，該陣列基板還包括形成在襯底基板1上的信號線，其中：
[0059] 信號線的表面設置有第二線柵偏振膜。
[0060] 具體的，第二線柵偏振膜可以設置在信號線遠離襯底基板的一面，也可以設置在 信號線靠近襯底基板的一面；第二線柵偏振膜和第一線柵偏振膜的偏振方向相同。
[0061 ] 其中，信號線可以包括數(shù)據(jù)線和柵線中的至少一種。
[0062] 具體的，如圖2中所示，本實施例中示例性的以信號線為數(shù)據(jù)線10為例進行說明。 此時，還在數(shù)據(jù)線的上表面或者下表面上設置有第二線柵偏振膜11，第二線柵偏振膜11同 樣是采用電阻較小的金屬材料形成，給顯示器件通電后，由于第二線柵偏振膜11的存在使 得數(shù)據(jù)線上的電阻大大的減小，這樣數(shù)據(jù)線上的電荷迀移率增大，從而使得顯示器件的顯 示性能得到進一步的提升。
[0063] 第一線柵偏振膜3和第二線柵偏振膜11的柵距均為80?150nm。
[0064] 由于在確保第一線柵偏振膜和第二線柵偏振膜能夠正常使用的前提下，第一線柵 偏振膜和第二線柵偏振膜的柵距越小越好。然而柵距越小，制作精度越高，加工難度越大。 因此綜合考慮工藝難度系數(shù)以及偏振效果，本發(fā)明實施例設置第一線柵偏振膜和第二線柵 偏振膜的柵距為80?150nm〇
[0065] 第一線柵偏振膜3和第二線柵偏振膜11的材料為鋁、銀或者鋁和銀的合金。
[0066] 為了保證通電后，保證足夠的電荷迀移率，本實施例中優(yōu)選的采用電阻較小的金 屬材料例如：鋁、銀或者鋁與銀的合金。當然，此處只是舉例說明第一線柵偏振膜和第二 線柵偏振膜的材料，并沒有限定只能采用這些材料來形成第一線柵偏振膜和第二線柵偏振 膜，其它具有導電性的金屬及其合金均可以適用。
[0067] 第一線柵偏振膜3和第二線柵偏振膜11的厚度為100?200nm。
[0068] 若第一線柵偏振膜和第二線柵偏振膜的厚度過小，第一線柵偏振膜和第二線柵偏 振膜上的凸起與其接觸的膜層像素電極層之間的段差太小，從而使制得的第一線柵偏振膜 和第二線柵偏振膜無法對入射光進行起偏。若第一線柵偏振膜和第二線柵偏振膜的厚度 過大，會造成第一線柵偏振膜和第二線柵偏振膜的厚度過厚，從而使得制備的顯示器件無 法滿足超薄化的趨勢，本實施例中設置第一線柵偏振膜和第二線柵偏振膜的厚度為100? 200nm〇
[0069] 如圖2中所示，該陣列基板中還包括：柵線12。
[0070] 需要說明的是，本實施例中只是以有源矩陣（Active Matrix，簡稱AM)液晶顯不 器中的陣列基板為例進行說明，對于無源矩陣（Passive Matrix)液晶顯示器的陣列基板同 樣可以適用本發(fā)明提供的方案的，此處不做詳細的說明；在實際的設計中，只要是滿足本發(fā) 明中提供的像素電極層的表面設置有第一線柵偏振膜，信號線的表面設置有第二線柵偏振 膜的方案均是可行的。
[0071] 本發(fā)明的實施例提供的陣列基板，通過在陣列基板中采用線柵偏振膜來實現(xiàn)對光 線的起偏，并將該線柵偏振膜設置在像素電極層的表面，這樣線柵偏振膜與像素電極層直 接連接在一起，由于線柵偏振膜采用金屬材料形成，因此通電后像素電極層上的電阻大大 減小，解決了現(xiàn)有的顯示裝置中的偏振片厚度過大，導致形成的顯示器件的厚度過大的問 題，實現(xiàn)了顯示裝置的超薄化設計，同時，可以降低像素電極層上的電阻，提高了電荷的迀 移率，增強了顯示器件的顯示效果。
[0072] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板的制作方法，參照圖3所示，該方法包括以下 步驟：
[0073] 101、提供襯底基板。
[0074] 具體的，可以采用玻璃或者石英石等材料來形成襯底基板。當然，若應用于柔性顯 示裝置時，構(gòu)成襯底基板的材料可以包括PET、TAC中的至少一種。
[0075] 102、在襯底基板上形成像素電極層。
[0076] 103、在像素電極層的表面形成第一線柵偏振膜。
[0077] 其中，第一線柵偏振膜的厚度可以為100?200nm，材料可以為鋁、銀或者鋁和銀 的合金。
[0078] 需要說明的是，本實施例中并不限定步驟102和步驟103之間的執(zhí)行順序。若第一 線柵偏振膜是形成在像素電極層遠離襯底基板的一面上，則步驟103可以是在步驟102之 后執(zhí)行的；若第一線柵偏振膜是形成在像素電極層靠近襯底基板的一面上，則步驟103可 以是在步驟102之前執(zhí)行的。在具體的實施過程中，可以根據(jù)實際的形成過程恰當?shù)倪x擇 步驟102和步驟103之間的執(zhí)行順序。
[0079] 本發(fā)明的實施例提供的陣列基板的制作方法，通過采用線柵偏振膜來實現(xiàn)對光線 的起偏，并將該線柵偏振膜設置在像素電極層的表面，這樣線柵偏振膜與像素電極層直接 連接在一起，由于線柵偏振膜采用金屬材料形成，因此通電后像素電極層上的電阻大大減 小，解決了現(xiàn)有的顯示裝置中的偏振片厚度過大，導致形成的顯示器件的厚度過大的問題， 實現(xiàn)了顯示裝置的超薄化設計，同時，可以降低像素電極層上的電阻，提高了電荷的迀移 率，增強了顯示器件的顯示效果。
