本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓臨時(shí)鍵合方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)復(fù)雜度與集成度的不斷提高，三維集成(3d)電路制造技術(shù)，得到越來越廣泛的應(yīng)用。三維集成電路能夠?qū)崿F(xiàn)更小的芯片面積、更短的芯片間互連、更高的數(shù)據(jù)傳輸帶寬以及不同工藝技術(shù)的集成，從而大幅度降低芯片功耗，減小延時(shí)，提高性能，擴(kuò)展功能，并為實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能的片上系統(tǒng)(soc)提供可能。

三維集成電路制造技術(shù)使得晶圓鍵合與解離工藝成為一個(gè)非常重要的工藝步驟，通過對晶圓鍵合與解離完成實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的工藝要求，從而得到三維集成電路所需要的晶圓。現(xiàn)有技術(shù)中通常是通過涂布一層或多層鍵合膠實(shí)現(xiàn)鍵合，鍵合膠的消耗較高，并且鍵合膠因?yàn)闊崤蛎浱卣骺赡軐?dǎo)致發(fā)生翹曲，同時(shí)在解離時(shí)因?yàn)樗鲆粚踊蚨鄬渔I合膠層的存在，需要消除鍵合膠所提供的鍵合力，解離工藝也比較繁瑣。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，通過多個(gè)真空槽來實(shí)現(xiàn)鍵合，解決鍵合膠消耗較高的問題。

本發(fā)明提供的晶圓臨時(shí)鍵合方法，包括：步驟1、提供一載片，在所述載片的第一面上開設(shè)多個(gè)真空槽；步驟2、提供一晶圓，在真空環(huán)境下將所述晶圓的鍵合面與所述載片的第一面貼合，并通過鍵合膠將所述鍵合面的邊緣與所述載片的第一面鍵合形成鍵合片；步驟3、進(jìn)行所述晶圓的背面工藝；步驟4、將所述晶圓從所述載片上解離。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述載片的材料為硅片或玻璃。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述載片的直徑比所述晶圓的直徑大0～2mm。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述載片的厚度為0.4mm～1mm。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述真空槽通過干法刻蝕或濕法刻蝕的方式制作。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，多個(gè)所述真空槽的面積為所述載片的面積的20％～80％。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，單個(gè)所述真空槽的寬度為10μm～1000μm，

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，單個(gè)所述真空槽的深度為10μm～100μm。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，在所述載片的第一面或所述晶圓的鍵合面的邊緣涂布一圈鍵合膠，所述鍵合膠的寬度為2～5mm，所述鍵合膠的厚度為10μm～50μm。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，在所述載片的第一面開設(shè)一圈涂膠凹槽，在所述涂膠凹槽內(nèi)填充鍵合膠，所述涂膠凹槽的寬度為2～5mm，所述涂膠凹槽的深度為10μm～50μm。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，在所述晶圓的鍵合面與所述載片的第一面貼合后，用邊緣注入的方式將所述鍵合膠注入到所述晶圓與所述載片交接處的縫隙中。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述晶圓的鍵合面上設(shè)置有凸起的器件結(jié)構(gòu)，在所述載片上與所述器件結(jié)構(gòu)相應(yīng)的位置開設(shè)有可容納所述器件結(jié)構(gòu)的凹槽。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述鍵合膠的材料為加熱固化膠材、紫外光照射固化膠材、加熱分解型膠材或激光分解型膠材中的一種。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述真空環(huán)境的真空度小于等于10pa。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，所述背面工藝包括減薄工藝、 刻蝕工藝、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、離子注入工藝和清洗工藝中的一種或多種。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，步驟5所述的將所述晶圓從所述載片上解離具體為，先通過激光或紫外光照射的方式分解所述鍵合膠，去除所述鍵合膠的粘著力，再使所述真空槽破真空。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，步驟5所述的將所述晶圓從所述載片上解離具體為，先通過激光或刀片切割所述晶圓與所述載片交界處的鍵合膠，再使所述真空槽破真空。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，步驟5所述的將所述晶圓從所述載片上解離具體為，先通過激光或刀片沿所述載片的第二面的邊緣切割一圈，并在所述載片的第二面貼覆保護(hù)膜，再將切割后的內(nèi)圈和外圈分離，最后使位于內(nèi)圈中的真空槽破真空，其中所述第二面與所述第一面相對。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，其特征在于，多個(gè)所述真空槽之間保持連通。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，使所述真空槽破真空具體為，在所述晶圓與所述載片的交界處插入楔子，使空氣滲入所述真空槽內(nèi)，之后所述晶圓與所述載片無應(yīng)力分離。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，使所述真空槽破真空具體為，在所述載片的無效區(qū)域上使用激光或機(jī)械方式開設(shè)一通氣孔，使空氣滲入所述真空槽內(nèi)，之后所述晶圓與所述載片無應(yīng)力分離。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，使所述真空槽破真空具體為，將所述鍵合片放入真空環(huán)境中，所述晶圓和載片可無應(yīng)力的分離。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，在將所述晶圓從所述載片上解離之前還包括：在所述鍵合片上設(shè)置支撐膜，所述支撐膜用于支撐所述晶圓，所述支撐膜安裝在支撐膜框架上。

