本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

oled即有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode)，具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對(duì)比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器，被廣泛應(yīng)用在手機(jī)屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。oled顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的液晶顯示技術(shù)不同，無需背光，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。oled顯示有諸多優(yōu)點(diǎn)，其中包括可實(shí)現(xiàn)柔性顯示，如以可繞曲的塑料基板等為載體，再配合薄膜封裝制程，即可實(shí)現(xiàn)可繞曲的oled面板。

oled顯示裝置包括分別用作oled顯示裝置的子像素的多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件，所述子像素包括發(fā)射紅色光的紅色子像素、發(fā)射綠色光的綠色子像素和發(fā)射藍(lán)色光的藍(lán)色子像素。oled顯示裝置的每一個(gè)子像素包括陽極、公共層、有機(jī)發(fā)光層和陰極，公共層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。各個(gè)子像素的陽極是相互獨(dú)立的，但是公共層形成于顯示基板的整個(gè)表面上，覆蓋各個(gè)子像素的陽極。有機(jī)發(fā)光元件利用從陽極提供的空穴和陰極提供的電子而發(fā)光。但是，提供至子像素的空穴經(jīng)由公共層可能泄露到相鄰的另一個(gè)子像素中，例如提供至發(fā)射藍(lán)色光的子像素的空穴可能不會(huì)移動(dòng)至發(fā)射藍(lán)色光的子像素的有機(jī)發(fā)光層，但是可能會(huì)經(jīng)由公共層泄露到發(fā)射紅色光的子像素或發(fā)射綠色光的子像素中，這種漏電流會(huì)導(dǎo)致其他臨近的子像素發(fā)光并改變oled顯示裝置的色彩特性，從而影響oled顯示裝置的顯示品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠避免臨近的子像素之間出現(xiàn)流動(dòng)的漏電流，改善顯示裝置的顯示品質(zhì)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種顯示基板的制作方法，包括：

形成像素界定層過渡圖形，所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成底切；

在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上形成公共層；

去除所述底切，得到像素界定層的圖形；

形成陰極。

進(jìn)一步地，所述形成像素界定層過渡圖形包括：

形成第一感光材料層；

對(duì)所述第一感光材料層進(jìn)行曝光，使得所述第一感光材料層表面的一部分感光材料被充分曝光，形成充分曝光膜層；

在曝光后的第一感光材料層上形成第二感光材料層；

以制作像素界定層的圖形的掩模板為遮擋對(duì)所述第一感光材料層和所述第二感光材料層進(jìn)行曝光，使得所述第一感光材料層和所述第二感光材料層未被所述掩模板的遮光圖形遮擋的部分充分曝光；

對(duì)曝光后的第一感光材料層和第二感光材料層進(jìn)行顯影，形成所述像素界定層過渡圖形，所述像素界定層過渡圖形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影的邊緣與所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影的邊緣間隔一定距離。

進(jìn)一步地，所述去除所述底切，得到像素界定層的圖形包括：

對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱，使得部分所述像素界定層過渡圖形融化將所述第一堤部、所述第二堤部和所述第三堤部的側(cè)表面連成一平緩的坡面，得到像素界定層的圖形。

進(jìn)一步地，所述第一感光材料層的厚度為d，所述充分曝光膜層的厚度d為1/10d～1/5d。

進(jìn)一步地，所述第二感光材料層的厚度d1為1/5d～1/3d，且d1大于d。

進(jìn)一步地，所述形成像素界定層過渡圖形包括：

形成第一感光材料層；

對(duì)所述第一感光材料層進(jìn)行曝光，使得全部所述第一感光材料層被充分曝光；

在曝光后的第一感光材料層上形成第二感光材料層；

以制作像素界定層的圖形的掩模板為遮擋對(duì)所述第一感光材料層和所述第二感光材料層進(jìn)行曝光，使得所述第一感光材料層和所述第二感光材料層未被所述掩模板的遮光圖形遮擋的部分充分曝光；

對(duì)曝光后的第一感光材料層和第二感光材料層進(jìn)行顯影，形成所述像素界定層過渡圖形，所述像素界定層過渡圖形包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影的邊緣與所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影的邊緣間隔一定距離。

