一具有自支撐特性的支撐板的一表面形成一導(dǎo)電層，然后將該導(dǎo)電層覆 蓋在該電子注入層表面與該電子注入層接觸。
13. -種有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其包括： 提供一基板； 在上述基板一表面形成有序排列的多個(gè)凸部，每個(gè)凸部對應(yīng)至少一子像素； 在多個(gè)凸部的表面形成多個(gè)第一電極，該多個(gè)第一電極相互間隔設(shè)置且設(shè)置于對應(yīng)凸 部的頂面、側(cè)面以及相鄰的凸部之間的基板表面； 形成一圖案化的第二絕緣層將相鄰?fù)共恐g的第一電極覆蓋，且使每個(gè)第一電極至少 位于凸部頂面的部分暴露并突出； 在對應(yīng)同一像素單元的三個(gè)第一電極暴露并突出的表面分別轉(zhuǎn)印形成發(fā)不同顏色光 的有機(jī)發(fā)光層；以及 形成一第二電極，該第二電極位于該有機(jī)發(fā)光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)且與該有機(jī)發(fā)光 層電連接。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管陣列的制備方法，其包括：提供一基板；在上述基板一表面形成有序排列的多個(gè)凸部，每個(gè)凸部對應(yīng)至少一子像素；在多個(gè)凸部的表面形成多個(gè)第一電極，且多個(gè)第一電極相互間隔設(shè)置；形成一圖案化的第二絕緣層將相鄰?fù)共恐g的第一電極覆蓋，且使每個(gè)第一電極至少位于凸部頂面的部分暴露并突出；在每個(gè)第一電極暴露并突出的表面轉(zhuǎn)印形成層疊設(shè)置的電洞注入層和電洞傳輸層；在相鄰的三個(gè)電洞傳輸層的表面分別轉(zhuǎn)印形成發(fā)不同顏色光的電激發(fā)光層；在電激發(fā)光層上分別沉積層疊設(shè)置的電子傳輸層和電子注入層；以及形成一第二電極與該電子注入層電連接。
【IPC分類】H01L27-32, H01L51-52, H01L51-56
【公開號】CN104752460
【申請?zhí)枴緾N201310724804
【發(fā)明人】簡良能, 鄭榮安, 安東, 朱振東, 林昌廷, 吳逸蔚, 李群慶, 范守善
【申請人】清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年12月25日
【公告號】US20150179946