陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫多晶硅(LTPS)材料由于具有極高的迀移率，可以作為高性能IXD、AMOLED顯示設(shè)備的半導(dǎo)體材料，并且可以將CMOS電路集成在陣列基板上，實(shí)現(xiàn)窄邊框和低功耗。但LTPS背板工藝難度較大，除了非晶硅退火均勻性控制、摻雜控制難度大之外，較多的掩膜次數(shù)也限制其應(yīng)用。目前使用的LTPS HADS+Resin的掩膜次數(shù)為10次，分別為遮光層一低溫多晶娃層一 P doping 一 N doping 一 ILD 一 S/D 一 Resin 一 ITOl 一 PVX2 一 IT02。上述工藝過程Mask次數(shù)過多，導(dǎo)致陣列基板工藝較復(fù)雜，成本較高，產(chǎn)率低，從而限制了 LTPS技術(shù)的廣泛使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003](一 )要解決的技術(shù)問題
[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:如何減少LTPS陣列基板的工藝中mask的次數(shù)。
[0005]( 二)技術(shù)方案
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板制作方法，包括:
[0007]在襯底基板上形成包括遮光層、緩沖層、有緣層、柵絕緣層、柵線、公共電極線和柵極的圖形；
[0008]形成層間絕緣薄膜，并利用第一光刻膠對(duì)所述層間絕緣薄膜圖案化，形成源漏金屬薄膜和第二光刻膠，通過所述第一光刻膠和第二光刻膠配合形成層間絕緣層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；
[0009]形成包括有機(jī)絕緣層和公共電極的圖形，并連接跨越柵線和公共電極線的數(shù)據(jù)線；
[0010]形成包括鈍化層、像素電極的圖形。
[0011]其中，所述形成層間絕緣薄膜，并利用第一光刻膠對(duì)所述層間絕緣薄膜圖案化，形成源漏金屬薄膜和第二光刻膠，通過所述第一光刻膠和第二光刻膠配合形成層間絕緣層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形的步驟具體包括:
[0012]依次形成層間絕緣薄膜和第一光刻膠，并對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行曝光顯影，去除源極、漏極和數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一光刻膠，并且保留數(shù)據(jù)線跨越柵線和公共電極線區(qū)域的第一光刻膠，刻蝕暴露出的層間絕緣薄膜，以形成用于源極和漏極連接有緣層的第一過孔，形成用于公共電極連接公共電極線的第二過孔，并形成容納數(shù)據(jù)線的凹槽；
[0013]形成源漏金屬薄膜，在所述源漏金屬薄膜上形成第二光刻膠；
[0014]對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行灰化，只保留源極、漏極、數(shù)據(jù)線和公共電極與公共電極線連接區(qū)域?qū)?yīng)的第二光刻膠，刻蝕暴露出的源漏金屬薄膜；
[0015]去除第二光刻膠和第一光刻膠，以形成所述層間絕緣層、源極、漏極、用于連接公共電極和公共電極線的連接件及數(shù)據(jù)線的圖形。
[0016]其中，形成包括有機(jī)絕緣層和公共電極的圖形，并連接跨越柵線和公共電極線的數(shù)據(jù)線的步驟具體包括:
[0017]形成有機(jī)絕緣薄膜，并通過構(gòu)圖工藝在有機(jī)絕緣薄膜上對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線區(qū)域且分別跨越柵線和公共電極線的兩端形成第三過孔，源極和漏極對(duì)應(yīng)區(qū)域形成第四過孔，并在所述連接件對(duì)于區(qū)域形成第五過孔，以形成有機(jī)絕緣層的圖形；
[0018]形成第一導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成連接跨越柵線和公共電極線的數(shù)據(jù)線的第一連接橋的圖形，所述第一連接橋通過所述第三過孔連接數(shù)據(jù)線，形成通過第四過孔連接第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極的第二連接橋，且同時(shí)形成公共電極，所述公共電極通過第五過孔和所述連接件連接所述公共電極線。
[0019]其中，所述形成包括鈍化層、像素電極的圖形的步驟包括:
[0020]形成鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形；
[0021]形成第二導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第四過孔連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極。
[0022]其中，所述有緣層為多晶硅有緣層，形成多晶硅有緣層的步驟包括:在所述緩沖層上形成非晶硅層，并退火為多晶硅、并對(duì)形成PMOS薄膜晶體管的有緣層圖形進(jìn)行P型摻雜，對(duì)形成NMOS薄膜晶體管的有緣層圖形并進(jìn)行N型摻雜及輕摻雜。
[0023]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括:形成在襯底基板上的遮光層、緩沖層、有緣層、柵絕緣層、柵極、源極、漏極、柵線、層間絕緣層、有機(jī)絕緣層、數(shù)據(jù)線、公共電極線、公共電極、鈍化層和像素電極的圖形；
