技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種鐵電場效應(yīng)晶體管，包括：襯底；在所述襯底上形成的源極區(qū)；在所述襯底上且同所述源極區(qū)分離形成的漏極區(qū)；在所述襯底上且在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間形成的絕緣層；在所述絕緣層上形成的鐵電薄膜層；在所述鐵電薄膜層上形成的柵電極；在所述源極區(qū)上形成的源電極；以及在所述漏極區(qū)上形成的漏電極。本發(fā)明在晶體管中引入氧化鉿基材料作為晶體管的柵介質(zhì)材料，HfN作為絕緣層，使得該晶體管在制作工藝上與現(xiàn)有硅工藝兼容，且可以獲得較低功耗、減小漏電流、實(shí)現(xiàn)長時間保持，可用于高性能、低功耗大規(guī)模存儲集成電路。

技術(shù)研發(fā)人員：廖敏;肖文武;周益春;彭強(qiáng)祥;鐘向麗;王金斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘潭大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.08
技術(shù)公布日：2017.09.15