優(yōu)選的，在所述晶圓臨時(shí)鍵合方法中，在將所述晶圓貼合在所述載片上之前，還包括在所述晶圓的鍵合面涂覆保護(hù)層。

本發(fā)明提供的晶圓臨時(shí)鍵合方法中，通過鍵合片中的真空槽來實(shí)現(xiàn)鍵合，相比現(xiàn)有技術(shù)需要在載片或晶圓上涂一整層鍵合膠，本發(fā)明只需要在 載片和/或晶圓外圍涂少量鍵合膠即可，大幅的減少了鍵合膠的用量。此外，所述晶圓臨時(shí)鍵合方法的工藝簡單，從而能夠提高生產(chǎn)效率，由于鍵合膠主要起密封作用，因此對鍵合膠的膠材的強(qiáng)度等材料特性要求降低，使鍵合膠的選擇范圍更廣，本發(fā)明對鍵合膠處理簡單方便，減少了工藝成本，從而提高了生產(chǎn)效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的鍵合片的剖視圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的載片的俯視圖；

圖3為圖1中虛線圈本發(fā)明實(shí)施例包含器件結(jié)構(gòu)的放大示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的鍵合膠注入方式的示意圖；

圖5為圖1中虛線圈本發(fā)明實(shí)施例包含保護(hù)層的放大示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例的解離方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例的解離方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例的解離方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例的解離方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例的解離方法的支撐膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。

如圖1所示，本發(fā)明提供的一種晶圓臨時(shí)鍵合方法，包括：

步驟1、提供一載片10，在所述載片10的第一面上開設(shè)多個(gè)真空槽11；

步驟2、提供一晶圓20，在真空環(huán)境下將所述晶圓20的鍵合面與所述 載片10的第一面貼合，并通過鍵合膠30將所述鍵合面的邊緣與所述載片10的第一面鍵合形成鍵合片；

步驟3、進(jìn)行所述晶圓20的背面工藝；

步驟4、將所述晶圓20從所述載片10上解離。

優(yōu)選的，所述載片10的材料為硅片或玻璃，硅片或玻璃具有較佳的物理和化學(xué)特性。當(dāng)所述載片10使用透明材料時(shí)，例如玻璃，能夠直接看到所述晶圓20的鍵合面，能夠?qū)λ鼍A20進(jìn)行雙面對準(zhǔn)，由于沒有阻擋，光學(xué)成像質(zhì)量高，從而可實(shí)現(xiàn)較高的精準(zhǔn)度。優(yōu)選方案中，所述載片10與所述晶圓20使用相同的材料，能夠使所述載片10的熱膨脹系數(shù)與所述晶圓20的熱膨脹系數(shù)一致，從而消除在后續(xù)工藝中的熱應(yīng)力、翹曲等由于材料不同帶來的副作用。需要說明的是，所述載片10的材料可根據(jù)形成鍵合片后進(jìn)行的工藝作選擇，其中硅片或玻璃材料為較為通用的材料。在其它實(shí)施例中，其它與半導(dǎo)體制造工藝匹配的材料例如硅的化合物或鍺的化合物也可以作為所述載片10的材料。

