圓，進而使得整個晶圓報廢，大大增大了測試工藝的成本，其工藝周期也較長，而采用手動量測則容易損傷測試樣品器件結構，致使量測不準確，且工藝難度大；而本申請的實施例中則通過在柵極結構上形成與柵氧化層連接的第一微型墊，在拾取區(qū)上制備與襯底連接的第二微型墊，并利用上述的第一微型墊和第二微型墊對測試樣品的柵氧化層進行電性測試，進而在避免破壞晶圓的同時(即晶圓不被破壞，后續(xù)需要的時候，還可以進行其他生產)，還能避免給測試樣品造成損傷，確保量測的精準度，并能降低量測工藝難度，有效提高工作效率和降低工藝成本。
[0045]下面就結合附圖和具體的實施例對本申請作進一步的說明，但是其不作為本申請的限定。
[0046]實施例一
[0047]圖1是本申請實施例中電性測試結構的俯視圖，圖2是本申請實施例中電性測試結構的剖視圖；如圖1?2所示，本實施例中的電性測試結構包括:
[0048]襯底1，該襯底I上設置有第一淺溝槽隔離結構(STI) 11、第二淺溝槽隔離結構12和第三淺溝槽隔離結構13，且該襯底I上還設置有柵極區(qū)4，以及位于柵極區(qū)4兩側的第一測試區(qū)5和第二測試區(qū)6 ;其中，上述的第一淺溝槽隔離結構11橫跨第一測試區(qū)5和柵極區(qū)4(即該第一淺溝槽隔離結構11的一部分位于上述的第一測試區(qū)5中，而剩余部分則位于柵極區(qū)4中，如圖2中所示，該第一淺溝槽隔離結構11的絕大部分區(qū)域位于第一測試區(qū)5中)，而上述的第二淺溝槽隔離結構12則位于柵極區(qū)4臨近第二測試區(qū)6的區(qū)域中(即該第二淺溝槽隔離結構12臨近第二測試區(qū)6位于柵極區(qū)4中)，上述的第三淺溝槽隔離結構13則設置在第二測試區(qū)6遠離柵極區(qū)4 一側的外側的襯底I中(將第二淺溝槽隔離結構12與第三淺溝槽隔離13之間的襯底設定為第二測試區(qū)6)，且該第三淺溝槽隔離結構13還與上述的第二淺溝槽隔離結構12之間具有預設的距離，以便于后續(xù)在該第二淺溝槽隔離結構12和第三淺溝槽隔離結構13之間的襯底I上設置微型墊，用于后續(xù)的測試工藝。
[0049]進一步的，在位于柵極區(qū)4的襯底上設置有柵氧化層2，且該柵氧化層2還延伸至第一測試區(qū)5中，以覆蓋位于該第一測試區(qū)5中的第一淺溝槽隔離結構11的部分上表面，柵極3覆蓋在上述的柵氧化層2的上表面。
[0050]進一步的，在上述的柵極2位于第一測試區(qū)5中還設置有第一焊墊區(qū)52，該第一焊墊區(qū)52臨近柵極區(qū)4設置，而位于第二測試區(qū)6中的襯底I上設置有第二焊墊區(qū)61，該第二焊墊區(qū)61也臨近柵極區(qū)4設置在襯底I上，即上述第一焊墊區(qū)52和第二焊墊區(qū)61均用于后續(xù)正常焊墊的制備。
[0051]進一步的，在上述的第一測試區(qū)5中，定義臨近上述的第一焊墊區(qū)52的柵極(即位于側墻(圖中未標示)與第一焊墊區(qū)52之間的柵極結構)為第一微型墊(min1-pad)51 ;在上述的第二測試區(qū)6中，在第二淺溝槽隔離結構12與第三淺溝槽隔離結構13之間的襯底I上，將臨近第二焊墊區(qū)61的襯底(即位于第三淺溝槽隔離結構13與第二焊墊區(qū)61之間的襯底)定義為第二微型墊62 ;后續(xù)，可利用上述的第一微型墊51和第二微型墊62對柵氧化層2進行電性測試。
[0052]優(yōu)選的，上述的第一微型墊51和第二微型墊62的尺寸均小于正常的焊墊(normalpad)的尺寸，只要其能夠滿足后續(xù)量測工藝中探針插接的需求即可(should be easyenough for manual probing)，例如上述的第一微型墊51和第二微型墊62的尺寸用于測試的表面的長寬尺寸均大于1umX 10um，較優(yōu)的可選為(20?30um) X (20?30um)。