進(jìn)一步地，所述去除所述底切，得到像素界定層的圖形包括：

對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱，使得部分所述像素界定層過渡圖形融化將所述第二堤部和所述第三堤部的側(cè)表面連成一平緩的坡面，得到像素界定層的圖形。

進(jìn)一步地，所述對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱包括：

在80℃至100℃的溫度下對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行12至48小時(shí)的加熱。

進(jìn)一步地，形成所述公共層包括：

在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上制備整層的公共層，所述公共層在所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入所述像素界定層過渡圖形限定出的像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于所述像素界定層過渡圖形的頂表面。

進(jìn)一步地，所述在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上制備整層的公共層包括：

在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上依次制備空穴注入層和空穴傳輸層，所述空穴注入層和空穴傳輸層在所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入所述像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于所述像素界定層過渡圖形的頂表面上；

依次制備電子傳輸層和電子注入層，所述電子傳輸層和電子注入層在所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入所述像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于所述像素界定層過渡圖形的頂表面上。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述像素界定層的圖形包括第一膜層和第二膜層，所述第一膜層設(shè)置在所述第二膜層靠近所述襯底基板的一側(cè)，且所述第一膜層的刻蝕速率大于所述第二膜層的刻蝕速率。

進(jìn)一步地，所述像素界定層的圖形還包括第三膜層，所述第三膜層設(shè)置在所述第一膜層靠近所述襯底基板的一側(cè)，且所述第三膜層的刻蝕速率小于所述第一膜層的刻蝕速率。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成有底切，這樣在形成有像素界定層過渡圖形的襯底基板上形成公共層時(shí)，能夠使得整層的公共層在像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入像素界定層過渡圖形限定出的像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于像素界定層過渡圖形的頂表面，從而使得位于不同像素區(qū)域內(nèi)的公共層之間相互獨(dú)立，互不連接，這樣提供至子像素的空穴將不能夠經(jīng)由公共層泄露到相鄰的另一個(gè)子像素中，從而避免臨近的子像素之間出現(xiàn)流動(dòng)的漏電流，改善了顯示裝置的顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例在襯底基板上制作陽極后的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例在襯底基板上制作第一感光材料層后的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例對(duì)第一感光材料層進(jìn)行曝光后的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例對(duì)第二感光材料層和第一感光材料層進(jìn)行曝光的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例對(duì)第一感光材料層和第二感光材料層進(jìn)行顯影后的示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例制作空穴注入層和空穴傳輸層后的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例制作電子傳輸層和電子注入層后的示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例對(duì)像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱后的示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例制作陰極后的示意圖。

1襯底基板2薄膜晶體管陣列3平坦層4陽極

5第一感光材料層51充分曝光膜層6第二感光材料層

7掩模板8像素界定層過渡圖形52第一堤部

511第二堤部61第三堤部9空穴注入層和空穴傳輸層

10有機(jī)發(fā)光材料層11電子傳輸層和電子注入層12陰極

81像素界定層的圖形

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

現(xiàn)有oled顯示基板中，是在形成有像素界定層的圖形的襯底基板上沉積具有較大厚度的公共層，不同像素區(qū)域的公共層是連通的，這樣提供至子像素的空穴經(jīng)由公共層可能泄露到相鄰的另一個(gè)子像素中，在臨近的子像素之間存在流動(dòng)的漏電流，導(dǎo)致oled顯示裝置存在漏光問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠避免臨近的子像素之間出現(xiàn)流動(dòng)的漏電流，改善顯示裝置的顯示品質(zhì)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板的制作方法，包括：

形成像素界定層過渡圖形，所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成底切；

在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上形成公共層；

去除所述底切，得到像素界定層的圖形；

形成陰極。

本實(shí)施例中，像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成有底切，這樣在形成有像素界定層過渡圖形的襯底基板上形成公共層時(shí)，能夠使得整層的公共層在像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入像素界定層過渡圖形限定出的像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于像素界定層過渡圖形的頂表面，從而使得位于不同像素區(qū)域內(nèi)的公共層之間相互獨(dú)立，互不連接，這樣提供至子像素的空穴將不能夠經(jīng)由公共層泄露到相鄰的另一個(gè)子像素中，從而避免臨近的子像素之間出現(xiàn)流動(dòng)的漏電流，改善了顯示裝置的顯示品質(zhì)。