繼續(xù)參考圖2所示，在本實(shí)施例的載片10的第一面上設(shè)置有真空槽11，所述真空槽11形成鍵合片后成為真空的腔體結(jié)構(gòu)，即一真空腔。優(yōu)選的，所述載片10的直徑比所述晶圓20的直徑大0～2mm，從而所述載片10為所述晶圓20邊緣提供有效支撐，并能夠?yàn)樵O(shè)置鍵合膠30提供區(qū)域。優(yōu)選的，所述載片10的厚度為0.4mm～1mm，在此厚度內(nèi)所述載片10能夠提供足夠的剛性支撐。優(yōu)選的，所述真空槽11的面積為所述載片10的面積的20％～80％，在此面積的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)所述載片10的支撐力和與所述晶圓20的鍵合力之間的均衡。所述真空槽11在所述鍵合片內(nèi)形成真空腔，所述真空槽11在大氣環(huán)境下可為所述鍵合片提供鍵合力。優(yōu)選的，所述真空槽11的寬度為10μm～1000μm，所述真空槽11的深度為10μm～100μm，在對所述晶圓20進(jìn)行有效支撐的同時(shí)，還可避免所述載片10上設(shè)置的所述晶圓20變形。

在具體的實(shí)施方式中，所述載片10上的所述真空槽11可通過在所述載片10上涂覆光刻膠后，經(jīng)過光刻并曝光所述載片10，然后干法刻蝕或濕法刻蝕的方式制作，所述真空槽11可以設(shè)計(jì)為任意形狀。

優(yōu)選的，在所述載片10的第一面或所述晶圓20的鍵合面的邊緣涂布一圈鍵合膠，所述鍵合膠30的寬度為2～5mm，所述鍵合膠30的厚度為10μm～50μm。優(yōu)選的，在所述載片10的第一面開設(shè)一圈涂膠凹槽，在所述涂膠凹槽內(nèi)填充鍵合膠30，所述涂膠凹槽的寬度為2～5mm，所述涂膠凹槽的深度為10μm～50μm。優(yōu)選的，在所述晶圓20的鍵合面與所述載片10的第一面貼合后，用邊緣注入的方式將所述鍵合膠30注入到所述晶圓20與所述載片10交接處的縫隙中。

在具體的實(shí)施方式中，所述載片10邊緣可保留一圈平整的涂膠凹槽，用于與所述晶圓20邊緣密封使用，所述載片10邊緣一圈的涂膠凹槽的寬度可根據(jù)具體應(yīng)用需求制作，此涂膠凹槽的寬度較佳的為2～5mm，所述載片10邊緣一圈的涂膠凹槽與所述載片10最高平面保持一定高度差，用以容納起密封作用的鍵合膠，所述高度差較佳的為10μm～50μm。

優(yōu)選的，所述晶圓20的鍵合面上設(shè)置有凸起的器件結(jié)構(gòu)21，在所述載片10上與所述器件結(jié)構(gòu)21相應(yīng)的位置開設(shè)有可容納所述器件結(jié)構(gòu)21的真空槽11。如圖3所示，在具體實(shí)施例中，所述晶圓20的鍵合面設(shè)置有器件結(jié)構(gòu)21，所述器件21結(jié)構(gòu)包括電容、電阻、電感、mos管、放大器、邏輯電路中一個(gè)或多個(gè)組成。在具體實(shí)施例中，所述器件結(jié)構(gòu)21設(shè)置在所述真空槽11內(nèi)，從而使所述載片10在所述晶圓20上的平整部位提供支撐，從而避免了在現(xiàn)有的鍵合技術(shù)中，必須通過涂布涂層將晶圓上凸出的的器件結(jié)構(gòu)填平的要求，避免了埋入涂層的器件結(jié)構(gòu)與涂層之間的熱膨脹特性不一致導(dǎo)致部分工藝無法進(jìn)行的問題。所述載片10上的所述凸槽11可根據(jù)所述晶圓20上的所述器件結(jié)構(gòu)21的形貌進(jìn)行定制，使所述真空槽11可以容納所述晶圓20上凸出的所述器件結(jié)構(gòu)21。