[0053]優(yōu)選的，上述的第一微型墊51和第二微型墊62用于量測的表面形狀均可為正方形，定義在柵極3上方的第一微型墊51用于量測的表面面積要小于柵極3的上表面面積的30%，以避免其對柵極結構帶來負面影響；例如，一個柵氧化層測試結構的尺寸為50umX 100um，貝丨」形成在柵極上的第一微型墊51的尺寸則要小于40umX40um。
[0054]優(yōu)選的，本實施例中電性測試結構上設置的第一微型墊51和第二微型墊62均可為一個或多個，只要能夠滿足測試工藝需求，且不影響樣品器件結構的設置的基礎，微型墊測試的數(shù)量可根據具體工藝需求而設置。
[0055]需要注意的是，在制備柵氧化層2及柵極3后，還可于該柵氧化層2及柵極3的側壁上制備側墻結構7 (即如圖2中所示結構)，以對柵極3及柵氧化層2進行隔離及保護，但為了圖形的簡潔明了，本實施例中沒有在圖1中將與圖2中的側墻結構7對應的圖形示出，即圖1中的柵極2及柵氧化層3的側壁上也均設置有側墻結構。
[0056]實施例二
[0057]圖3是本申請實施例中制備電性測試結構的方法的流程示意圖；如圖1?3所示，一種電性測試結構的制備方法，可應用于制備實施例一中的電性測試結構，該方法包括:
[0058]首先，提供一襯底1，并于該襯底I中設置若干淺溝槽隔離結構；優(yōu)選的，可于該襯底I中設置第一淺溝槽隔離結構11、第二淺溝槽隔離結構12和第三淺溝槽隔離結構13，且上述的第二淺溝槽隔離結構12位于第一淺溝槽隔離結構11和第三淺溝槽隔離結構13之間，且在第二淺溝槽隔離結構12與第三淺溝槽隔離結構13之間的襯底上可形成拾取區(qū)(pickup)ο
[0059]進一步的，在上述的襯底I設置柵極區(qū)4及位于該柵極區(qū)4兩側的第一測試區(qū)5和第二測試區(qū)6，且在第一測試區(qū)5中臨近柵極區(qū)4的區(qū)域中設置第一焊墊區(qū)52，在第二測試區(qū)6中臨近柵極區(qū)4的區(qū)域中設置第二焊墊區(qū)61，該第一焊墊區(qū)52及第二焊墊區(qū)61均可用于后續(xù)制備常規(guī)的焊墊(pad);上述的第一淺溝槽隔離結構11橫跨第一測試區(qū)5和柵極區(qū)4，第二淺溝槽隔離結構12臨近第二測試區(qū)6設置于柵極區(qū)4的襯底I中，第三淺溝槽隔離結構13設置在第二測試區(qū)6遠離柵極區(qū)4 一側的外側的襯底I中，且該第二焊墊區(qū)61還與第二淺溝槽隔離結構12之間具有一預設的距離，以便于后續(xù)在該第二淺溝槽隔離結構12與第三淺溝槽隔離結構13之間的襯底I上定義用于測試的微型墊。
[0060]其次，于上述的襯底I的柵極區(qū)4及第一測試區(qū)5之上沉積一柵氧化層2，該柵氧化層2覆蓋位于柵極區(qū)4內襯底I的上表面、位于柵極區(qū)的第一淺溝槽隔離結構的上表面及部分第二淺溝槽隔離結構12的部分上表面，同時該柵氧化層2還延伸至第一測試區(qū)5中，覆蓋位于第一測試區(qū)5中第一淺溝槽隔離結構的上表面。
[0061]之后，于上述的柵氧化層2的上表面上繼續(xù)制備柵極3 (即該柵極3全覆蓋上述柵氧化層2的上表面)后，制備側墻覆蓋該柵極3及柵氧化層2的側壁。
[0062]最后，可根據工藝需要，將位于第一測試區(qū)5中的部分柵極3定義為第一微型墊51，該第一微型墊51臨近上述的第一焊墊區(qū)52進行預定義，同時于將位于第二測試區(qū)6中臨近第二焊墊區(qū)61的部分襯底(即位于拾取區(qū)中的部分襯底)I定義為第二微型墊62 ;利用上述的第一微型墊51及第二微型墊62對柵氧化層2進行電性測試。
[0063]優(yōu)選的，本實施例中，可于傳統(tǒng)制備柵極的結構的工藝基礎上，于柵極3的兩端各延伸一段距離，以用于定義形成上述的第一微型墊51和第二微型墊62，即在制備柵氧化層2及柵極3的時候均向一個方向延伸一段距離，使其超出后續(xù)制備焊墊區(qū)域之外一部分，以形成微型墊區(qū)；同時，在襯底I中形成淺溝槽隔離結構時可于上述方向相反的方向上延伸一段拾取區(qū)，以用于后續(xù)襯底上微型墊的形成。
[0064]另外，由于本實施例中電性測試結構的制備方法是基于實施例一