其中，像素界定層過渡圖形至少包括有相互層疊的第一膜層和第二膜層，第一膜層設(shè)置在第二膜層靠近襯底基板的一側(cè)，第一膜層的刻蝕速率大于第二膜層的刻蝕速率，這樣在刻蝕形成像素界定層過渡圖形時(shí)，第一膜層相對(duì)于第二膜層會(huì)向內(nèi)部產(chǎn)生一定量的縮進(jìn)，即底切(undercut)現(xiàn)象。

進(jìn)一步地，像素界定層過渡圖形在包括第一膜層和第二膜層的基礎(chǔ)上，還可以包括第三膜層，第三膜層位于第一膜層靠近襯底基板的一側(cè)，第三膜層的刻蝕速率小于第一膜層的刻蝕速率。

一具體實(shí)施例中，形成像素界定層過渡圖形包括：

形成第一感光材料層；

對(duì)所述第一感光材料層進(jìn)行曝光，使得所述第一感光材料層表面的一部分感光材料被充分曝光，形成充分曝光膜層；

在曝光后的第一感光材料層上形成第二感光材料層；

以制作像素界定層的圖形的掩模板為遮擋對(duì)所述第一感光材料層和所述第二感光材料層進(jìn)行曝光，使得所述第一感光材料層和所述第二感光材料層未被所述掩模板的遮光圖形遮擋的部分充分曝光；

對(duì)曝光后的第一感光材料層和第二感光材料層進(jìn)行顯影，形成所述像素界定層過渡圖形，所述像素界定層過渡圖形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影的邊緣與所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影的邊緣間隔一定距離。

上述實(shí)施例中，像素界定層過渡圖形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，當(dāng)然，像素界定層過渡圖形還可以不再包括第一堤部，只包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影的邊緣與所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影的邊緣間隔一定距離，這樣即是在對(duì)第一感光材料層進(jìn)行第一次曝光時(shí)，不只是使第一感光材料層得表層的一部分被充分曝光，而是使得第一感光材料層的全部被充分曝光。

由于像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成有底切，不利于后續(xù)形成整層的陰極，因此，在制備陰極之前，還需要去除所述底切，得到像素界定層的圖形。所述去除所述底切，得到像素界定層的圖形包括：

對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱，使得部分所述像素界定層過渡圖形融化將所述第一堤部、所述第二堤部和所述第三堤部的側(cè)表面連成一平緩的坡面，得到像素界定層的圖形。

這樣之后在形成有像素界定層圖形的襯底基板上制作陰極時(shí)，能夠使形成的陰極為連續(xù)的面狀結(jié)構(gòu)。

具體地，所述對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱包括：

在80℃至100℃的溫度下對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行12至48小時(shí)的加熱。

進(jìn)一步地，所述第一感光材料層的厚度為d，所述充分曝光膜層的厚度d為1/10d～1/5d。

進(jìn)一步地，所述第二感光材料層的厚度d1為1/5d～1/3d，且d1大于d。

另一具體實(shí)施例中，所述形成像素界定層過渡圖形包括：

形成第一感光材料層；

對(duì)所述第一感光材料層進(jìn)行曝光，使得全部所述第一感光材料層被充分曝光；

在曝光后的第一感光材料層上形成第二感光材料層；

以制作像素界定層的圖形的掩模板為遮擋對(duì)所述第一感光材料層和所述第二感光材料層進(jìn)行曝光，使得所述第一感光材料層和所述第二感光材料層未被所述掩模板的遮光圖形遮擋的部分充分曝光；

對(duì)曝光后的第一感光材料層和第二感光材料層進(jìn)行顯影，形成所述像素界定層過渡圖形，所述像素界定層過渡圖形包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部，所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第二堤部的頂面在襯底基板上的正投影的邊緣與所述第三堤部的底面在襯底基板上的正投影的邊緣間隔一定距離。