[0080] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板的制作方法，參照圖4所示，該方法包括以下 步驟：
[0081] 201、提供襯底基板。
[0082] 具體的，可以采用玻璃或者石英石等材料來形成襯底基板。當然，若應用于柔性顯 示裝置時，構(gòu)成襯底基板的材料可以包括PET、TAC中的至少一種。
[0083] 202、在襯底基板上形成信號線。
[0084] 其中，信號線包括數(shù)據(jù)線和柵線中的至少一種。
[0085] 203、在信號線的表面形成第二線柵偏振膜。
[0086] 其中，第二線柵偏振膜的厚度可以為100?200nm，材料可以為鋁、銀或者鋁和銀 的合金。
[0087] 204、在襯底基板上形成像素電極層。
[0088] 205、在像素電極層的表面形成第一線柵偏振膜。
[0089] 第一線柵偏振膜的厚度可以為100?200nm，材料可以為鋁、銀或者鋁和銀的合 金。
[0090] 其中，第二線柵偏振膜和第一線柵偏振膜的偏振方向相同。
[0091] 需要說明的是，本實施例中并不限定步驟202?205之間的執(zhí)行順序，在實際的操 作中，可以根據(jù)信號線包括的具體膜層，根據(jù)各個膜層的形成順序、第一線柵偏振膜與像素 電極層之間的關系和第二線柵偏振膜與信號線中的各膜層之間的關系來確定步驟202? 205的實際執(zhí)行順序。
[0092] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板的制作方法，本實施例中只是以像素電極層形 成在漏極上為例進行說明，當然像素電極層也可以是形成在漏極下方的，參照圖5所示，本 實施例中的信號線具體指的是數(shù)據(jù)線，第二線柵偏振膜形成在數(shù)據(jù)線遠離襯底基板的一面 上，第一線柵偏振膜形成在像素電極層遠離襯底基板的一面上，該方法包括以下步驟：
[0093] 301、提供襯底基板。
[0094] 具體的，可以采用玻璃或者石英石等材料來形成襯底基板。當然，若應用于柔性顯 示裝置時，構(gòu)成襯底基板的材料可以包括PET、TAC中的至少一種。
[0095] 302、在襯底基板上形成包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層。
[0096] 具體的，可以采用磁控濺射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉積一層厚 1000人M7()0()A白勺'薄月旲'十亥'薄月旲?胃胃?目、韋臬^"4、?目胃 金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模板通過曝光、 顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在基板的一定區(qū)域上形成柵金屬層。
[0097] 303、在柵金屬層上形成一層柵絕緣層。
[0098] 具體的，可以利用化學氣相沉積法或者磁控濺射的方法在玻璃基板上沉積厚度為 1000人至6000人的柵電極絕緣層薄膜，該柵絕緣層薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使 用氧化硅和氮氧化硅等。
[0099] 304、在柵絕緣層上形成有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
[0100] 具體的，可以利用化學氣相沉積法在柵絕緣層上沉積金屬氧化物半導體薄膜，然 后對金屬氧化物半導體薄膜進行一次構(gòu)圖工藝形成有源層，即在光刻膠涂覆后，用普通的 掩模板對基板進行曝光、顯影、刻蝕形成有源層即可。
[0101] 進而，采用和制作柵線類似的方法，在基板上沉積一層類似于柵金屬的厚度在 丨0()0人到7000人金屬薄膜。通過構(gòu)圖工藝處理在一定區(qū)域形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
[0102] 305、在數(shù)據(jù)線上形成第二線柵偏振膜。
[0103] 其中，在數(shù)據(jù)線上形成覆蓋數(shù)據(jù)線的第二線柵偏振膜具體包括以下步驟：
[0104] 采用鋁、銀或者鋁和銀的合金材料在數(shù)據(jù)線上形成一層金屬薄膜。
[0105] 具體的，可以采用鋁、銀或者鋁和銀的合金材料在數(shù)據(jù)線上蒸鍍一層厚度在 100?200nm之間的金屬薄膜。
[0106] 通過曝光、顯影、刻蝕構(gòu)圖工藝處理金屬薄膜，形成覆蓋數(shù)據(jù)線的第二線柵偏振 膜。
[0107] 具體的，可以先在金屬薄膜上鋪設一層光刻膠樹脂，然后曝光、顯影得到需要的線 柵圖案，之后通過刻蝕工藝例如：使用NaOH濕刻、激光干刻或者離子反應刻蝕去除掉不需 要的金屬薄膜，然后使用剝離液除去光刻膠即可形成第二線柵偏振