本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，具體來說，涉及一種ic與可控硅芯片一體化封裝及其制作方法。

背景技術(shù)：

彩燈控制器的市場需求量極大，僅用于圣誕燈的消費量每年達數(shù)億串，這些產(chǎn)品全世界使用，但都為中國制造?，F(xiàn)有的彩燈控制器是將ic電路與可控硅電路分別封裝于不同的支架上，并通過pcb板的連通組合才能達到驅(qū)動控制的目的，如一個四路控制片的需要一個ic電路封裝和四個可控硅封裝，需要五個支架進行五次封裝，最終還需將五個器件安裝于pcb板上，不僅加工繁復、封裝成本高，而且散熱效果差、故障率高。

針對相關(guān)技術(shù)中的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對相關(guān)技術(shù)中的問題，本發(fā)明提出一種ic與可控硅芯片一體化封裝及其制作方法，能夠保證良好的導電性與散熱效果，而且降低芯片的封裝成本，降低成品的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，同時提高產(chǎn)品的可靠性。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種ic與可控硅芯片一體化封裝，包括支架，所述支架上設(shè)有整流電路基島、ic芯片基島、可控硅芯片基島、高壓電引腳、低壓電引腳和散熱片，其中，所述整流電路基島上設(shè)有整流電路，所述ic芯片基島上設(shè)有ic程式控制電路，所述可控硅芯片基島上設(shè)有可控硅被控電路，所述整流電路輸出端與所述ic程式控制電路輸入端連接，所述ic程式控制電路輸出端與所述可控硅被控電路輸入端連接，所述ic芯片基島一側(cè)設(shè)有所述低壓電引腳，所述可控硅芯片基島一側(cè)設(shè)有所述高壓電引腳，所述可控硅芯片基島的另一側(cè)設(shè)有所述散熱片。

進一步，所述高壓電引腳與所述可控硅芯片基島間距是所述低壓電引腳與所述ic芯片基島間距的二倍。

進一步，所述ic程式控制電路一端與地線連接。

進一步，所述可控硅被控電路包括若干三極管t和彩燈l。

進一步，所述三極管t的基極b與所述ic程式控制電路輸出端連接，所述三極管t的集電極c與彩燈的一端連接，所述三極管t的發(fā)射極e與地線連接。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種ic與可控硅芯片一體化封裝的制作方法，用于ic與可控硅芯片一體化封裝的制作，包括以下步驟：

將支架上端覆蓋一層覆銅板作為可控硅襯底。

在覆銅板兩側(cè)分別做出輸入端和輸出端。

在支架上依次設(shè)置所述整流電路基島、所述ic芯片基島、所述可控硅芯片基島、所述高壓電引腳、所述低壓電引腳和所述散熱片。

將所述整流電路基島、所述ic芯片基島和所述可控硅芯片基島三者之間通過銀漿連接進行封裝形成pcb板。

將封裝好的pcb板進行檢測包裝。

本發(fā)明通過以大面積復銅板為可控硅襯底，將整流電路基島、ic芯片基島和可控硅芯片基島三者之間通過銀漿連接進行封裝形成pcb板，不僅保證良好的導電性與散熱效果，而且降低芯片的封裝成本，降低成品的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，同時提高產(chǎn)品的可靠性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種ic與可控硅芯片一體化封裝及其制作方法的步驟流程圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種ic與可控硅芯片一體化封裝及其制作方法的pcb板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種ic與可控硅芯片一體化封裝及其制作方法的電路原理圖。

圖中：

1、支架；2、整流電路基島；3、ic芯片基島；4、可控硅芯片基島；5、高壓電引腳；6、低壓電引腳；7、散熱片。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種ic與可控硅芯片一體化封裝及其制作方法。

如圖1-3所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的ic與可控硅芯片一體化封裝，包括支架1，所述支架1上設(shè)有整流電路基島2、ic芯片基島3、可控硅芯片基島4、高壓電引腳5、低壓電引腳6和散熱片7，其中，所述整流電路基島2上設(shè)有整流電路，所述ic芯片基島3上設(shè)有ic程式控制電路，所述可控硅芯片基島4上設(shè)有可控硅被控電路，所述整流電路輸出端與所述ic程式控制電路輸入端連接，所述ic程式控制電路輸出端與所述可控硅被控電路輸入端連接，所述ic芯片基島3一側(cè)設(shè)有所述低壓電引腳6，所述可控硅芯片基島4一側(cè)設(shè)有所述高壓電引腳5，所述可控硅芯片基島4的另一側(cè)設(shè)有所述散熱片7。

在一個實施例中，所述高壓電引腳5與所述可控硅芯片基島4間距是所述低壓電引腳6與所述ic芯片基島2間距的二倍。

在一個實施例中，所述ic程式控制電路一端與地線連接。

在一個實施例中，所述可控硅被控電路包括若干三極管t和彩燈l。

在一個實施例中，所述三極管t的基極b與所述ic程式控制電路輸出端連接，所述三極管t的集電極c與彩燈的一端連接，所述三極管t的發(fā)射極e與地線連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，還提供了ic與可控硅芯片一體化封裝的制作方法，用于ic與可控硅芯片一體化封裝的制作，包括以下步驟：

步驟s101，將支架1上端覆蓋一層覆銅板作為可控硅襯底。

步驟s103，在覆銅板兩側(cè)分別做出輸入端和輸出端。

步驟s105，在支架1上依次設(shè)置所述整流電路基島2、所述ic芯片基島3、所述可控硅芯片基島4、所述高壓電引腳5、所述低壓電引腳6和所述散熱片7。

步驟s107，將所述整流電路基島2、所述ic芯片基島3和所述可控硅芯片基島4三者之間通過銀漿連接進行封裝形成pcb板。

步驟s109，將封裝好的pcb板進行檢測包裝。

綜上所述，借助于本發(fā)明的上述技術(shù)方案，通過以大面積復銅板為可控硅襯底，將整流電路基島2、ic芯片基島3和可控硅芯片基島4三者之間通過銀漿連接進行封裝形成pcb板，不僅保證良好的導電性與散熱效果，而且降低芯片的封裝成本，降低成品的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，同時提高產(chǎn)品的可靠性。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種IC與可控硅芯片一體化封裝及其制作方法，包括以下步驟：將支架上端覆蓋一層覆銅板作為可控硅襯底，在覆銅板兩側(cè)分別做出輸入端和輸出端，在支架上依次設(shè)置整流電路基島、IC芯片基島、可控硅芯片基島、高壓電引腳、低壓電引腳和散熱片，將整流電路基島、IC芯片基島和可控硅芯片基島三者之間通過銀漿連接進行封裝形成PCB板，將封裝好的PCB板進行檢測包裝。本發(fā)明有益效果為：通過以大面積復銅板為可控硅襯底，通過銀漿連接進行封裝形成PCB板，不僅保證良好的導電性與散熱效果，而且降低芯片的封裝成本，降低成品的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，同時提高產(chǎn)品的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：嚴伯勤
受保護的技術(shù)使用者：河南索泰克照明股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.28
技術(shù)公布日：2017.11.07