該具體實(shí)施例中，在第一次曝光時(shí)，是使全部的第一感光材料層被充分曝光。

由于像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成有底切，不利于后續(xù)形成整層的陰極，因此，在制備陰極之前，還需要去除所述底切，得到像素界定層的圖形。所述去除所述底切，得到像素界定層的圖形包括：

對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱，使得部分所述像素界定層過渡圖形融化將所述第二堤部和所述第三堤部的側(cè)表面連成一平緩的坡面，得到像素界定層的圖形。

這樣之后在形成有像素界定層圖形的襯底基板上制作陰極時(shí)，能夠使形成的陰極為連續(xù)的面狀結(jié)構(gòu)。

具體地，所述對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行加熱包括：

在80℃至100℃的溫度下對(duì)所述像素界定層過渡圖形進(jìn)行12至48小時(shí)的加熱。

進(jìn)一步地，形成所述公共層包括：

在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上制備整層的公共層，所述公共層在所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入所述像素界定層過渡圖形限定出的像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于所述像素界定層過渡圖形的頂表面。

其中，公共層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層，公共層可以采用蒸鍍的方式制備也可以采用打印的方式制備。

一具體實(shí)施方式中，形成所述公共層包括：

在形成有所述像素界定層過渡圖形的襯底基板上依次制備空穴注入層和空穴傳輸層，所述空穴注入層和空穴傳輸層在所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入所述像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于所述像素界定層過渡圖形的頂表面上；

依次制備電子傳輸層和電子注入層，所述電子傳輸層和電子注入層在所述像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入所述像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于所述像素界定層過渡圖形的頂表面上。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述像素界定層的圖形包括第一膜層和第二膜層，所述第一膜層設(shè)置在所述第二膜層靠近所述襯底基板的一側(cè)，且所述第一膜層的刻蝕速率大于所述第二膜層的刻蝕速率。

本實(shí)施例中，像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成有底切，這樣在形成有像素界定層過渡圖形的襯底基板上形成公共層時(shí)，能夠使得整層的公共層在像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入像素界定層過渡圖形限定出的像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于像素界定層過渡圖形的頂表面，從而使得位于不同像素區(qū)域內(nèi)的公共層之間相互獨(dú)立，互不連接，這樣提供至子像素的空穴將不能夠經(jīng)由公共層泄露到相鄰的另一個(gè)子像素中，從而避免臨近的子像素之間出現(xiàn)流動(dòng)的漏電流，改善了顯示裝置的顯示品質(zhì)。

進(jìn)一步地，所述像素界定層的圖形還包括第三膜層，所述第三膜層設(shè)置在所述第一膜層靠近所述襯底基板的一側(cè)，且所述第三膜層的刻蝕速率小于所述第一膜層的刻蝕速率。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。所述顯示裝置可以為：電視、顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，其中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的顯示基板的制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹，本實(shí)施例的顯示基板的制作方法包括以下步驟：

步驟a、如圖1所示，在襯底基板1上制備薄膜晶體管陣列2、平坦層3以及陽極4；

其中，襯底基板1可以為柔性基底也可以為硬質(zhì)基板。薄膜晶體管陣列2包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光單元進(jìn)行發(fā)光的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，陽極4與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接。

