技術(shù)編號：8224888
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在半導(dǎo)體器件的制備工藝過程中，根據(jù)某些特殊需要，在層間介質(zhì)層(InterLayer Dielectrics，簡稱ILD)形成之前，有時需要在沒有形成測試墊(probing pad)的情況下，量測制備的柵氧化層(gate oxide)的電學性能。傳統(tǒng)的量測柵氧化層的方法主要包括納米探針量測法(Nano prober)和手動量測法(Manual prober);但是，采用納米探針量測法對制備的半導(dǎo)體器件的柵氧化層進行電性量測時，制備樣品時需要破壞晶圓(brok...
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