[0024]所述有緣層、柵絕緣層、柵極、源極和漏極形成薄膜晶體管，所述遮光層位于所述有緣層對(duì)應(yīng)的區(qū)域，緩沖層位于遮光層和所述薄膜晶體管之間，有機(jī)絕緣層位于薄膜晶體管和公共電極之間，鈍化層位于像素電極和公共電極之間，柵極、柵線和公共電極線同層，層間絕緣層位于有機(jī)絕緣層和柵線之間，柵極連接?xùn)啪€，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接像素電極，公共電極連接公共電極線，
[0025]所述源極和漏極穿過層間絕緣層和柵絕緣層與所述有緣層相連，數(shù)據(jù)線穿過層間絕緣層和柵絕緣層形成在緩沖層之上，且在跨越柵線和公共電極線處斷開，通過與所述公共電極同層的電極相連。
[0026]其中，所述有緣層為多晶硅有緣層。
[0027]其中，與所述公共電極同層的電極通過穿過所述有機(jī)絕緣層的過孔連接跨越柵線和公共電極線的數(shù)據(jù)線。
[0028]其中，所述公共電極通過與源極和漏極同時(shí)形成的穿過層間絕緣層的連接件連接所述公共電極線。
[0029]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括:如上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0030](三)有益效果
[0031]本發(fā)明的陣列基板制作方法中，利用使所述層間絕緣層圖案化的第一光刻膠和第二光刻膠配合形成層間絕緣層、源極和漏極，只需一次mask工藝，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)減少一次mask次數(shù)，從而降低了工藝復(fù)雜度和工藝成本，提高了產(chǎn)率。
【附圖說明】
[0032]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板制作方法中形成襯底基板上依次形成遮光層、緩沖層、有緣層、柵絕緣層、柵線、公共電極線和柵極圖形的示意圖；
[0033]圖2是在圖1基礎(chǔ)上形成層間絕緣層及其上過孔，并保留部分第一光刻膠的示意圖；
[0034]圖3是在圖2基礎(chǔ)上形成源漏金屬薄膜不意圖；
[0035]圖4是在圖3基礎(chǔ)上形成第二光刻膠的示意圖；
[0036]圖5是在圖4基礎(chǔ)上對(duì)第二光刻膠灰化后的示意圖；
[0037]圖6是在圖5基礎(chǔ)上剝離第一光刻膠和第二光刻膠最終形成源漏電極、層間絕緣層和連接件的示意圖；
[0038]圖7是在圖6基礎(chǔ)上形成有機(jī)絕緣層及其上過孔的示意圖；
[0039]圖8是在圖7基礎(chǔ)上形成第二連接橋和公共電極的示意圖；
[0040]圖9是數(shù)據(jù)線跨越柵極處的平面示意圖；
[0041]圖10是圖9沿X-X向的剖面圖；
[0042]圖11是在8基礎(chǔ)上形成鈍化層及其上過孔的示意圖；
[0043]圖12是在圖11基礎(chǔ)上形成像素電極，且最終形成的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0045]本發(fā)明提供了一種陣列基板制作方法，包括:
[0046]步驟一，如圖1所示，在襯底基板I上形成包括遮光層2、緩沖層3、有緣層4、柵絕緣層5、柵線(圖1中未示出)、公共電極線61和柵極62的圖形。具體形成過程通過構(gòu)圖工藝形成(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)。其中，有緣層4為多晶硅有緣層，形成多晶硅有緣層的步驟包括:在緩沖層3上形成非晶硅層，并退火為多晶硅、并對(duì)形成PMOS薄膜晶體管的有緣層圖形進(jìn)行P型摻雜，對(duì)形成NMOS薄膜晶體管的有緣層圖形并進(jìn)行N型摻雜及輕摻雜(陣列基板的周邊電路和像素結(jié)構(gòu)中包括若干薄膜晶體管，通過不同的參雜將其制作成PMOS或NMOS薄膜晶體管)。
[0047]步驟二，形成層間絕緣薄膜，并利用第一光刻膠對(duì)所述層間絕緣薄膜圖案化，形成源漏金屬薄膜和第二光刻膠，通過所述第一光刻膠和第二光刻膠配合形成層間絕緣層7、源極81、漏極82和數(shù)據(jù)線的圖形。具體步驟如圖2?6所示:
[0048]如圖2所示，依次形成層間絕緣薄膜和第一光刻膠A，并對(duì)第一光刻膠A進(jìn)行曝光顯影，去除源極81、漏極82和數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一光刻膠A，并且保留數(shù)據(jù)線跨越柵線和公共電極線61區(qū)域的第一光刻膠A，刻蝕暴露出的層間絕緣薄膜，以形成用于源極和漏極連接有緣層4的第一過孔C，形成用于公共電極連接公共電極線61的第二過孔D，并形成容納數(shù)據(jù)線的凹槽(圖2中未示出)。
[0049]如圖3和4所示，形成源漏金屬薄膜8 '，在所述源漏金屬薄膜8 '上形成第二光刻膠B。
[0050]如圖5所示，對(duì)第二光刻膠B進(jìn)行灰化，只保留源極81、漏極82、數(shù)據(jù)線和公共電極與公共電極線61連接區(qū)域?qū)?yīng)的第二光刻膠B。由于第一過孔C和第二過孔D正好形成一個(gè)凹槽，在灰化時(shí)保留位于第一過孔C和第二過孔D中的第二光刻膠B即可?？涛g暴露出的源漏金屬薄膜8 '。
[0051]如圖6所示，去除第二光刻膠B和第一光刻膠A，以形成層間絕緣層7、源極81、漏極82、用于連接公共電極和公共電極線61的連接件83及數(shù)據(jù)線的圖形。
[0052]由于利用使層間絕緣層7圖案化的第一光刻膠A和第二光刻