步驟b、如圖2所示，在經(jīng)過步驟a的襯底基板1上形成第一感光材料層5；

具體地，可以在經(jīng)過步驟a的襯底基板1涂覆一層有機(jī)感光樹脂，作為第一感光材料層5。

步驟c、如圖3所示，對(duì)整個(gè)襯底基板1上的第一感光材料層5進(jìn)行曝光；

本步驟中，對(duì)整個(gè)襯底基板1表面上的第一感光材料層5進(jìn)行一次無掩模板遮擋的空曝光，曝光時(shí)需要注意的是對(duì)曝光劑量的控制，例如，假設(shè)能將厚度為d的第一感光材料層5充分曝光的曝光劑量為a，那本步驟中選用的曝光劑量b要小于a，這樣第一感光材料層5只有上表面部分厚度為d的膜層才得以充分曝光，優(yōu)選地，d的大小約為1/10d～1/5d。曝光完成后，如圖4所示，第一感光材料層5上生成一層被充分曝光的充分曝光膜層51。充分曝光膜層51的厚度決定了后續(xù)像素界定層過渡圖形側(cè)表面出現(xiàn)底切部分的大小，如果充分曝光膜層51的厚度過大，則后續(xù)不容易形成具有平滑側(cè)表面的像素界定層的圖形，如果充分曝光膜層51的厚度過小，則像素界定層過渡圖形側(cè)表面出現(xiàn)底切部分過小，在后續(xù)沉積公共層時(shí)，不容易使公共層發(fā)生斷裂，因此，優(yōu)選地，將充分曝光膜層51的厚度設(shè)置為1/10d～1/5d。

步驟d、如圖4所示，在曝光后的第一感光材料層5上形成第二感光材料層6，并以制作像素界定層的圖形的掩模板7為遮擋對(duì)第一感光材料層5和第二感光材料層6進(jìn)行曝光，使得第一感光材料層5和第二感光材料層6未被掩模板7的遮光圖形遮擋的部分充分曝光；

在第一感光材料層5上涂覆一層厚度為d1的有機(jī)感光樹脂，形成第二感光材料層6，優(yōu)選地，d1的大小約為1/5d～1/3d，且d1大于d。利用掩模板7對(duì)整個(gè)陣列基板進(jìn)行曝光，掩模板7包括有遮光圖形和透光圖形，遮光圖形對(duì)應(yīng)像素界定層的圖形。本次曝光選用需將第一感光材料層5和第二感光材料層6都能充分曝光的曝光劑量，也就是說底部的第一感光材料層5在本次曝光中也要充分的感光。

步驟e、如圖5所示，對(duì)曝光后的第一感光材料層5和第二感光材料層6進(jìn)行顯影，形成像素界定層過渡圖形8，像素界定層過渡圖形8包括第一堤部52、位于第一堤部52上的第二堤部511和位于第二堤部上511的第三堤部61，第二堤部511的頂面在襯底基板1上的正投影完全落入第三堤部61的底面在襯底基板上1的正投影內(nèi)，且第二堤部511的頂面在襯底基板1上的正投影的邊緣與第三堤部61的底面在襯底基板1上的正投影的邊緣間隔一定距離；

像素界定層過渡圖形8包括第一堤部52、位于第一堤部52上的第二堤部511和位于第二堤部上511的第三堤部61，其中，第二堤部511經(jīng)過兩次曝光，由于曝光的程度最高，因此在顯影過程中能夠更加充分地與顯影液反應(yīng)，在顯影后第二堤部511相對(duì)第一堤部52、第三堤部61會(huì)向內(nèi)部產(chǎn)生一定量的縮進(jìn)，即底切(undercut)現(xiàn)象。第二堤部511造成的底切會(huì)使像素界定層過渡圖形8的側(cè)表面出現(xiàn)斷裂，如圖5中區(qū)域a所示。

步驟f、如圖6所示，通過蒸鍍的方法，在整個(gè)陣列基板的上表面蒸鍍空穴注入層(hil)和空穴傳輸層(htl)9；

一般的oled顯示裝置上的單個(gè)有機(jī)發(fā)光單元包括有層疊的空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)，當(dāng)然也可以省略其中一層或者幾層。由于空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層公共地覆蓋子像素的陽極以及像素界定層，因此空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層被定義為公共層。

為了描述簡(jiǎn)單，圖6中將空穴注入層和空穴傳輸層合并成一層表示，即膜層9，如圖6所示，由于像素界定層過渡圖形8側(cè)表面出現(xiàn)底切，空穴注入層和空穴傳輸層9在沉積過程中，在區(qū)域a處會(huì)自動(dòng)斷開，使像素界定層過渡圖形8上部的空穴注入層和空穴傳輸層9與像素界定層過渡圖形8下部的空穴注入層和空穴傳輸層9不再連接，像素界定層過渡圖形8下部的空穴注入層和空穴傳輸層9位于像素區(qū)域內(nèi)。