在本實(shí)施例中，所述真空槽11的數(shù)量為多個(gè)，可根據(jù)所述晶圓20的尺寸及形貌等實(shí)際情況來設(shè)置所述真空槽11的數(shù)量。優(yōu)選的，多個(gè)所述真空槽11保持連通，使保持連通的所述真空槽11在大氣環(huán)境下產(chǎn)生一致的鍵合力，并且便于解離時(shí)破除密封狀態(tài)。

在本申請實(shí)施例中，所述鍵合膠30為加熱固化膠材、紫外光照射固化膠材、加熱分解型膠材或激光分解型膠材中的一種。所述鍵合膠30主 要起保持所述晶圓20與所述載片30之間密封的作用，所以所述鍵合膠30的膠材的選用范圍較廣。

優(yōu)選的，在所述晶圓20的鍵合面與所述載片10的第一面貼合后，用邊緣注入的方式將所述鍵合膠30注入到所述晶圓20與所述載片10交接處的縫隙中。具體實(shí)施方式中，所述鍵合膠30可涂布在所述載片10上或所述晶圓20上，所述鍵合膠30的涂布方式采用邊緣旋涂的方式或邊緣噴涂的方式，最優(yōu)的，所述鍵合膠30在所述載片10上涂布。如圖4所示，優(yōu)選方案中，所述鍵合膠30通過注膠頭50注入方式涂布到所述載片10與所述晶圓20交接處，通過在鍵合片邊緣點(diǎn)一圈鍵合膠來實(shí)現(xiàn)鍵合。優(yōu)選的，鍵合膠涂布完成的厚度優(yōu)選10μm～50μm。

優(yōu)選的，所述真空環(huán)境的真空度小于等于10pa，在此真空度下排掉所述真空槽11內(nèi)的空氣。具體實(shí)施方式中，所述載片10和所述晶圓20先分隔開一定間距，待環(huán)境達(dá)到設(shè)定的真空度后，再將所述晶圓10的第一面和所述載片20的第一面貼合在一起，從而使形成的所述真空槽11內(nèi)均達(dá)到設(shè)定的真空度。所述晶圓20和所述載片10貼合后，再施加一定的壓力和溫度，保證所述晶圓20和所述載片10的充分貼合，然后通過所述鍵合膠30進(jìn)行密封。在具體的實(shí)施例中，當(dāng)所述真空槽11需要容納所述器件結(jié)構(gòu)21時(shí)，所述載片10與所述晶圓20鍵合前需要精確對位，從而保證對應(yīng)的位置匹配。

優(yōu)選的，所述背面工藝包括減薄工藝、刻蝕工藝、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、離子注入工藝、清洗工藝中的一種或多種。在大氣環(huán)境下的工藝過程，如減薄工藝、刻蝕工藝、清洗工藝等，鍵合片中的真空槽為真空狀態(tài)，鍵合片內(nèi)外的氣壓差將晶圓與載片牢固的壓合在一起，同時(shí)由于真空槽的尺度微小，可有效的避免氣壓對真空槽上部晶圓施加壓力造成的晶圓變形。所述晶圓的減薄工藝，例如研磨減薄是在大氣環(huán)境中進(jìn)行的，在此過程中，所述鍵合片受到平行于所述晶圓表面的剪切力，由于所述鍵合片內(nèi)外的氣壓差將所述載片與所述晶圓壓合在一起，所述晶圓和所述載片之間的靜摩擦力和垂直于所述鍵合片表面的氣壓力成正比，有效的保證了在承受研磨剪切力時(shí)，所述晶圓和所述載片位置保持恒定不變，同時(shí)所 述載片能夠有效的支撐所述晶圓，保證所述晶圓研磨后的厚度一致，在研磨過程中，所述載片邊緣的鍵合膠可為所述晶圓的邊緣提供支撐。在真空環(huán)境下進(jìn)行的工藝，如化學(xué)氣相沉積、干法刻蝕、離子注入等工藝，所述鍵合片不受剪切力，在此狀況下，由所述鍵合膠可為所述晶圓提供支撐。

如圖5所示，優(yōu)選的，在將所述晶圓20貼合在所述載片10上之前，還包括在所述晶圓20的鍵合面涂覆保護(hù)層60，通過所述保護(hù)層60保護(hù)所述晶圓20的鍵合面上的敏感結(jié)構(gòu)，防止所述敏感結(jié)構(gòu)受鍵合力的破壞。優(yōu)選的，所述保護(hù)層60的材料為二氧化硅，二氧化硅具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)。

