專利名稱:引線框架和半導(dǎo)體封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種引線框架和半導(dǎo)體封裝,特別涉及一種改進(jìn)了的底部引線封裝的引線框架。
圖1是常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝的縱剖圖。如該圖所示,常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝包括半導(dǎo)體芯片1;和由多根連接基片的引線2a組成的引線2,引線2a的上表面安裝半導(dǎo)體芯片1,底表面與基片連接(未示出)。多個(gè)連接芯片的引線2b從連接基片的引線2a延伸,以便與半導(dǎo)體芯片1引線接合。
粘結(jié)劑3把半導(dǎo)體芯片1粘結(jié)在引線2的連接基片的引線2a的上表面上。多根連線5電連接半導(dǎo)體芯片1的芯片焊盤/接合焊盤(未示出)和引線2的連接芯片的引線2a。模制樹脂4模制包括已導(dǎo)線連接的半導(dǎo)體芯片1和引線2的兩種引線2a及2b的預(yù)定區(qū)域,以使引線框架的連接基片的引線2a的底表面暴露于封裝管座的底表面。引線2的基片連接的引線2a從連接芯片的引線2b向下延伸預(yù)定深度。
美國專利5428248中詳細(xì)說明了這種有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝,該專利已轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓者,在此可對(duì)它所公開的內(nèi)容作了引證。然而,在上述常規(guī)半導(dǎo)體封裝中,當(dāng)芯片焊盤位于半導(dǎo)體封裝的側(cè)邊時(shí),可以進(jìn)行引線接合,但當(dāng)芯片焊盤位于其中心時(shí),無法進(jìn)行引線接合。
一種至少可部分實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的集成芯片封裝的引線框架包括彼此相隔預(yù)定距離的一對(duì)導(dǎo)軌;連接這對(duì)導(dǎo)軌的至少一個(gè)阻攔條;從阻攔條上延伸出的多根第一引線,該第一引線有預(yù)定長度;及多根第二引線,相應(yīng)的第二引線形成于相應(yīng)的第一引線的第一表面的預(yù)定部位。
一種至少可部分實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的芯片封裝包括a)有第一和第二表面及形成于第一表面上的多個(gè)焊盤的集成芯片;b)多根引線,每根引線包括i)有第一和第二表面的第一引線,第一引線的第一表面與集成芯片的第一表面連接,及ii)形成于第一引線的第二表面的預(yù)定部位上的第二引線;用于電耦合多個(gè)接合焊盤與多根引線的裝置;以及用于模制集成芯片、多根引線和電耦合裝置的模制樹脂,其中第二引線的預(yù)定部分暴露于模制樹脂的外表面。
下面的說明會(huì)部分地表現(xiàn)出本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和其它特點(diǎn),而且本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過下面的試驗(yàn)或通過實(shí)踐本發(fā)明會(huì)更清楚本發(fā)明的這些優(yōu)點(diǎn)、目的和特點(diǎn)。所附權(quán)利要求書所特別指出的方案,可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的和取得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。
下面將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明,各附圖中相同的標(biāo)記表示相同的部件。
圖1是常規(guī)技術(shù)的縱剖圖;圖2A是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的引線框架的平面圖;圖2B是沿圖2A的A-A線的剖面圖;圖3A至3D是表示按照本發(fā)明的用圖2中的引線框架的底部引線半導(dǎo)體封裝的制造方法及其結(jié)構(gòu);圖4A是本發(fā)明的另一實(shí)施例的引線框架的平面圖;圖4B是沿圖4A的B-B線的剖面圖;圖5A至5D是表示按照本發(fā)明的用圖4中的引線框架的底部引線半導(dǎo)體封裝的制造方法及其結(jié)構(gòu)。
如圖2A和2B所示,形成一對(duì)彼此平行的導(dǎo)軌10a和10b,它們之間有預(yù)定間距,在半導(dǎo)體封裝制造過程中,用它們作傳送引導(dǎo)裝置。形成垂直連接于導(dǎo)軌10a和10b間的多根阻攔條11,它們?cè)谝粚?duì)導(dǎo)軌間有預(yù)定長度。在半導(dǎo)體封裝制造過程中,阻攔條11可防止模制樹脂滲入其它地方。
多根第一引線12從阻攔條11的側(cè)邊延伸。所形成第一引線12與導(dǎo)軌10a和10b平行。第一引線12有預(yù)定長度,以使與另一側(cè)的第一引線12間有預(yù)定寬度。于是,在阻攔條11間形成與之平行的預(yù)定面積的所得間隔13。
