大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，它包括從上至下依次設(shè)置的上鉬片（7）、第三焊料層（6）、芯片（5）、第二焊料層（4）、下鉬片（3）和第一焊料層（2），前述上鉬片（7）、第三焊料層（6）、芯片（5）、第二焊料層（4）、下鉬片（3）和第一焊料層（2）均置于硅膠框（8）內(nèi)，芯片（5）的兩端插入硅膠框（8）內(nèi)部，硅膠框（8）外部安裝有導(dǎo)電外殼（1），所述的導(dǎo)電外殼（1）為頂部敞開(kāi)，其余三面封閉的半包圍結(jié)構(gòu)，所述的導(dǎo)電外殼（1）的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。本發(fā)明使用時(shí)，裝配操作簡(jiǎn)易，相比于傳統(tǒng)封裝形式不良率降低一個(gè)數(shù)量級(jí)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及可控硅封裝結(jié)構(gòu)，尤其是大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱(chēng)為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等。
[0003]目前，大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)通常是通過(guò)將芯片封裝在上下相通的硅膠或樹(shù)脂類(lèi)保護(hù)材料內(nèi)，通過(guò)焊料將芯片焊接在需要安裝的位置，芯片周?chē)墓枘z或樹(shù)脂類(lèi)保護(hù)材料直接接觸焊料，易產(chǎn)生硅膠保護(hù)層與芯片之間分層現(xiàn)象，產(chǎn)品抗?jié)衲芰Σ睿ぷ骺煽啃缘?，容易損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是針對(duì)上述問(wèn)題，提出一種大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，它包括從上至下依次設(shè)置的上鑰片、第三焊料層、芯片、第二焊料層、下鑰片和第一焊料層，前述上鑰片、第三焊料層、芯片、第二焊料層、下鑰片和第一焊料層均置于娃膠框內(nèi)，芯片的兩端插入娃膠框內(nèi)部，娃膠框外部安裝有導(dǎo)電外殼，所述的導(dǎo)電外殼為頂部敞開(kāi)，其余三面封閉的半包圍結(jié)構(gòu)，所述的導(dǎo)電外殼的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。
[0006]本發(fā)明的導(dǎo)電外殼的厚度為1.5-2.5毫米。
[0007]本發(fā)明的導(dǎo)電外殼的厚度為2毫米。
[0008]本發(fā)明的有益效果:
本發(fā)明由于芯片周?chē)鷵碛幸欢ê穸鹊慕饘賹?dǎo)電外殼保護(hù)層，芯片抗機(jī)械沖擊能力增力口，產(chǎn)品在后續(xù)使用焊接過(guò)程中，由于芯片周?chē)枘z或樹(shù)脂類(lèi)保護(hù)材料不直接接觸焊料，避免了傳統(tǒng)封裝形式易產(chǎn)生的硅膠保護(hù)層與芯片之間分層現(xiàn)象，產(chǎn)品抗?jié)衲芰Φ玫教嵘ぷ骺煽啃蕴岣摺?br> [0009]本發(fā)明使用時(shí)，裝配操作簡(jiǎn)易，相比于傳統(tǒng)封裝形式不良率降低一個(gè)數(shù)量級(jí)。
[0010]
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中:1、導(dǎo)電外殼；2、第一焊料層；3、下鑰片；4、第二焊料層；5、芯片；6、第三焊料層；7、上鑰片；8、硅膠框。
[0013]【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0015]如圖1所示，一種大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，它包括從上至下依次設(shè)置的上鑰片7、第三焊料層6、芯片5、第二焊料層4、下鑰片3和第一焊料層2，前述上鑰片7、第三焊料層6、芯片5、第二焊料層4、下鑰片3和第一焊料層2均置于硅膠框8內(nèi)，芯片5的兩端插入娃膠框8內(nèi)部,娃膠框8外部安裝有導(dǎo)電外殼1，所述的導(dǎo)電外殼I為頂部敞開(kāi)，其余三面封閉的半包圍結(jié)構(gòu)，所述的導(dǎo)電外殼I的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。
[0016]本發(fā)明的導(dǎo)電外殼I為銅外殼或者鋁外殼，厚度為1.5-2.5毫米左右，優(yōu)選2毫米。
[0017]具體實(shí)施時(shí):封裝外殼材料為銅(或鋁等散熱性能、導(dǎo)電性能良好類(lèi)金屬材料)，內(nèi)部芯片與上下鑰片之間通過(guò)焊料燒結(jié)于銅殼內(nèi)部，芯片與銅殼間隙采用硅膠或樹(shù)脂類(lèi)保護(hù)材料填充。
[0018]本發(fā)明未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，其特征是它包括從上至下依次設(shè)置的上鑰片(7)、第三焊料層(6)、芯片(5)、第二焊料層(4)、下鑰片(3)和第一焊料層(2)，前述上鑰片(7)、第三焊料層(6)、芯片(5)、第二焊料層(4)、下鑰片(3)和第一焊料層(2)均置于硅膠框(8)內(nèi)，芯片(5)的兩端插入硅膠框(8)內(nèi)部，硅膠框(8)外部安裝有導(dǎo)電外殼(1)，所述的導(dǎo)電外殼(I)為頂部敞開(kāi)，其余三面封閉的半包圍結(jié)構(gòu)，所述的導(dǎo)電外殼(I)的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述的導(dǎo)電外殼(I)為銅外殼或者鋁外殼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述的導(dǎo)電外殼(I)的厚度為1.5-2.5毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述的導(dǎo)電外殼(I)的厚度為2毫米。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK103646927SQ201310724868
【公開(kāi)日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】許志峰 申請(qǐng)人:江蘇東光微電子股份有限公司