本發(fā)明還提供一種解離的方法，首先，提供由上述晶圓臨時(shí)鍵合方法形成的鍵合片，然后，通過物理方式或化學(xué)方式將所述晶圓從所述載片上解離。

如圖6所示，優(yōu)選的，步驟5所述的將所述晶圓20從所述載片10上解離具體為，先通過激光或刀片70切割所述晶圓20與所述載片10交界處的鍵合膠30，再使所述真空槽11破真空。在本實(shí)施例的解離方法中，所述物理方式為在所述鍵合膠30的位置設(shè)置激光或刀片70，通過激光或刀片70進(jìn)行切割來切開所述鍵合膠30。具體的實(shí)施方式中，所述激光或刀片70不作移動(dòng)，使鍵合片旋轉(zhuǎn)一圈或多圈后，解除所述鍵合片內(nèi)所述真空槽11內(nèi)的密封狀態(tài)，所述晶圓20與所述載片10可實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力的分離。

優(yōu)選的，步驟5所述的將所述晶圓20從所述載片10上解離具體為，先通過激光或刀片70沿所述載片10的第二面的邊緣切割一圈，并在所述載片10的第二面貼覆保護(hù)膜，再將切割后的內(nèi)圈和外圈分離，最后使位于內(nèi)圈中的真空槽11破真空，其中所述第二面與所述第一面相對。如圖7所示，在本實(shí)施例的解離方法中，所述物理方式為在所述晶圓的第二面設(shè)置激光或刀片70，通過激光或刀片70對所述晶圓20進(jìn)行切割。具體的實(shí)施方式中，所述激光或刀片70設(shè)置在所述晶圓20的第二面的邊緣位置，先通過激光或刀片70沿所述載片10的第二面的邊緣切割一圈，并在所述載片10的第二面貼覆保護(hù)膜，再將切割后的內(nèi)圈和外圈分離，最后使位于內(nèi)圈中的真空槽11破真空，通過轉(zhuǎn)動(dòng)鍵合片，通過所述激光或刀片70 將具有所述鍵合膠30的部分切除，使所述載片10與所述晶圓20實(shí)現(xiàn)解離。需要說明的是，在其它的實(shí)施例中，能通過所述激光或刀片70直接切割所述晶圓20得到所需要的部分，例如直接切割出單個(gè)的單元。備選方案中，所述物理方式也可以通過直接作用于所述載片10，例如，通過激光或刀片70對所述載片10進(jìn)行切割。

優(yōu)選的，步驟5所述的將所述晶圓20從所述載片10上解離具體為，先通過激光或紫外光照射的方式分解所述鍵合膠30，去除所述鍵合膠30的粘著力，再使所述真空槽11破真空。在具體實(shí)施方式中，所述化學(xué)方式為通過激光或紫外光照射的方式分解所述鍵合膠30，去除所述鍵合膠的粘著力，再使所述真空槽破真空。具體的實(shí)施方式中，通過激光或紫外光照射所述鍵合膠30，使所述鍵合膠30分解，從而解除所述鍵合片內(nèi)所述真空槽11內(nèi)的密封狀態(tài)，所述晶圓20與所述載片10可實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力的分離。

優(yōu)選的，在本實(shí)施例的解離方法中，所述化學(xué)方式為通過化學(xué)液與所述鍵合膠30進(jìn)行反應(yīng)。具體的實(shí)施方式中，通過化學(xué)液浸泡所述鍵合膠30，使所述化學(xué)液與所述鍵合膠30進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，解除所述鍵合片內(nèi)所述真空槽11內(nèi)的密封狀態(tài)，所述晶圓20與所述載片10可實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力的分離。