在每一第一引線12的上表面的中心設(shè)置導(dǎo)電粘結(jié)劑14,把第二引線15粘接到導(dǎo)電粘結(jié)劑14的上表面。用雙面導(dǎo)電帶作導(dǎo)電粘結(jié)劑14,牢固粘結(jié)第一引線12和第二引線15。第一引線12和第二引線15間存在預(yù)定的高度差T1。
圖3A至3D是半導(dǎo)體封裝制造方法的剖面圖。如圖3A所示,有一種引線框架,其中將導(dǎo)電粘結(jié)劑14設(shè)置于第一引線12的上表面的中心,第二引線15形成于導(dǎo)電粘結(jié)劑14的上表面上。
然后,如圖3B所示,在引線框架的第一引線12的底表面上粘結(jié)雙面絕緣帶。借助雙面帶的粘結(jié)力,把有中心焊盤的半導(dǎo)體芯片粘結(jié)到第一引線12的底表面上,以便通過多根第一引線12(即,圖2A和2B中的間隔13)暴露其中心焊盤。用多根導(dǎo)電連線21連接半導(dǎo)體芯片20的中心焊盤與第一引線12。可通過焊料凸起或任何其它已知裝置連接中心/接合焊盤與第一引線,這相當(dāng)于已有普通技術(shù)中的一種。
如圖3C所示,用模制樹脂30模制和包封半導(dǎo)體芯片20、多根引線12和15、及導(dǎo)線21。如圖3D所示,切掉從模制樹脂的邊緣部分突出的第一引線12,從而完成底部引線半導(dǎo)體封裝。為了把半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)傳輸出到外部,進(jìn)行模制工藝,暴露第二引線15的上表面,以在其上安裝基片(未示出)。
如圖3D所示,按本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的底部引線半導(dǎo)體封裝包括有多個(gè)形成于其上的中心焊盤的半導(dǎo)體芯片20;和粘結(jié)在半導(dǎo)體芯片20的上表面的兩側(cè)的多根第一引線12。多根連線連接第一引線12,在第一引線12的上表面的中心設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電粘結(jié)劑14。把多根第二引線15粘結(jié)到導(dǎo)電粘結(jié)劑14上,用模制樹脂30模制半導(dǎo)體芯片20,暴露第二引線15的上表面。
圖4A是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的引線框架的平面圖,圖4B是沿圖4A中B-B線的剖面圖。一種引線框架包括一對(duì)彼此平行地形成的導(dǎo)軌10a和10b,它們之間有預(yù)定間隔;垂直連接于導(dǎo)軌10a和10b間的多個(gè)阻攔條11。與阻攔條11側(cè)邊的導(dǎo)軌10a、10b平行地形成多根第一引線12’。引線框架的第一引線12’的中心部分向上突出,且有預(yù)定厚度T2,以代替導(dǎo)電粘結(jié)劑14和第二引線15。在引線12’中心部分形成比引線12’厚且有預(yù)定厚度的凸起15-1,在完成封裝時(shí),用它作與基片(未示出)連接的底部引線。
圖5A至5D是表示按照本發(fā)明的用圖4中的引線框架的底部引線半導(dǎo)體封裝的制造方法及其結(jié)構(gòu)。首先,如圖5A所示,提供與圖4A和4B中的引線框架等同的引線框架,該引線框架有在上表面的中心形成突起的多根引線12’。
然后,如圖5B所示,把雙面絕緣帶粘結(jié)到引線12’的底表面上。借助于雙面帶的粘結(jié)力,把有中心焊盤(未示出)的半導(dǎo)體芯片20粘結(jié)到引線的底表面上,以便通過粘結(jié)在半導(dǎo)體芯片20上表面兩側(cè)的多根引線12’暴露其中心焊盤。用多根導(dǎo)電連線連接半導(dǎo)體芯片20的中心焊盤和引線12’。顯然,也可用焊料凸起連接中心焊盤和引線。
如圖5C所示,用模制樹脂30模制和包封半導(dǎo)體芯片20、多根引線12’和凸起15-1、及導(dǎo)線21。如圖5D所示,切掉從模制樹脂的邊緣部分突出的第一引線12’的預(yù)定部分,從而完成底部引線半導(dǎo)體封裝。為了把半導(dǎo)體芯片20的電信號(hào)輸出到外部,用模制樹脂30進(jìn)行模制工藝,暴露將用作底部引線的凸起15-1的上表面,以在其上安裝基片(未示出)。
如圖5D所示,按本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的底部引線半導(dǎo)體封裝包括有多個(gè)中心焊盤的半導(dǎo)體芯片20;和由粘結(jié)在半導(dǎo)體芯片20的上表面兩側(cè)的多根引線12’構(gòu)成的引線框架。凸起15-1在引線12’上表面的中心向上突起,多根連線連接形成于半導(dǎo)體芯片20上的芯片焊盤和引線12’。用模制樹脂30模制半導(dǎo)體芯片20,只暴露凸起15-1的上表面。
上述實(shí)施例僅是例證性的,并不限制本發(fā)明。可以容易地將本發(fā)明的方案用于引線暴露于封裝的底表面或上表面上的其它類型的封裝。例如,本發(fā)明可以用于公開于美國專利5363279、5428248、5326932、5444301和5471088中的封裝,這些申請(qǐng)一般歸于與本申請(qǐng)相同的受讓者,且可通過引證把它們所公開的內(nèi)容結(jié)合于本申請(qǐng)中。而且,本發(fā)明公開了用模制樹脂完全封裝的芯片。顯然,本發(fā)明也可用于不完全包封半導(dǎo)體芯片的封裝,即,模制樹脂封裝半導(dǎo)體芯片。在上述實(shí)施例中,為了便于用