步驟g、如圖7所示，繼續(xù)通過蒸鍍的方法，利用蒸鍍掩模板，在不同的像素區(qū)域依次蒸鍍出多種顏色的有機(jī)發(fā)光材料層10，比如r、b、g有機(jī)發(fā)光材料層。之后再在有機(jī)發(fā)光材料層10的上部繼續(xù)蒸鍍制作電子傳輸層和電子注入層，電子傳輸層和電子注入層也是公共層的一部分，如圖8所示，將電子傳輸層和電子注入層合并成一層表示，即膜層11，同樣地由于像素界定層過渡圖形8側(cè)表面出現(xiàn)底切，電子傳輸層和電子注入層11在沉積過程中在區(qū)域a處會(huì)自動(dòng)斷開，使像素界定層過渡圖形8上部的電子傳輸層和電子注入層11與像素界定層過渡圖形8下部的電子傳輸層和電子注入層11不再連接，像素界定層過渡圖形8下部的電子傳輸層和電子注入層11位于像素區(qū)域內(nèi)。

可以看出，位于不同像素區(qū)域的公共層相互獨(dú)立，互不連接。

步驟h、如圖8所示，對(duì)像素界定層過渡圖形8以及公共層進(jìn)行加熱，因?yàn)閰^(qū)域a處由于第二堤部511向內(nèi)部產(chǎn)生縮進(jìn)而使上部的第三堤部61以及其上的公共層產(chǎn)生懸空，在對(duì)像素界定層過渡圖形8以及公共層進(jìn)行加熱的過程中，第三堤部61和其上的公共層會(huì)向下方流動(dòng)，從而覆蓋區(qū)域a處的懸空區(qū)，消除像素界定層過渡圖形8側(cè)表面的底切，形成側(cè)面平緩的像素界定層的圖形81。

其中，對(duì)像素界定層過渡圖形8以及公共層進(jìn)行加熱可在特定的條件下進(jìn)行，例如，可在80℃至100℃或者更低的溫度下進(jìn)行12至48小時(shí)的加熱，比如在95℃的溫度下進(jìn)行24小時(shí)的加熱。熱處理完成后，如圖8所示，區(qū)域a變成圖中的區(qū)域b，像素界定層過渡圖形8變成了側(cè)表面為平滑的坡面的像素界定層的圖形81。值得注意的是，雖然像素界定層的圖形81的側(cè)表面為平滑的坡面，但是通過對(duì)加熱的溫度和時(shí)長(zhǎng)的控制，位于像素界定層的圖形81的頂面上的公共層部分與位于像素區(qū)域內(nèi)的公共層部分仍然不連接。

步驟i、如圖9所示，通過蒸鍍或者其他方式在整個(gè)陣列基板的上表面制作oled顯示裝置的陰極12，如圖9所示，由于經(jīng)過加熱處理，像素界定層的圖形81的側(cè)面成為連續(xù)的整體，且較為平緩，因此區(qū)域b處的陰極12不會(huì)像公共層那樣產(chǎn)生斷裂，而是形成為連續(xù)的面狀結(jié)構(gòu)。

經(jīng)過上述步驟a-i即可制作得到本發(fā)明的oled顯示基板，需要注意的是，本發(fā)明并未限制上述oled顯示基板的類型，oled顯示基板既可以為頂發(fā)光型oled顯示基板也可以是底發(fā)光型oled顯示基板。

本實(shí)施例制作的像素界定層過渡圖形的側(cè)表面形成有底切，這樣在形成有像素界定層過渡圖形的襯底基板上形成公共層時(shí)，能夠使得整層的公共層在像素界定層過渡圖形的側(cè)表面上發(fā)生斷裂，一部分落入像素界定層過渡圖形限定出的像素區(qū)域內(nèi)，另一部分位于像素界定層過渡圖形的頂表面，從而使得位于不同像素區(qū)域內(nèi)的公共層之間相互獨(dú)立，互不連接，這樣提供至子像素的空穴將不能夠經(jīng)由公共層泄露到相鄰的另一個(gè)子像素中，從而防止臨近的子像素之間出現(xiàn)流動(dòng)的漏電流，避免oled顯示裝置出現(xiàn)串色、漏光等不良，改善了顯示裝置的顯示品質(zhì)。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。