在上述的解離方法中，當(dāng)多個(gè)所述真空槽11保持連通時(shí)，使所述真空槽11破真空可選為，在所述晶圓20與所述載片10的交界處插入楔子80，使空氣滲入所述真空槽11內(nèi)，之后所述晶圓20與所述載片11無應(yīng)力分離。如圖8所示，在本實(shí)施例的解離方法中，所述物理方式為在所述載片10與所述晶圓20的交界處插入楔子80，使空氣滲入所述真空槽內(nèi)，之后所述晶圓與所述載片無應(yīng)力分離。具體的實(shí)施方式中，通過所述楔子80插入所述鍵合膠30形成微小的間隙，使空氣進(jìn)入所述真空槽11中，解除鍵合片內(nèi)所述真空槽11內(nèi)的密封狀態(tài)，所述晶圓20與所述載片10可實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力的分離。

在上述的解離方法中，當(dāng)多個(gè)所述真空槽11保持連通時(shí)，使所述真空槽11破真空可選為，在所述載片10的無效區(qū)域上使用激光或機(jī)械方式開 設(shè)一通氣孔90，使空氣滲入所述真空槽11內(nèi)，之后所述晶圓20與所述載片10無應(yīng)力分離。如圖9所示，在本實(shí)施例的解離方法中，所述物理方式為在所述晶圓20上使用激光或機(jī)械方式開一個(gè)或多個(gè)通氣孔90，使空氣滲入所述真空槽內(nèi)，之后所述晶圓與所述載片無應(yīng)力分離。具體的實(shí)施方式中，所述通氣孔90可選在所述晶圓20上的無效區(qū)域，最佳的為所述晶圓20的外緣區(qū)域，通過所述通氣孔90使空氣進(jìn)入所述真空槽11中，解除鍵合片內(nèi)所述真空槽11內(nèi)的密封狀態(tài)，所述晶圓20與所述載片10可實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力的分離。備選方案中，所述物理方式也可以通過直接作用于所述載片10，例如，在所述載片10上使用激光或機(jī)械方式開一個(gè)或多個(gè)通氣孔90。

在上述的解離方法中，當(dāng)多個(gè)所述真空槽11不互通時(shí)，使所述真空槽11破真空可選為，將所述鍵合片放入真空環(huán)境中，所述晶圓20和載片11可無應(yīng)力的分離。在具體實(shí)施例中，當(dāng)所述鍵合片內(nèi)有多個(gè)不互相連通的真空槽11時(shí)，當(dāng)所述鍵合片上的所述鍵合膠30解除后，將所述鍵合片放入到真空環(huán)境中，使所述載片10與所述晶圓20實(shí)現(xiàn)分離，既可完成解離。

如圖10所示，優(yōu)選的，所述解離的方法還包括：在所述鍵合片上設(shè)置支撐膜110，所述支撐膜110用于支撐所述晶圓20，所述支撐膜110安裝在支撐膜框架120上。當(dāng)所述晶圓20的背面工藝完成后，需將所述晶圓20與所述載片10進(jìn)行解離，由于所述晶圓20厚度非常薄，容易損壞，可將所述鍵合片貼附到所述支撐膜110上，以保證所述晶圓20在解離過程中均有可靠支撐。

當(dāng)所述鍵合片完成解離后，所述晶圓由于只有邊緣區(qū)域可能有少量鍵合膠殘留，可實(shí)現(xiàn)無需清洗，直接進(jìn)行后續(xù)工藝，例如劃片后成為成品，節(jié)省了生產(chǎn)工藝，拉高了生產(chǎn)效率。所述載片使用完成后，通過相應(yīng)的清洗工藝后即可重復(fù)使用，節(jié)省了生產(chǎn)成本。

本發(fā)明提供的晶圓臨時(shí)鍵合方法中，通過鍵合片中的真空槽來實(shí)現(xiàn)鍵合，相比現(xiàn)有技術(shù)需要在載片或晶圓上涂一整層鍵合膠，本發(fā)明只需要在載片和/或晶圓外圍涂少量鍵合膠即可，大幅的減少了鍵合膠的用量。此外，所述晶圓臨時(shí)鍵合方法的工藝簡單，從而能夠提高生產(chǎn)效率，由于鍵合膠 主要起密封作用，因此對鍵合膠的膠材的強(qiáng)度等材料特性要求降低，使鍵合膠的選擇范圍更廣，本發(fā)明對鍵合膠處理簡單方便，減少了工藝成本，從而提高了生產(chǎn)效率。

上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。