本發(fā)明,稱各表面為上和下表面或上和底表面。顯然,對(duì)表面的引用取決于封裝的取向。本發(fā)明的說明只是說明性的,并不限制要求書的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作出許多替換、改型和變化。
權(quán)利要求
1.一種集成芯片封裝的引線框架,包括彼此相隔預(yù)定距離的一對(duì)導(dǎo)軌;連接所述一對(duì)導(dǎo)軌的至少一個(gè)阻攔條;從所述阻攔條上延伸出的多根第一引線,所述第一引線有預(yù)定長度;及多根第二引線,相應(yīng)的第二引線形成于相應(yīng)的第一引線的第一表面的預(yù)定部位。
2.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于所述一對(duì)導(dǎo)軌基本彼此平行,且所述多根第一引線基本平行于所述導(dǎo)軌。
3.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于所述多根第二引線的每一根皆包括粘結(jié)到所述相應(yīng)第一引線的所述第一表面的所述預(yù)定部位的導(dǎo)電粘結(jié)劑;及粘結(jié)到所述第一引線相對(duì)的表面上的所述導(dǎo)電粘結(jié)劑的導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于所述預(yù)定部位是所述第一引線的中心部位。
5.如權(quán)利要求3所述的引線框架,其特征在于所述導(dǎo)電粘結(jié)劑為雙面導(dǎo)電帶。
6.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于在相鄰阻攔條間形成預(yù)定面積的開口。
7.如權(quán)利要求1所述的引線框架,其特征在于所述多根第二引線的每一根皆是一個(gè)從所述第一引線的所述表面延伸出且具有預(yù)定形狀和厚度的凸起。
8.如權(quán)利要求7所述的引線框架,其特征在于所述預(yù)定形狀為梯形。
9.如權(quán)利要求7所述的引線框架,其特征在于所述凸起的所述厚度大于所述第一引線的厚度。
10.一種芯片封裝,包括a)有第一和第二表面及形成于所述第一表面上的多個(gè)焊盤的集成芯片;b)多根引線,每根引線包括i)有第一和第二表面的第一引線,所述第一引線的所述第一表面連接到所述集成芯片的所述第一表面,和ii)形成于所述第一引線的所述第二表面的預(yù)定部位的第二引線;電耦合所述多個(gè)接合焊盤與所述多根引線的裝置;及模制所述集成芯片、多根引線和電耦合裝置的模制樹脂,其中所述第二引線的預(yù)定部分暴露于所述模制樹脂的外表面。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝,其特征在于所述第一引線和集成芯片的所述第一和第二表面是相反的表面。
12.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝,其特征在于所述電耦合裝置是多根連線。
13.如權(quán)利要求12所述的芯片封裝,其特征在于每根連線連接相應(yīng)的接合焊盤與相應(yīng)的第一引線。
14.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝,其特征在于所述模制樹脂包封集成電路。
15.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝,其特征在于所述第二引線包括粘接到所述第一引線的所述第二表面的所述預(yù)定部位的導(dǎo)電粘結(jié)劑;及粘接到所述第一引線相對(duì)的表面上的導(dǎo)電粘結(jié)劑的導(dǎo)電層。
16.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝,其特征在于所述預(yù)定部位是第一引線的中心部位。
17.如權(quán)利要求15所述的芯片封裝,其特征在于所述導(dǎo)電粘結(jié)劑為雙面導(dǎo)電帶。
18.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝,其特征在于所述第二引線是一個(gè)從所述第一引線的所述表面延伸出且具有預(yù)定形狀和厚度的凸起。
19.如權(quán)利要求18所述的芯片封裝,其特征在于所述預(yù)定形狀為梯形。
20.如權(quán)利要求18所述的芯片封裝,其特征在于所述凸起的所述厚度大于所述第一引線的厚度。
21.如權(quán)利要求10所述的芯片封裝,其特征在于所述多個(gè)接合焊盤形成于所述集成芯片的所述第一表面中心部位。
全文摘要
一種引線框架包括第一引線和形成于第一引線上的第二引線。第二引線可包括導(dǎo)電粘結(jié)劑和粘接于第一引線上的導(dǎo)電層。所述引線可用于一種封裝,其中第二引線暴露于模制樹脂的外部,和/或半導(dǎo)體芯片具有多個(gè)中心芯片焊盤。
文檔編號(hào)H01L23/50GK1169032SQ96120809
公開日1997年12月31日 申請(qǐng)日期1996年11月27日 優(yōu)先權(quán)日1996年6月14日
發(fā)明者金善東 申請(qǐng)人:Lg半導(dǎo)體株式會(huì)社